JPH0442496A - 不揮発性ｒａｍ - Google Patents
不揮発性ｒａｍInfo
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- JPH0442496A JPH0442496A JP2148811A JP14881190A JPH0442496A JP H0442496 A JPH0442496 A JP H0442496A JP 2148811 A JP2148811 A JP 2148811A JP 14881190 A JP14881190 A JP 14881190A JP H0442496 A JPH0442496 A JP H0442496A
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- power supply
- sram
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、正常な電源電圧時には、高速ＲＡＭとして読
み書きができ、停電等の電圧低下時には、記憶内容が自
動的に不揮発性メモリ （Ｅ２ＲＯＭ）部に書き込まれ
て保存される不揮発性ＲＡＭに関する。
み書きができ、停電等の電圧低下時には、記憶内容が自
動的に不揮発性メモリ （Ｅ２ＲＯＭ）部に書き込まれ
て保存される不揮発性ＲＡＭに関する。
第３図は従来の通称ＮＶＲＡＭと呼ばれる不揮発性ＲＡ
Ｍの構成を示す。
Ｍの構成を示す。
高速で読み書きできるＳＲＡＭ １と、ＳＲＡＭ １の
記憶内容を保存するための電気的に書き換えのできるＥ
２ＲＯＭ ２と、書き込み信号によりＳＲＡＭ １の記
憶内容をＥ２ＲＯＭ ２に書き込む書き込み回路３とを
ワンチップ上に配設した構成になっていて、外部からの
書き込み信号によりＳＲＡＭ ｌの記憶内容をＥ２ＲＯ
Ｍ２に書き込んでおけば、停電時等に、その記憶内容を
保存することができる。しかし、ＳＲＡＭ １のリアル
タイムの記憶内容は消滅する。
記憶内容を保存するための電気的に書き換えのできるＥ
２ＲＯＭ ２と、書き込み信号によりＳＲＡＭ １の記
憶内容をＥ２ＲＯＭ ２に書き込む書き込み回路３とを
ワンチップ上に配設した構成になっていて、外部からの
書き込み信号によりＳＲＡＭ ｌの記憶内容をＥ２ＲＯ
Ｍ２に書き込んでおけば、停電時等に、その記憶内容を
保存することができる。しかし、ＳＲＡＭ １のリアル
タイムの記憶内容は消滅する。
すなわち、リアルタイムの記憶内容は、揮発性であるこ
とにおいて、通常の揮発性ＲＡＭの場合と変ることがな
い。
とにおいて、通常の揮発性ＲＡＭの場合と変ることがな
い。
従来のＮＶＲＡＭ−において停電時等にリアルタイムの
記憶内容を保存するには、第４図に示すような構成を採
らねばならない。
記憶内容を保存するには、第４図に示すような構成を採
らねばならない。
図において１１はＮＶＲＡＭ 、１２は電源電圧の低下
を検出し、電源電圧が低下したときＮＶＲＡＭ １１に
書き込み信号を送る電源電圧検出回路、１３は停電等に
よる電源電圧低下時にＥ２ＲＯＭへの書き込みに要する
電源を供給するバックアップ電源回路である。
を検出し、電源電圧が低下したときＮＶＲＡＭ １１に
書き込み信号を送る電源電圧検出回路、１３は停電等に
よる電源電圧低下時にＥ２ＲＯＭへの書き込みに要する
電源を供給するバックアップ電源回路である。
従来のＮＶＲＡＭは、単体では、停電のような予期しな
い電源電圧低下時には、記憶内容が保存されないという
問題があった。
い電源電圧低下時には、記憶内容が保存されないという
問題があった。
また、上記のような場合、記憶内容を保存するには、別
に、電源電圧が低下するとＮＶＲＡＭに書き込み信号を
送る電源電圧検出回路と、停電時にＥ２ＲＯＭ ２へ書
き込み回路３を動作させるに必要な電源を供給するバッ
クアンプ電源回路とこの電源回路を制御する制御回路を
付設する必要があり、煩雑で、そのうえ、装置全体が占
めるスペースが大きくなるという問題があった。
に、電源電圧が低下するとＮＶＲＡＭに書き込み信号を
送る電源電圧検出回路と、停電時にＥ２ＲＯＭ ２へ書
き込み回路３を動作させるに必要な電源を供給するバッ
クアンプ電源回路とこの電源回路を制御する制御回路を
付設する必要があり、煩雑で、そのうえ、装置全体が占
めるスペースが大きくなるという問題があった。
本発明は上記の問題を解消するためになされたもので、
単体で、停電のような不測の電源電圧低下時にも、その
ときの記憶内容が保存される小型で不揮発性ＲＡＭを提
供することを目的とする。
単体で、停電のような不測の電源電圧低下時にも、その
ときの記憶内容が保存される小型で不揮発性ＲＡＭを提
供することを目的とする。
本発明の不揮発性ＲＡＭは、高速で読み書きできるＳＲ
ＡＭと、該ＳＲＡＭの記憶内容を保存するための電気的
に書き換えのできる不揮発性のＥ！ＲＯＭと、書き込み
信号により上記ＳＲＡＭの記憶内容を上記Ｅ２ＲＯＭに
書き込む書き込み回路のほかに、電源電圧が低下すると
これを検知して上記書き込み回路に書き込み信号を送る
電源電圧検出回路と、電源電圧低下時に上記ＳＲＡＭの
記憶内容を上記Ｅ２ＲＯＭに書き込んでしまうまで電源
をバフクアソプするバックアップ電源回路をワンチップ
上に配設し、停電時に自動的に上記ＳＲＡＭの記憶内容
が上記Ｅ２ＲＯＭに書き込まれて保存される構成とした
ものである。
ＡＭと、該ＳＲＡＭの記憶内容を保存するための電気的
に書き換えのできる不揮発性のＥ！ＲＯＭと、書き込み
信号により上記ＳＲＡＭの記憶内容を上記Ｅ２ＲＯＭに
書き込む書き込み回路のほかに、電源電圧が低下すると
これを検知して上記書き込み回路に書き込み信号を送る
電源電圧検出回路と、電源電圧低下時に上記ＳＲＡＭの
記憶内容を上記Ｅ２ＲＯＭに書き込んでしまうまで電源
をバフクアソプするバックアップ電源回路をワンチップ
上に配設し、停電時に自動的に上記ＳＲＡＭの記憶内容
が上記Ｅ２ＲＯＭに書き込まれて保存される構成とした
ものである。
第１図は本発明の一実施例の構成を示し、第２図は第１
図の一実施例におけるバンクアップ電源回路の具体例を
示す。
図の一実施例におけるバンクアップ電源回路の具体例を
示す。
図において１．２．３は第３図の同一符号と同一または
相当する部分を示し、４は電源電圧検出回路、５はバン
クアップ電源、６は電源チャージ回路である。
相当する部分を示し、４は電源電圧検出回路、５はバン
クアップ電源、６は電源チャージ回路である。
バックアップ電源５用のコンデンサはワンチップ内に内
蔵するのが難しい場合があるが、他の回路部分会てをワ
ンチップ内に一体に内蔵することは容易である。
蔵するのが難しい場合があるが、他の回路部分会てをワ
ンチップ内に一体に内蔵することは容易である。
バックアップ電源５用のコンデンサを千ノブ内に内蔵す
る場合は、ＩＣ’として容量が大きくならないように、
多積化したり、強誘電膜を使用することにより対応する
ことができる。
る場合は、ＩＣ’として容量が大きくならないように、
多積化したり、強誘電膜を使用することにより対応する
ことができる。
電源電圧が低下した場合、電源電圧検出回路４により検
出され、該検出回路４から自動的に書き込み回路３に書
き込み信号が送られ、ＳＲＡＭ １のメモリセルの内容
がＥ２ＲＯＭ ２のメモリセルに書き込まれる。この時
書き込み動作に必要な電源は、電源電圧がすでに低下し
ているため、バックアップ電源５から供給される。
出され、該検出回路４から自動的に書き込み回路３に書
き込み信号が送られ、ＳＲＡＭ １のメモリセルの内容
がＥ２ＲＯＭ ２のメモリセルに書き込まれる。この時
書き込み動作に必要な電源は、電源電圧がすでに低下し
ているため、バックアップ電源５から供給される。
バックアップ電源５はＥ２ＲＯＭ ２にＳＲＡＭ １の
記憶内容が書き込まれる期間のみ電圧が保持されていれ
ばよい。
記憶内容が書き込まれる期間のみ電圧が保持されていれ
ばよい。
バンクアップ電源５のコンデンサは、電源電圧が正常な
間は電源チャージ回路６により常時チャージされている
。そして、電源チャージ回路６は、電源電圧が低下した
時のバックアップ電源５のコンデンサの放電電流が外部
に流れ出すのを防止する働きもする。
間は電源チャージ回路６により常時チャージされている
。そして、電源チャージ回路６は、電源電圧が低下した
時のバックアップ電源５のコンデンサの放電電流が外部
に流れ出すのを防止する働きもする。
バンクアップ電源５にコンデンサでなく二次電池を使用
してもよい。
してもよい。
以上説明したように、本発明によると、ワンチップ上の
構成により、停電時等に記憶内容が保存されることによ
り、従来採られていた構成に比べ、煩雑さがなくなり、
占有するスペースが小さくなり、かつ装置の信顧性が向
上するという効果がある。
構成により、停電時等に記憶内容が保存されることによ
り、従来採られていた構成に比べ、煩雑さがなくなり、
占有するスペースが小さくなり、かつ装置の信顧性が向
上するという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の構成を示す説明図、第２図
は第１図の一実施例におけるバックアップ電源回路の具
体例を示す説明図、第３図は従来の通称ＮＶＲＡＭと呼
ばれる不揮発性ＲＡＭの構成を示す説明図、第４図は従
来のＮＶＲＡＭにより停電時等にリアルタイムの記憶内
容を保存する場合の構成を示す図である。 １・・・ＳＲＡＭ、２・・・Ｅ２ＲＯＭ 、３・・・書
き込み回路、４・・・電源電圧検出回路、５・・・バッ
クアップ電源、６・・・電源チャージ回路 なお図中同一符号は同一または相当するものを示す。 特許出廓人 新日本無線株式会社 第 図 第 図
は第１図の一実施例におけるバックアップ電源回路の具
体例を示す説明図、第３図は従来の通称ＮＶＲＡＭと呼
ばれる不揮発性ＲＡＭの構成を示す説明図、第４図は従
来のＮＶＲＡＭにより停電時等にリアルタイムの記憶内
容を保存する場合の構成を示す図である。 １・・・ＳＲＡＭ、２・・・Ｅ２ＲＯＭ 、３・・・書
き込み回路、４・・・電源電圧検出回路、５・・・バッ
クアップ電源、６・・・電源チャージ回路 なお図中同一符号は同一または相当するものを示す。 特許出廓人 新日本無線株式会社 第 図 第 図
Claims (1)
- 高速で読み書きできるＳＲＡＭと、該ＳＲＡＭの記憶内
容を保存するための電気的に書き換えのできる不揮発性
のＥ＾２ＲＯＭと、書き込み信号により上記ＳＲＡＭの
記憶内容を上記Ｅ＾２ＲＯＭに書き込む書き込み回路と
、電源電圧が低下するとこれを検知して上記書き込み回
路に書き込み信号を送る電源電圧検出回路と、停電時に
上記ＳＲＡＭの記憶内容を上記Ｅ＾２ＲＯＭに書き込ん
でしまうまで電源をバックアップするバックアップ電源
回路とをランチップ上に配設し、停電時に自動的に上記
ＳＲＡＭの記憶内容が上記Ｅ＾２ＲＯＭに書き込まれて
保存される構成としたことを特徴とする不揮発性ＲＡＭ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2148811A JPH0442496A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 不揮発性ｒａｍ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2148811A JPH0442496A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 不揮発性ｒａｍ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442496A true JPH0442496A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15461244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2148811A Pending JPH0442496A (ja) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | 不揮発性ｒａｍ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442496A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06309234A (ja) * | 1993-02-15 | 1994-11-04 | Toshiba Corp | ディスク制御装置 |
| US5511183A (en) * | 1992-05-12 | 1996-04-23 | Fujitsu Limited | Non-volatile memory controlling apparatus and applications of the same to electronic computer peripheral equipments |
| WO2003067602A1 (fr) * | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Sony Corporation | Circuit memoire composite et dispositif semi-conducteur comprenant ce circuit |
| WO2004012198A1 (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-05 | Sony Corporation | 複合記憶回路及び同複合記憶回路を有する半導体装置 |
| JP2007305294A (ja) * | 2007-06-22 | 2007-11-22 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置、半導体メモリ装置及び半導体メモリセル |
| JP2012133746A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Lsi Corp | メモリ・バックアップ中のデータ操作 |
| JP2012133748A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Lsi Corp | 電源異常のデータ操作 |
| JP2013198958A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Daihen Corp | ロボット制御装置 |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP2148811A patent/JPH0442496A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5511183A (en) * | 1992-05-12 | 1996-04-23 | Fujitsu Limited | Non-volatile memory controlling apparatus and applications of the same to electronic computer peripheral equipments |
| US5767647A (en) * | 1992-05-12 | 1998-06-16 | Fujitsu Limited | Non-volatile memory controlling apparatus and applications of the same to electronic computer peripheral equipment |
| US5982120A (en) * | 1992-05-12 | 1999-11-09 | Fujitsu Limited | Library apparatus having a motor driving control including abnormal motor and excess current detecting circuits |
| JPH06309234A (ja) * | 1993-02-15 | 1994-11-04 | Toshiba Corp | ディスク制御装置 |
| EP1473733A4 (en) * | 2002-02-08 | 2005-07-27 | Sony Corp | COMPOSED MEMORY SWITCHING AND SEMICONDUCTOR EQUIPMENT THEREWITH |
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| US7385845B2 (en) | 2002-02-08 | 2008-06-10 | Sony Corporation | Composite storage circuit and semiconductor device having the same |
| WO2004012198A1 (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-05 | Sony Corporation | 複合記憶回路及び同複合記憶回路を有する半導体装置 |
| US7130224B2 (en) | 2002-07-29 | 2006-10-31 | Sony Corporation | Composite storage circuit and semiconductor device having the same composite storage circuit |
| EP1542235A4 (en) * | 2002-07-29 | 2007-03-07 | Sony Corp | ASSEMBLED MEMORY CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH THE SAME ASSEMBLED MEMORY CIRCUIT |
| JP2007305294A (ja) * | 2007-06-22 | 2007-11-22 | Texas Instr Japan Ltd | 半導体装置、半導体メモリ装置及び半導体メモリセル |
| JP2012133746A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Lsi Corp | メモリ・バックアップ中のデータ操作 |
| JP2012133748A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Lsi Corp | 電源異常のデータ操作 |
| TWI552153B (zh) * | 2010-12-20 | 2016-10-01 | 安華高科技通用Ｉｐ（新加坡）公司 | 電源故障之資料調處 |
| JP2013198958A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Daihen Corp | ロボット制御装置 |
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