JPH0442505A - Manufacture of sintered body varistor element - Google Patents
Manufacture of sintered body varistor elementInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、例えば二端子素子型の液晶表示装置の非線形
素子として用いて好適な焼結体バリスタ素子の製造方法
に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for manufacturing a sintered varistor element suitable for use as a nonlinear element in, for example, a two-terminal element type liquid crystal display device.
[従来の技術]
現在、例えば液晶テレビの画像表示袋!には大別して単
純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある
。単純マトリクス方式は直角をなして設けられた二組の
帯状電極群(行電極群と列電極群)の間に複数の液晶画
素を行列状に配して接続したものであり、これら帯状電
極間に駆動回路によって所定の電圧を印加して液晶画素
を作動させる。この方式は、構造が簡単なため低価格で
システふを実現できるという利点があるが、各液晶画素
でのクロストークが生じるため画素のフントラストが低
く、液晶テレビの画像表示を行う際、画質の低下は避け
られないものであった。これに対し、アクティブマトリ
クス方式は各液晶画素毎にスイッチング素子を設けて電
圧を保持するものであり、液晶表示装置を時分割駆動し
ても液晶画素が選択時の電圧を保持することができるた
め、表示容量の増大が可能で、コントラスト等の画質に
関する特性が良く、液晶テレビの高画質画像表示を実現
できるものである。しかしながら、アクティブマトリク
ス方式にあっては構造が複雑となって製造コストが高く
なってしまうという欠点があった0例えば、スイッチン
グ素子として薄膜トランジスタを用いるTFT型では、
その製造工程において5枚以上のフォトマスクを用いて
5層以上の薄膜を重ねるため、製品歩留まりを上げるこ
とが困難である。[Prior Art] Currently, for example, image display bags for LCD TVs! There are two main types of methods: simple matrix method and active matrix method. In the simple matrix method, a plurality of liquid crystal pixels are arranged in a matrix and connected between two sets of band-shaped electrode groups (row electrode group and column electrode group) arranged at right angles. A predetermined voltage is applied by a drive circuit to operate the liquid crystal pixels. This method has the advantage of being able to implement a system at a low cost due to its simple structure, but due to crosstalk occurring in each LCD pixel, the pixel's pixel resistance is low, resulting in poor image quality when displaying images on an LCD TV. The decline was inevitable. On the other hand, in the active matrix method, a switching element is provided for each liquid crystal pixel to maintain the voltage, and even if the liquid crystal display device is time-divisionally driven, the liquid crystal pixel can maintain the voltage at the time of selection. , it is possible to increase the display capacity, have good image quality characteristics such as contrast, and realize high-quality image display on a liquid crystal television. However, the active matrix method has the drawback that the structure is complicated and the manufacturing cost is high. For example, in the TFT type, which uses thin film transistors as switching elements,
In the manufacturing process, five or more photomasks are used to stack five or more thin films, making it difficult to increase product yield.
上記のようなことから、コントラスト等の画質に関する
特性が良くかつ構造簡単にして低コストな方式の液晶表
示装置の実現が望まれており、このような要求を実現す
る方式として焼結体バリスタ素子を用いた二端子素子型
液晶表示装置が注目されている。For the above reasons, there is a desire to realize a liquid crystal display device that has good image quality characteristics such as contrast, has a simple structure, and is low cost. Sintered varistor elements are a method that can meet these requirements. A two-terminal element type liquid crystal display device using a 2-terminal device is attracting attention.
二端子素子型の液晶表示装置は単純マ) IJクス方式
に改良を加えて、第7図に示すように行電極1と列電極
2との間に液晶画素4と所定のしきい値電圧で導通する
焼結体バリスタ素子とを電気的に直列に配して接続した
ものであり、第8図に示すような焼結体バリスタ素子3
の非線形な電流−電圧特性を利用したものである。すな
わち、単純マトリクス方式における時分割駆動では、第
9図に示すように液晶画素がオン(光透過率が90%)
する電圧V、。とオフ(光透過率が10%)する電圧V
l<1との比T (”V*o/V’++=(V+o+A
V)/V、。)から、各液晶画素間のクロストークを生
ずることなく許容される最大の走査線数N■axは、N
IIax −((y”+ 1)/D”−1))”であり
、Tの値が小さい方が走査線数が多くなって液晶テレビ
表示に有利である。これに対し、二端子素子型では、焼
結体バリスタ素子3によりそのしきい値電圧Vvを超え
た分の電圧が液晶画素4に印加されるようにして、焼結
体バリスタ素子を設けない場合の液晶画素の動作電圧(
第10図(a)参照)を焼結体バリスタ素子を設けるこ
とによってそのしきい値電圧Vvだけ高くしている(第
10図(ロ)参照)、この結果、前記γΦ値は■、。/
’ V I。A two-terminal element type liquid crystal display device is a simple matrix (IJ) method with improvements, and as shown in FIG. The sintered varistor element 3 is electrically connected in series with a sintered varistor element that conducts, as shown in FIG.
This utilizes the nonlinear current-voltage characteristics of In other words, in time-division driving using the simple matrix method, as shown in Figure 9, the liquid crystal pixels are turned on (light transmittance is 90%).
voltage V,. and the voltage V at which it turns off (light transmittance is 10%)
The ratio T ("V*o/V'++=(V+o+A
V)/V,. ), the maximum allowable number of scanning lines N■ax without causing crosstalk between each liquid crystal pixel is N
IIax - ((y"+ 1)/D"-1))", and the smaller the value of T, the greater the number of scanning lines, which is advantageous for LCD television display.On the other hand, the two-terminal element type Now, by applying a voltage exceeding the threshold voltage Vv to the liquid crystal pixel 4 by the sintered body varistor element 3, the operating voltage of the liquid crystal pixel without the sintered body varistor element (
(see FIG. 10(a)) is increased by its threshold voltage Vv by providing a sintered body varistor element (see FIG. 10(b)). As a result, the γΦ value is . /
'VI.
から(VV+VI。)/ (Vv +V+・)に改善さ
れ、T値の低下によって最大走査線数N1axの増加が
図られ、良質な液晶表示を実現することができる。to (VV+VI.)/(Vv+V+.), the maximum number of scanning lines N1ax is increased by decreasing the T value, and a high-quality liquid crystal display can be realized.
第2図〜第6図には一般的な二端子素子型の液晶表示装
置を示す。2 to 6 show general two-terminal element type liquid crystal display devices.
第2図に示すように、行電極11それぞれに対して多数
の画素電極12が一定の間隔dをもって設けられ、行電
極11と画素電極12とは各焼結体バリスタ素子13で
一定のしきい値電圧Vvをもって接続されている。液晶
画素−つについてみると、第3図及び第4図に示すよう
に、下側ガラス基板10上に行電極11と画素電極12
とを所定の間隔dを隔てて設け、これら行電極11と画
素電極12とを酸化亜鉛(ZnO)からなる焼結体バリ
スタ素子で接続しである。そして、これらの上部を液晶
14で満たし、さらに、列電極15、カラーフィルタ1
6、上側ガラス基板17を設けである。焼結体バリスタ
素子13は、第6図に詳示するように、ZnO単結晶粒
子131の表面をMn、Co酸化物等の無機質絶縁膜1
32で被覆したバリスタ粒子13aからなり、第5図に
詳示するように、これらバリスタ粒子13aをガラスフ
リッ) 13bで焼結したものである。このような焼結
体バリスタ素子13においては、粒径的5μmのバリス
タ粒子1個あたり約3■のしきい値電圧が得られる。し
たがって、行電極11と画素電極12との間隔dを25
μmに設定すれば、この間隔d内に存在する実質的に直
列5個のバリスタ粒13aを介して行電極11と画素電
極12とが接続され、コレラ電極11.12間には5個
X3V=15Vのしきい値電圧が得られる。As shown in FIG. 2, a large number of pixel electrodes 12 are provided for each row electrode 11 at a constant interval d, and the row electrodes 11 and pixel electrodes 12 are arranged at a constant threshold in each sintered varistor element 13. It is connected with a value voltage Vv. Regarding a liquid crystal pixel, as shown in FIGS. 3 and 4, row electrodes 11 and pixel electrodes 12 are arranged on a lower glass substrate 10.
The row electrodes 11 and the pixel electrodes 12 are connected to each other by a sintered varistor element made of zinc oxide (ZnO). Then, the upper parts of these are filled with liquid crystal 14, and column electrodes 15 and color filters 1 are further filled.
6. An upper glass substrate 17 is provided. As shown in detail in FIG. 6, the sintered varistor element 13 has a ZnO single crystal particle 131 covered with an inorganic insulating film 1 made of Mn, Co oxide, etc.
As shown in detail in FIG. 5, these varistor particles 13a are sintered with glass frit 13b. In such a sintered varistor element 13, a threshold voltage of about 3 .mu.m can be obtained per 5 .mu.m varistor particle. Therefore, the distance d between the row electrode 11 and the pixel electrode 12 is set to 25
If it is set to μm, the row electrode 11 and the pixel electrode 12 are connected through substantially five varistor grains 13a in series existing within this interval d, and there are five varistor grains 13a between the cholera electrodes 11 and 12. A threshold voltage of 15V is obtained.
[発明が解決しようとする課B]
特に、画質の良好な二端子素子型液晶表示装置を実現す
るためには、焼結体バリスタ素子13が高性能を有し安
定性が高くかつその性能が素子間で一定している必要が
ある。このためには、第6図に示したバリスタ粒子13
aを形成する際、ZnO単結晶粒子131の表面を無機
質絶縁膜132で一定の厚みに被膜する必要がある。[Problem B to be solved by the invention] In particular, in order to realize a two-terminal element type liquid crystal display device with good image quality, it is necessary that the sintered varistor element 13 has high performance, high stability, and high performance. It must be constant between elements. For this purpose, the varistor particles 13 shown in FIG.
When forming a, it is necessary to coat the surface of the ZnO single crystal particle 131 with an inorganic insulating film 132 to a certain thickness.
従来より焼結体バリスタ素子13は、酸化亜鉛の微粉末
を加熱して焼結させて多結晶化した後、当該焼結多結晶
体を粉砕、分級して酸化亜鉛単結晶粒子粉末を得、当該
酸化亜鉛単結晶粒子を熱処理して角取りした後、当該酸
化亜鉛単結晶粒子の表面をMn、Co#化物絶縁膜等の
無機質絶縁膜で被覆してバリスタ粒子粉末を形成し、当
該バリスタ粒子粉末にガラスフリットと有機バインダを
加えてペースト化し、当該ペーストを絶縁基板上に印刷
塗布した後に焼成して得ていた。Conventionally, the sintered body varistor element 13 is made by heating and sintering fine zinc oxide powder to polycrystallize it, and then crushing and classifying the sintered polycrystalline body to obtain zinc oxide single crystal particle powder. After the zinc oxide single crystal particles are heat-treated and cornered, the surface of the zinc oxide single crystal particles is coated with an inorganic insulating film such as a Mn or Co# compound insulating film to form a varistor particle powder, and the varistor particles are It was obtained by adding glass frit and an organic binder to powder to form a paste, printing the paste on an insulating substrate, and then firing it.
しかしながら、このような従来技術では、一定の厚みの
被膜を有するバリスタ粒子を収率よく製造する事ができ
ず液晶表示装置の低コスト化や性能向上が困難であると
いう問題があった。However, such conventional techniques have a problem in that varistor particles having a film of a certain thickness cannot be manufactured with good yield, making it difficult to reduce the cost and improve the performance of liquid crystal display devices.
本発明は、上記従来の事情に鑑みなされたもので、無機
質絶縁膜で一定の厚みに被膜したバリスタ粒子を効率よ
く製造でき高性能且つその性能が素子間で一定した焼結
体バリスタ素子を容易に量産する事を目的とする。The present invention was made in view of the above-mentioned conventional circumstances, and it is possible to efficiently manufacture varistor particles coated with an inorganic insulating film to a certain thickness, and to easily produce sintered varistor elements with high performance and whose performance is constant from element to element. The aim is to mass produce it.
[課題を解決するための手段]
本発明の焼結体バリスタ素子の製造方法は、酸化亜鉛の
微粉末を加熱して焼結させた後、当該焼結体を粉砕、分
級して酸化亜鉛単結晶粒子粉−末を得、当該酸化亜鉛単
結晶粒子を再度焼成して球状化した後、当該酸化亜鉛単
結晶粒子に金属酸化物を添加し、混合した後、1250
℃〜1300℃で30分以上加熱することにより、当該
酸化亜鉛単結晶粒子の表面を無機質絶縁膜で被膜してバ
リスタ粒子粉末を形成し、当該バリスター粒子粉末にガ
ラスフリットと有機バインダーを加えてペースト化し、
当該ペーストを絶縁基板上に印刷塗布した後に焼成して
焼結体バリスタ素子を得ることを特徴とする。[Means for Solving the Problems] The method for manufacturing a sintered varistor element of the present invention involves heating and sintering a fine powder of zinc oxide, and then crushing and classifying the sintered body to form a single zinc oxide. After obtaining crystal grain powder and spheroidizing the zinc oxide single crystal particles, a metal oxide was added to the zinc oxide single crystal particles and mixed,
By heating at ℃ to 1300℃ for 30 minutes or more, the surface of the zinc oxide single crystal particles is coated with an inorganic insulating film to form varistor particle powder, and a glass frit and an organic binder are added to the varistor particle powder. Make it into a paste,
The method is characterized in that the paste is printed and coated on an insulating substrate and then fired to obtain a sintered varistor element.
[作用]
本発明では、無機質絶縁膜を酸化亜鉛単結晶粒子に被膜
する工程において、酸化亜鉛単結晶粒子に金属酸化物を
添加し、混合した後、1250〜1300℃で30分以
上加熱焼成する事により無機質絶縁膜で一定の厚みに被
膜したバリスタ粒子を効率よく製造でき高性能且つその
性能が素子間で一定した焼結体バリスタ素子を容易にし
ている。[Function] In the present invention, in the step of coating zinc oxide single crystal particles with an inorganic insulating film, a metal oxide is added to zinc oxide single crystal particles, mixed, and then heated and baked at 1250 to 1300 ° C. for 30 minutes or more. As a result, varistor particles coated with an inorganic insulating film to a certain thickness can be efficiently manufactured, making it easy to produce sintered varistor elements with high performance and whose performance is constant from element to element.
[実施例]
本発明に係わる焼結体バリスタ素子の製造方法を実施例
に基づいて具体的に説明する。[Example] A method for manufacturing a sintered varistor element according to the present invention will be specifically described based on an example.
第1図は、本発明の一実施例に係わる製造方法の工程図
である。FIG. 1 is a process diagram of a manufacturing method according to an embodiment of the present invention.
まず、造粒工程101において原料である市販の酸化亜
鉛(ZnO)の微粉末(粒径0.5μm程度)を造粒す
る。First, in a granulation step 101, commercially available zinc oxide (ZnO) fine powder (particle size of about 0.5 μm), which is a raw material, is granulated.
次いで、焼結工程102において、このZnO微粉末を
1150℃〜1250℃で2時間以上加熱して焼結させ
、平均粒径が7μm〜8μmの単結晶粒を含んだ多結晶
体に結晶化させる0次いで、粉砕工程103において、
乳鉢等を用いて多結晶体を粉砕してZnO単結晶粉末と
する。次いで、分級工程1゜4において、空気分級機を
用いて5μm〜10μmの粒径のZnO単結晶粒子を2
0%で得た。Next, in a sintering step 102, this ZnO fine powder is heated and sintered at 1150° C. to 1250° C. for 2 hours or more to crystallize it into a polycrystalline body containing single crystal grains with an average grain size of 7 μm to 8 μm. 0 Next, in the crushing step 103,
The polycrystal is ground using a mortar or the like to obtain a ZnO single crystal powder. Next, in the classification step 1°4, ZnO single crystal particles with a particle size of 5 μm to 10 μm are separated using an air classifier.
Obtained at 0%.
そして、角取り焼成工程105において、950″C〜
1050℃で1時間〜3時間加熱して、ZnO単結晶粒
に表面部分だけを溶融させ、ZnO単結晶粒の角を取っ
て球状化させる。Then, in the corner firing step 105, 950″C ~
Heating is performed at 1,050° C. for 1 to 3 hours to melt only the surface portion of the ZnO single crystal grains and round the corners of the ZnO single crystal grains to make them spheroidal.
次いで、金属酸化物添加・焼成工程106において、Z
nO単結晶粉体に、MnCO5、Co*osを各0゜5
++o1%添加し、1250〜13oo℃で30分以上
焼成する。これによって第6図に示したように、ZnO
単結晶粒子131の表面にMnO2及びCo、O,絶縁
膜132を一定の厚みで被覆したバリスタ粒子13aが
形成される。なお、焼成によってバリスタ粒子同士が多
少融着してしまうので、粉取り工程107において乳鉢
等で軽く解しバリスタ粒子粉末とする0次いで、インキ
化工程108において、ガラスフリフト、有機バインダ
ーとしてエチルセルロース、そして有機溶剤としてカル
ピトールを添加し、混合してペースト化する。Next, in the metal oxide addition and firing step 106, Z
Add 0°5 each of MnCO5 and Co*os to nO single crystal powder.
Add 1% of ++O and bake at 1250-13ooC for 30 minutes or more. As a result, as shown in FIG.
Varistor particles 13a are formed by coating the surfaces of single crystal particles 131 with MnO2, Co, O, and an insulating film 132 with a constant thickness. In addition, since the varistor particles are somewhat fused to each other during baking, they are lightly dissolved in a mortar or the like in a powder removing step 107 to form a varistor particle powder.Next, in an ink forming step 108, glass flift, ethyl cellulose as an organic binder, etc. Calpitol is then added as an organic solvent and mixed to form a paste.
次いで、印刷工程109において、ペースト化したバリ
スタ粒子粉末を第4図に示したように酸化インジュウム
ー酸化錫(ITO)がら成る行電極11及び画素電極1
2が予め設けられているガラス基板上にこのペーストを
250メツシユのスクリーン印刷版を用いて所定形状に
印刷塗布し、これを空気中で420℃で1時間加熱して
乾燥固化させる。その結果、第5図に示したように、互
いに接触したバリスタ粒子13aをガラスフリット13
bで固めた焼結体バリスター素子を得る。Next, in a printing step 109, the pasted varistor particle powder is applied to row electrodes 11 and pixel electrodes 1 made of indium oxide and tin oxide (ITO), as shown in FIG.
This paste is printed and applied in a predetermined shape onto a glass substrate on which No. 2 has been previously provided using a 250-mesh screen printing plate, and is dried and solidified by heating at 420° C. for 1 hour in air. As a result, as shown in FIG. 5, the varistor particles 13a in contact with each other are
A solidified sintered varistor element is obtained in step b.
上記のようにして得られた本発明のバリスタ素子の電気
特性について述べる。周知のようにバリスタの電流−電
圧特性は次式で示される。The electrical characteristics of the varistor element of the present invention obtained as described above will be described. As is well known, the current-voltage characteristics of a varistor are expressed by the following equation.
1 =KV“
ここで、■はバリスタ素子に流れる電流、■はバリスタ
素子の電極間の電圧、Kは固有抵抗の抵抗値に相当する
定数、αは電圧非直線特性の指数を示しており、この電
圧非直線指数α(通常α値と呼ばれる)は大きいほど、
バリスタ特性が優れていることになる0本実施例では、
I = 10−”(A)及び! = 10−’(A)に
おける傾きからα値を求めた。(以下、余白)
、th表−仁1JLL
第1表は添加物添加焼成後のα値を示したものである。1 = KV" Here, ■ is the current flowing through the varistor element, ■ is the voltage between the electrodes of the varistor element, K is a constant corresponding to the resistance value of the specific resistance, and α is the exponent of the voltage nonlinear characteristic, The larger this voltage nonlinearity index α (usually called the α value), the more
In this example, the varistor characteristics are excellent.
The α value was calculated from the slope at I = 10-'' (A) and ! = 10-' (A). This is what is shown.
これに示されるように、焼成温度を1200℃以下とす
ると適当なα値が得られない結果となった。叉1350
℃以上になると酸化亜鉛粒子が昇華し始める為好ましく
ない。しかし本発明を用いた場合α値が、12〜22と
いう値を得る事ができる為、高性能且つその性能が素子
間で一定した焼結体バリスタ素子を得る事ができる。As shown, when the firing temperature was set to 1200° C. or lower, an appropriate α value could not be obtained. 1350
If the temperature exceeds ℃, zinc oxide particles begin to sublimate, which is not preferable. However, when the present invention is used, it is possible to obtain an α value of 12 to 22, so it is possible to obtain a sintered body varistor element with high performance and whose performance is constant from element to element.
なお、上記の実施例においては、無機物絶縁膜となる金
属酸化物としてMnCO3、co!O8を例にとり説明
したが、それ以外の金属としてSr。In the above example, MnCO3, co! The explanation has been given using O8 as an example, but Sr can be used as an example of other metals.
Nb、Ge、等を含有する金属酸化物を用いても差し支
えないことはもちろんである。Of course, metal oxides containing Nb, Ge, etc. may also be used.
また、本発明は液晶表示装置用の焼結体バリスタ素子の
みならず、一般的に用いられる焼結体バリスタ素子とし
ても勿論適用することができる。Furthermore, the present invention can of course be applied not only to sintered varistor elements for liquid crystal display devices, but also to commonly used sintered varistor elements.
[発明の効果]
以上詳細に説明したように、本発明によれば、無機質絶
縁膜を酸化亜鉛の単結晶粒子に被膜する工程において、
酸化亜鉛単結晶粒子に金属酸化物を添加し、混合した後
、1250〜1300°Cで30分以上加熱焼成するよ
うにしたため、無機質絶縁膜で一定の厚みに被膜したバ
リスタ粒子を効率よく製造でき高性能且つその性能が素
子間で一定した焼結体バリスタ素子の量産を容易に実現
する事ができる。従って、むらのない、鮮明な画像表示
を達成する液晶表示装置を得ることが可能と法の一実施
例を工程順に示す説明図、第2図は一般的な液晶表示装
置の電極形状の一例を示す平面図、第3図は一般的な液
晶表示装置の一画素の拡大平面図、第4図はバリスタ素
子を用いた液晶表示装置の一例を示す断面図、第5図は
第4図中のバリスタ素子要部の拡大図、第6図はバリス
タ粒子の断面図、第7図は二端子素子型液晶表示装置の
等価回路図、第8図は焼結体バリスタ素子の電圧−電流
特性を示すグラフ図、第9図は単純マトリックス方式の
液晶画素の動作特性を示すグラフ図、第1θ図(a)
、(b)はそれぞれ焼結体バリスタ素子を用いないとき
と、用いたときの液晶画素の動作特性を示すグラフであ
る。[Effects of the Invention] As explained in detail above, according to the present invention, in the step of coating zinc oxide single crystal particles with an inorganic insulating film,
Since a metal oxide is added to zinc oxide single crystal particles, mixed and then heated and fired at 1250 to 1300°C for 30 minutes or more, it is possible to efficiently produce varistor particles coated with an inorganic insulating film to a certain thickness. It is possible to easily mass-produce sintered varistor elements with high performance and whose performance is constant from element to element. Therefore, it is possible to obtain a liquid crystal display device that achieves an even and clear image display. 3 is an enlarged plan view of one pixel of a general liquid crystal display device, FIG. 4 is a sectional view showing an example of a liquid crystal display device using varistor elements, and FIG. An enlarged view of the essential parts of the varistor element, Figure 6 is a cross-sectional view of the varistor particles, Figure 7 is an equivalent circuit diagram of a two-terminal element type liquid crystal display device, and Figure 8 shows the voltage-current characteristics of the sintered varistor element. Graph, Figure 9 is a graph showing the operating characteristics of a simple matrix type liquid crystal pixel, Figure 1θ (a)
, (b) are graphs showing the operating characteristics of a liquid crystal pixel when a sintered body varistor element is not used and when it is used, respectively.
11・・・行電極 12・・・画素電極 13・・
・焼結体バリスタ素子 13a・・・パリス粒子
13b・・・ガラスフリット14・・・液晶 15・
・・列電極131・・・ZnO単結晶粒子 132・
・・無機質絶縁膜第1図は本発明の焼結体バリスタ素子
の製造方(2nO照料粉〕
↓
口11下102
↓
「[1上110
第1図
第3図
第4図
第5図
第2図
第6図
第7図
第8図11... Row electrode 12... Pixel electrode 13...
・Sintered body varistor element 13a...Paris particle
13b...Glass frit 14...Liquid crystal 15.
...Column electrode 131...ZnO single crystal particles 132.
...Inorganic insulating film Figure 1 shows how to manufacture the sintered varistor element of the present invention (2nO irradiation powder) ↓ Lower mouth 11 102 ↓ [1 Upper 110 Figure 1 Figure 3 Figure 4 Figure 5 Figure 2 Figure 6 Figure 7 Figure 8
Claims (1)
体を粉砕、分級して粒径5μm〜10μmの酸化亜鉛単
結晶粒子を得、該酸化亜鉛単結晶粒子に、焼結して絶縁
性被膜となる金属酸化物を添加し、混合した後、125
0℃〜1300℃で30分以上加熱することにより、該
酸化亜鉛単結晶粒子の表面を無機質絶縁膜で被膜してバ
リスタ粒子粉末を形成し、当該バリスター粒子粉末にガ
ラスフリットと有機バインダーを加えてペースト化し、
当該ペーストを絶縁基板上に印刷塗布した後に焼成して
焼結体バリスタ素子を得ることを特徴とする焼結体バリ
スタ素子の製造方法。(1) Fine zinc oxide powder is heated to form a sintered body, the sintered body is crushed and classified to obtain zinc oxide single crystal particles with a particle size of 5 μm to 10 μm, and the zinc oxide single crystal particles are sintered. After adding and mixing the metal oxide that forms the insulating film, 125
By heating at 0°C to 1300°C for 30 minutes or more, the surface of the zinc oxide single crystal particles is coated with an inorganic insulating film to form varistor particle powder, and a glass frit and an organic binder are added to the varistor particle powder. and paste it.
A method for manufacturing a sintered varistor element, which comprises printing and applying the paste on an insulating substrate and then firing it to obtain a sintered varistor element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2151129A JPH0442505A (en) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | Manufacture of sintered body varistor element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2151129A JPH0442505A (en) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | Manufacture of sintered body varistor element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442505A true JPH0442505A (en) | 1992-02-13 |
Family
ID=15512001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2151129A Pending JPH0442505A (en) | 1990-06-08 | 1990-06-08 | Manufacture of sintered body varistor element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442505A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2022071303A1 (en) * | 2020-10-02 | 2022-04-07 |
-
1990
- 1990-06-08 JP JP2151129A patent/JPH0442505A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2022071303A1 (en) * | 2020-10-02 | 2022-04-07 | ||
| WO2022071303A1 (en) * | 2020-10-02 | 2022-04-07 | Dic株式会社 | Zinc oxide particles, method for producing zinc oxide particles, and resin composition |
| CN116249744A (en) * | 2020-10-02 | 2023-06-09 | Dic株式会社 | Zinc oxide particles, method for producing zinc oxide particles, and resin composition |
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