JPH0442781Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この考案は被試験集積回路の入出力兼用端子
と，その入出力兼用端子を終端させる終端抵抗器
とを接続状態と非接続状態とに切り替えられる
IC試験装置に関する 「従来の技術」 IC試験装置は、被試験集積回路の入力端子に
信号を与え、その時に出力端子から出力される出
力信号を観測し、その観測結果により被試験集積
回路の機能動作の良否を判定する。この際、正規
の出力信号を得るためには出力端子には終端抵抗
器を接続し、終端電圧端子に終端させる必要があ
る。ところで集積回路の端子は入力端子と出力端
子とを兼ね、適宜に入力端子機能と出力端子機能
とに切り替えて入出力動作をするようになつてい
る場合がある。この場合、出力端子機能状態にあ
るときには終端抵抗器を接続して終端させ、入力
端子機能状態にあるときには終端抵抗器を切り離
す必要がある。このような終端抵抗器の接続と非
接続との切り替え操作をするために、被試験集積
回路の入出力端子とIC試験装置とを接続するピ
ンエレクトロニクス回路では入出力兼用端子と終
端抵抗器との間にスイツチング回路を介在させて
いる。

第２図は、従来のIC試験装置におけるピンエ
レクトロニクス回路の例を示す図である。

被試験集積回路DUTの各端子１１は接続線１
２によりIC試験装置１３の入出力端１４に接続
さる（図では１つの端子１１に対するもののみを
示す）。その端子１１が入力端子機能状態にある
時には、リレー１５が開に制御されて終端抵抗器
１６が端子１１からの接続線１２から切り離さ
れ、IC試験装置１３の例えば50Ωの出力抵抗値を
もつ出力回路１７から試験信号が供給される。ま
た、端子１１が出力機能状態にある時には、リレ
ー１５が閉に制御されて50Ωの終端抵抗器１６が
端子１１からの接続線１２に接続される。従つ
て、被試験集積回路DUTの端子１１から出力さ
れる出力信号は終端抵抗器１６で終端電圧端子１
８に終端された状態の下でIC試験装置１３の入
力回路１９に供給され、入力回路１９は供給され
た信号を比較電圧と比較し、その比較出力をIC
試験装置１３は被試験集積回路DUTの正規の出
力信号として受け取ることが可能とされている。

「考案が解決しようとする問題点」 非試験集積回路の入出力兼用端子は被試験期間
中、入力端子機能と出力端子機能とに適宜に切り
換えて試験される。ここで用いられているリレー
は機械的な開閉動作により接点を開閉させるが、
一般に機械的な動作は電気的な動作に較べて非常
に遅いという問題がある。従つて、従来のIC試
験装置では、リレー１１の開閉動作速度により被
試験集積回路の試験速度が決められ、高速動作で
試験を行うことができない。

「問題点を解決するための手段」 この考案では、このような従来のIC試験装置
の問題点を解決するもので、被試験集積回路の入
出力兼用端子に接続される終端抵抗器を、高速に
接続状態と非接続状態とに切り換え制御すること
を可能とする。

即ち、入出力兼用端子の機能状態に応じて、そ
の入出力兼用端子に接続されるべき終端抵抗器を
接続状態と非接続状態とに切り換え制御するスイ
ツチング回路は、ダイオードブリツジを用いて構
成される。

入出力兼用端子からの接続線１２はダイオード
ブリツジの一方の陽極陰極接続点に接続され、他
方の陽極陰極接続点は終端抵抗器を介して終端電
圧端子に接続される。

また、ダイオードブリツジの陽極接続点は第１
半導体スイツチを介して第１電源端子に接続さ
れ、陰極接続点は第２半導体スイツチを介して第
２電源端子に接続され、これら第１、第２半導体
スイツチを同時に制御してダイオードブリツジの
第１電源端子側から第２電源端子側への電流を制
御する。この結果、ダイオードブリツジの２つの
陽極陰極間の導通、非導通状態が制御され、よつ
て入出力兼用端子と終端抵抗器との接続と非接続
との切り換え制御が電子回路的な速度で制御され
る。

「実施例」 第１図はこの考案の実施例を示す回路図であ
る。

第２図と対応する部分には同じ符号を付して示
す。

この考案では、入出力兼用端子１１の機能状態
に応じて、その入出力兼用端子１１に接続される
べき終端抵抗器１６を非接続状態或いは接続状態
に制御するスイツチ回路にダイオードブリツジ２
１が用いられる。

被試験集積回路DUTの入出力兼用端子１１か
らの接続線１２はIC試験装置１３の試験信号入
出力端１４に接続される。また、その接続線１２
には、その入出力兼用端子１１が出力端子機能と
される場合に、終端抵抗器１６がダイオードブリ
ツジ２１を用いて構成されるスイツチング回路２
２を介して接続される。即ち、ダイオードブリツ
ジ２１を構成する第１ダイオード２３の陽極と第
２ダイオード２４の陰極との接続点２５に入出力
兼用端子１１からの接続線１２が接続され、ダイ
オードブリツジ２１を構成する第３ダイオード２
６の陽極と第４ダイオード２７の陰極との接続点
２８に終端抵抗器１６の一端が接続され、その終
端抵抗器１６の他端は終端電圧端子１８とコンデ
ンサ３１とに接続される。コンデンサ３１の他端
は接地される。

また、この第２ダイオード２４の陽極と第４ダ
イオード２７の陽極との接続点３２には第１半導
体スイツチ３３が接続され、この陽極接続点３２
は第１半導体スイツチ３３を通して第１電源端子
３４に接続される。第１半導体スイツチ３３はこ
の例ではPNP型のペア．トランジスタ３５，３
６で構成され、その一方の第１トランジスタ３５
のコレクタに第２、第４ダイオード２４，２７の
陽極接続点３２が接続され、第１トランジスタ３
５のエミツタと第２トランジスタ３６のエミツタ
との共通接続点３７は抵抗器３８を介して第１電
源端子３４に接続される。第１、第２トランジス
タ３５，３６のベースはそれぞれ抵抗器３９，４
１を介して第１電源端子３４に接続されると共
に、それぞれ第５，第６ダイオード４２，４３の
陰極に接続され、この第５、第６ダイオード４
２，４３を通して第１半導体スイツチ３３の開閉
制御信号が供給されるように構成される。

第１ダイオード２３の陰極と第３ダイオード２
６の陰極との接続点４４は第２半導体スイツチ４
５が接続され、この陰極接続点４４は第２半導体
スイツチ４５を通して第２電源端子４６に接続さ
れる。第２半導体スイツチ４５はこの例では
NPN型のペア・トランジスタ４７，４８で構成
され、その一方の第３トランジスタ４７のコレク
タに第１、第３ダイオード２３，２６の陰極接続
点４４が接続され、第３トランジスタ４７のエミ
ツタと第４トランジスタ４８のエミツタとの共通
接続点４９は抵抗器５１を介して第２電源端子４
６に接続される。第３、第４トランジスタ４７，
４８のベースはそれぞれ抵抗器５２，５３を介し
て第２電源端子４６に接続されると共に、それぞ
れ第７、第８ダイオード５４，５５の陽極に接続
され、この第７、第８ダイオード５４，５５を介
して、第２半導体スイツチ４５を開閉制御する制
御信号が供給される。

この第２電源端子４６に供給される第２電源電
圧V2は第１電源電圧V1よりも低い電源電位とさ
れ、第１、第２半導体スイツチ３３，４５の開閉
によりこのダイオードブリツジ２１には第１電源
端子３４から第２電源端子４６に向けて電流が流
れているように構成される。

この考案では、第１、第２半導体スイツチ３
３，４５に対して、これらを同時に開閉制御する
制御信号が与えられる。第６、第７ダイオード４
３，５４の陽極陰極接続点５６と第５、第８ダイ
オード４２，５５の陽極陰極接続点５７とには、
互いに符号の異なる相補的な制御信号が制御回路
５８から相補信号出力回路５９を介して供給され
る。

相補信号出力回路５９は互いに逆極性の信号、
つまり相補的な２つの信号を出力する。制御回路
５８からＨ−レベルの信号が相補信号出力回路５
９に与えられると、相補信号出力回路５９はＨ−
レベル信号を第６、第７ダイオード４３，５４の
陽極陰極接続点５６に供給し、Ｌ−レベル信号を
第５、第８ダイオード４２，５５の陽極陰極接続
点５７に供給する。陽極陰極接続点５６にＨ−レ
ベル信号が供給されると、第６ダイオード４３の
陰極はＨ−レベルとなり、第２トランジスタのエ
ミツタ−ベース間は電位差がなくなり第２トラン
ジスタは非導通状態となる。一方、第７ダイオー
ド５４の陽極はＨ−レベルとなり、第３トランジ
スタ４７エミツタ−ベース間には電位差が生じ第
３トランジスタ４７は導通状態となる。

陽極陰極接続点５７にＬ−レベル信号が供給さ
れると、第５ダイオード４２の陰極はＬ−レベル
となり、第１トランジスタ３５のエミツタ−ベー
ス間には電位差が生じ第１トランジスタ３５は導
通状態となる。一方の第８ダイオード５５の陽極
はＬ−レベルとなり、第４トランジスタ４８のエ
ミツタ−ベース間の電位差はなくなり第４トラン
ジスタ４８は非導通状態となる。

このように、第１、第３トランジスタ３５，４
７は共に導通状態となり、従つて、ダイオードブ
リツジ２１には第１トランジスタ３５を介して第
１電源端子３４から電流が供給され、第３トラン
ジスタ４７を介して第２電源端子４６へ電流が流
れる。このように、ダイオードブリツジ２１に電
流が流れている時はこのダイオードブリツジ２１
の２つの陽極陰極接続点２５及び２８との間は導
通状態となり、従つて入出力兼用端子１１からの
接続線１２と終端抵抗器１６とは接続状態ONと
される。

次に、制御回路５８からＬ−レベルの制御信号
が相補信号出力回路５９に供給されると、相補信
号出力回路５９の出力は反転し、Ｌ−レベルの信
号を第６、第７ダイオード４３，５４の陽極陰極
接続点５６に供給し、Ｈ−レベルの信号を第５、
第８ダイオード４２，５５の陽極陰極接続点５７
に供給する。

陽極陰極接続点５６にＬ−レベル信号が供給さ
れると、第６ダイオード４３の陰極がＬ−レベル
となり、第２トランジスタのエミツタ−ベース間
は電位差が生じ第２トランジスタは導通状態とな
る。一方、第７ダイオード５４の陽極はＬ−レベ
ルとなり、第３トランジスタ４７の４エミツタ−
ベース間には電位差がなくなり第３トランジスタ
４７は非導通状態となる。陽極陰極接続点５７に
Ｈ−レベルの信号が供給されると、第５ダイオー
ド４２の陰極はＨ−レベルとなり、第１トランジ
スタ３５のエミツタ−ベース間には電位差がなく
なり第１トランジスタ３５は非導通状態となる。
一方の第８ダイオード５５の陽極はＨ−レベルと
なり、第４トランジスタ４８のエミツタ−ベース
間には電位差が生じ第４トランジスタ４８は導通
状態となる。

従つて、第１、第３トランジスタ３５，４７は
非導通状態となり、ダイオードブリツジ２１には
電流は流れない。ダイオードブリツジ２１の陽極
接続点３２と陰極接続点４４との間に電流が流れ
ないと、このダイオードブリツジ２１の２つの陽
極陰極接続点２５，２８との間は非導通状態とな
り、従つて、入出力兼用端子１１からの接続線１
２と終端抵抗器１６とは非接続状態OFFとされ
る。

このダイオードブリツジ２１の２つの陽極陰極
接続点２５，２８間のON状態からOFF状態へ、
或いは又OFF状態からON状態への変換動作は、
制御回路５８からの信号制御により行われ、電子
的なON−OFF制御が実現され、従つて、電子回
路的な高速動作を行わせることが可能である。

以上では、ダイオードブリツジで構成されるス
イツチング回路は入出力兼用端子に接続れるとし
て説明してきたが、信号を供給されるだけの入力
端子及び信号を出力するだけの出力端子に接続さ
れる入力或いは出力端にも適用され、試験期間中
ダイオードブリツジをOFFに制御或いはONに制
御させておいても何等差し支えない。

「考案の効果」 非試験集積回路の入出力端子が接続される従来の
IC試験装置のピンエレクトロニクス装置ではリ
レーを制御することにより、その機械的な接点の
開閉動作をさせ、終端抵抗器との接続状態と非接
続状態とを切り変えていたが、この考案ではダイ
オードブリツジの２つの陽極陰極接続点を介して
終端抵抗器を接続する構成とした。そして、その
ダイオードブリツジの陽極接続点と陰極接続点と
の間を流れる電流を半導体スイツチにより制御す
ることによつて２つの陽極陰極接続点の間の導通
状態を制御し、終端抵抗器との接続と非接続を切
り替えるように構成した。従つて、ダイオードブ
リツジの電子的な開閉動作で終端抵抗器の接続と
非接続の切り替え制御が可能になり、よつて、被
試験集積回路の高速動作下での試験を行うことが
できるようになつた。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の実施例でIC試験装置と被
試験集積回路の端子との間を接続するピンエレク
トロニクスの例を示す回路図、第２図は従来の
IC試験装置のピンエレクトロニクスの例を示す
図である。 １……入出力端子、１２……接続線、１３……
IC試験装置、１４……入出力端、１５……リレ
ー、１６……終端抵抗器、１７……出力回路、１
８……終端電圧端子、１９……入力回路、２１…
…ダイオードブリツジ、２２……スイツチング回
路、２３……第１ダイオード、２４……第２ダイ
オード、２５……陽極陰極接続点、２６……第３
ダイオード、２７……第４ダイオード、２８……
陽極陰極接続点、３１……コンデンサ、３２……
陽極接続点、３３……第１半導体スイツチ、３４
……第１電源端子、３５……第１トランジスタ、
３６……第２トランジスタ、３７……エミツタの
共通接続点、３８……抵抗器、３９……抵抗器、
４１……抵抗器、４２……第５ダイオード、４３
……第６ダイオード、４４……陰極接続点、４５
……第２半導体スイツチ、４６……第２電源端
子、４７……第３トランジスタ、４８……第４ト
ランジスタ、４９……エミツタの共通接続点、５
１……抵抗器、５２……抵抗器、５３……抵抗
器、５４……第７ダイオード、５５……第８ダイ
オード、５６……陽極陰極接続点、５７……陽極
陰極接続点、５８……制御回路、５９……相補信
号出力回路。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. ダイオードブリツジの一陽極陰極接続点に接続
   され、そのダイオードブリツジの他の陽極陰極接
   続点は終端抵抗器を通して終端電圧端子に接続さ
   れ、上記ダイオードブリツジの陽極接続点は第１
   半導体スイツチを通じて第１電源端子に接続さ
   れ、陰極接続点は第２半導体スイツチを通して第
   １電源端子の電源より低い電位の第２電源端子に
   接続され、上記第１、第２半導体スイツチに対し
   て、同時にこれらを開閉制御する制御信号が与え
   られるように構成されているIC試験装置。