JPH0442910Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0442910Y2 JPH0442910Y2 JP12544484U JP12544484U JPH0442910Y2 JP H0442910 Y2 JPH0442910 Y2 JP H0442910Y2 JP 12544484 U JP12544484 U JP 12544484U JP 12544484 U JP12544484 U JP 12544484U JP H0442910 Y2 JPH0442910 Y2 JP H0442910Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- crucible
- jig
- saucer
- introduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011538 cleaning material Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は、分子線エピタキシヤル装置(以下
MBEと称す)等の真空装置内へ比較的低融点の
物質を、装置の真空を破ることなくエアーロツク
で導入しようとする治具の改良に関する。
MBEと称す)等の真空装置内へ比較的低融点の
物質を、装置の真空を破ることなくエアーロツク
で導入しようとする治具の改良に関する。
第2図に従来の試料導入治具を示す。
1はマグネツト、2はゲートバルブ、3は試料受
皿、4は試料、5は試料入れ用るつぼである。
皿、4は試料、5は試料入れ用るつぼである。
ゲートバルブを閉じた状態で、試料導入治具を
取り外し、試料4を、試料受皿3に入れる。再び
治具を装置に取りつけ所定の排気を行なう。排気
後ゲートバルブ2を開け、マグネツト1を操作し
て試料受皿を試料入れ用るつぼ5の近くまで移動
させる。試料を試料受皿から試料入れ用るつぼに
移すには、マグネツトを回転させ、受皿を傾ける
ことにより行なつていた。
取り外し、試料4を、試料受皿3に入れる。再び
治具を装置に取りつけ所定の排気を行なう。排気
後ゲートバルブ2を開け、マグネツト1を操作し
て試料受皿を試料入れ用るつぼ5の近くまで移動
させる。試料を試料受皿から試料入れ用るつぼに
移すには、マグネツトを回転させ、受皿を傾ける
ことにより行なつていた。
しかるに、この様に構成された従来の試料導入
治具では、以下の如き問題があつた。
治具では、以下の如き問題があつた。
(a) 試料受皿を試料入れ用るつぼの入口に接近さ
せるには、高度の熟練技術を要すると共に、る
つぼ入口が水平でない場合、受皿からるつぼへ
試料を移すのが容易ではない。手間どればるつ
ぼ入口付近についていた異物が試料が付着し、
コンタミの原因となる。
せるには、高度の熟練技術を要すると共に、る
つぼ入口が水平でない場合、受皿からるつぼへ
試料を移すのが容易ではない。手間どればるつ
ぼ入口付近についていた異物が試料が付着し、
コンタミの原因となる。
(b) 受皿からるつぼへ試料を移す場合、試料がる
つぼの底へ徐々に落ちてゆかず、一度に落下す
ることが多く、PBNなどの材質で作られたる
つぼの場合、るつぼ底部が割れる。
つぼの底へ徐々に落ちてゆかず、一度に落下す
ることが多く、PBNなどの材質で作られたる
つぼの場合、るつぼ底部が割れる。
本考案は、上述した欠点を取り除き、試料に異
物を付着させることなく、試料を迅速に受皿から
るつぼに移す治具を提供することを目的としてい
る。
物を付着させることなく、試料を迅速に受皿から
るつぼに移す治具を提供することを目的としてい
る。
MBE等の真空装置内へGa,In,Al等の比較的
低融点の物質を導入する際、試料導入治具先端の
受皿外周に、試料を加熱溶解さすためのヒーター
と、かつ溶解した試料を、試料入れ用るつぼに導
く導管を受皿底部に設けた。
低融点の物質を導入する際、試料導入治具先端の
受皿外周に、試料を加熱溶解さすためのヒーター
と、かつ溶解した試料を、試料入れ用るつぼに導
く導管を受皿底部に設けた。
〔作用〕
導入管を受皿底部に設けた事によりるつぼ入口
へ、受皿底部導入管を容易に移動出来る。かつ受
皿外周にヒーター線を設けた事により、試料を溶
解させ、導入管を通して、試料を容易にるつぼへ
移すことが出来る。
へ、受皿底部導入管を容易に移動出来る。かつ受
皿外周にヒーター線を設けた事により、試料を溶
解させ、導入管を通して、試料を容易にるつぼへ
移すことが出来る。
本考案による一実施例の断面図を図1に示す。
6は試料受皿3の外周に設けられたヒーター、7
は受皿3の底部から下方に設けられた導入管、8
は電流導入端子である。なお、(1)〜(5)は、従来の
ものと同様である。
6は試料受皿3の外周に設けられたヒーター、7
は受皿3の底部から下方に設けられた導入管、8
は電流導入端子である。なお、(1)〜(5)は、従来の
ものと同様である。
本考案による動作は、試料を受皿に入れてから
受皿をるつぼ近くまで移動させるのは、従来のも
のと同様である。受皿底部の導入管7をるつぼ入
口まで近づけた後、電流導入端子8よりヒーター
線6に通電し、試料を溶解させる。溶解した試料
は導入管を通つてるつぼ内部へ入る。
受皿をるつぼ近くまで移動させるのは、従来のも
のと同様である。受皿底部の導入管7をるつぼ入
口まで近づけた後、電流導入端子8よりヒーター
線6に通電し、試料を溶解させる。溶解した試料
は導入管を通つてるつぼ内部へ入る。
以上の実施例からも明らかな様に、本考案の構
成による試料導入治具を用いれば、るつぼ入口の
断面積に対し、導入管の方が小さいので、るつぼ
と受皿の位置合せが容易である。またるつぼが水
平に近い状態であつても、導入管から試料を入れ
るので、試料の移動が容易である。ヒーターで試
料を溶解させるので、るつぼに対し機械的な振
動、力がかからないのでるつぼが割れない。試料
にるつぼ入口周辺の異物が付着しない、試料表面
の酸化物は受皿内部の壁面に付着して残り、試料
内部の洗浄なもののみるつぼへ入るという利点を
有する。
成による試料導入治具を用いれば、るつぼ入口の
断面積に対し、導入管の方が小さいので、るつぼ
と受皿の位置合せが容易である。またるつぼが水
平に近い状態であつても、導入管から試料を入れ
るので、試料の移動が容易である。ヒーターで試
料を溶解させるので、るつぼに対し機械的な振
動、力がかからないのでるつぼが割れない。試料
にるつぼ入口周辺の異物が付着しない、試料表面
の酸化物は受皿内部の壁面に付着して残り、試料
内部の洗浄なもののみるつぼへ入るという利点を
有する。
この考案によれば治具先端部の受皿の外周に、
試料を加熱溶解するヒーターを設け、さらに、受
皿の底部に導入管を設け、ヒーターにより溶解し
た試料を受皿の底部から導入管により下方のるつ
ぼに導くようにしたので、試料を汚染することな
く、迅速にるつぼに導くことができるという優れ
た効果を有する。
試料を加熱溶解するヒーターを設け、さらに、受
皿の底部に導入管を設け、ヒーターにより溶解し
た試料を受皿の底部から導入管により下方のるつ
ぼに導くようにしたので、試料を汚染することな
く、迅速にるつぼに導くことができるという優れ
た効果を有する。
第1図は、本考案による試料導入治具の断面
図、第2図は、従来のものを示す。 図において、1はマグネツト、2はゲートバル
ブ、3は試料受皿、4は試料、5は試料入れ用る
つぼ、6はヒーター、7は導入管、8は電流導入
端子である。なお図中同一符号は同一もしくは相
当部分を示す。
図、第2図は、従来のものを示す。 図において、1はマグネツト、2はゲートバル
ブ、3は試料受皿、4は試料、5は試料入れ用る
つぼ、6はヒーター、7は導入管、8は電流導入
端子である。なお図中同一符号は同一もしくは相
当部分を示す。
Claims (1)
- 真空装置内に試料をエアーロツクで導入する治
具において、治具先端部の試料受皿の外周にヒー
ターを設け、試料を加熱溶解させるようにし、さ
らに、受皿の底部から下方に導入管を設け、溶解
した試料を受皿底部から導入管により、真空室内
に配設された下方の試料入れ用るつぼに導くよう
にしたことを特徴とする試料導入治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12544484U JPS6140646U (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 試料導入治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12544484U JPS6140646U (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 試料導入治具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6140646U JPS6140646U (ja) | 1986-03-14 |
| JPH0442910Y2 true JPH0442910Y2 (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=30684133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12544484U Granted JPS6140646U (ja) | 1984-08-17 | 1984-08-17 | 試料導入治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6140646U (ja) |
-
1984
- 1984-08-17 JP JP12544484U patent/JPS6140646U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6140646U (ja) | 1986-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0787296B2 (en) | Separation device for microparticles involving a magnetic rod | |
| JPH0442910Y2 (ja) | ||
| JP3584492B2 (ja) | 脱亜鉛誘導溶解方法 | |
| US5997640A (en) | Device and method for liquefying and crystallizing substances | |
| US4206652A (en) | Sampler | |
| JP2001354489A (ja) | 単結晶引上装置のクリーニング装置及びクリーニング方法 | |
| EP0404291B1 (en) | Holder for molten metal sampling device | |
| US4643032A (en) | Frangible molten metal sampling device | |
| US6132508A (en) | Device and method for liquefying and crystallizing substances | |
| US4646578A (en) | Molten metal sampling device | |
| US6171395B1 (en) | Process and heating device for melting semiconductor material | |
| JPS6245020A (ja) | 半導体加熱用石英管のシ−ル方法 | |
| JP2021028615A (ja) | 塊状金属物品の製造方法 | |
| JP2000053490A (ja) | 溶融ポット支持用支持ルツボ | |
| JP2665778B2 (ja) | 半導体単結晶引上げ装置 | |
| JPS5913697A (ja) | 液相エピタキシヤル成長装置 | |
| JPH0142929Y2 (ja) | ||
| JPS63295494A (ja) | 単結晶の育成装置 | |
| Perruchaut et al. | Some aspects of environmental effects on the fatigue damage of the AM 1 single crystal superalloy at high temperature | |
| JPS59215722A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPS5833655B2 (ja) | 荷電粒子線装置の凍結試料作製用キヤリア− | |
| Gault et al. | Thermal endurance of polyphased refractories based on alumina | |
| Tanaka et al. | Novel inclusion body in hepatitis-related liver cirrhosis | |
| JPH03285141A (ja) | 電子顕微鏡観祭用試料の包埋方法及び包埋器 | |
| Li et al. | IEM for Detection of Simply Concentrated Viruses. |