JPH0442921Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0442921Y2 JPH0442921Y2 JP1987062676U JP6267687U JPH0442921Y2 JP H0442921 Y2 JPH0442921 Y2 JP H0442921Y2 JP 1987062676 U JP1987062676 U JP 1987062676U JP 6267687 U JP6267687 U JP 6267687U JP H0442921 Y2 JPH0442921 Y2 JP H0442921Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- resin
- semiconductor device
- adhesive layer
- tape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は半導体装置に関するもので、特にダイ
パツドを有するリードフレームと、半導体ペレツ
トを搭載するための特定の構造のダイパツドテー
プを用いた半導体装置に関するものである。
パツドを有するリードフレームと、半導体ペレツ
トを搭載するための特定の構造のダイパツドテー
プを用いた半導体装置に関するものである。
従来の半導体装置は第１図および第２図に示す
ようなダイパツド１、リード２およびサポートバ
ー３から構成されるリードフレームのダイパツド
１の上に第２図に示すようにダイボンデイング接
着剤層５を介して半導体ペレツト４を載置し、該
ペレツト４上に形成された電極７とリード２とを
接続したボンデイングワイヤー６と共に封止樹脂
８により一体化した構成を有する。
ようなダイパツド１、リード２およびサポートバ
ー３から構成されるリードフレームのダイパツド
１の上に第２図に示すようにダイボンデイング接
着剤層５を介して半導体ペレツト４を載置し、該
ペレツト４上に形成された電極７とリード２とを
接続したボンデイングワイヤー６と共に封止樹脂
８により一体化した構成を有する。
この場合、ダイパツドの背面は封止樹脂との接
着封止性が悪いために、リードと封止樹脂との界
面から侵入した外部からの水分が溜り易く、半導
体装置をサーキツト板に面実装する際のはんだ付
け工程の加熱処理の際、これがもとで水分の急激
な膨張により封止樹脂等に内部応力を生じ、半導
体ペレツトや封止樹脂等にクラツクが発生する問
題を有する。
着封止性が悪いために、リードと封止樹脂との界
面から侵入した外部からの水分が溜り易く、半導
体装置をサーキツト板に面実装する際のはんだ付
け工程の加熱処理の際、これがもとで水分の急激
な膨張により封止樹脂等に内部応力を生じ、半導
体ペレツトや封止樹脂等にクラツクが発生する問
題を有する。
〔考案が解決しようとする問題点〕
本考案は上記の実情に鑑みてなされたものであ
り、ダイパツドと封止樹脂との直径の接触を避
け、その代わりに封止樹脂と親和性のあるダイパ
ツドテープを介在させることによりリードフレー
ムと封止樹脂との接着封止性を向上せしめ、信頼
性に優れた半導体装置を提供することを目的とす
るものである。
り、ダイパツドと封止樹脂との直径の接触を避
け、その代わりに封止樹脂と親和性のあるダイパ
ツドテープを介在させることによりリードフレー
ムと封止樹脂との接着封止性を向上せしめ、信頼
性に優れた半導体装置を提供することを目的とす
るものである。
本考案の概要はリードの中央のダイパツド上に
半導体ペレツトが配置され、少なくも該ダイパツ
ドの下面が、接着性を有するダイパツドテープに
良く接着され、かつ該半導体パレツト上部に設け
た電極とリードとがボンデイングワイヤーで接続
され、これらが封止樹脂で密封封止されている半
導体装置である。
半導体ペレツトが配置され、少なくも該ダイパツ
ドの下面が、接着性を有するダイパツドテープに
良く接着され、かつ該半導体パレツト上部に設け
た電極とリードとがボンデイングワイヤーで接続
され、これらが封止樹脂で密封封止されている半
導体装置である。
次に本考案を図面を参照しつつ説明する。
本考案の半導体装置の一例は第３図に示すとお
りで、同図イは半導体ペレツト４の下面にダイボ
ンデイング接着剤層５を設けてダイパツド１と接
合し、その下面をダイパツドテープ１０の上面に
接着させる。このダイパツドテープ１０は第４図
に示すような各種のものを選択して使用すること
ができる。すなわちイに示すように全体が接着性
を有する支持体１０ａからなるもの、ロに示すよ
うに支持体１０ｂの上面に接着層１１を設けたも
の、ハに示すように支持体１０ｂの上面に接着層
１１、下面に接着層１２ａを有するもの、ニに示
すように支持体１０ｂの上面に接着層１１、下面
に表面処理層１２ｂを設けたものが選択使用され
る。その他の構造は従来と同様に、半導体ペレツ
ト上面の電極７とリード２，２の上面との間はボ
ンデイングワイヤー６によつて電気的に接続され
ている。又、これらの全体は封止樹脂８によつて
密封封止されているが、この封止樹脂８は前期ダ
イパツドテープ１０とよく接着し、信頼性の高い
半導体装置が得られる。
りで、同図イは半導体ペレツト４の下面にダイボ
ンデイング接着剤層５を設けてダイパツド１と接
合し、その下面をダイパツドテープ１０の上面に
接着させる。このダイパツドテープ１０は第４図
に示すような各種のものを選択して使用すること
ができる。すなわちイに示すように全体が接着性
を有する支持体１０ａからなるもの、ロに示すよ
うに支持体１０ｂの上面に接着層１１を設けたも
の、ハに示すように支持体１０ｂの上面に接着層
１１、下面に接着層１２ａを有するもの、ニに示
すように支持体１０ｂの上面に接着層１１、下面
に表面処理層１２ｂを設けたものが選択使用され
る。その他の構造は従来と同様に、半導体ペレツ
ト上面の電極７とリード２，２の上面との間はボ
ンデイングワイヤー６によつて電気的に接続され
ている。又、これらの全体は封止樹脂８によつて
密封封止されているが、この封止樹脂８は前期ダ
イパツドテープ１０とよく接着し、信頼性の高い
半導体装置が得られる。
第３図ロはダイパツドの下面とリードの下面に
ダイパツドテープの上面を接着させた点のみが、
第３図イと異なり、その他は全く同様である。
ダイパツドテープの上面を接着させた点のみが、
第３図イと異なり、その他は全く同様である。
両者の使用上の差異はダイパツドテープがリード
を覆う場合は第３図ロ、覆わない場合は第３図イ
であるが、第３図イの方が封止樹脂の効果が十分
発揮されるからより好ましいものと言える。
を覆う場合は第３図ロ、覆わない場合は第３図イ
であるが、第３図イの方が封止樹脂の効果が十分
発揮されるからより好ましいものと言える。
次に本考案において用いられるダイパツドテー
プを構成する材料について述べる。
プを構成する材料について述べる。
接着性ダイパツドテープ材料としては以下のも
のがあげられる。
のがあげられる。
全体が接着性のテープからなる場合、
熱硬化性樹脂：エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂
等加熱硬化（キユア）する形式の樹脂で80℃ぐら
いの融点を有する半硬化（Ｂステージ）状のもの
で、そのまま加熱硬化することによつて強い接着
性を発揮するものが挙げられる。
等加熱硬化（キユア）する形式の樹脂で80℃ぐら
いの融点を有する半硬化（Ｂステージ）状のもの
で、そのまま加熱硬化することによつて強い接着
性を発揮するものが挙げられる。
熱可塑性樹脂：ポリフエニレンサルフアイド
（PPS）、ポリエチレンテレフタレートフイルム等
300℃以上の融点を有し、接着性を発揮するもの
が挙げられる。
（PPS）、ポリエチレンテレフタレートフイルム等
300℃以上の融点を有し、接着性を発揮するもの
が挙げられる。
その他の接着テープからなる場合
支持体
支持体は例えば厚さ10〜10μm、好ましくは25〜
75μmのポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリ
フエニレンサルフアイド、ポリエーテル・エーテ
ルケトン等の耐熱性フイルムや、エポキシ樹脂を
ガラスクロスに含浸し、加熱硬化もしくは半硬化
したエポキシガラスクロス、エポキシ・ポリイミ
ド・ガラスクロス、ガラスクロスにビスマレイミ
ドトリアジン樹脂（BTレジン）を含浸させた
BTレジンガラスクロス等の耐熱テープが用いら
れる。
75μmのポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリ
フエニレンサルフアイド、ポリエーテル・エーテ
ルケトン等の耐熱性フイルムや、エポキシ樹脂を
ガラスクロスに含浸し、加熱硬化もしくは半硬化
したエポキシガラスクロス、エポキシ・ポリイミ
ド・ガラスクロス、ガラスクロスにビスマレイミ
ドトリアジン樹脂（BTレジン）を含浸させた
BTレジンガラスクロス等の耐熱テープが用いら
れる。
接着層
支持体の下面の接着層および上面の接着層は耐
熱性エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を５〜
50μm好ましくは20〜30μmの塗布厚となるように
半硬化の状態で塗布して形成される。ただし、い
ずれも半硬化状態（Ｂステージ）で設けるので硬
化温度は下面の接着層の方が上面の接着層より高
い方が望ましい。その理由は先に半導体チツプお
よびリード下面に支持体の上面の接着層を接して
これを熱硬化させるが、このテープを接着すると
きには支持体の下面の接着層が完全に硬化すると
樹脂封止の際に接着し難くなるからである。
熱性エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等を５〜
50μm好ましくは20〜30μmの塗布厚となるように
半硬化の状態で塗布して形成される。ただし、い
ずれも半硬化状態（Ｂステージ）で設けるので硬
化温度は下面の接着層の方が上面の接着層より高
い方が望ましい。その理由は先に半導体チツプお
よびリード下面に支持体の上面の接着層を接して
これを熱硬化させるが、このテープを接着すると
きには支持体の下面の接着層が完全に硬化すると
樹脂封止の際に接着し難くなるからである。
表面処理層
支持体の下面を砂目立によるマツト加工、化学
酸化ガス炎酸化、コロナ放電処理、エンボス加
工、マツト艶消し加工等による表面処理を施し、
微細な凹凸、極性の付与、酸化皮膜の破壊脆化等
により封止樹脂との接着性を向上するために設け
られる。
酸化ガス炎酸化、コロナ放電処理、エンボス加
工、マツト艶消し加工等による表面処理を施し、
微細な凹凸、極性の付与、酸化皮膜の破壊脆化等
により封止樹脂との接着性を向上するために設け
られる。
この表面処理層の存在によつて厚みや重量を増
大させることなく、封止材料の強固な接着を実現
した半導体装置を提供しうる。
大させることなく、封止材料の強固な接着を実現
した半導体装置を提供しうる。
このような構成よりなるダイパツドテープは通
常例えば原反を幅３〜10mm、長さ200〜300mのテ
ープ状に加工され、リールに巻回されて供給する
ことができ、その場合半導体ペレツトの寸法に合
わせて裁断した上で、所定のリードフレームに適
用され接着される。
常例えば原反を幅３〜10mm、長さ200〜300mのテ
ープ状に加工され、リールに巻回されて供給する
ことができ、その場合半導体ペレツトの寸法に合
わせて裁断した上で、所定のリードフレームに適
用され接着される。
実施例 １
ガラスクロスエポキシ樹脂を含浸し半硬化せし
めた厚さ200μmエポキシガラスクロス不織布プリ
プレグ（「シルボンT61」新興化学工業株式会社
製）からなるダイパツドテープを所望の大きさに
切断して、第１図に示す形状の鉄系の金属板例え
ばコバール板を打ち抜き加工してなるリードフレ
ームのダイパツドの下面に加熱接着し、かつ半導
体ペレツトの載置、リードの取りつけおよび樹脂
封止は従来どおりに行つて第３図イに示すような
半導体装置を組み立てた。
めた厚さ200μmエポキシガラスクロス不織布プリ
プレグ（「シルボンT61」新興化学工業株式会社
製）からなるダイパツドテープを所望の大きさに
切断して、第１図に示す形状の鉄系の金属板例え
ばコバール板を打ち抜き加工してなるリードフレ
ームのダイパツドの下面に加熱接着し、かつ半導
体ペレツトの載置、リードの取りつけおよび樹脂
封止は従来どおりに行つて第３図イに示すような
半導体装置を組み立てた。
得られた半導体装置について85℃、85％RH
（相対湿度）の雰囲気にて24時間放置後260℃のは
んだ浴に３時間浸漬した後、プレツシヤークツカ
ーテスト（PCT）にて250時間試験したが全く異
常がなかつた。
（相対湿度）の雰囲気にて24時間放置後260℃のは
んだ浴に３時間浸漬した後、プレツシヤークツカ
ーテスト（PCT）にて250時間試験したが全く異
常がなかつた。
実施例 ２
厚さ50μmのポリイミド樹脂フイルム（「ユーピ
レツクスＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片
面に下面の接着層として下記配合の塗液を乾燥後
の塗布層が20μmとなるように塗布乾燥した。
レツクスＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片
面に下面の接着層として下記配合の塗液を乾燥後
の塗布層が20μmとなるように塗布乾燥した。
エポキシ樹脂（「エピコート1001」油化シエル
エポキシ社製） 80％ MEK 溶液 ……120重量部 ジシアンジアミド（和光純薬社製） ……10重量部 ポリアミド樹脂 （「＃6900」ヘンケル白水社製） メタノール／トルエン（１：１）20％溶液 ……100重量部 次に上面の接着層として下記配合の塗液を乾燥
後の塗布厚が20μmとなるように塗布した。
エポキシ社製） 80％ MEK 溶液 ……120重量部 ジシアンジアミド（和光純薬社製） ……10重量部 ポリアミド樹脂 （「＃6900」ヘンケル白水社製） メタノール／トルエン（１：１）20％溶液 ……100重量部 次に上面の接着層として下記配合の塗液を乾燥
後の塗布厚が20μmとなるように塗布した。
エポキシ樹脂（「EOCN−102」、日本化薬社製）
……100重量部
ポリエステル樹脂（「KA−1036」、荒川化学社
製） ……50重量部 イミダゾール系硬化剤（「2PZ」、四国化成社
製） ……10重量部 メチルエチルケトン ……100重量部 得られたダイパツドテープを所望の大きさに切
断して、鉄系の金属板例えばコバール板を打ち抜
き加工してなるリードフレームのダイパツドおよ
びリードの下面に加熱接着し、その他は実施例１
と同様にして第３図ロに示すような半導体装置を
組立てた。
製） ……50重量部 イミダゾール系硬化剤（「2PZ」、四国化成社
製） ……10重量部 メチルエチルケトン ……100重量部 得られたダイパツドテープを所望の大きさに切
断して、鉄系の金属板例えばコバール板を打ち抜
き加工してなるリードフレームのダイパツドおよ
びリードの下面に加熱接着し、その他は実施例１
と同様にして第３図ロに示すような半導体装置を
組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による
信頼性を見たところ、接着層の電流のリークは見
られず、安定した接着性が確認された。又、ワイ
ヤーボンダビリテイーも良好で樹脂封止したとき
ワイヤー流れもなく信頼性のある半導体装置を構
成することができ、又85℃、85％RHの雰囲気に
て24時間放置後260℃のはんだ浴に３秒間浸漬し
たのちPCTにて250時間試験したが全く異常がな
かつた。
信頼性を見たところ、接着層の電流のリークは見
られず、安定した接着性が確認された。又、ワイ
ヤーボンダビリテイーも良好で樹脂封止したとき
ワイヤー流れもなく信頼性のある半導体装置を構
成することができ、又85℃、85％RHの雰囲気に
て24時間放置後260℃のはんだ浴に３秒間浸漬し
たのちPCTにて250時間試験したが全く異常がな
かつた。
実施例 ３
厚さ50μmのポリイミド樹脂フイルム（「カプト
ン200V」東レデユポン社製）からなる支持体の
下面に、接着層としてポリウレタン系樹脂（「チ
ツソレツクス372」チツソ社製）のジメチルホル
ムアミド／メチルエチルケトン＝２／１の43％溶
液70重量部とフエノール・ノボラツク・エポキシ
樹脂（「EPPN−201」、日本化薬社製）のメチル
エチルケトン20％溶液30重量部との混合液を半硬
化の状態になるよう120℃５分間の加熱条件で乾
燥後の塗布厚が40μmとなるように塗布してダイ
パツドテープを作成した。
ン200V」東レデユポン社製）からなる支持体の
下面に、接着層としてポリウレタン系樹脂（「チ
ツソレツクス372」チツソ社製）のジメチルホル
ムアミド／メチルエチルケトン＝２／１の43％溶
液70重量部とフエノール・ノボラツク・エポキシ
樹脂（「EPPN−201」、日本化薬社製）のメチル
エチルケトン20％溶液30重量部との混合液を半硬
化の状態になるよう120℃５分間の加熱条件で乾
燥後の塗布厚が40μmとなるように塗布してダイ
パツドテープを作成した。
得られたダイパツドテープを所望の大きさに切
断後リードフレームのダイパツドの下面に接着層
により加熱接着した後、第３図イに示す半導体装
置を組立てた。
断後リードフレームのダイパツドの下面に接着層
により加熱接着した後、第３図イに示す半導体装
置を組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による
信頼性を見たところ、接着層の電流のリークは見
られず、安定した接着性が確認された。又、ワイ
ヤーボンダビリテイーも良好で信頼性のある半導
体装置を構成することができた。又85℃、85％
RHの雰囲気にて24時間放置後260℃のはんだ浴
に３秒間浸漬したのちPCTにて250時間試験した
が全く異常がなかつた。
信頼性を見たところ、接着層の電流のリークは見
られず、安定した接着性が確認された。又、ワイ
ヤーボンダビリテイーも良好で信頼性のある半導
体装置を構成することができた。又85℃、85％
RHの雰囲気にて24時間放置後260℃のはんだ浴
に３秒間浸漬したのちPCTにて250時間試験した
が全く異常がなかつた。
実施例 ４
厚さ50μmのポリイミド樹脂フイルム（「カプト
ン200V」東レデユポン社製）からなる支持体の
片面に、接着層としてポリウレタン系樹脂（「チ
ツソレツクス372」チツソ社製）のジメチルホル
ムアミド／メチルエチルケトン＝２／１の43％溶
液70重量部と、フエノール・ノボラツク・エポキ
シ樹脂（EPPN−201」日本化薬社製）のメチル
エチルメトン20％溶液30重量部との混合液を、半
硬化の状態になるように120℃ ５分間の加熱条
件で、乾燥後の塗布厚が40μmとなるように塗布
し、その反対面にはブラスト加工により表面処理
してダイパツドテープを作成した。
ン200V」東レデユポン社製）からなる支持体の
片面に、接着層としてポリウレタン系樹脂（「チ
ツソレツクス372」チツソ社製）のジメチルホル
ムアミド／メチルエチルケトン＝２／１の43％溶
液70重量部と、フエノール・ノボラツク・エポキ
シ樹脂（EPPN−201」日本化薬社製）のメチル
エチルメトン20％溶液30重量部との混合液を、半
硬化の状態になるように120℃ ５分間の加熱条
件で、乾燥後の塗布厚が40μmとなるように塗布
し、その反対面にはブラスト加工により表面処理
してダイパツドテープを作成した。
得られたダイパツドテープを所望の大きさに切
断後第１図に示すリードフレームのダイパツド下
面に接着層により加熱接着し第３図イに示す半導
体装置を組み立てた。
断後第１図に示すリードフレームのダイパツド下
面に接着層により加熱接着し第３図イに示す半導
体装置を組み立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による
信頼性を見たところ、接着層に電流のリークは見
られず、安定した接着性が確認された。又、ワイ
ヤーボンダビリテイーも良好で信頼性のある半導
体装置を構成することができた。又85℃、85％
RHの雰囲気にて24時間放置後260℃のはんだ浴
に３秒間浸漬した後PCTにて250時間試験したが
全く異常がなかつた。
信頼性を見たところ、接着層に電流のリークは見
られず、安定した接着性が確認された。又、ワイ
ヤーボンダビリテイーも良好で信頼性のある半導
体装置を構成することができた。又85℃、85％
RHの雰囲気にて24時間放置後260℃のはんだ浴
に３秒間浸漬した後PCTにて250時間試験したが
全く異常がなかつた。
本考案は上記の構成に示したとおり、ダイパツ
ドの背面と封止樹脂が直接接触しておらず、かつ
ダイパツドと封止樹脂との密着性が向上している
ので樹脂の封止性が向上し信頼性のある半導体装
置を提供することができる。
ドの背面と封止樹脂が直接接触しておらず、かつ
ダイパツドと封止樹脂との密着性が向上している
ので樹脂の封止性が向上し信頼性のある半導体装
置を提供することができる。
又、ダイパツドとダイパツドテープおよびダイ
パツドテープと封止樹脂の接着強度がある程度強
固であれば、本ダイパツドテープはダイパツドと
封止樹脂との熱膨張係数の差による歪みを吸収す
る効果を有する。
パツドテープと封止樹脂の接着強度がある程度強
固であれば、本ダイパツドテープはダイパツドと
封止樹脂との熱膨張係数の差による歪みを吸収す
る効果を有する。
第１図は従来の技術によるリードフレームの斜
視図、第２図は従来の半導体装置の断面図、第３
図イ，ロは本考案の半導体装置の断面図である。
第４図は本考案において用いられるダイパツドテ
ープの各例の断面図。 １……ダイパツド、２……リード、３……サポ
ートバー、４……半導体ペレツト、５……ダイボ
ンデイング接着剤層、６……ボンデイングワイヤ
ー、７……電極、８……封止樹脂、１０……ダイ
パツドテープ、１０ａ……接着性支持体、１０ｂ
……支持体、１１……上面の接着層、１２ａ……
下面の接着層、１２ｂ……表面処理層。
視図、第２図は従来の半導体装置の断面図、第３
図イ，ロは本考案の半導体装置の断面図である。
第４図は本考案において用いられるダイパツドテ
ープの各例の断面図。 １……ダイパツド、２……リード、３……サポ
ートバー、４……半導体ペレツト、５……ダイボ
ンデイング接着剤層、６……ボンデイングワイヤ
ー、７……電極、８……封止樹脂、１０……ダイ
パツドテープ、１０ａ……接着性支持体、１０ｂ
……支持体、１１……上面の接着層、１２ａ……
下面の接着層、１２ｂ……表面処理層。
Claims (1)
- リードフレームの中央のダイパツド上に半導体
ペレツトが配置接合され、かつ少なくとも該ダイ
パツドの下面が、絶縁性ダイパツドテープに接着
され、かつ該半導体ペレツト上部に設けた電極と
リード間がボンデイングワイヤーで接続され、こ
れらが封止樹脂で密封封止されていることを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987062676U JPH0442921Y2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987062676U JPH0442921Y2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63170946U JPS63170946U (ja) | 1988-11-07 |
| JPH0442921Y2 true JPH0442921Y2 (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=30897174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987062676U Expired JPH0442921Y2 (ja) | 1987-04-27 | 1987-04-27 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442921Y2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-27 JP JP1987062676U patent/JPH0442921Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63170946U (ja) | 1988-11-07 |
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