JP2587632B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2587632B2 JP2587632B2 JP62088691A JP8869187A JP2587632B2 JP 2587632 B2 JP2587632 B2 JP 2587632B2 JP 62088691 A JP62088691 A JP 62088691A JP 8869187 A JP8869187 A JP 8869187A JP 2587632 B2 JP2587632 B2 JP 2587632B2
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- Japan
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- die pad
- semiconductor device
- lead
- adhesive layer
- leads
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
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- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関するもので、特にダイパッド
を排除した特定の形状のリードフレーム上にダイボンデ
ィング接着剤を使用することなく半導体ペレットを固定
しうる特定構造のダイパッドテープを用いた半導体装置
に関するものである。
を排除した特定の形状のリードフレーム上にダイボンデ
ィング接着剤を使用することなく半導体ペレットを固定
しうる特定構造のダイパッドテープを用いた半導体装置
に関するものである。
従来の半導体装置は第１図および第２図に示すような
ダイパッド１、リード２およびサポートバー３から構成
されるリードフレームのダイパッドの上に、第２図に示
すようにダイボンディング接着層５を介して半導体ペレ
ット４を載置し、該ペレット上に形成された電極７とリ
ード２とを接続したボンディングワイヤー６と共に封止
樹脂８により一体化した構成を有する。
ダイパッド１、リード２およびサポートバー３から構成
されるリードフレームのダイパッドの上に、第２図に示
すようにダイボンディング接着層５を介して半導体ペレ
ット４を載置し、該ペレット上に形成された電極７とリ
ード２とを接続したボンディングワイヤー６と共に封止
樹脂８により一体化した構成を有する。
この場合、リードフレームを構成するダイパッドは、
多種多様をきわめる半導体ペレットの大きさ、形状に対
応すべくその寸法、形状を変更する必要があり、これに
付随してリードの寸法、形状にも変更を余儀なくされ
る。このように多種多様の半導体ペレットに合わせてリ
ードフレームの設計変更をすることは、リードフレーム
の金型を何種類も作製しなければならず金型の費用、ひ
いてはリードフレームが高価となって問題が多い。
多種多様をきわめる半導体ペレットの大きさ、形状に対
応すべくその寸法、形状を変更する必要があり、これに
付随してリードの寸法、形状にも変更を余儀なくされ
る。このように多種多様の半導体ペレットに合わせてリ
ードフレームの設計変更をすることは、リードフレーム
の金型を何種類も作製しなければならず金型の費用、ひ
いてはリードフレームが高価となって問題が多い。
又、半導体ペレットを固定するためのダイボンディン
グ接着剤は通常銀を成分とする導電性ペーストの状態に
て適用されるので半導体装置の組立上、その取扱い性あ
るいはペースト自体の保存安定性に問題があった。
グ接着剤は通常銀を成分とする導電性ペーストの状態に
て適用されるので半導体装置の組立上、その取扱い性あ
るいはペースト自体の保存安定性に問題があった。
又、ダイパッドの背面は封止樹脂との接着封止性が悪
いために、リードと封止樹脂との界面から侵入した外部
からの水分が溜り易く、半導体装置をサーキット板に面
実装する際のはんだ付け工程の加熱処理の際これがもと
で水分の急激な膨張により封止樹脂等に内部応力を生じ
易く、さらに又、半導体ペレットとダイパッドの熱膨張
率の差によって生ずる応力により半導体ペレットや封止
樹脂にクラックが生じるなどの問題を有する。
いために、リードと封止樹脂との界面から侵入した外部
からの水分が溜り易く、半導体装置をサーキット板に面
実装する際のはんだ付け工程の加熱処理の際これがもと
で水分の急激な膨張により封止樹脂等に内部応力を生じ
易く、さらに又、半導体ペレットとダイパッドの熱膨張
率の差によって生ずる応力により半導体ペレットや封止
樹脂にクラックが生じるなどの問題を有する。
本発明は上記の実情に鑑みてなされたものであり、リ
ード数の同じ半導体装置のリードフレームの統一化をは
かり、各種の大きさ、形状を有する半導体ペレットに対
応すべく半導体装置を組立てる際に煩雑さを解消すると
同時に信頼性に優れた半導体装置を提供することを目的
とするものである。
ード数の同じ半導体装置のリードフレームの統一化をは
かり、各種の大きさ、形状を有する半導体ペレットに対
応すべく半導体装置を組立てる際に煩雑さを解消すると
同時に信頼性に優れた半導体装置を提供することを目的
とするものである。
本発明の概要はダイパッドの排除されたリードフレー
ムおよび該リードフレームのリード先端を含んで覆う大
きさを有するダイパッドテープに搭載された半導体ペレ
ットを封止してなる半導体装置において、リードフレー
ムを構成するリードのうち所望の本数のリードがダイパ
ッド空隙部に突出し、かつ、突出したリードの先端部が
他のリードに比べて広い面積に構成されるか、あるいは
突出したリードの先端部が他のリードの先端部と互いに
結合して架橋部が形成されており、前記ダイパッドテー
プが、支持体と、その一方の面に設けた半導体ペレット
を支持体に固定するための第１の接着層と、他方の面に
支持体をリードに固定するための第２の接着層とからな
る半導体装置とする。
ムおよび該リードフレームのリード先端を含んで覆う大
きさを有するダイパッドテープに搭載された半導体ペレ
ットを封止してなる半導体装置において、リードフレー
ムを構成するリードのうち所望の本数のリードがダイパ
ッド空隙部に突出し、かつ、突出したリードの先端部が
他のリードに比べて広い面積に構成されるか、あるいは
突出したリードの先端部が他のリードの先端部と互いに
結合して架橋部が形成されており、前記ダイパッドテー
プが、支持体と、その一方の面に設けた半導体ペレット
を支持体に固定するための第１の接着層と、他方の面に
支持体をリードに固定するための第２の接着層とからな
る半導体装置とする。
次に本発明を図面により説明する。
本発明の半導体装置の一例は第３図に示す断面図のと
おりで、ダイパッドテープの支持体10の上面の第１の接
着層11には半導体ペレット４が直接接着して固定され、
一方支持体の下面の第２の接着層12はリードフレームの
リード２の上に接着され、電極７とリード２とを接続し
たボンディングワイヤー６と共に封止樹脂８により一体
化した構成をなしている。なお９は空隙部である。
おりで、ダイパッドテープの支持体10の上面の第１の接
着層11には半導体ペレット４が直接接着して固定され、
一方支持体の下面の第２の接着層12はリードフレームの
リード２の上に接着され、電極７とリード２とを接続し
たボンディングワイヤー６と共に封止樹脂８により一体
化した構成をなしている。なお９は空隙部である。
この場合、本発明の半導体装置の封止材料は樹脂によ
る封止に限定されるものではなく、例えばサーデイップ
タイプやサーパックタイプによる封止であってもよい。
る封止に限定されるものではなく、例えばサーデイップ
タイプやサーパックタイプによる封止であってもよい。
なお本発明でいうダイパッドテープは第４図または第
５図に示す如く、従来のダイパッドを排除した構成を有
するリードフレームに適用するもので、その空隙部９の
位置においてリード２の上に半導体ペレットの形状、大
きさに合わせて任意の寸法に作成されて接着載置される
ものである。
５図に示す如く、従来のダイパッドを排除した構成を有
するリードフレームに適用するもので、その空隙部９の
位置においてリード２の上に半導体ペレットの形状、大
きさに合わせて任意の寸法に作成されて接着載置される
ものである。
なお図において２はリード、９は空隙部、13は空隙部
に突出したリード、14aは広幅部、14bは架橋部である。
に突出したリード、14aは広幅部、14bは架橋部である。
本発明では第４図に示したとおり、リードの先端部を
他のリードに比べて広い面積に構成することにより、最
少限のリード本数でダイパッドテープに対する安定した
平面性が得られ、テープに対する好適な支持材料として
の機能を発揮することができる。
他のリードに比べて広い面積に構成することにより、最
少限のリード本数でダイパッドテープに対する安定した
平面性が得られ、テープに対する好適な支持材料として
の機能を発揮することができる。
また、第５図に示したように、突出したリードの先端
同志を結合して架橋部を形成する、いわゆる連結リード
にすることにより、力学的にも安定し良好な平面性と装
置の組立てラインの過程での耐振動性などにおいても好
適であるばかりでなく、リードを電源リードとして使用
する場合において、連結リードの方が電圧が安定化し、
かつ、バックバイアスを必要とする半導体素子を搭載す
る場合、素子の安定化に有利であるという作用効果を奏
するものである。
同志を結合して架橋部を形成する、いわゆる連結リード
にすることにより、力学的にも安定し良好な平面性と装
置の組立てラインの過程での耐振動性などにおいても好
適であるばかりでなく、リードを電源リードとして使用
する場合において、連結リードの方が電圧が安定化し、
かつ、バックバイアスを必要とする半導体素子を搭載す
る場合、素子の安定化に有利であるという作用効果を奏
するものである。
（接着剤） 支持体の両面に用いられる接着剤について述べれば、
第１の接着層は半導体ペレットを支持体に固定するため
のものであり、第２の接着層は支持体をリードに固定す
るためのものであって、耐熱性エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等を５〜50μｍ好ましくは20〜30μｍの塗布厚と
なるように半硬化（Ｂステージ）の状態で塗布して形成
される。
第１の接着層は半導体ペレットを支持体に固定するため
のものであり、第２の接着層は支持体をリードに固定す
るためのものであって、耐熱性エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等を５〜50μｍ好ましくは20〜30μｍの塗布厚と
なるように半硬化（Ｂステージ）の状態で塗布して形成
される。
この場合、実際の組立てに当っては、先にリード表面
に第２の接着層を以て熱硬化させながらテープを接着す
る。ただしこの段階では第１の接着層は完全に硬化しな
いようにする。次にペレットを第１の接着層に接着せし
め、第１、第２の接着層を同時に完全に硬化せしめる。
従って、第１の接着層の硬化温度は第２の接着層の硬化
温度より高い方が望ましい。
に第２の接着層を以て熱硬化させながらテープを接着す
る。ただしこの段階では第１の接着層は完全に硬化しな
いようにする。次にペレットを第１の接着層に接着せし
め、第１、第２の接着層を同時に完全に硬化せしめる。
従って、第１の接着層の硬化温度は第２の接着層の硬化
温度より高い方が望ましい。
〔支持体〕 支持体は例えば厚さ10〜150μｍ、好ましくは25〜75
μｍのポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリエーテル・エーテルケトン等の耐
熱性フィルムや、エポキシ樹脂をガラスクロスに含浸
し、加熱硬化もしくは半硬化したエポキシガラスクロ
ス、エポキシ・ポリイミド・ガラスクロス、ガラスクロ
スにビスマレイミドトリアジン樹脂（BTレジン）を含浸
させたBTレジンガラスクロス等の耐熱テープが用いられ
る。
μｍのポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレ
ンサルファイド、ポリエーテル・エーテルケトン等の耐
熱性フィルムや、エポキシ樹脂をガラスクロスに含浸
し、加熱硬化もしくは半硬化したエポキシガラスクロ
ス、エポキシ・ポリイミド・ガラスクロス、ガラスクロ
スにビスマレイミドトリアジン樹脂（BTレジン）を含浸
させたBTレジンガラスクロス等の耐熱テープが用いられ
る。
実施例1. 厚さ50μｍのポリイミド樹脂フィルム（「ユーピレッ
クスＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片面に第１の
接着層として下記配合の塗液を乾燥後の塗布厚が20μｍ
となるように塗布乾燥した。
クスＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片面に第１の
接着層として下記配合の塗液を乾燥後の塗布厚が20μｍ
となるように塗布乾燥した。
エポキシ樹脂（「エピコート1001」油化シエルエポキシ
社製）80％MEK溶液 ………120重量部 ジシアンジアミド（和光純薬社製） ………10重量部 ポリアミド樹脂（「＃6900」ヘンケル白水社製）メタノ
ール／トルエン（1:1）20％溶液 ………100重量部 次に第２の接着層として下記配合の塗液を乾燥後の塗
布厚が20μｍとなるように塗布乾燥した。
社製）80％MEK溶液 ………120重量部 ジシアンジアミド（和光純薬社製） ………10重量部 ポリアミド樹脂（「＃6900」ヘンケル白水社製）メタノ
ール／トルエン（1:1）20％溶液 ………100重量部 次に第２の接着層として下記配合の塗液を乾燥後の塗
布厚が20μｍとなるように塗布乾燥した。
エポキシ樹脂（「EOCN−102」、日本化薬社製） 10重量
部 ポリエステル樹脂（「KA−1036」、荒川化学社製）50重
量部 イミダゾール系硬化剤（「2PZ」、四国化成社製） 10重
量部 メチルエチルケトン 100重量部 得られたダイパッドテープを所望の大きさに切断して
第４図（イ）に示す形状の、鉄系の金属板例えばコバー
ル板を打ち抜き加工してなるリードフレームに第２の接
着層により加熱接着した後、順次第３図に示すような半
導体装置を組立てた。
部 ポリエステル樹脂（「KA−1036」、荒川化学社製）50重
量部 イミダゾール系硬化剤（「2PZ」、四国化成社製） 10重
量部 メチルエチルケトン 100重量部 得られたダイパッドテープを所望の大きさに切断して
第４図（イ）に示す形状の、鉄系の金属板例えばコバー
ル板を打ち抜き加工してなるリードフレームに第２の接
着層により加熱接着した後、順次第３図に示すような半
導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による信頼性
を見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定
した接着性が確認された。又、ワイヤーボンダビリティ
ーも良好で信頼性のある半導体装置を構成することがで
きた。
を見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定
した接着性が確認された。又、ワイヤーボンダビリティ
ーも良好で信頼性のある半導体装置を構成することがで
きた。
実施例2. 厚さ50μｍのポリイミド樹脂フィルム（「ユーピレッ
クスＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片面に、第１
の接着層としてポリウレタン系樹脂（「チッソレックス
372」チッソ社製）のジメチルホルムアミド／メチルエ
チルケトン＝2/1の43％溶液70重量部とフェノール・ノ
ボラック・エポキシ樹脂（「EPPN−201」、日本化薬社
製）のメチルエチルケトン20％溶液30重量部との混合液
を半硬化の状態になるよう120℃５分間の加熱条件で乾
燥後の塗布厚が40μｍとなるように塗布し加熱乾燥し
た。
クスＳ」宇部興産社製）からなる支持体の片面に、第１
の接着層としてポリウレタン系樹脂（「チッソレックス
372」チッソ社製）のジメチルホルムアミド／メチルエ
チルケトン＝2/1の43％溶液70重量部とフェノール・ノ
ボラック・エポキシ樹脂（「EPPN−201」、日本化薬社
製）のメチルエチルケトン20％溶液30重量部との混合液
を半硬化の状態になるよう120℃５分間の加熱条件で乾
燥後の塗布厚が40μｍとなるように塗布し加熱乾燥し
た。
次に実施例１にて使用した第２の接着層を設けて本発
明のダイパッドテープを作成した。
明のダイパッドテープを作成した。
得られたダイパッドテープを所望の大きさに切断後第
４図（ロ）に示すリードフレームに接着層により加熱接
着した後、第３図に示す半導体装置を組立てた。
４図（ロ）に示すリードフレームに接着層により加熱接
着した後、第３図に示す半導体装置を組立てた。
得られた半導体装置について、実装試験による信頼性
を見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定
した接着性が確認された。又、ワイヤボンダビリティー
も良好で信頼性のある半導体装置を構成することができ
た。
を見たところ、接着層の電流のリークは見られず、安定
した接着性が確認された。又、ワイヤボンダビリティー
も良好で信頼性のある半導体装置を構成することができ
た。
本発明は上記の構成よりなるのでダイパッドテープを
半導体ペレットの形状、寸法に合わせて任意に裁断して
リードフレームの半導体ペレット搭載部に供給すること
ができ、ペレット、リードフレームの設計製作上効率化
とコストダウンに有効であり、又、ペースト状のダイボ
ンディング接着剤が不要となるので装置の組立上作業性
がよい。
半導体ペレットの形状、寸法に合わせて任意に裁断して
リードフレームの半導体ペレット搭載部に供給すること
ができ、ペレット、リードフレームの設計製作上効率化
とコストダウンに有効であり、又、ペースト状のダイボ
ンディング接着剤が不要となるので装置の組立上作業性
がよい。
又、ダイパッドテープを構成する接着層と封止樹脂と
の接着性が良好なので、急激な水分の膨張により封止樹
脂にクラックが発生する心配もなく、かつ半導体ペレッ
トとダイパッドテープ間の熱膨張率の差によって生ずる
応力が小さいので半導体ペレットのクラックの発生もな
く、さらに又、リードのうち所望のリードの先端部をダ
イパッド空隙部に突出させて、その先端部を面積を大き
くするか、あるいは架橋部を設けるかしているので、ダ
イパッドテープの支持が安定するとともに、従来のリー
ドフレームにあるようなリードの先端とダイパッドとの
間の隙間に相当するものがないので、モールド加工時に
ボンディングワイヤーが流れたり、切れたりすることが
ない効果も期待でき極めて信頼性の高い半導体装置を提
供することができる。
の接着性が良好なので、急激な水分の膨張により封止樹
脂にクラックが発生する心配もなく、かつ半導体ペレッ
トとダイパッドテープ間の熱膨張率の差によって生ずる
応力が小さいので半導体ペレットのクラックの発生もな
く、さらに又、リードのうち所望のリードの先端部をダ
イパッド空隙部に突出させて、その先端部を面積を大き
くするか、あるいは架橋部を設けるかしているので、ダ
イパッドテープの支持が安定するとともに、従来のリー
ドフレームにあるようなリードの先端とダイパッドとの
間の隙間に相当するものがないので、モールド加工時に
ボンディングワイヤーが流れたり、切れたりすることが
ない効果も期待でき極めて信頼性の高い半導体装置を提
供することができる。
第１図、第２図は従来の半導体装置の一例を示す斜視図
および断面図、第３図は本発明の実施例を示す断面図、
第４図及び第５図は本発明で用いられるリードフレーム
例を示す正面図。 ２……リード、４……半導体ペレット、６……ボンディ
ングワイヤー、８……封止材料、９……ダイパッド空隙
部、10……支持体、11……第１の接着層、12……第２の
接着層。
および断面図、第３図は本発明の実施例を示す断面図、
第４図及び第５図は本発明で用いられるリードフレーム
例を示す正面図。 ２……リード、４……半導体ペレット、６……ボンディ
ングワイヤー、８……封止材料、９……ダイパッド空隙
部、10……支持体、11……第１の接着層、12……第２の
接着層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 越村 淳 静岡市用宗巴町３番１号 株式会社巴川 製紙所技術研究所内 (72)発明者 松下 坦 静岡市用宗巴町３番１号 株式会社巴川 製紙所技術研究所内 (72)発明者 津島 正企 静岡市用宗巴町３番１号 株式会社巴川 製紙所技術研究所内 (72)発明者 清水 満晴 中野市草間五里原1216番地 高丘工業団 地新光電気工業株式会社高丘工場内 (72)発明者 有賀 秀夫 中野市草間五里原1216番地 高丘工業団 地新光電気工業株式会社高丘工場内 (56)参考文献 特開 昭60−167454（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−97659（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−68639（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−12095（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−216365（ＪＰ，Ａ) 実開 昭57−83753（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】ダイパッドが排除されたリードフレームお
よび該リードフレームのリードの先端を含んで覆う大き
さを有するダイパッドテープに搭載された半導体ペレッ
トを封止してなる半導体装置において、リードフレーム
を構成するリードのうち所望の本数のリードがダイパッ
ド空隙部に突出し、かつ、突出したリードの先端部が他
のリードに比べて広い面積に構成され、かつ、ダイパッ
ドテープが支持体と、その一方の面に設けた半導体ペレ
ットを支持体に固定するための第１の接着層と、他方の
面に設けた支持体をリードに固定するための第２の接着
層とから構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】ダイパッドが排除されたリードフレームお
よび該リードフレームのリードの先端を含んで覆う大き
さを有するダイパッドテープに搭載された半導体ペレッ
トを封止してなる半導体装置において、リードフレーム
を構成するリードのうち所望の本数のリードがダイパッ
ド空隙部に突出し、かつ、突出したリードの先端部が他
のリードの先端部と互いに結合して架橋部を形成し、か
つダイパッドテープが支持体と、その一方の面に設けた
半導体ペレットを支持体に固定するための第１の接着層
と、他方の面に設けた支持体をリードに固定するための
第２の接着層とから構成されていることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088691A JP2587632B2 (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62088691A JP2587632B2 (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254759A JPS63254759A (ja) | 1988-10-21 |
| JP2587632B2 true JP2587632B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=13949865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62088691A Expired - Lifetime JP2587632B2 (ja) | 1987-04-13 | 1987-04-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2587632B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03148139A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-24 | Nec Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783753U (ja) * | 1980-11-10 | 1982-05-24 | ||
| JPS5797659A (en) * | 1980-12-10 | 1982-06-17 | Matsushita Electronics Corp | Lead frame |
| JPS6068639A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-04-19 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS60167454A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-08-30 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS6112095A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-01-20 | 日本電気株式会社 | 混成集積回路装置 |
-
1987
- 1987-04-13 JP JP62088691A patent/JP2587632B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63254759A (ja) | 1988-10-21 |
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