JPH0442976A - アモルファスシリコン受光装置の製造方法 - Google Patents
アモルファスシリコン受光装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0442976A JPH0442976A JP2149485A JP14948590A JPH0442976A JP H0442976 A JPH0442976 A JP H0442976A JP 2149485 A JP2149485 A JP 2149485A JP 14948590 A JP14948590 A JP 14948590A JP H0442976 A JPH0442976 A JP H0442976A
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- silicon layer
- transparent electrode
- electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はアモルファスシリコン受光装置の［極形成を簡
易化した製造方法に関するものでるる。
易化した製造方法に関するものでるる。
（従来の技術）
第３ 図（ａ）〜（ｆ）は、アモルファスシリコン受光
装置の一種でおるカラーセンサの要部でめるフ電トダイ
オード部の製造工程の一例を示す略断面図でｂるＯ まず、第３図（ａ）に示されるように、透光性の物質例
えばガラス基板１０表面に、電子ビーム蒸着またはスパ
ッタ法により、透明を極２を形成する。
装置の一種でおるカラーセンサの要部でめるフ電トダイ
オード部の製造工程の一例を示す略断面図でｂるＯ まず、第３図（ａ）に示されるように、透光性の物質例
えばガラス基板１０表面に、電子ビーム蒸着またはスパ
ッタ法により、透明を極２を形成する。
次に、第３図（ｂ）に示されるように、透明電極２０表
面にプラズマＣＶＤ法に↓す、ｐ層、ｉ層。
面にプラズマＣＶＤ法に↓す、ｐ層、ｉ層。
ｎ層を積層したアモルファスシリコン層３を形成する。
赤＠）、緑（Ｇ）、青の）の三原色に対するカラー−１
！： ７ サラ得ルために、このアモルファスシリコン
層３は後の工程で、３分割てれる。
！： ７ サラ得ルために、このアモルファスシリコン
層３は後の工程で、３分割てれる。
次に、第３図（ｅ）に示されるように、アモルファスシ
リコン層３の表面に真空蒸着法Ｋｘ、り１面電極となる
金属膜４を形成する。これも後の工程で３分割される。
リコン層３の表面に真空蒸着法Ｋｘ、り１面電極となる
金属膜４を形成する。これも後の工程で３分割される。
次に、第４図（ｄ）に示されるように、金属３Ｉ４！Ｉ
ｃフ電トエフチングを施し、Ｒ，Ｇ、ＢｔＺ）それぞれ
に対するパターニングを行い、それぞれの裏面金属電極
４−１． ４−２． ４−３を形成する。
ｃフ電トエフチングを施し、Ｒ，Ｇ、ＢｔＺ）それぞれ
に対するパターニングを行い、それぞれの裏面金属電極
４−１． ４−２． ４−３を形成する。
次［，４Ｊｒａ図（ｅ）に示されるように、アモルファ
スシリコン層３にフォトエッチンクヲ施しｓＲｔＧ、Ｂ
のそれぞれに対するパターニングを行い、それぞれのア
モルファスシリコン層３−１ｅ３−２゜３−３を形成す
る。
スシリコン層３にフォトエッチンクヲ施しｓＲｔＧ、Ｂ
のそれぞれに対するパターニングを行い、それぞれのア
モルファスシリコン層３−１ｅ３−２゜３−３を形成す
る。
次に、第３図（ｆ）に示されるようｆ、メタルマスクに
よシ必要な部分を遣蔽し、透明電極２の端部に共通の電
極５を、真空蒸着によって形成する。
よシ必要な部分を遣蔽し、透明電極２の端部に共通の電
極５を、真空蒸着によって形成する。
最後に図示されていないが、ガラス基板１０表面の適宜
の場所に、Ｒ，Ｇ、Ｂそれぞれのカラーフィルタを装着
する。
の場所に、Ｒ，Ｇ、Ｂそれぞれのカラーフィルタを装着
する。
（発明が解決しようとする課題）
従来の製造方法によれば、真空蒸着された裏面金属ＸＯ
フォトエツチングによる裏面電極のパターニング、アモ
ルファスシリコン層のフォトエツチングによるパターニ
ングという順に行っていたため、透明電極の端部の共通
の電極の形成のために再度真空蒸着を行う必要があり、
工程が増加するため製造原価が上昇した。
フォトエツチングによる裏面電極のパターニング、アモ
ルファスシリコン層のフォトエツチングによるパターニ
ングという順に行っていたため、透明電極の端部の共通
の電極の形成のために再度真空蒸着を行う必要があり、
工程が増加するため製造原価が上昇した。
（課題を解決するための手段）
アモルファスシリコン層のフォトエツチングを先に行い
、その後全面に真空蒸着した金属膜にフォトエツチング
を施し、個々の裏面電極と透明電極の表面の電極とを同
時に形成する。
、その後全面に真空蒸着した金属膜にフォトエツチング
を施し、個々の裏面電極と透明電極の表面の電極とを同
時に形成する。
（作用）
真空蒸着の工程が一回で済むから、製造が簡略化される
。
。
（実施例）
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一寮施例であって第３
図（ａ）〜（ｆ）に示されるようなアモルファスシリコ
ンカラーセンサーのフォトダイオード部の製造工程の一
例を示す略断面図である。
図（ａ）〜（ｆ）に示されるようなアモルファスシリコ
ンカラーセンサーのフォトダイオード部の製造工程の一
例を示す略断面図である。
まず、第１図（ａ）に示畜れるように、ガラス基板１の
表面に、電子ビーム蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法また
はスプレー法等によシ、透明電極２を形成する。これは
第３図ム）と同様である。
表面に、電子ビーム蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法また
はスプレー法等によシ、透明電極２を形成する。これは
第３図ム）と同様である。
次に、第１図（ｂ）に示されるように、透明電極２０表
ｉにプラズマＣＶＤ法により、２層２１層。
ｉにプラズマＣＶＤ法により、２層２１層。
ｎ層を積層したアモルファスシリコン層３を形成する。
これも第３図伽）と同様である。
次に、第１図（ｃ）に示されるように、アモルファスシ
リコン層３にフォトエツチングを施し、パターニングを
行って、Ｒ，Ｇ、 Ｂそれぞれに対応するアモルファ
スシリコン層３−１． ３−２．３−３を形成する。
リコン層３にフォトエツチングを施し、パターニングを
行って、Ｒ，Ｇ、 Ｂそれぞれに対応するアモルファ
スシリコン層３−１． ３−２．３−３を形成する。
次に、第１図（ｄ）に示されるように、この表面の全面
にわたシ真空蒸着により、ニッケル、銀等の金属膜４を
形成する。
にわたシ真空蒸着により、ニッケル、銀等の金属膜４を
形成する。
次に、第１図（ｅ）に示されるように、金属膜４にフォ
トエツチングを施しパターニングを行い、分割すれ九ア
モルファスシリコン層３−１１ ３−２゜３−３の表面
にそれぞれの裏面電＠４−１．４−２゜４−３を形成し
、透明電極２の端部には共通の電ＷｉＳを形成する。
トエツチングを施しパターニングを行い、分割すれ九ア
モルファスシリコン層３−１１ ３−２゜３−３の表面
にそれぞれの裏面電＠４−１．４−２゜４−３を形成し
、透明電極２の端部には共通の電ＷｉＳを形成する。
以上のようにして一枚の基板上にＲ，Ｇ、 Ｂそれぞ
れに対応するフォトダイオードが形成される。
れに対応するフォトダイオードが形成される。
第２図（１）〜（ｊ）は他の実施例で６って、−枚の基
板上く複数値のフォトダイオードを形成し、これを１１
別の７電トダイオードに分割する工程の略断面図である
。このフォトダイオードは例えば可視光センサに使用さ
れる。
板上く複数値のフォトダイオードを形成し、これを１１
別の７電トダイオードに分割する工程の略断面図である
。このフォトダイオードは例えば可視光センサに使用さ
れる。
まず、＠２図ω９缶）、 （ｃ）−ω）の工程は、ｇｌ
ｉｉ図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）、（ｄ）の工程と同
様であるから、詳細な説明は省略する。ただし、分割さ
れたアモルファスシリコン層３−１． ３−２．３−３
はＲｒ Ｇ＋Ｂに対応するものでなく、可視光に対する
ものであり、それぞれの間に個々の電極を設けるため、
ある間隔を設けることを必要とする。
ｉｉ図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）、（ｄ）の工程と同
様であるから、詳細な説明は省略する。ただし、分割さ
れたアモルファスシリコン層３−１． ３−２．３−３
はＲｒ Ｇ＋Ｂに対応するものでなく、可視光に対する
ものであり、それぞれの間に個々の電極を設けるため、
ある間隔を設けることを必要とする。
第２図（ｄ）の工程の終了後、第２図（ｅ）に示される
ように、金属膜４にフォトエツチングを施しパターニン
グを行い、分割されたアモルファスシリコン層３−１．
３−２．３−３の表面にそれぞれの裏面電極４−１．
４−２． ４−３を形成し、かつ分割されたアモルファ
スシリコン層のそれぞれに隣接して透明電極２の表面に
電極５−１．５−２゜５−３を形成する。
ように、金属膜４にフォトエツチングを施しパターニン
グを行い、分割されたアモルファスシリコン層３−１．
３−２．３−３の表面にそれぞれの裏面電極４−１．
４−２． ４−３を形成し、かつ分割されたアモルファ
スシリコン層のそれぞれに隣接して透明電極２の表面に
電極５−１．５−２゜５−３を形成する。
次に第２図（ｆ）に示されるように、各電［５−ＩＴ５
−２．５−３の右方で、ガラス基板１及び透明電極２を
切断することによ）、ガラス基板１は３分割されたガラ
ス基板１−１．１−２．１−３とな〕、透明電極２４３
分割された透明電極２−１゜２−２．２−３となシ、３
個の可視光センサが得られる。ガラス基板の寸法により
任意のａ数を得ることができる。
−２．５−３の右方で、ガラス基板１及び透明電極２を
切断することによ）、ガラス基板１は３分割されたガラ
ス基板１−１．１−２．１−３とな〕、透明電極２４３
分割された透明電極２−１゜２−２．２−３となシ、３
個の可視光センサが得られる。ガラス基板の寸法により
任意のａ数を得ることができる。
（発明の効果）
本発明によれば、真空蒸着の工程を一段階省略できるの
で、アモルファスシリコン受光装置の製造プロセスを簡
略化し、製造原価を低減できる。
で、アモルファスシリコン受光装置の製造プロセスを簡
略化し、製造原価を低減できる。
第１図（コ）乃至（ｅ）は本発明の一実施例の各工程の
略断面図、第２図（ａ）乃至（ｆ）は本発明の他の実施
例の各工程の略断面図、第３図ｂ）乃至（ｆ）は従来の
製法の各工程の略断面図でろる。 １、 １−Ｌ １−２１ １−３・・・ガラス基板、
２゜２−１． ２−２． ２−３ ・・透明電極、３
ｔ３ Ｌ３−２． ３−３ ・・アモルファスシリコ
ン層、４゜金属膜、４−１． ４−２．４−３・・・裏
面電極、５゜５−１．５−２．５−３・・・電極
略断面図、第２図（ａ）乃至（ｆ）は本発明の他の実施
例の各工程の略断面図、第３図ｂ）乃至（ｆ）は従来の
製法の各工程の略断面図でろる。 １、 １−Ｌ １−２１ １−３・・・ガラス基板、
２゜２−１． ２−２． ２−３ ・・透明電極、３
ｔ３ Ｌ３−２． ３−３ ・・アモルファスシリコ
ン層、４゜金属膜、４−１． ４−２．４−３・・・裏
面電極、５゜５−１．５−２．５−３・・・電極
Claims (1)
- １、絶縁基板の表面に透明電極を形成する工程と、その
表面にアモルファスシリコン層を形成する工程と、アモ
ルファスシリコン層を分割する工程と、透明電極と分割
されたアモルファスシリコン層との表面に金属膜を形成
する工程と、この金属膜をパターニングして所要の電極
を形成する工程とを有するアモルファスシリコン受光装
置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149485A JPH0442976A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | アモルファスシリコン受光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149485A JPH0442976A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | アモルファスシリコン受光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0442976A true JPH0442976A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15476187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2149485A Pending JPH0442976A (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | アモルファスシリコン受光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0442976A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5449923A (en) * | 1992-03-31 | 1995-09-12 | Industrial Technology Research Institute | Amorphous silicon color detector |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP2149485A patent/JPH0442976A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5449923A (en) * | 1992-03-31 | 1995-09-12 | Industrial Technology Research Institute | Amorphous silicon color detector |
| US5789263A (en) * | 1992-03-31 | 1998-08-04 | Industrial Technology Research Institute | Amorphous silicon color detector and manufacture of same |
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