JPH0443422B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0443422B2 JPH0443422B2 JP20022283A JP20022283A JPH0443422B2 JP H0443422 B2 JPH0443422 B2 JP H0443422B2 JP 20022283 A JP20022283 A JP 20022283A JP 20022283 A JP20022283 A JP 20022283A JP H0443422 B2 JPH0443422 B2 JP H0443422B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire bonding
- tie bar
- chip
- inner leads
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/40—Leadframes
- H10W70/421—Shapes or dispositions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07551—Connecting or disconnecting of bond wires characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、特に多ピン型で樹脂封止型の半導体
装置の製造方法に関する。
装置の製造方法に関する。
従来、樹脂封止型の半導体装置の製造工程で
は、リードフレームのベツド上にチツプ（半導体
素子）が載置され、このチツプとリードフレーム
のインナーリード間でワイヤボンデイングがなさ
れる。そして、ワイヤボンデイング処理の後にチ
ツプを含むリードフレームに対して樹脂封止処理
が行われる。
は、リードフレームのベツド上にチツプ（半導体
素子）が載置され、このチツプとリードフレーム
のインナーリード間でワイヤボンデイングがなさ
れる。そして、ワイヤボンデイング処理の後にチ
ツプを含むリードフレームに対して樹脂封止処理
が行われる。
このようにして、樹脂モールド成型された半導体
装置が製造されることになる。ところで、近年多
用されている多ピン型の半導体装置では上記のイ
ンナーリードが比較的細長く形成されている。こ
のため上記のような従来の製造方法では、ワイヤ
ボンデイング処理の際にインナーリードの先端部
に振動が発生しやすくなり、ボンデイングワイヤ
のループ変形や切断が生じたり、ボンデイング強
度の劣化等の問題が発生するなどの欠点があつ
た。
装置が製造されることになる。ところで、近年多
用されている多ピン型の半導体装置では上記のイ
ンナーリードが比較的細長く形成されている。こ
のため上記のような従来の製造方法では、ワイヤ
ボンデイング処理の際にインナーリードの先端部
に振動が発生しやすくなり、ボンデイングワイヤ
のループ変形や切断が生じたり、ボンデイング強
度の劣化等の問題が発生するなどの欠点があつ
た。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、樹
脂封止型の多ピン型半導体装置の製造工程におい
て、ワイヤボンデイング処理の際にインナーリー
ドの振動によるボンデイング不良の発生等を防止
して、高品質の半導体装置を製造できる半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
脂封止型の多ピン型半導体装置の製造工程におい
て、ワイヤボンデイング処理の際にインナーリー
ドの振動によるボンデイング不良の発生等を防止
して、高品質の半導体装置を製造できる半導体装
置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明では、チツプとリードフレームのインナ
ーリードとのワイヤボンデイング領域外にあるイ
ンナーリード間を接続する第１タイバーで支持し
た状態でインナーリードとチツプ間をワイヤボン
デイングした後、第１のモールド工程によりワイ
ヤボンデイング領域内のリードフレームに対して
樹脂封止処理が行われる。この後、上記第１のタ
イバーが切断され、さらに第２のモールド工程に
より上記ワイヤボンデイング領域外のリードフレ
ームに対して樹脂封止処理がなされ、半導体装置
全体の樹脂モールド成型がなされる。
ーリードとのワイヤボンデイング領域外にあるイ
ンナーリード間を接続する第１タイバーで支持し
た状態でインナーリードとチツプ間をワイヤボン
デイングした後、第１のモールド工程によりワイ
ヤボンデイング領域内のリードフレームに対して
樹脂封止処理が行われる。この後、上記第１のタ
イバーが切断され、さらに第２のモールド工程に
より上記ワイヤボンデイング領域外のリードフレ
ームに対して樹脂封止処理がなされ、半導体装置
全体の樹脂モールド成型がなされる。
これにより、ワイヤボンデイング処理の際に生
ずる振動を押えることができ、ワイヤボンデイン
グを確実に行なうことができる。
ずる振動を押えることができ、ワイヤボンデイン
グを確実に行なうことができる。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明す
る。第１図乃至第４図は一実施例に係わる半導体
装置の製造工程を示す図である。第１図におい
て、１０はベツドでありチツプ（図示せず）を載
置する部分である。このベツド１０上のチツプと
複数のインナーリード１１間でワイヤボンデイン
グが行われる。チツプはインナーリード１１を介
して外部回路との電気的接続がなされる。１２は
チツプとワイヤボンデイングされる領域のすぐ外
側のインナーリード１１相互間を接続する第１の
タイバーである。また１３は複数のアウターリー
ドであり、これらアウターリード１３相互間は第
２のタイバー１４で接続されている。これら各部
分はリードフレームとして共通の金属板を加工し
て一体に形成されている。
る。第１図乃至第４図は一実施例に係わる半導体
装置の製造工程を示す図である。第１図におい
て、１０はベツドでありチツプ（図示せず）を載
置する部分である。このベツド１０上のチツプと
複数のインナーリード１１間でワイヤボンデイン
グが行われる。チツプはインナーリード１１を介
して外部回路との電気的接続がなされる。１２は
チツプとワイヤボンデイングされる領域のすぐ外
側のインナーリード１１相互間を接続する第１の
タイバーである。また１３は複数のアウターリー
ドであり、これらアウターリード１３相互間は第
２のタイバー１４で接続されている。これら各部
分はリードフレームとして共通の金属板を加工し
て一体に形成されている。
上記のようなリードフレームを用いた半導体装
置の製造工程を説明する。先ず、ベツド１０上に
チツプが載置され、チツプとインナーリード１１
の先端部間でワイヤボンデイング処理が行われ
る。このワイヤボンデイング処理後、第１のモー
ルド工程により第１のタイバー１２を含まないワ
イヤボンデイング領域のリードフレームに対して
樹脂モールド処理が成される（第２図の樹脂封止
部２０）。
置の製造工程を説明する。先ず、ベツド１０上に
チツプが載置され、チツプとインナーリード１１
の先端部間でワイヤボンデイング処理が行われ
る。このワイヤボンデイング処理後、第１のモー
ルド工程により第１のタイバー１２を含まないワ
イヤボンデイング領域のリードフレームに対して
樹脂モールド処理が成される（第２図の樹脂封止
部２０）。
そして、第１のタイバー１２が切断され、イン
ナーリード１１間が分離される（第３図に示され
た状態）。このようなリードフレームに対して、
第２のモールド工程により樹脂封止処理が行わ
れ、ワイヤボンデイング領域外のインナーリード
１１を含む半導体装置全体の樹脂モールド成型が
なされる（第４図の樹脂封止部３０）。また図示
を略すが、その後第２のタイバー１４はアウター
リード１３から除去される。
ナーリード１１間が分離される（第３図に示され
た状態）。このようなリードフレームに対して、
第２のモールド工程により樹脂封止処理が行わ
れ、ワイヤボンデイング領域外のインナーリード
１１を含む半導体装置全体の樹脂モールド成型が
なされる（第４図の樹脂封止部３０）。また図示
を略すが、その後第２のタイバー１４はアウター
リード１３から除去される。
上記のような製造工程において、その作用効果
を説明する。ベツド１０上のチツプとインナーリ
ード１１の先端部間はワイヤボンデイング処理に
より接続される。このとき、上記のようにインナ
ーリード１１間は第１のタイバー１２により接続
されている。従つて、ワイヤボンデイング処理の
際、インナーリード１１の先端部の振動（上下方
向）は大幅に押えられる。これにより、ワイヤボ
ンデイングは確実に行われ、ボンデイングワイヤ
のループ変形、切断及びボンデイング強度の劣化
を防止できる。
を説明する。ベツド１０上のチツプとインナーリ
ード１１の先端部間はワイヤボンデイング処理に
より接続される。このとき、上記のようにインナ
ーリード１１間は第１のタイバー１２により接続
されている。従つて、ワイヤボンデイング処理の
際、インナーリード１１の先端部の振動（上下方
向）は大幅に押えられる。これにより、ワイヤボ
ンデイングは確実に行われ、ボンデイングワイヤ
のループ変形、切断及びボンデイング強度の劣化
を防止できる。
そして、第１のタイバー１２によりインナーリ
ード１１が接続された状態でワイヤボンデイング
領域のリードフレームに対して樹脂封止処理が行
われる。これにより、第１のタイバー１２が除去
されてもボンデイングワイヤは樹脂により固定さ
れており、上記のようなボンデイング不良は発生
しない。そして、第１のタイバー１２を切断した
後、第２の樹脂モールド工程により半導体装置全
体の樹脂モールド成型が成されることになる。
ード１１が接続された状態でワイヤボンデイング
領域のリードフレームに対して樹脂封止処理が行
われる。これにより、第１のタイバー１２が除去
されてもボンデイングワイヤは樹脂により固定さ
れており、上記のようなボンデイング不良は発生
しない。そして、第１のタイバー１２を切断した
後、第２の樹脂モールド工程により半導体装置全
体の樹脂モールド成型が成されることになる。
以上詳述したように本発明によれば、ワイヤボ
ンデイング処理においてインナーリードの先端部
の振動によるボンデイング不良を確実に防止する
ことができ、しかも確実な樹脂モールド成型を実
現することができる。したがつて、高品質な樹脂
封止型の多ピン構造の半導体装置を提供すること
ができる。
ンデイング処理においてインナーリードの先端部
の振動によるボンデイング不良を確実に防止する
ことができ、しかも確実な樹脂モールド成型を実
現することができる。したがつて、高品質な樹脂
封止型の多ピン構造の半導体装置を提供すること
ができる。
第１図乃至第４図は本発明の一実施例に係わる
半導体装置の製造方法を説明するための図であ
る。 １０……ベツド、１１……インナーリード、１
２……第１のタイバー、１３……アウターリー
ド、１４……第２のタイバー、２０，３０……樹
脂封止部。
半導体装置の製造方法を説明するための図であ
る。 １０……ベツド、１１……インナーリード、１
２……第１のタイバー、１３……アウターリー
ド、１４……第２のタイバー、２０，３０……樹
脂封止部。
Claims (1)
- １ チツプを載置するためのベツド、インナーリ
ード及びこれに連続するアウターリード、そのベ
ツド上のチツプとワイヤボンデイングされる領域
外のインナーリード間を接続する第１のタイバー
ならびにアウターリード間を接続する第２のタイ
バーを有するリードフレームを用意する工程と、
上記チツプとインナーリード間をワイヤボンデイ
ングする工程と、上記ワイヤボンデイング領域内
のリードフレームに対して樹脂封止を行なう第１
のモールド工程と、上記第１のタイバーを切断し
上記インナーリード間を分離する工程と、上記ワ
イヤボンデイング領域外のインナーリードを含む
上記リードフレームに対して樹脂封止を行なつて
半導体装置全体をモールド成型する第２のモール
ド工程とを備えて成ることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200222A JPS6092643A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58200222A JPS6092643A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6092643A JPS6092643A (ja) | 1985-05-24 |
| JPH0443422B2 true JPH0443422B2 (ja) | 1992-07-16 |
Family
ID=16420834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58200222A Granted JPS6092643A (ja) | 1983-10-26 | 1983-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6092643A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02194641A (ja) * | 1989-01-24 | 1990-08-01 | Ibiden Co Ltd | リードフレーム |
-
1983
- 1983-10-26 JP JP58200222A patent/JPS6092643A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6092643A (ja) | 1985-05-24 |
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