JPH0443544A - ２次電子増倍装置用半導体磁器組成物 - Google Patents
２次電子増倍装置用半導体磁器組成物Info
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- JPH0443544A JPH0443544A JP2148160A JP14816090A JPH0443544A JP H0443544 A JPH0443544 A JP H0443544A JP 2148160 A JP2148160 A JP 2148160A JP 14816090 A JP14816090 A JP 14816090A JP H0443544 A JPH0443544 A JP H0443544A
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Landscapes
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- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、２次電子増倍装置に用いられる半導体磁器
組成物に関する。
組成物に関する。
（従来の技術）
半導体磁器からなる２次電子増倍装置としては、たとえ
ば、特公昭４８−１８０２６号公報、特公昭４８−１８
０２９号公報、特公昭４８−１８０３０号公報に記載さ
れているように、チタン酸亜鉛系半導体磁器からなるも
のが知られている。
ば、特公昭４８−１８０２６号公報、特公昭４８−１８
０２９号公報、特公昭４８−１８０３０号公報に記載さ
れているように、チタン酸亜鉛系半導体磁器からなるも
のが知られている。
このうち、特公昭４８−１８０２６号公報のものは、必
要個所に電極を設けた筒よりなるものである。また、特
公昭４８−１８０２９号公報のものは、両端に電極を設
けた板状体に、画電極に垂直に複数個の孔を設けたもの
である。さらに、特公昭４８−１８０３０号公報のもの
は、同一長の筒を複数個束ねたものである。
要個所に電極を設けた筒よりなるものである。また、特
公昭４８−１８０２９号公報のものは、両端に電極を設
けた板状体に、画電極に垂直に複数個の孔を設けたもの
である。さらに、特公昭４８−１８０３０号公報のもの
は、同一長の筒を複数個束ねたものである。
これらの２次電子増倍装置を構成するチタン酸亜鉛系半
導体磁器の具体的な組成としては、Ｚｎ０７２．５モル
、Ｔ ｉ ０２２７．５モルのもの、およびＺｎ０７２
．５モル、Ｔ１０２２７．５モル、Ａ１．０．１．２５
モルからなるものが示されている。そして、これら２種
類の半導体磁器では、８Ｘ１０’Ω・ｃｍ、２．８Ｘ１
０’Ω”ｃｍの抵抗率のものが得られるとしている。
導体磁器の具体的な組成としては、Ｚｎ０７２．５モル
、Ｔ ｉ ０２２７．５モルのもの、およびＺｎ０７２
．５モル、Ｔ１０２２７．５モル、Ａ１．０．１．２５
モルからなるものが示されている。そして、これら２種
類の半導体磁器では、８Ｘ１０’Ω・ｃｍ、２．８Ｘ１
０’Ω”ｃｍの抵抗率のものが得られるとしている。
（解決しようとする問題点）
２次電子増倍装置は、真空装置系に設置され、各種の荷
電粒子を検出する前に、この増倍装置に付着している不
要な物質を除去するために、真空中でベーキング処理が
行われる。この処理は通常、１００〜３５０℃、数時間
から２４時間程度かけて行われる。このとき”、特に、
３００℃以上で処理すると、上記した従来のチタン酸亜
鉛系半導体磁器では、抵抗値が初期の値に対して１／１
００〜１／１０００低下するという現象がみられた。
電粒子を検出する前に、この増倍装置に付着している不
要な物質を除去するために、真空中でベーキング処理が
行われる。この処理は通常、１００〜３５０℃、数時間
から２４時間程度かけて行われる。このとき”、特に、
３００℃以上で処理すると、上記した従来のチタン酸亜
鉛系半導体磁器では、抵抗値が初期の値に対して１／１
００〜１／１０００低下するという現象がみられた。
このため、このような増倍装置には高い電圧を印加する
ことができず、利用範囲が狭められていたという問題が
あった。
ことができず、利用範囲が狭められていたという問題が
あった。
（問題点を解決する手段）
したがって、この発明は、真空中でのベーキング処理を
行っても、抵抗値の変化、増倍利得の変化の少ない２次
電子増倍装置を提供することを目的とする。
行っても、抵抗値の変化、増倍利得の変化の少ない２次
電子増倍装置を提供することを目的とする。
すなわち、この発明は、酸化亜鉛−酸化銅系半導体磁器
からなることを特徴とする２次電子増倍装置用半導体磁
器組成物である。
からなることを特徴とする２次電子増倍装置用半導体磁
器組成物である。
また、この発明は、酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半
導体磁器からなることを特徴とする２次電子増倍装置用
半導体磁器組成物である。
導体磁器からなることを特徴とする２次電子増倍装置用
半導体磁器組成物である。
ここで、酸化亜鉛−酸化銅系半導体磁器の具体的組成と
しては、酸化亜鉛を主成分として、これに酸化銅を０．
２モル％以上から５０モル％以下の範囲で添加したも
のからなる。
しては、酸化亜鉛を主成分として、これに酸化銅を０．
２モル％以上から５０モル％以下の範囲で添加したも
のからなる。
また、酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体磁器の具
体的組成としては、酸化亜鉛か６５モル％以上から８０
モル％以下、酸化チタンが２０モル％以上から３５モル
％以下からなるものを主成分とし、これに酸化銅を０．
２モル％以上から５０モル％以下の範囲で添加したもの
からなる。
体的組成としては、酸化亜鉛か６５モル％以上から８０
モル％以下、酸化チタンが２０モル％以上から３５モル
％以下からなるものを主成分とし、これに酸化銅を０．
２モル％以上から５０モル％以下の範囲で添加したもの
からなる。
上記した組成範囲に限定した理由は、酸化亜鉛−酸化銅
系半導体磁器の２成分系において、また、酸化亜鉛−酸
化チタン−酸化銅系半導体磁器の３成分系においても、
いずれもベーキング処理した後、抵抗率の変化が小さく
、超高真空での動作が安定するからである。
系半導体磁器の２成分系において、また、酸化亜鉛−酸
化チタン−酸化銅系半導体磁器の３成分系においても、
いずれもベーキング処理した後、抵抗率の変化が小さく
、超高真空での動作が安定するからである。
（発明の効果）
この発明にかかる２次電子増倍装置用半導体磁器組成物
によれば、ベーキング処理後の抵抗率の変化が小さく、
ベーキング処理後においても実用レベルの利得が十分に
得られ、超高真空での動作も安定するという効果が得ら
れる。
によれば、ベーキング処理後の抵抗率の変化が小さく、
ベーキング処理後においても実用レベルの利得が十分に
得られ、超高真空での動作も安定するという効果が得ら
れる。
（実施例）
使用原料として、酸化亜鉛、酸化銅、および酸化チタン
を準備し、これらを第１表に示す組成比率の半導体磁器
が得られるように配合した。配合原料をポリエチレン内
貼りポットミルにめのう玉石、純水とともに入れて、２
０時時間式粉砕、混合した。こののち、脱水、乾燥して
５０〜２００メツシユに粉砕、整粒した。
を準備し、これらを第１表に示す組成比率の半導体磁器
が得られるように配合した。配合原料をポリエチレン内
貼りポットミルにめのう玉石、純水とともに入れて、２
０時時間式粉砕、混合した。こののち、脱水、乾燥して
５０〜２００メツシユに粉砕、整粒した。
得られた粉末に小麦粉糊とパラフィンからなるバインダ
ーを加えて可塑物とした後、これを押出成形法によって
、管状に成形した。この成形物をアルミナ匣に共生地原
料を敷いた上に並べて、電気炉により第１表に示した温
度にて自然雰囲気中で約１時間焼成し、外径２．０ｍｍ
、内径１． ０ｍｍ、長さ５０．Ｏｍｍの筒状の半導体
導体磁器試料を得た。
ーを加えて可塑物とした後、これを押出成形法によって
、管状に成形した。この成形物をアルミナ匣に共生地原
料を敷いた上に並べて、電気炉により第１表に示した温
度にて自然雰囲気中で約１時間焼成し、外径２．０ｍｍ
、内径１． ０ｍｍ、長さ５０．Ｏｍｍの筒状の半導体
導体磁器試料を得た。
得られた試料について、室温で３０Ｖ／ｍｍの電圧を印
加して常温での比抵抗を測定し、その結果を第１表に示
した。
加して常温での比抵抗を測定し、その結果を第１表に示
した。
また、増倍利得については、第１図に示す実験回路にて
測定した。
測定した。
第１図において、１は筒状の半導体磁器、２．３は筒の
両端に形成された電極、４は電極２．３に接続された直
流電源、５はフィラメント、６はフィラメント電源、７
は電子加速用電源、８はコレクタ、９はコレクタ電源、
ｌｏは電子計数器である。以上の回路において、点線で
囲んだように、電源４．６．７．９、電子計数器１ｏを
除き、すべて真空中に設置し、真空度を１．０Ｘ１０−
’Ｔ。
両端に形成された電極、４は電極２．３に接続された直
流電源、５はフィラメント、６はフィラメント電源、７
は電子加速用電源、８はコレクタ、９はコレクタ電源、
ｌｏは電子計数器である。以上の回路において、点線で
囲んだように、電源４．６．７．９、電子計数器１ｏを
除き、すべて真空中に設置し、真空度を１．０Ｘ１０−
’Ｔ。
ｒｒとした。次いで、直流電源を４ｋＶ、電子加速用電
源７を２００Ｖとし、フィラメント５より放出させた電
子を筒状半導体磁器１の入射口がら導入して、筒内の壁
面に衝突させて増倍し、増倍電子をコレクタ８で受けて
、パルス数を電子計数器１０で計数して、２次電子増倍
利得を測定した。
源７を２００Ｖとし、フィラメント５より放出させた電
子を筒状半導体磁器１の入射口がら導入して、筒内の壁
面に衝突させて増倍し、増倍電子をコレクタ８で受けて
、パルス数を電子計数器１０で計数して、２次電子増倍
利得を測定した。
その結果を第１表に示した。
次いで、１ 、 ６ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒの真空度で
、４゜０℃、４時間の条件でベーキング処理を行い、各
試料について、比抵抗、および２次電子増倍利得を上記
と同じ条件で測定した。その結果も第１表に併せて示し
た。
、４゜０℃、４時間の条件でベーキング処理を行い、各
試料について、比抵抗、および２次電子増倍利得を上記
と同じ条件で測定した。その結果も第１表に併せて示し
た。
第１表の結果から明らかなように、この発明にかかる２
次電子増倍装置用半導体磁器組成物によれば、ベーキン
グ処理の前後で比抵抗、増倍利得に大きな変化が見られ
ず、実用上問題のない特性が得られるものである。
次電子増倍装置用半導体磁器組成物によれば、ベーキン
グ処理の前後で比抵抗、増倍利得に大きな変化が見られ
ず、実用上問題のない特性が得られるものである。
（以下、余白）
なお、原料として、上記実施例では酸化物を用いたが、
焼成により酸化物となるものであれば、炭酸塩、塩化物
、硝酸塩などを用いてもよい。また、焼成後の半導体磁
器に熱処理により酸化銅となる溶液を含浸させ、その後
熱処理してもよい。
焼成により酸化物となるものであれば、炭酸塩、塩化物
、硝酸塩などを用いてもよい。また、焼成後の半導体磁
器に熱処理により酸化銅となる溶液を含浸させ、その後
熱処理してもよい。
また、構造としては、第１図に示したように、筒状で直
線状としたものの他に、第２図〜第８図に示したような
構造としてもよい。
線状としたものの他に、第２図〜第８図に示したような
構造としてもよい。
つまり、第２図において、２０は酸化亜鉛−酸化銅系半
導体磁器または酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体
磁器よりなる平板で、２枚の平板２０を平行状に配置し
て連続通路を２３を形成したものである。平板２０の外
面は絶縁されていてもよいが、内面は全部又は部分的に
平板２０の一端から他端にかけて露出している。また、
平板２０の両端には電極２１．２２が形成されている。
導体磁器または酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体
磁器よりなる平板で、２枚の平板２０を平行状に配置し
て連続通路を２３を形成したものである。平板２０の外
面は絶縁されていてもよいが、内面は全部又は部分的に
平板２０の一端から他端にかけて露出している。また、
平板２０の両端には電極２１．２２が形成されている。
なお、この他、電極は平板の両端のみならず、必要によ
り平板２０の途中の所要個所に複数形成すれば、さらに
増倍能率を向上させることができる。
り平板２０の途中の所要個所に複数形成すれば、さらに
増倍能率を向上させることができる。
第３図は、単位筒３０を複数本束ねたもので、両端には
電極３１．３２が形成されている。筒３０は全体が２次
電子増倍能を有する半導体磁器で構成されているため、
筒３０の内面および外面とも２次電子増倍能を有してお
り、筒３０の連続通路３３の内面のみならず、相隣接す
る筒３０の間に生ずる間隙３４も２次電子増倍面として
利用することができる。
電極３１．３２が形成されている。筒３０は全体が２次
電子増倍能を有する半導体磁器で構成されているため、
筒３０の内面および外面とも２次電子増倍能を有してお
り、筒３０の連続通路３３の内面のみならず、相隣接す
る筒３０の間に生ずる間隙３４も２次電子増倍面として
利用することができる。
第４図は、断面三角形の筒４０をピラミッド形に複数個
束ねたもので、両端に電極４１．４２を形成したもので
ある。この構造によれば、第３図のものと同様に、筒４
０の連続通路４３の内面のみならず、相隣接する複数個
の筒４０の間に生じる間隙４４もまた２次電子増倍面と
して利用できる。
束ねたもので、両端に電極４１．４２を形成したもので
ある。この構造によれば、第３図のものと同様に、筒４
０の連続通路４３の内面のみならず、相隣接する複数個
の筒４０の間に生じる間隙４４もまた２次電子増倍面と
して利用できる。
第５図は、複数の筒５０を捩り合せたもので、両端には
電極５１．５２が形成されている。この筒５０は第１図
に示した直線状の筒１にくらべてコレクタ側からの反極
性粒子（たとえば入来電子に対して陽イオン）の正帰還
が抑制でき、さらに見掛長に対して連続通路５３の有効
長を長くすることができ、動作をさらに安定させ、かつ
２次電子増倍利得を高めることができる。
電極５１．５２が形成されている。この筒５０は第１図
に示した直線状の筒１にくらべてコレクタ側からの反極
性粒子（たとえば入来電子に対して陽イオン）の正帰還
が抑制でき、さらに見掛長に対して連続通路５３の有効
長を長くすることができ、動作をさらに安定させ、かつ
２次電子増倍利得を高めることができる。
第６図は、外径がほぼ断面六角形の筒６０を多数束ねた
もので、両端には電極６１．６２が形成されている。こ
の筒６０の外面には軸方向に六角形の辺が−すみおきに
断面１／４円と成る溝が形成されている。したがって、
筒６０の連続通路６３のみならず、相隣接する筒６０の
間に生ずる間隙６４も２次電子増倍面として利用でき、
しかも横断面か均一に揃っているため、たとえば、絵素
の均一性と規則性を必要とする影像増倍管などの用途に
特に適合する。
もので、両端には電極６１．６２が形成されている。こ
の筒６０の外面には軸方向に六角形の辺が−すみおきに
断面１／４円と成る溝が形成されている。したがって、
筒６０の連続通路６３のみならず、相隣接する筒６０の
間に生ずる間隙６４も２次電子増倍面として利用でき、
しかも横断面か均一に揃っているため、たとえば、絵素
の均一性と規則性を必要とする影像増倍管などの用途に
特に適合する。
第７図は、連続通路７３を有し、外径が横断面六角形の
筒７０を多数束ねたもので、両端には電極７１．７２が
形成されており、相隣接する筒７０間に隙間をなくした
ものである。
筒７０を多数束ねたもので、両端には電極７１．７２が
形成されており、相隣接する筒７０間に隙間をなくした
ものである。
なお、第６図、第７図の各種の例についても、必要に応
じて第５図のように、捩って使用してもよい。
じて第５図のように、捩って使用してもよい。
第８図は、両端に電極８１．８２を形成した半導体磁器
よりなる板状体８０に、電極８１，８２に垂直に複数個
の連続通路８３を形成したものである。
よりなる板状体８０に、電極８１，８２に垂直に複数個
の連続通路８３を形成したものである。
第１図は２次電子増倍利得を測定するための実験回路図
である。 第２図〜第８図はこの発明にかかる２次電子増倍装置用
半導体磁器を用いた２次電子増倍装置の構造例を示す斜
視図である。 １．３０．４０．５０．６０．７０は酸化亜鉛−酸化銅
系半導体磁器または酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半
導体磁器よりなる筒、 ２０は酸化亜鉛−酸化銅系半導
体磁器または酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体磁
器よりなる平板、８０は酸化亜鉛−酸化銅系半導体磁器
または酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体磁器より
なる板状体。
である。 第２図〜第８図はこの発明にかかる２次電子増倍装置用
半導体磁器を用いた２次電子増倍装置の構造例を示す斜
視図である。 １．３０．４０．５０．６０．７０は酸化亜鉛−酸化銅
系半導体磁器または酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半
導体磁器よりなる筒、 ２０は酸化亜鉛−酸化銅系半導
体磁器または酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体磁
器よりなる平板、８０は酸化亜鉛−酸化銅系半導体磁器
または酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体磁器より
なる板状体。
Claims (2)
- （１）酸化亜鉛−酸化銅系半導体磁器からなることを特
徴とする２次電子増倍装置用半導体磁器組成物。 - （２）酸化亜鉛−酸化チタン−酸化銅系半導体磁器から
なることを特徴とする２次電子増倍装置用半導体磁器組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14816090A JP2623920B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | ２次電子増倍装置用半導体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14816090A JP2623920B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | ２次電子増倍装置用半導体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443544A true JPH0443544A (ja) | 1992-02-13 |
| JP2623920B2 JP2623920B2 (ja) | 1997-06-25 |
Family
ID=15446600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14816090A Expired - Fee Related JP2623920B2 (ja) | 1990-06-06 | 1990-06-06 | ２次電子増倍装置用半導体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2623920B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0797872A (ja) * | 1993-04-20 | 1995-04-11 | Atsushi Itai | トンネルを利用した地下スポーツ施設 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561443A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-09 | Murata Mfg Co Ltd | Method of manufacturing secondary electron multiplier |
-
1990
- 1990-06-06 JP JP14816090A patent/JP2623920B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561443A (en) * | 1979-06-15 | 1981-01-09 | Murata Mfg Co Ltd | Method of manufacturing secondary electron multiplier |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0797872A (ja) * | 1993-04-20 | 1995-04-11 | Atsushi Itai | トンネルを利用した地下スポーツ施設 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2623920B2 (ja) | 1997-06-25 |
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