JPH0443639A

JPH0443639A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0443639A
Application number: JP15182790A
Authority: JP
Inventors: Shuji Tabuchi; 田淵　修司
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1990-06-11
Filing date: 1990-06-11
Publication date: 1992-02-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔概要〕半導体プロセスにおける前処理、後処理等の各湿潤処理
後に半導体ウェハの乾燥を行う半導体装置の製造方法に
関し、大口径の半導体ウェハであっても簡易に安定した乾燥を
行うことを目的とし、半導体プロセスにおける所定の湿潤処理後に、半導体ウ
ェハの乾燥を行う半導体装置の製造方法において、水が
満たされた所定形状の槽内に所定数の前記半導体ウェハ
を浸漬し、前記湿潤処理後に該水の表面張力により乾燥
させるべく、所定流速で所定量づつ排水するように構成
する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体プロセスにおける前処理、後処理等の
各湿潤処理後に半導体ウェハの乾燥を行う半導体装置の
製造方法に関する。

半導体プロセスで半導体ウェハの各工程の前処理や後処
理の洗浄等の湿潤処理後に該半導体ウェハを乾燥しなけ
ればならない。近年半導体デバイスの微細化、ウェハの
大口径化に伴い、これらに適用可能な乾燥方法が必要と
なる。

〔従来の技術〕

近年、半導体ウェハの湿潤処理後の乾燥方法には、ヒー
タ乾燥、スピン乾燥、ベーパ乾燥、引上乾燥等がある。

また、乾燥時には、当該半導体ウェハを保持するための
バスケットが必要であり、ＰＦＡ　（Ｐｅｒ　　Ｆｌｕ
ｏｒｏ　　Ａｌｃｏｘｙ）バスケット等が使用される。

石英バスケットでは、主にヒータ乾燥等か使用されるが
、フッ酸処理で石英が溶出し、シミか発生する。また、
ＰＦＡバスケットでは、ロインチロ径位まてのウェハて
スピン乾燥が主に行われる。

そして、ロインチロ径以上のウェハでは、上記のベーパ
乾燥、引上乾燥が検討されている。なお、ベーパ乾ｔ９
４はイソプロピロアルコール等のアルコール蒸気により
ウェハに付着している水と反応させて乾燥させるもので
ある。

ここで、第３図に引上乾燥の構成図を示す。洗浄水２０
が満たされた槽２１内に、複数の半導体ウェハ（図示せ
ず）が保持されたバスケット２２が位置される。バスケ
ット２２の口部には掛止部２２ａが形成されいる。一方
、制御台２３にはりニアモータ２４が設けられており、
このリニアモータ２４より駆動アーム２５か延出し、上
下動する。また、駆動アーム２５の先端には一対のクラ
ンプ２６が設けられ、該クランプ鉤部２６ａ。

２６ｂでバスケット２２の掛止部２２ａを掛止してバス
ケット２２を引上げる。

この引上乾燥は水の表面張力を利用したものである。す
なわち、モータ２４により低速（例えば１０〜１５ｍｒ
／ｍ１ｎ）でバスケット２２を引上げることにより半導
体ウェハ上には表面張力で水滴か残らず、乾燥させるも
のである。

このような引上乾燥は、半導体ウニ／％の大口径化に対
しても比較的容易に対応できる方法である。

〔発明が解決使用とする課題〕

しかし、ヒータ乾燥はＰＦＡバスケットでは熱変形を生
じ、石英バスケットでは前述のようにフッ酸処理で石英
の溶出を生じる。スピン乾燥は、石英バスケットでは破
損する危険性かあり、ＰＦＡバスケットでは前述のよう
に大口径のウエノ＼にはそのまま適用できない。ベーパ
乾燥は、炭素の付着や防爆対策か必要であり、大損りと
なる。

また、引上乾燥は、石英バスケット（２２）ではクラン
プ２６により発塵を生じ、ＰＦＡバスケ・ント（２２）
では重量が重く引」二のためのモータ２４の高出力化が
必要となる。一方、半導体ウェハの口径が大きくなると
全重量が重く（例えば３．５〜４．０ｋｇ）なって機構
が大損りとなり、引上げ速度の変更や調整が困姪である
という問題かあるまた、クランプ２６か液中に入ること
から汚染等の管理か必要になるという問題かある。

そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたものて、大口
径の半導体ウェハであっても簡易（こ安定した乾燥を行
う半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

上記課題は、半導体プロセスにおける所定の湿潤処理後
に、半導体ウェハの乾燥を行う半導体装置の製造方法に
おいて、水が満たされた所定の槽内に所定数の前記半導
体ウェハを浸漬し、前記湿潤処理後に、該水の表面張力
により乾燥させるべ（、所定流速で所定量づつ排水する
ことにより解決される。

また、槽の形状により半導体ウェハの位置に対応させて
該水面の面積を変化させ、該水面の下降速度を変化させ
ている。一方、種形状を一定の幅として排水量を調節し
て、該水面の下降速度を変化させている。

〔作用〕

」一連のように、本発明は湿潤処理後に、所定流速で所
定量づつ排水を行っている。これにより、水の表面張力
により、半導体ウェハ面への水滴の付着が防止される。

すなわち、排水するだけで引上げと同様の乾燥を行うこ
とが可能となる。従って、半導体ウェハが大口径化し、
これを保持しているバスケット全体の重量が増しても、
簡易かつ安定して乾燥を行うことが可能となる。槽の形
状を半導体ウェハ面の乾燥位置の違いに対応させて水面
の面積を変化させることにより、排水量か一定であって
も、槽の形状に応じて水面の下降速度が変化する。これ
により、半導体ウェハ面の乾燥のしにくい部分では水面
の下降速度を遅くして確実な乾燥を安定して行うことか
可能となる。

また、同様の原理で櫂形状が一定の幅として排水量を調
整することにより、水面の下降速度を変化させている。

これにより、確実な乾燥を安定して行うことが可能とな
る。

〔実施例〕

第１図に本発明方法の一実施例の構成図を示す。

第１図の乾燥装置において、槽】に水２が満たされてお
り、湿潤処理を行う半導体ウェハ３を保持したバスケッ
ト（キャリア）４が水中に浸漬される。槽１は胴部が円
弧状に膨らみを有する形状であり、また、底部に排水管
５が設けられている。

そして、排水管５には流量計６及びバルブ７が介在され
る。

また、バスケット４は例えばＰＦＡバスケットで形成さ
れ、半導体ウェハ３が図面奥方向に並設状態で保持され
る。この場合、半導体ウェハ３とバスケット４との接続
部分はＡ、〜Ａｓであり、特に接触点ＡＩ、Ａ７部分で
水滴の残存を防止しなければならない。

このような乾燥装置は、半導体プロセスにおいて、拡散
、ＣＶＤ　（化学気相成長法）の前処理、後処理等の湿
潤処理で行う水による洗浄後、水２を排水管５を介して
バルブ７より排水される。この場合、バルブ７を開放し
て排水を流量計６で例えば１０〜１５ｍｍ／ｍｉｎの流
速で一定量づつ行う。

これにより、槽１内の水２の水面は、上方部分ては一定
速度で下降し、膨らみ部分では膨らみに応して、すなわ
ち、水面の面積が大きいほど下降速度が遅くなる。

そして、その膨らみ部分は半導体ウェハ３の形状に対応
されており、該半導体ウェハ３の位置上で水平距離が大
きい部分（バスケット４との接触部分Ａ、、Ａ！　）で
、水面の下降速度か最も遅くなる。すなわち、当該部分
で水滴が残存し易く、水平の下降速度をより遅くするこ
とで水の表面張力を発揮し易くしているものである。従
って、半導体ウェハの位置上水滴の付着しにくい部分は
水面の下降速度を速く、付着し易い分を遅くすることが
、ＴＪＦ水量か一定で槽１の形状を変化させることで制
御することができる。

このように、半導体ウェハを乾燥させるにあたり、第３
図のような機構が不要で簡易であり、バスケット４の引
上げによる振動等で水切れを生じることがなく安定した
乾燥を確実に行うことがてきる。また、乾燥途中の状態
であっても、半導体ウェハ３は槽１内にそのままの状態
で保持されるため、雰囲気的に安定した状態を保つこと
ができる。

次に、第２図に本発明の他の実施例の構成図を示す。第
２図の乾燥装置は、第１図における槽を一定の輻（例え
ば、箱状）の槽１ａとし、バルブ調整手段８を設けたも
のである。

このような乾燥装置は、第１図における水平の下降速度
を槽の膨らみ部分で行うのではなく、バルブ７をバルブ
調整手段８により排水量を調節させて、下降速度を変化
させるものである。例えば、半導体ウェハ３とバスケッ
ト４との接触部分ＡＡ！に水面が位置したときに、バル
ブ調整手段８でバルブ７を若干閉めてｔＪｔ水量を少な
くして、当該分の水面の下降速度を遅くする。この場合
、バルブ調整手段８による制御は直線的に行うもので、
例えば水面の位置検出による制御又は時間制御により行
う。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、湿潤処理後に所定流速で
所定量づつ排水を行うことにより、簡易な構成で引上げ
乾燥と同様の乾燥をより安定して行うことができる。

また、櫂形状又は排水量の調節で水面の下降速度を変化
させることにより、半導体ウェハの乾燥を確実に安定し
て行うことができる。

７はバルブ。

８はバルブ調整手段を示す

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体プロセスにおける所定の湿潤処理後に、半
導体ウェハ（３）の乾燥を行う半導体装置の製造方法に
おいて、水が満たされた所定形状の槽（１、１ａ）内に所定数の
前記半導体ウェハ（３）を浸漬し、前記湿潤処理後に、
該水の表面張力により乾燥させるべく、所定流速で所定
量づつ排水することを特徴とする半導体装置の製造方法
。
（２）前記排水量を一定とし、前記槽（１）を前記半導
体ウェハ（３）の位置に対応させて該水面の面積を変化
させる形状として、該水面の下降速度を該半導体ウェハ
（３）の位置に応じて変化させることを特徴とする請求
項（１）記載の半導体装置の製造方法。
（３）前記槽（１ａ）を一定の幅とし、前記半導体ウェ
ハ（３）の位置に応じて前記排水量を調整して、該槽（
１ａ）内の水面の下降速度を変化させることを特徴とす
る請求項（１）記載の半導体装置の製造方法。