JPH0594978A - 半導体基板浸漬処理槽 - Google Patents
半導体基板浸漬処理槽Info
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- JPH0594978A JPH0594978A JP25402991A JP25402991A JPH0594978A JP H0594978 A JPH0594978 A JP H0594978A JP 25402991 A JP25402991 A JP 25402991A JP 25402991 A JP25402991 A JP 25402991A JP H0594978 A JPH0594978 A JP H0594978A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tank
- inner tank
- lid
- treatment liquid
- opening
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 9
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- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 11
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】内槽３内の処理液に停滞するパーティクルを効
率良く排出する。 【構成】内槽３の開口部の面積を減じる蓋７を設け、外
気と接触する面積を減じ、処理液供給溝４から供給され
る処理液を増加することなく、オーバフローする流れの
速度を増大させ、パーティクルを排出させる。
率良く排出する。 【構成】内槽３の開口部の面積を減じる蓋７を設け、外
気と接触する面積を減じ、処理液供給溝４から供給され
る処理液を増加することなく、オーバフローする流れの
速度を増大させ、パーティクルを排出させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板を薬液また
は超純水に浸漬して湿式処理するために用いる半導体基
板浸漬処理槽に関するものである。
は超純水に浸漬して湿式処理するために用いる半導体基
板浸漬処理槽に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体基板（以後ウェー
ハと称する）浸漬処理槽は、内槽と外槽から成り内槽底
部から処理液を導入し、内槽上面部から処理液をオーバ
ーフローさせ、オーバーフローした処理液を外槽に溜る
ものであった。
ハと称する）浸漬処理槽は、内槽と外槽から成り内槽底
部から処理液を導入し、内槽上面部から処理液をオーバ
ーフローさせ、オーバーフローした処理液を外槽に溜る
ものであった。
【０００３】図４は、従来のウェーハ浸漬処理槽の一例
を示す模式断面図である。このウェーハ浸漬処理槽は、
図４に示すように、キャリアに収納されたウェーハ２を
浸漬する内槽３と、処理液供給口４から供給した液が内
槽３の上部からオーバーフローするのを溜める外槽５と
を有していた。
を示す模式断面図である。このウェーハ浸漬処理槽は、
図４に示すように、キャリアに収納されたウェーハ２を
浸漬する内槽３と、処理液供給口４から供給した液が内
槽３の上部からオーバーフローするのを溜める外槽５と
を有していた。
【０００４】このようなウェーハ浸漬処理槽は、構造が
簡単なこと、取扱いが容易のため、半導体製造工程にお
ける洗浄装置として多く用いられてきた。
簡単なこと、取扱いが容易のため、半導体製造工程にお
ける洗浄装置として多く用いられてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のウェー
ハ浸漬処理槽は、内槽に満たされた処理液と外気が接触
する面積が比較的大きいため、処理液が内槽から外槽に
オーバーフローする速度が極端に遅くなり、内槽内の処
理液中に含まれるパーティクルが内槽から外槽へ排出さ
れ難く、処理しようとするウェーハに再付着したりし
て、後工程での歩留を下げるという問題があった。
ハ浸漬処理槽は、内槽に満たされた処理液と外気が接触
する面積が比較的大きいため、処理液が内槽から外槽に
オーバーフローする速度が極端に遅くなり、内槽内の処
理液中に含まれるパーティクルが内槽から外槽へ排出さ
れ難く、処理しようとするウェーハに再付着したりし
て、後工程での歩留を下げるという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、かかる問題を解消すべ
く、処理液中の含まれるパーティクルが排出され易いウ
ェーハ浸漬処理槽を提供するものである。
く、処理液中の含まれるパーティクルが排出され易いウ
ェーハ浸漬処理槽を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板浸漬
処理槽は、開口を有し、処理液が供給される処理液供給
口をもつ内槽と、この内槽よりオーバーフローする処理
液を溜め排出する外槽とを備える半導体基板浸漬処理槽
において、前記開口の面積を減ずる蓋を備えている。
処理槽は、開口を有し、処理液が供給される処理液供給
口をもつ内槽と、この内槽よりオーバーフローする処理
液を溜め排出する外槽とを備える半導体基板浸漬処理槽
において、前記開口の面積を減ずる蓋を備えている。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の一実施例を示すウェーハ浸
漬処理槽の模式断面図である。このウェーハ浸漬処理槽
は、図１に示すように、内槽３を含む外槽５の開口を開
閉するとともに内槽３の処理液に浸漬される角錐体部９
をもつ蓋７を設けたことである。また、この蓋７はヒン
ジ機構により開閉され、ヒンジ機構を駆動するモータ８
が備えられている。それ以外は従来例と同じである。
漬処理槽の模式断面図である。このウェーハ浸漬処理槽
は、図１に示すように、内槽３を含む外槽５の開口を開
閉するとともに内槽３の処理液に浸漬される角錐体部９
をもつ蓋７を設けたことである。また、この蓋７はヒン
ジ機構により開閉され、ヒンジ機構を駆動するモータ８
が備えられている。それ以外は従来例と同じである。
【００１０】図２は図１の蓋を示す斜視図である。この
蓋は、図２に示すように、外槽５の開口を完全に閉じる
大きさの板状の蓋本体１０と、この蓋本体１０の一面側
に取付けられる角錐体部９と、蓋本体１０の一端側に取
付けられ、他端側はヒンジ機構に取付けられるアーム１
１で構成されている。また、この角錐体部９の断面積
は、内槽３の開口面積より小さく、角錐体部がこの開口
に無理なく入り込み、処理液中に浸漬される程度の大き
さである。
蓋は、図２に示すように、外槽５の開口を完全に閉じる
大きさの板状の蓋本体１０と、この蓋本体１０の一面側
に取付けられる角錐体部９と、蓋本体１０の一端側に取
付けられ、他端側はヒンジ機構に取付けられるアーム１
１で構成されている。また、この角錐体部９の断面積
は、内槽３の開口面積より小さく、角錐体部がこの開口
に無理なく入り込み、処理液中に浸漬される程度の大き
さである。
【００１１】次に、このウェーハ浸漬処理槽の動作を説
明する。まず、処理液が内槽３から外槽５にオーバーフ
ローしている状態で蓋７を開け、ウェーハ２を内槽３に
投入する。次に、蓋７を閉めて浸漬処理する。
明する。まず、処理液が内槽３から外槽５にオーバーフ
ローしている状態で蓋７を開け、ウェーハ２を内槽３に
投入する。次に、蓋７を閉めて浸漬処理する。
【００１２】このとき内槽３の処理液と外気が接触する
面積と、処理液供給口４の有効断面積が等しいとすれ
ば、内槽３からオーバーフローする処理液の速度は、処
理液供給口４内の処理液の速度と等しくなり、また内槽
３からオーバーフローする処理液の速度を速くするには
内槽３の処理液と外気が接触する面積を小さくすればよ
く、換言すれば蓋７の角錐体部９を大きくすればよいこ
とになる。
面積と、処理液供給口４の有効断面積が等しいとすれ
ば、内槽３からオーバーフローする処理液の速度は、処
理液供給口４内の処理液の速度と等しくなり、また内槽
３からオーバーフローする処理液の速度を速くするには
内槽３の処理液と外気が接触する面積を小さくすればよ
く、換言すれば蓋７の角錐体部９を大きくすればよいこ
とになる。
【００１３】このように、角錐体部９によって内槽３の
開口面積を小さくし、内槽３からのオーバーフロー速度
を速めてやれば、内槽３内のパーティクルを効率よく外
槽５へ排出される。
開口面積を小さくし、内槽３からのオーバーフロー速度
を速めてやれば、内槽３内のパーティクルを効率よく外
槽５へ排出される。
【００１４】図３は本発明の他の実施例を示すウェーハ
浸漬処理槽の模式断面図である。このウェーハ浸漬処理
槽は、内槽３の開口を閉じる大きさをもつとともに一面
側より円錐状に凹み、その凹みの延長に開口部１２を有
する蓋７ａを設けたことである。
浸漬処理槽の模式断面図である。このウェーハ浸漬処理
槽は、内槽３の開口を閉じる大きさをもつとともに一面
側より円錐状に凹み、その凹みの延長に開口部１２を有
する蓋７ａを設けたことである。
【００１５】このウェーハ浸漬処理槽の動作は、ウェー
ハ２を収納するキャリア１を処理液に浸漬し、蓋７ａを
閉めると、内槽３の処理液は、蓋７ａの開口部１２から
外槽５へあふれ出すことになる。すなわち、内槽３の処
理液と外気が接触する面積は開口部１２の面積になるわ
けである。
ハ２を収納するキャリア１を処理液に浸漬し、蓋７ａを
閉めると、内槽３の処理液は、蓋７ａの開口部１２から
外槽５へあふれ出すことになる。すなわち、内槽３の処
理液と外気が接触する面積は開口部１２の面積になるわ
けである。
【００１６】この実施例における蓋は、前述の実施例に
おける蓋の形状と比べシンプルであり、加工が簡単であ
る。特に、開口部１０の面積の調整が容易であることか
ら、処理液のオーバーフロー速度の設定が容易であると
いう利点がある。
おける蓋の形状と比べシンプルであり、加工が簡単であ
る。特に、開口部１０の面積の調整が容易であることか
ら、処理液のオーバーフロー速度の設定が容易であると
いう利点がある。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、内槽の処
理液と外気が接触する面積を内槽の開口部を塞ぐ蓋によ
り低減させたことにより、処理液供給量を増やすことな
く処理液の内槽から外槽へのオーバーフロー速度が上昇
し、内槽内に停滞しているパーティクルを効率良くオー
バーフローさせ、内槽内の処理液に含むパーティクルを
効率良く排出出来るという効果がある。
理液と外気が接触する面積を内槽の開口部を塞ぐ蓋によ
り低減させたことにより、処理液供給量を増やすことな
く処理液の内槽から外槽へのオーバーフロー速度が上昇
し、内槽内に停滞しているパーティクルを効率良くオー
バーフローさせ、内槽内の処理液に含むパーティクルを
効率良く排出出来るという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示すウェーハ浸漬処理槽の
模式断面図である。
模式断面図である。
【図２】図１の蓋を示す斜視図である。
【図３】本発明の他の実施例を示すウェーハ浸漬処理槽
の模式断面図である。
の模式断面図である。
【図４】従来の一例を示すウェーハ浸漬処理槽の模式断
面図である。
面図である。
１ キャリア ２ ウェーハ ３ 内槽 ４ 処理液供給口 ５ 外槽 ６ 外槽排出口 ７，７ａ 蓋 ８ モータ ９ 角錐体部 １０ 蓋本体 １１ アーム
Claims (2)
- 【請求項１】 開口を有し、処理液が供給される処理液
供給口をもつ内槽と、この内槽よりオーバーフローする
処理液を溜め排出する外槽とを備える半導体基板浸漬処
理槽において、前記開口の面積を減ずる蓋を備えること
を特徴とする半導体基板浸漬処理槽。 - 【請求項２】 前記蓋が前記開口と同じ形状であるとと
もに開口部をもつことを特徴とする請求項１記載の半導
体基板浸漬処理槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25402991A JPH0594978A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体基板浸漬処理槽 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25402991A JPH0594978A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体基板浸漬処理槽 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594978A true JPH0594978A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17259252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25402991A Pending JPH0594978A (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | 半導体基板浸漬処理槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0594978A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997039840A1 (de) * | 1996-04-24 | 1997-10-30 | Steag Microtech Gmbh | Vorrichtung zum behandeln von substraten in einem fluid-behälter |
| WO1998018153A1 (de) * | 1996-10-24 | 1998-04-30 | Steag Microtech Gmbh | Vorrichtung zum behandeln von substraten |
| JP2008187004A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP25402991A patent/JPH0594978A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997039840A1 (de) * | 1996-04-24 | 1997-10-30 | Steag Microtech Gmbh | Vorrichtung zum behandeln von substraten in einem fluid-behälter |
| WO1998018153A1 (de) * | 1996-10-24 | 1998-04-30 | Steag Microtech Gmbh | Vorrichtung zum behandeln von substraten |
| JP2008187004A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000516 |