JPH0443645A - Method and equipment for coating edge of wafer - Google Patents
Method and equipment for coating edge of waferInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、集枯回路(IC)を形成したウェハ1−に、
プリンl−基板へのボンデインタ用接続部(ハング)を
形成するに際し、回ウェハの端縁に鍍金か付着するのを
Uj ILするためのウェハの端縁コーティング方法お
よびその装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention provides a wafer 1- on which a collector circuit (IC) is formed.
The present invention relates to a wafer edge coating method and apparatus for coating the edge of a wafer to prevent plating from forming on the edge of the wafer when forming a hang for a bonder to a printed circuit board.
[従来の技術]
ICをプリント基板に実装するには、例えば、ウニへ十
のICチップに電極接続部となるハングをあらかしめ形
成しておき、ウェハを各ICチップに切断後、該バンブ
とプリント基板上のリードとをボンディングにより接合
する方法が採られている。[Prior Art] In order to mount an IC on a printed circuit board, for example, hangs that serve as electrode connection parts are formed on each IC chip in advance, and after the wafer is cut into each IC chip, the bumps and hangs are formed on each IC chip. A method has been adopted in which the leads on the printed circuit board are joined by bonding.
従来のバンブ形成方法としては、蒸着法、すなわちウェ
ハ上のICリート部以外にマスクを形成しておき、金属
膜を蒸着することによりハンプを形成する方法かある。Conventional methods for forming bumps include a vapor deposition method, that is, a method in which a mask is formed on a wafer other than an IC reed portion, and a metal film is vapor-deposited to form a hump.
しかし、蒸着法の場合、大形’7エハに対してマスク合
わせか困難であり、しかもマスクの反り等の問題が生じ
実用的でなかった。However, in the case of the vapor deposition method, it was difficult to match the mask to the large '7 wafer, and problems such as mask warping occurred, making it impractical.
そこて、近年、第5図(a)〜(C)に示すような鍍金
法が開発され、大形ウェハに対しても上記の問題を生ず
ることなくハンプの形成か可能となった。この鍍金法に
よれば、ウェハWをスどンナーと称する回転支持台に載
せ、ウェハWの表面に半田付着防止膜(レジスト)Lを
塗布し、さらに裏返しにして裏面にもレジストLを塗布
した後、ICリート部分Rft露光することによりレジ
ストLを除去する(同図(a))、次いて、ウェハWを
銅鍍金処理してICリート部分Rに銅鍍金層Pを形成し
、さらに銅鍍金層Pの上に半田層Sを積層して形成する
(同図(b))、その後1両面のレジストLを除去する
とともに半田層Sをリフローしてハンプ■を形成してい
た(同図(c))。Therefore, in recent years, a plating method as shown in FIGS. 5(a) to 5(C) has been developed, and it has become possible to form humps even on large wafers without causing the above-mentioned problems. According to this plating method, the wafer W is placed on a rotating support called a stainer, a solder adhesion prevention film (resist) L is applied to the front surface of the wafer W, and the resist L is also applied to the back surface of the wafer W. After that, the resist L is removed by exposing the IC REEAT part Rft (FIG. 2(a)). Next, the wafer W is subjected to copper plating treatment to form a copper plating layer P on the IC REET part R, and further copper plating is performed. A solder layer S was laminated on top of the layer P (see figure (b)), and then the resist L on one side was removed and the solder layer S was reflowed to form a hump ■ (see figure (b)). c)).
[発明か解決しようとする課題]
上述した従来の鍍金法においては、ウェハWの表裏両面
にレジストを塗布していたが、ウェハWの端面はむき出
しのままであった。すなわち、スピンナーに載置した状
態ては、ウェハWの端面にレジストを塗布できない。[Problems to be Solved by the Invention] In the conventional plating method described above, resist is applied to both the front and back surfaces of the wafer W, but the end surfaces of the wafer W remain exposed. That is, resist cannot be applied to the end surface of the wafer W while it is placed on the spinner.
ところか、ウェハを形成するシリコンと銅とは親和性か
強く、ウェハWの端面かむき出しのままであると、銅鍍
金か付着してしまう、特に、半田層に共品半田を使用し
た場合、銅鍍金層を厚く形成しなければないらないため
、ウェハ端面への銅鍍金の+1着量も多くなる。このよ
うに多量の銅鍍金がウェハ端縁に付着すると、後工程に
おいてウェハな切断する際、端縁から不規則な割れや欠
けを生し、生産されるICチップの歩留りが低下すると
いう欠点を有していた。However, silicon that forms the wafer and copper have a strong affinity, and if the end surface of the wafer W is left exposed, copper plating will adhere to it.Especially if a similar solder is used for the solder layer, Since the copper plating layer must be formed thickly, the amount of copper plating deposited on the wafer end face also increases. If a large amount of copper plating adheres to the edge of the wafer in this way, irregular cracks or chips may occur from the edge when the wafer is cut in the subsequent process, resulting in a decrease in the yield of produced IC chips. had.
本発明はこのような事情にかんがみてなされたもので、
ウェハ端縁への鍍金の付着を防止しICチ・ンブの歩留
りを向上することのてきるウェハの端縁コーティング方
法と、同方法の実施に好適なウェハの端縁コーティング
装置の提供を目的とする。The present invention was made in view of these circumstances.
The purpose of the present invention is to provide a wafer edge coating method that prevents plating from adhering to the wafer edge and improves the yield of IC chips, and a wafer edge coating device suitable for carrying out the method. do.
[課題を解決するための手段]
1−記[目的を達成するために、未発+!■のウェハ端
縁コーディング方法は、ウェハを回転させなから、当該
ウェハの端縁に全周にわたり光硬化性樹脂を塗布すると
ともに、前記ウェハの端縁に塗布された光硬化性樹脂に
対して光線を照射する方法としてあり、さらに&7まし
くは前記方法をウェハの全周にわたって行なった後、光
硬化性樹脂の塗布を止め、すでにウェハの端縁に塗布さ
れている光硬化性樹脂に対して更に光線を照射する方法
としである。[Means to solve the problem] 1-Note [In order to achieve the purpose, unreleased +! In the wafer edge coating method (2), without rotating the wafer, a photocurable resin is applied to the entire circumference of the wafer edge, and at the same time, the photocurable resin coated on the wafer edge is There is a method of irradiating the wafer with a light beam, and after performing the above method all around the wafer, the application of the photocurable resin is stopped and the photocurable resin that has already been applied to the edge of the wafer is applied. Another method is to further irradiate the light beam.
また、未発IJIのウェハ端縁コーティング装置は、ウ
ェハを回転自在に支持する手段と、同手段に支持された
ウェハを回転させる手段と、回転するウェハの端縁に接
続し、光硬化性樹脂を塗布する手段と、前記ウェハの端
縁に塗布された光硬化性樹脂に対して光線を照射する手
段とを備えた構成としである。In addition, the wafer edge coating device of undeveloped IJI includes a means for rotatably supporting a wafer, a means for rotating the wafer supported by the same means, and a photocurable resin connected to the edge of the rotating wafer. and a means for irradiating light onto the photocurable resin coated on the edge of the wafer.
[作用]
本発明は上述した構成としたのて、ウェハの端縁に光硬
化性樹脂層を形成することかでき、同層により鍍金とシ
リコンとの結合をしゃ断するのて、fs金かウェハ端縁
に付着することはなくなる。[Function] With the above-described structure, the present invention can form a photocurable resin layer on the edge of the wafer, and the bond between the plating and the silicon can be broken by the same layer. It will no longer stick to the edges.
なお、使用する光硬化性樹脂としては、鍍金との親和性
か弱く、かつ鍍金液中への溶解か皆無のものであればよ
く、例えば、紫閃線硬化樹脂(商品名 ハートロック(
it気化学−■。業株式会社製))を用いることかでき
る。The photocurable resin to be used may be one that has a weak affinity with plating and does not dissolve at all in the plating solution, such as purple flash curing resin (trade name: Heartlock).
IT gas chemistry-■. (manufactured by Gyogyo Co., Ltd.)) can be used.
[実施例]
以下、本発明の一実施例について図面を参照して説すl
する。[Example] An example of the present invention will be described below with reference to the drawings.
do.
第1図は本発明のウェハ端縁コーディング装とに係る実
施例を示す側面断面図、第2図はウェハ収納ハスゲット
の一部切欠正面図、第3図は光硬化性樹脂の塗41手段
を示す斜視図、第4図は同手段のローラ部分を示す正面
図である。FIG. 1 is a side cross-sectional view showing an embodiment of the wafer edge coating device of the present invention, FIG. 2 is a partially cutaway front view of a wafer storage hasget, and FIG. 3 is a photocurable resin coating means 41. FIG. 4 is a front view showing the roller portion of the means.
まず、これらの図面を参照して本発明装置の実施例を説
明する。First, embodiments of the apparatus of the present invention will be described with reference to these drawings.
第1図において、10は箱形の装置本体てあり、上面開
口部に蓋体11か着脱自在となっている。装置本体lO
の内部には、ウェハ収納バスケット(ウェハ支持手段)
20の取付枠12、送りローラ(ウェハ回転手段)30
、光硬化性樹脂の塗布手段40.および光源50かそれ
ぞれ設けられている。なお、13.14は換気孔てあり
、特に換気孔13の下方にはしや先板15か設けられ、
ウェハWに対する外部光の入射を防止している。In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a box-shaped device main body, and a lid 11 is detachably attached to an opening on the top surface. Device body lO
Inside is a wafer storage basket (wafer support means).
20 mounting frame 12, feed roller (wafer rotation means) 30
, photocurable resin coating means 40. and a light source 50 are provided, respectively. In addition, 13 and 14 have ventilation holes, and in particular, a tip plate 15 is provided below the ventilation hole 13,
External light is prevented from entering the wafer W.
ウェハ収納バスケット20の内部には、仕切り21か一
定間隔ごとに並べて設けられており、多数のウェハWが
これら仕切り21の間に縦に収納される(第2図参照)
、また、底部には、ウェハWの直径より短い長さの開口
22か設けられており、この開口22からウェハWの下
部か一部露出する。さらに、同バスケット20の上端外
周縁には取付はフランジ23か設けられており、このフ
ランジ23を取付枠11に載置して、装置本体lO内に
装填てきる構成となっている。Inside the wafer storage basket 20, partitions 21 are arranged at regular intervals, and a large number of wafers W are stored vertically between these partitions 21 (see FIG. 2).
Further, an opening 22 having a length shorter than the diameter of the wafer W is provided at the bottom, and a portion of the lower part of the wafer W is exposed through this opening 22. Furthermore, a mounting flange 23 is provided on the outer peripheral edge of the upper end of the basket 20, and the flange 23 is placed on the mounting frame 11 and is configured to be loaded into the main body 10 of the apparatus.
送りローラ30は、装置本体lO内に装填されたウェハ
収納バスケット20の底部開口22から露出するウェハ
Wか当接し、しかも同ウェハWがわずかに持上げられる
位置に設けられている。この送りローラ30は、図示し
ない駆動モータにより回転駆動される。また、送りロー
ラ30の外周面には、軟質ゴム等、摩擦係数の大きなす
べり防止部材31が被覆されており、重力により当接す
るウェハWとの間の厚擦力を大きくシ、ウニへWを確実
に回転させる工夫かなされている。The feed roller 30 is provided at a position where the wafer W exposed from the bottom opening 22 of the wafer storage basket 20 loaded in the apparatus main body 10 comes into contact with the wafer W, and the wafer W is slightly lifted. This feed roller 30 is rotationally driven by a drive motor (not shown). Further, the outer peripheral surface of the feed roller 30 is coated with a slip prevention member 31 having a large coefficient of friction, such as soft rubber, which increases the thick friction force between the wafer W that comes into contact with it due to gravity, and prevents the W from reaching the sea urchins. Efforts have been made to rotate it reliably.
光硬化性樹脂の塗布手段40には、第3図に示すように
、第一、第二ローラ41,42が設けられており、各ロ
ーラ41,42の回転軸43゜44には、互いに噛み合
う歯車45.46が両端に取付けである。さらに、第一
ローラ41の回転軸43には、プーリ47か取付けてあ
り、伝達ベルト48を介して図示しない駆動子−夕より
駆動力を受ける構成となっている。この駆動力により第
一ローラ41か回転するとともに、歯車45゜46を介
して第二ローラ42も回転駆動される。As shown in FIG. 3, the photocurable resin application means 40 is provided with first and second rollers 41 and 42, and the rotation shafts 43 and 44 of each roller 41 and 42 are provided with rollers that engage with each other. Gears 45 and 46 are mounted on both ends. Further, a pulley 47 is attached to the rotating shaft 43 of the first roller 41, and is configured to receive driving force from a driver (not shown) via a transmission belt 48. This driving force causes the first roller 41 to rotate, and at the same time, the second roller 42 is also rotationally driven via the gears 45 and 46.
第一ローラ41の下方には、光硬化性樹脂を充填した容
器49か設けてあり、第一ローラ41の下部かこの容器
49内の光硬化性樹脂に浸漬されている。また、第二ロ
ーラ42には、両端にカラー42a、42aか形成され
ており、これらカラー42a、42a部分か第一ローラ
41に接触している。したかって、カラー42a、42
aに挟まれた中間部分(以下、四部という)42bと第
一ローラ41との間には、第4図に示すように一定深さ
dの隙間か形成されている。A container 49 filled with photocurable resin is provided below the first roller 41 , and the lower part of the first roller 41 is immersed in the photocurable resin in the container 49 . Further, the second roller 42 has collars 42a, 42a formed at both ends, and these collars 42a, 42a portions are in contact with the first roller 41. I wanted to, color 42a, 42
As shown in FIG. 4, a gap with a constant depth d is formed between the intermediate portion (hereinafter referred to as the fourth portion) 42b sandwiched between the rollers 4 and 41 and the first roller 41.
光硬化性樹脂はこの隙間内に充填され、一定深さdを保
ちつつ第二ローラ42のE面に付着して回転する。ウェ
ハWは、第二ローラ42の周面に接触しており、前述し
たように送りローラ30により回転駆動される。ここで
、送りローラ30によるウェハWの回転と第二ローラ4
2の回転とは同期させておくことか好ましい。The photocurable resin is filled in this gap, and while maintaining a constant depth d, it adheres to the E surface of the second roller 42 and rotates. The wafer W is in contact with the circumferential surface of the second roller 42, and is rotationally driven by the feed roller 30 as described above. Here, the rotation of the wafer W by the feed roller 30 and the second roller 4
It is preferable to synchronize the rotation with the second rotation.
なお、光硬化性樹脂の塗布手段40は、図示しない移動
テーブル上に設けられており、第一図の矢印a方向に移
動可能となっている。Note that the photocurable resin application means 40 is provided on a moving table (not shown), and is movable in the direction of arrow a in FIG.
光源50は、送りローラ30と光硬化性樹脂のや71+
手段40との間に設けられており、光硬化性樹脂を硬化
させ得る適宜の光線をウェハWの端縁に照射する1本実
施例では、光[50として紫外線ランプを使用している
。また、光源50の前面には開閉自在なシャッター51
か設けられており、このシャッター51か開いた状態の
ときのみウェハWの端縁に光線を照射し、同シャッター
51の閉塞状態においては光線をしゃ断する。さらに、
光硬化性樹脂の塗布手段40と光源50との間にも固定
シャ・ンター52が設けられており。The light source 50 includes a feed roller 30 and a photocurable resin resin 71+.
In this embodiment, an ultraviolet lamp is used as the light [50]. In addition, a shutter 51 that can be freely opened and closed is provided in front of the light source 50.
A light beam is irradiated onto the edge of the wafer W only when the shutter 51 is open, and the light beam is cut off when the shutter 51 is closed. moreover,
A fixed shutter 52 is also provided between the photocurable resin application means 40 and the light source 50.
!Ii布手段40内への光のもれ込みを防止している。! Ii This prevents light from leaking into the cloth means 40.
次に、上述した装置を用いて行なう本発明に係るウェハ
端縁コーティング方法の実施例を説明する。Next, an embodiment of the wafer edge coating method according to the present invention, which is carried out using the above-mentioned apparatus, will be described.
まず、ウェハ収納バスケット〜20の内部にウェハWを
縦に収納し、同バスケウト20を装置本体10に装填す
る。このとき、送りローラ30および光硬化性樹脂の塗
布手段40はともに停止させておき、また、シャッター
51は閉じた状態にしておく。First, the wafer W is vertically stored inside the wafer storage basket 20, and the basket 20 is loaded into the apparatus main body 10. At this time, both the feed roller 30 and the photocurable resin application means 40 are stopped, and the shutter 51 is kept closed.
次いで、送りローラ30を駆動してウェハWを第1図の
反時計方向に回転するとともに、光硬化性樹脂の塗布手
段40における第一、第二ローラ41.42を回転する
。同時に、シャッター51を開いてウェハWの端縁に光
線を照射する。Next, the feed roller 30 is driven to rotate the wafer W in the counterclockwise direction in FIG. 1, and the first and second rollers 41 and 42 in the photocurable resin application means 40 are also rotated. At the same time, the shutter 51 is opened to irradiate the edge of the wafer W with a light beam.
送りローラ30は、周面にすべり防止部材31を有して
いるので確実にウェハWと接触し、ウェハWにオリフラ
Wo等の切欠かあっても安定して回転させることができ
る。Since the feed roller 30 has the anti-slip member 31 on its circumferential surface, it can reliably contact the wafer W and rotate stably even if the wafer W has a notch such as an orientation flat Wo.
光硬化性樹脂の塗布手段40ては、第一ローラ41に付
着した光硬化性樹脂か第二ローラ42の凹部42b内に
充填され、常に均一な面積でウェハWの端縁に塗布され
る(第4図参照)、シたがって、塗布量のコントロール
か正確に行なえ、よって最小@度の塗!tjか可能であ
る。このため。The photocurable resin coating means 40 fills the concave portion 42b of the second roller 42 with the photocurable resin adhered to the first roller 41, and always coats the edge of the wafer W in a uniform area ( (See Figure 4), therefore, the amount of application can be controlled accurately, resulting in the minimum amount of application! tj is possible. For this reason.
端面側部の光硬化かスムーズに行なえるとともに、均一
に塗布てきるため鍍金の付着かなく、しかも鍍金終了後
に端面部の塗ITJ物を取り除く作業か容易である。続
いて、ウェハWの端縁に塗布された光硬化性樹脂に対し
、光源50からの光線を照射して同樹脂を硬化させる。Photo-curing of the sides of the end face can be carried out smoothly, and since the coating is uniform, there is no adhesion of plating, and furthermore, it is easy to remove the coated ITJ material on the end face after plating is completed. Subsequently, the photocurable resin applied to the edge of the wafer W is irradiated with light from the light source 50 to harden the resin.
上述した光硬化性樹脂の塗布および光線の照射は、ウェ
ハWの全周にわたり光硬化性樹脂の多層膜かできるまて
続ける。その後、光硬化性樹脂の塗布手段40を移動さ
せることにより第二ローラ42をウェハWの端縁から離
間させ、さらに光線を照射したままウェハWを二回転さ
せる。すなわち、前段の処理たけではウェハWの表裏面
側に付着した樹脂を硬化させるには十分でない、そこで
、ウェハWに光線を照射しながらさらに二回転させるこ
とにより、十分な樹脂の硬化処理を行なっている。The above-described application of the photocurable resin and irradiation of the light beam are continued until a multilayer film of the photocurable resin is formed all around the wafer W. Thereafter, the second roller 42 is separated from the edge of the wafer W by moving the photocurable resin application means 40, and the wafer W is further rotated twice while the light beam remains irradiated. In other words, the previous treatment is not enough to harden the resin attached to the front and back surfaces of the wafer W, so the wafer W is rotated two more times while being irradiated with light to cure the resin sufficiently. ing.
このようにして端縁に光硬化性樹脂がコーティングされ
たウェハWは、その後の鍍金工程において、端縁に鍍金
の付着するおそれかない、そして、端縁の光硬化性樹脂
は、リフトオフによりウェハWから除去される。The wafer W whose edges are coated with the photocurable resin in this way has no risk of plating adhering to the edges in the subsequent plating process, and the photocurable resin on the edges is removed from the wafer W by lift-off. removed from
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
く、要旨を変更しない範囲で種々・変形実施か可能であ
る。It should be noted that the present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications and variations can be made without changing the gist.
例えば、装置本体や各手段の構造は一■−記実施例に限
定されるものではなく、特に装置本体およびウェハ収納
バスケットについては、作業スペース、作業規模簿を考
慮して適宜設シ1変更てきる余地か大きい。For example, the structure of the apparatus main body and each means is not limited to the above embodiments, and the structure of the apparatus main body and wafer storage basket in particular may be changed as appropriate, taking into account work space and work scale. There's a lot of room for that.
また、上述した方法発明の実施例においてはクエへの全
周にわたって、光硬化性樹脂のp!Ii布および光線の
照射を行なった後、さらにウェハな二回転させる間光線
を照射したが、光硬化性樹脂の硬化特性によっては、後
段の操作を行なわず紳了してもよく、あるいは別に光照
射用ボックスを設けて光線を照射することにより、後段
の操作に代えてもよい。In addition, in the embodiment of the method invention described above, the p! After the wafer was irradiated with the light beam, the wafer was further rotated twice and the light beam was irradiated. The latter operation may be replaced by providing an irradiation box and irradiating the light beam.
[発明の効果]
以ト説明したように、未発1]のウェハ端縁コーティン
グ方法によれば、ウェハ端縁への鍍金の付着を防1にニ
ジ、ICチップの歩留りを向」−できる効果かある。[Effects of the Invention] As explained above, the wafer edge coating method described in [1] has the effect of preventing plating from adhering to the wafer edge and improving the yield of IC chips. There is.
また、本発明のウェハ端縁コーティング装置によれば、
−1−配力法を筒中かつ迅速に行なうことがてきる。Further, according to the wafer edge coating apparatus of the present invention,
-1- The force distribution method can be performed in-cylinder and quickly.
第1図は本発明のウェハ端縁コーディング装置に係る実
施例を示す側面断面L;a、t52図はウェハ収納ハス
ケントの一部切欠正面]A、第3図は光硬化性m1ll
iの塗4J手段を>Tjす斜視図、第4図は同手段のロ
ーラ部分を示す正面LA、第5図(a)。
(b)、(e)はウェハのハング形成上程を示す断面図
である。
10 装置本体 11 取付枠
20 ウェハ収納バスケット
22:開口 23・フランジ30:送りロー
ラ
31:すべり防止部材
40:光硬化性樹脂の塗布手段Fig. 1 is a side cross section L showing an embodiment of the wafer edge coding device of the present invention;
FIG. 4 is a perspective view of the means for coating 4J of i, and FIG. 4 is a front view LA showing the roller portion of the means, and FIG. 5(a). (b) and (e) are cross-sectional views showing the process of forming a hang on a wafer. 10 Apparatus body 11 Mounting frame 20 Wafer storage basket 22: Opening 23/Flange 30: Feed roller 31: Slip prevention member 40: Coating means for photocuring resin
Claims (3)
周にわたり光硬化性樹脂を塗布するとともに、前記ウェ
ハの端縁に塗布された光硬化性樹脂に対して光線を照射
することを特徴としたウェハの端縁コーティング方法。(1) Without rotating the wafer, apply a photocurable resin to the entire circumference of the edge of the wafer, and irradiate the photocurable resin applied to the edge of the wafer with light. Featured wafer edge coating method.
周にわたり光硬化性樹脂を塗布するとともに、前記ウェ
ハの端縁に塗布された光硬化性樹脂に対して光線を照射
する工程と、 前記工程をウェハの全周にわたって行なった後、光硬化
性樹脂の塗布を止め、すでにウェハの端縁に塗布されて
いる光硬化性樹脂に対して更に光線を照射する工程と、 を含むことを特徴としたウェハの端縁コーティング方法
。(2) without rotating the wafer, applying a photocurable resin to the entire circumference of the edge of the wafer, and irradiating the photocurable resin applied to the edge of the wafer with a beam of light; , after performing the step all around the wafer, stopping the application of the photocurable resin, and further irradiating the photocurable resin already applied to the edge of the wafer with a light beam; A wafer edge coating method featuring:
持されたウェハを回転させる手段と、回転するウェハの
端縁に接続し、光硬化性樹脂を塗布する手段と、前記ウ
ェハの端縁に塗布された光硬化性樹脂に対して光線を照
射する手段とを備えたことを特徴とするウェハの端縁コ
ーティング装置。(3) means for rotatably supporting the wafer; means for rotating the wafer supported by the means; means for connecting to the edge of the rotating wafer and applying a photocurable resin; and the edge of the wafer. A wafer edge coating apparatus comprising: means for irradiating a light beam onto a photocurable resin coated on the edge.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2151845A JP2986179B2 (en) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | Wafer edge coating method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2151845A JP2986179B2 (en) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | Wafer edge coating method and apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443645A true JPH0443645A (en) | 1992-02-13 |
| JP2986179B2 JP2986179B2 (en) | 1999-12-06 |
Family
ID=15527537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2151845A Expired - Fee Related JP2986179B2 (en) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | Wafer edge coating method and apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2986179B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006352078A (en) * | 2005-05-16 | 2006-12-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2010147184A (en) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Shimadzu Corp | Method and apparatus for forming multilayer substrate |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2151845A patent/JP2986179B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006352078A (en) * | 2005-05-16 | 2006-12-28 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2010147184A (en) * | 2008-12-17 | 2010-07-01 | Shimadzu Corp | Method and apparatus for forming multilayer substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2986179B2 (en) | 1999-12-06 |
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