JPH0443654A - 銅膜積層アルミナ基板の製造方法 - Google Patents
銅膜積層アルミナ基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0443654A JPH0443654A JP15225190A JP15225190A JPH0443654A JP H0443654 A JPH0443654 A JP H0443654A JP 15225190 A JP15225190 A JP 15225190A JP 15225190 A JP15225190 A JP 15225190A JP H0443654 A JPH0443654 A JP H0443654A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper film
- substrate
- copper
- surface temperature
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 95
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 91
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 91
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 15
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（産業１：、ぴ）利用分野】
本発明は、印刷配隷板や集Ｍ回路のパッケージ等におい
て、導体パターンを形成するための銅膜をアルミナを主
成分とする基板」、に積層した銅膜積層アルミナ基板の
製造方法に関するしのである。
て、導体パターンを形成するための銅膜をアルミナを主
成分とする基板」、に積層した銅膜積層アルミナ基板の
製造方法に関するしのである。
従来より、セラミックス等の無機質よりなる基板の表面
に銅膜を積層する方法どして、真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンブレーティング等の気相メッキによる方法、
銅ペーストを印刷する方法、無電解メッキ等の湿式メッ
キによる方法等が知られている。 銅膜を積層した基板を高周波分野で使用す−るには、伝
送損失を少なくすることが・ｚ・要であって、基板には
表面粗度が（、） 、 １ ｕｚ稈度より小さい平滑な
ものを用いなければならない。また、［１ｉｌ路の高密
度化に（十って導電パターンを微細に加工することが要
求されている。 これｔ、の要求を満ｔ：ずために、気相メツｑに、」−
り銅膜を形成する方法が採用されつつ１ぞ）る（特開昭
５９ １６２１８’１号公報等）。
に銅膜を積層する方法どして、真空蒸着、スパッタリン
グ、イオンブレーティング等の気相メッキによる方法、
銅ペーストを印刷する方法、無電解メッキ等の湿式メッ
キによる方法等が知られている。 銅膜を積層した基板を高周波分野で使用す−るには、伝
送損失を少なくすることが・ｚ・要であって、基板には
表面粗度が（、） 、 １ ｕｚ稈度より小さい平滑な
ものを用いなければならない。また、［１ｉｌ路の高密
度化に（十って導電パターンを微細に加工することが要
求されている。 これｔ、の要求を満ｔ：ずために、気相メツｑに、」−
り銅膜を形成する方法が採用されつつ１ぞ）る（特開昭
５９ １６２１８’１号公報等）。
【発明が解決しようとする課Ｈ１
ところで、基板の表面に積層した銅膜と基板との付着強
度の一部は、基板の表面の凹凸に銅膜の一部が入り込む
ことによる投錯効果により生じている。したがって、表
面粗度が小さい平滑な基板を用いると、投錨効果が十分
に機能せず、付着強度が小さくなるという問題が生じる
。 本発明は上記問題点の解決を目的とするものであり、表
面が平滑な基板を用いる場合でも銅膜の付着強度が大き
くとれ、熱衝撃に対する耐性に優れた銅膜積層アルミナ
基板の製造方法を提供しようとするものである。 【課題を解決するための手段】 本発明では、上記目的を達成するために、高真空中に放
電ガスとなる希ガスに加えて酸素ガスを混入した混合ガ
スを導入した雰囲気中において、アルミナを主成分とす
る基板の表面温度を６００〜１０５０℃にした状態で、
気相メッキにより０．０１〜２Ｂ厚の銅膜を形成し、次
に、酸素ガスを除去した希ガスの雰囲気中において基板
の表面温度を１４０〜４００℃にした状態で、気相メッ
キにより上記＠膜の上にさらに銅膜を形成し、全厚みが
３１１１以」二の所望厚の銅膜を形成するようにしてい
るのである。
度の一部は、基板の表面の凹凸に銅膜の一部が入り込む
ことによる投錯効果により生じている。したがって、表
面粗度が小さい平滑な基板を用いると、投錨効果が十分
に機能せず、付着強度が小さくなるという問題が生じる
。 本発明は上記問題点の解決を目的とするものであり、表
面が平滑な基板を用いる場合でも銅膜の付着強度が大き
くとれ、熱衝撃に対する耐性に優れた銅膜積層アルミナ
基板の製造方法を提供しようとするものである。 【課題を解決するための手段】 本発明では、上記目的を達成するために、高真空中に放
電ガスとなる希ガスに加えて酸素ガスを混入した混合ガ
スを導入した雰囲気中において、アルミナを主成分とす
る基板の表面温度を６００〜１０５０℃にした状態で、
気相メッキにより０．０１〜２Ｂ厚の銅膜を形成し、次
に、酸素ガスを除去した希ガスの雰囲気中において基板
の表面温度を１４０〜４００℃にした状態で、気相メッ
キにより上記＠膜の上にさらに銅膜を形成し、全厚みが
３１１１以」二の所望厚の銅膜を形成するようにしてい
るのである。
上記方法によれば、第１段階として、放電ガスに酸素ガ
スを含んだ雰囲気中で、基板の表面温度を６００〜１０
５０℃にした状態で、気相メッキにより０．０１〜２０
厚の銅膜を形成する。このとき、基板の表面温度が比較
的高温であることにより、ＩＲＷｉ！は溶融状態に近く
なり、基板の表面に形成されている微細な凹凸の中に回
り込むことができるようになって銅膜の基板に対する付
着強度が高まる。また、酸素ガスを含んだ雰囲気で銅膜
を形成するから、いわゆる（＋ｘｙｇｅｎ ａｉｄｅｄ
ｂｏｎｄｉＢによって付着強度が増加するのである。 すなわち、アルミナを主成分とする基板と銅膜との間に
微量の酸素が介在し、化学的に銅とアルミナとを結合さ
せるのであって、銅膜と基板との界面が強固に結合する
のである。 ここにおいて、基板の表面温度が６００”Ｃ未満である
と銅膜が溶融状態にならず、また、銅とアルミナとの化
学的な結合もほとんど生じない。 一方、基板の表面温度が１０５０℃を越えると、１４１
１９ｉが完全に溶融し、銅粒子間の凝集力によって銅粒
子が局在化することになる。その結果、表面の平滑性が
損なわれ、次段階で銅膜を積層しても実用になる程度の
平滑性を回復することが困難になる。 第１段階における銅膜の厚みは、０．０１ｕｚ未満であ
ると、ｉ視的に見て銅ｇ！Ｊグ）形成されない部分が多
くなり、付着強度を高める効果が十分に得られなくなる
。一方、銅膜の厚みが２１１ｆｆを越えると銅膜の表面
に凹凸が形成されやすくなり、次段階で銅膜を積層して
も実用になる程度の平滑性を確保することが困難になる
。 第１段階では、基板の表面温度が高く、かつ銅膜が薄い
ものであったから、銅膜の表面には凹凸が件しるもので
あった。第２段階では、酸素を除去した希ガスの雰囲気
中で、基板の表面温度を１４０〜４００℃にし、銅膜の
全厚みが３１Ｉｆｆ以上の所望厚になるまで気相メッキ
により第１段階で形成された銅膜の上に銅膜を形成する
。すなわち、第２段階では、第１段階で形成されｔ：銅
膜の士に銅膜を積層して全厚みが３１以−Ｆである銅膜
を形成するから、第１段階で形成しな銅膜の表面に生じ
ていた凹凸が埋められて、銅膜の表面がザ滑化されるの
である。 第２段階における酸素ガスの分圧は５×１０Ｐ ａより
高いと、＃ｒＩａの表面が酸化することになり、銅膜に
よって回路パターンを形成する際に、電気的特性や表面
実装の作業にＭ影響を及ばずことになる。 辺上のようにして、第１段階では、ｋ板に対する付着強
度の大きな薄い銅膜を形成し、次に、第２段階では、第
１段階で形成したに４膜のＦにさらに銅膜を積層して表
面が平滑な＠膜を形成するのであって、２過程で銅膜を
形成するから、基板に対する付着強度が大きく、しかも
、表面がザ滑な＠膜を形成することができるのである。 また、このようにして形成された銅膜は、熱衝撃に対し
て十分な耐性を有し付着強度が低下しにくいものとなる
。
スを含んだ雰囲気中で、基板の表面温度を６００〜１０
５０℃にした状態で、気相メッキにより０．０１〜２０
厚の銅膜を形成する。このとき、基板の表面温度が比較
的高温であることにより、ＩＲＷｉ！は溶融状態に近く
なり、基板の表面に形成されている微細な凹凸の中に回
り込むことができるようになって銅膜の基板に対する付
着強度が高まる。また、酸素ガスを含んだ雰囲気で銅膜
を形成するから、いわゆる（＋ｘｙｇｅｎ ａｉｄｅｄ
ｂｏｎｄｉＢによって付着強度が増加するのである。 すなわち、アルミナを主成分とする基板と銅膜との間に
微量の酸素が介在し、化学的に銅とアルミナとを結合さ
せるのであって、銅膜と基板との界面が強固に結合する
のである。 ここにおいて、基板の表面温度が６００”Ｃ未満である
と銅膜が溶融状態にならず、また、銅とアルミナとの化
学的な結合もほとんど生じない。 一方、基板の表面温度が１０５０℃を越えると、１４１
１９ｉが完全に溶融し、銅粒子間の凝集力によって銅粒
子が局在化することになる。その結果、表面の平滑性が
損なわれ、次段階で銅膜を積層しても実用になる程度の
平滑性を回復することが困難になる。 第１段階における銅膜の厚みは、０．０１ｕｚ未満であ
ると、ｉ視的に見て銅ｇ！Ｊグ）形成されない部分が多
くなり、付着強度を高める効果が十分に得られなくなる
。一方、銅膜の厚みが２１１ｆｆを越えると銅膜の表面
に凹凸が形成されやすくなり、次段階で銅膜を積層して
も実用になる程度の平滑性を確保することが困難になる
。 第１段階では、基板の表面温度が高く、かつ銅膜が薄い
ものであったから、銅膜の表面には凹凸が件しるもので
あった。第２段階では、酸素を除去した希ガスの雰囲気
中で、基板の表面温度を１４０〜４００℃にし、銅膜の
全厚みが３１Ｉｆｆ以上の所望厚になるまで気相メッキ
により第１段階で形成された銅膜の上に銅膜を形成する
。すなわち、第２段階では、第１段階で形成されｔ：銅
膜の士に銅膜を積層して全厚みが３１以−Ｆである銅膜
を形成するから、第１段階で形成しな銅膜の表面に生じ
ていた凹凸が埋められて、銅膜の表面がザ滑化されるの
である。 第２段階における酸素ガスの分圧は５×１０Ｐ ａより
高いと、＃ｒＩａの表面が酸化することになり、銅膜に
よって回路パターンを形成する際に、電気的特性や表面
実装の作業にＭ影響を及ばずことになる。 辺上のようにして、第１段階では、ｋ板に対する付着強
度の大きな薄い銅膜を形成し、次に、第２段階では、第
１段階で形成したに４膜のＦにさらに銅膜を積層して表
面が平滑な＠膜を形成するのであって、２過程で銅膜を
形成するから、基板に対する付着強度が大きく、しかも
、表面がザ滑な＠膜を形成することができるのである。 また、このようにして形成された銅膜は、熱衝撃に対し
て十分な耐性を有し付着強度が低下しにくいものとなる
。
基板にはアルミナを焼成したセラミックスを用いる。こ
の基板は、スパッタリング装置内に無酸素銅よりなるタ
ーゲットと対向するように配置される。スパッタリング
装置内に基板を配置するときには、基板とターゲット・
どの間には、接地されたシャッタを介在させておく。 スパッタリング装置内の雰囲気は、残留ガスの総圧力が
５Ｘ１０−’Ｐａ以下となるようにした高真空中に、放
電ガスとして希ガスを１０Ｐａ導入するとともに、酸素
を０．１〜１０Ｐａ混入して形成する。放電ガスとして
は、アルゴン、ネオン、クリプトン等を用いることがで
きる。 次に、基板をターゲットとして高周波電力をシャッタと
基板との間に印加し、高周波放電によって放電ガスをイ
オン化させ、基板の表面にイオンを照射する。この処理
は、イオンボンバードと称する処理であって、イオンを
衝突させることによって基板の表面に付着した異物をた
たき出して清浄化し、また、基板の表面に微細な凹凸を
形成するとともに基板の表面における判断しやすい部分
を除去して銅膜の付着強度を高めるのである。 ここにおいて、本実施例では、スパッタリング装置とし
ては、マグネトロン方式（日型アネルバ製 ５ＰＦ７１
３Ｈ）のものを用い、基板としては、４インチ角、０．
６３５ｉｖ厚のアルミナ基板（京セラ製 Ａ４９２）を
用いる。また、基板は必要に応じて適宜表面粗度が得ら
れるＪ：うに研磨する。 さらに、ターゲットとしては、直径２００ｚａで純度が
９９．９９％の無酸素銅を用いる。放電ガスとしてはア
ルゴンを用いており、イオンボンバードの際には、］、
３．５６ＭＨｚの高周波を２００Ｗの電力で印加する。 この周波数は法定周波数であって、限定する主旨ではな
い。 基板にイオンボンバードを施した後、シャッタを開いて
基板とターゲットとを対向させ、以下の条件でスパッタ
リングを行い、基板の表面に２段附で銅膜を積層する。 すなわち、第１段階では、基板の表面温度を比較的高温
にし、基板の表面にスパッタリングによって薄い銅膜を
形成する。その後、第２段階では、基板の表面温度を下
げるとともに、酸素ガスの分圧を５Ｘ１０−５Ｐａ以下
とした１ ０Ｐａのアルゴンの雰囲気を形成し、第１段
階で形成したｆｌ膜の上にスパッタリングによってさら
にｆＡ膜を積層する。 十人に各種実施例および各種比較例の条件を示す。 上表において、平均粗度は基板の表面中心線平均粗度で
ある。各実施例および各比較例に対して、それぞれ［ジ
下のようにして、銅膜の基板に対する（１′着強度と、
熱衝撃Ｉ＼の耐性とについて試験を行った。また、銅膜
について表面中心線平均￥１１度を測定した。 し試験法１］ エツチングによって、＠膜に２ｚｉＸ２ｚｚの正方形の
パターンを形成し、このパターンに直径０７ｚｚの略し
形に折曲したスズメッキ銅線を半田付１プし、基板を固
定するとともにオートグラフによって基板の表面に直交
する方向に銅線を引張ることにより、銅膜の基板に対す
る判断強度を測定した。この試験では熱衝撃を加える前
の銅膜の基板に対する付着強度がわかる。 ［試験法２コ エツチングによって、銅膜に２ｍｚｘ２ｚｍの正方形の
パターンを形成し、このパターンに酸化防止のために半
田を盛り、熱衝撃試験機によって、空気雰囲気中で一６
５℃−常温５分→１５０℃３０分→常温５分→−６５℃
３０分という熱衝撃サイクルを３００サイクル繰り返し
た後、」１記パターンに直径０．７ｉ＋ｍの略り形に折
曲したスズメッキ銅線を半田付けし、基板を固定すると
ともにオートグラフによって基板の表面に直交する方向
に銅線を引張ることにより、熱衝撃後の銅膜の基板に対
する剥離強度を測定した。 以上の２種の試験法による試験結果および銅膜の表面粗
度は下表の通りである。 【発明の効果］ 本発明は上述のように、第１段階として、放電ガスに酸
素ガスを含んだ雰囲気中で、基板の表面温度を６００〜
１０５０℃にした状態で、気相メッキにより０．０１〜
２μｌ厚の銅膜を形成するので、基板の表面温度が比較
的高温であることにより、第１段階で形成される銅膜は
溶融状態に近くなり、基板の表面に形成されている微細
な凹凸の中に回り込むことができるようになって銅膜の
散板に対する付着強度が高まる。また、酸素ガスを含ん
だ雰囲気で銅膜を形成するから、付着強度が増加するの
である。すなわち、アルミナを主成分とする基板と＠膜
との間に微量の酸素が介在し、化Ｔ的に銅とアルミナと
を結合させるのであって、銅膜と基板との界面が強固に
結合するという効果を奏する。 第２段階では、酸素を除去した希ガスの雰囲気中で、基
板のａｒｆｉｉ温度を１４０〜４００℃にし２銅膜の辛
厚みが３１１Ｎ以上の所望厚になるまで気相メ、−Ｖ−
により第１段階で形成された銅膜の−りに銅膜を形成す
るので、第１段階で形成された銅膜のトに銅膜を積層し
て全厚みが３１１ｘ以上であるｆＲ膜を形成するから、
第１段階で形成した銅膜の表面に生じていた凹凸が埋め
られて銅膜の表面が平滑化されるという利点がある。 要するに、第１段階では、基板表面が平滑であっても基
板との付着強度が高く熱衝撃に耐性を有した銅膜を形成
することができ、第２段階においては、第１段階で形成
された銅膜の一トにさらに銅膜を積層することによって
、銅＋１０の表面を平滑化することができるのでりる。 その結果、基板との付＠強度が高く、表面が平滑な銅膜
を形成することができるのである。 代理人 弁理士 石 １）長 し
の基板は、スパッタリング装置内に無酸素銅よりなるタ
ーゲットと対向するように配置される。スパッタリング
装置内に基板を配置するときには、基板とターゲット・
どの間には、接地されたシャッタを介在させておく。 スパッタリング装置内の雰囲気は、残留ガスの総圧力が
５Ｘ１０−’Ｐａ以下となるようにした高真空中に、放
電ガスとして希ガスを１０Ｐａ導入するとともに、酸素
を０．１〜１０Ｐａ混入して形成する。放電ガスとして
は、アルゴン、ネオン、クリプトン等を用いることがで
きる。 次に、基板をターゲットとして高周波電力をシャッタと
基板との間に印加し、高周波放電によって放電ガスをイ
オン化させ、基板の表面にイオンを照射する。この処理
は、イオンボンバードと称する処理であって、イオンを
衝突させることによって基板の表面に付着した異物をた
たき出して清浄化し、また、基板の表面に微細な凹凸を
形成するとともに基板の表面における判断しやすい部分
を除去して銅膜の付着強度を高めるのである。 ここにおいて、本実施例では、スパッタリング装置とし
ては、マグネトロン方式（日型アネルバ製 ５ＰＦ７１
３Ｈ）のものを用い、基板としては、４インチ角、０．
６３５ｉｖ厚のアルミナ基板（京セラ製 Ａ４９２）を
用いる。また、基板は必要に応じて適宜表面粗度が得ら
れるＪ：うに研磨する。 さらに、ターゲットとしては、直径２００ｚａで純度が
９９．９９％の無酸素銅を用いる。放電ガスとしてはア
ルゴンを用いており、イオンボンバードの際には、］、
３．５６ＭＨｚの高周波を２００Ｗの電力で印加する。 この周波数は法定周波数であって、限定する主旨ではな
い。 基板にイオンボンバードを施した後、シャッタを開いて
基板とターゲットとを対向させ、以下の条件でスパッタ
リングを行い、基板の表面に２段附で銅膜を積層する。 すなわち、第１段階では、基板の表面温度を比較的高温
にし、基板の表面にスパッタリングによって薄い銅膜を
形成する。その後、第２段階では、基板の表面温度を下
げるとともに、酸素ガスの分圧を５Ｘ１０−５Ｐａ以下
とした１ ０Ｐａのアルゴンの雰囲気を形成し、第１段
階で形成したｆｌ膜の上にスパッタリングによってさら
にｆＡ膜を積層する。 十人に各種実施例および各種比較例の条件を示す。 上表において、平均粗度は基板の表面中心線平均粗度で
ある。各実施例および各比較例に対して、それぞれ［ジ
下のようにして、銅膜の基板に対する（１′着強度と、
熱衝撃Ｉ＼の耐性とについて試験を行った。また、銅膜
について表面中心線平均￥１１度を測定した。 し試験法１］ エツチングによって、＠膜に２ｚｉＸ２ｚｚの正方形の
パターンを形成し、このパターンに直径０７ｚｚの略し
形に折曲したスズメッキ銅線を半田付１プし、基板を固
定するとともにオートグラフによって基板の表面に直交
する方向に銅線を引張ることにより、銅膜の基板に対す
る判断強度を測定した。この試験では熱衝撃を加える前
の銅膜の基板に対する付着強度がわかる。 ［試験法２コ エツチングによって、銅膜に２ｍｚｘ２ｚｍの正方形の
パターンを形成し、このパターンに酸化防止のために半
田を盛り、熱衝撃試験機によって、空気雰囲気中で一６
５℃−常温５分→１５０℃３０分→常温５分→−６５℃
３０分という熱衝撃サイクルを３００サイクル繰り返し
た後、」１記パターンに直径０．７ｉ＋ｍの略り形に折
曲したスズメッキ銅線を半田付けし、基板を固定すると
ともにオートグラフによって基板の表面に直交する方向
に銅線を引張ることにより、熱衝撃後の銅膜の基板に対
する剥離強度を測定した。 以上の２種の試験法による試験結果および銅膜の表面粗
度は下表の通りである。 【発明の効果］ 本発明は上述のように、第１段階として、放電ガスに酸
素ガスを含んだ雰囲気中で、基板の表面温度を６００〜
１０５０℃にした状態で、気相メッキにより０．０１〜
２μｌ厚の銅膜を形成するので、基板の表面温度が比較
的高温であることにより、第１段階で形成される銅膜は
溶融状態に近くなり、基板の表面に形成されている微細
な凹凸の中に回り込むことができるようになって銅膜の
散板に対する付着強度が高まる。また、酸素ガスを含ん
だ雰囲気で銅膜を形成するから、付着強度が増加するの
である。すなわち、アルミナを主成分とする基板と＠膜
との間に微量の酸素が介在し、化Ｔ的に銅とアルミナと
を結合させるのであって、銅膜と基板との界面が強固に
結合するという効果を奏する。 第２段階では、酸素を除去した希ガスの雰囲気中で、基
板のａｒｆｉｉ温度を１４０〜４００℃にし２銅膜の辛
厚みが３１１Ｎ以上の所望厚になるまで気相メ、−Ｖ−
により第１段階で形成された銅膜の−りに銅膜を形成す
るので、第１段階で形成された銅膜のトに銅膜を積層し
て全厚みが３１１ｘ以上であるｆＲ膜を形成するから、
第１段階で形成した銅膜の表面に生じていた凹凸が埋め
られて銅膜の表面が平滑化されるという利点がある。 要するに、第１段階では、基板表面が平滑であっても基
板との付着強度が高く熱衝撃に耐性を有した銅膜を形成
することができ、第２段階においては、第１段階で形成
された銅膜の一トにさらに銅膜を積層することによって
、銅＋１０の表面を平滑化することができるのでりる。 その結果、基板との付＠強度が高く、表面が平滑な銅膜
を形成することができるのである。 代理人 弁理士 石 １）長 し
Claims (1)
- （１）高真空中に放電ガスとなる希ガスに加えて酸素ガ
スを混入した混合ガスを導入した雰囲気中において、ア
ルミナを主成分とする基板の表面温度を６００〜１０５
０℃にした状態で、気相メッキにより０．０１〜２１μ
ｍの銅膜を形成し、次に、酸素ガスを除去した希ガスの
雰囲気中において基板の表面温度を１４０〜４００℃に
した状態で、気相メッキにより上記銅膜の上にさらに銅
膜を形成し、全厚みが３μｍ以上の所望厚の銅膜を形成
することを特徴とする銅膜積層アルミナ基板の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15225190A JPH0443654A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 銅膜積層アルミナ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15225190A JPH0443654A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 銅膜積層アルミナ基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443654A true JPH0443654A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15536400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15225190A Pending JPH0443654A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 銅膜積層アルミナ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443654A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100297354B1 (ko) * | 1999-01-11 | 2001-09-22 | 윤문수 | 스퍼터링법에 의한 다층 구리막 제조방법 |
| JP2009035824A (ja) * | 2008-10-31 | 2009-02-19 | Ulvac Japan Ltd | 銅薄膜製造方法、及びその方法に用いるスパッタ装置 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP15225190A patent/JPH0443654A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100297354B1 (ko) * | 1999-01-11 | 2001-09-22 | 윤문수 | 스퍼터링법에 의한 다층 구리막 제조방법 |
| JP2009035824A (ja) * | 2008-10-31 | 2009-02-19 | Ulvac Japan Ltd | 銅薄膜製造方法、及びその方法に用いるスパッタ装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4816323A (en) | Multilayer wiring substrate | |
| US20060220167A1 (en) | IC package with prefabricated film capacitor | |
| KR20040029148A (ko) | 연성 회로용 액정 중합체 | |
| JP5046350B2 (ja) | ウェットエッチングを採用した電子部品の製造方法、電子部品及びハードディスク用サスペンション | |
| KR20010072143A (ko) | 감소된 응력을 가지며 저임피던스 고밀도로 증착된 적층구조 | |
| JPS5830760B2 (ja) | プリント回路板の製法 | |
| JPH0463838B2 (ja) | ||
| JPH0826889A (ja) | 金属膜の形成方法および配線用金属膜 | |
| EP0351533B1 (en) | Process for coating a substrate with metallic layer | |
| JPH0443654A (ja) | 銅膜積層アルミナ基板の製造方法 | |
| JP3786512B2 (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| JPH06204645A (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
| JP2011254082A (ja) | ウェットエッチングを採用した電子部品の製造方法、電子部品及びハードディスク用サスペンション | |
| JPH04267597A (ja) | フレキシブルプリント配線板の製造方法 | |
| CN114390798A (zh) | 一种抗化学镀金的制作方法 | |
| JPH06224538A (ja) | セラミックス回路基板の製造方法 | |
| KR20090093211A (ko) | 다층 박막 기판의 제조 방법 | |
| JP2015076610A (ja) | 表面処理銅箔及びそれを含む銅張積層板、並びにそれを用いた印刷回路基板及びその製造方法 | |
| JPH11163018A (ja) | 半導体装置の製造方法、多層配線基板及びその製造方法 | |
| JPS5840886A (ja) | 電気回路基板の製造方法 | |
| JP2004319529A (ja) | セラミック多層配線基板の製造方法 | |
| JPH1174641A (ja) | 多層配線基板 | |
| JPH01214096A (ja) | フレキシブルプリント回路基板の製造方法 | |
| JP3565282B2 (ja) | ビルドアップ多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP2536604B2 (ja) | 銅・有機絶縁膜配線板の製造方法 |