JPH0443659A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0443659A JPH0443659A JP2150028A JP15002890A JPH0443659A JP H0443659 A JPH0443659 A JP H0443659A JP 2150028 A JP2150028 A JP 2150028A JP 15002890 A JP15002890 A JP 15002890A JP H0443659 A JPH0443659 A JP H0443659A
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- Japan
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- infrared light
- single crystal
- semiconductor manufacturing
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＬＳＩ製造工程におけるエピタキシャル成長工
程や酸化工程などにおける基板表面のインプロセスモニ
タを可能とするモニタ装置を有する半導体製造装置に関
する。
程や酸化工程などにおける基板表面のインプロセスモニ
タを可能とするモニタ装置を有する半導体製造装置に関
する。
従来、偏光変調赤外分光法を半導体の製造装置のインプ
ロセスモニタとして適用した例はジャバーズ ジャーナ
ル オブ アプライ１ヘ フィジックス ２７ （１９
８８年）第５０１頁から第５０５頁（Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐ
ｐｌ、Ｐｈｙｓ、 ２７ （１９８８） Ｐ Ｐ５０１
−５０５ ）に記載されている。これは金蒸着したガラ
ス基板上に光ＣＶ Ｄ法で堆積するアモルファスシリコ
ン膜へ偏光変調赤外光を入射させ、反射赤外光をインプ
ロセスでモニタしたものである。偏光変調赤外法を用い
ることで形成中のアモルファスシリコンの膜厚や水素元
素との結合状態等についてインプロセスで知ることがで
きる。
ロセスモニタとして適用した例はジャバーズ ジャーナ
ル オブ アプライ１ヘ フィジックス ２７ （１９
８８年）第５０１頁から第５０５頁（Ｊｐｎ、Ｊ、Ａｐ
ｐｌ、Ｐｈｙｓ、 ２７ （１９８８） Ｐ Ｐ５０１
−５０５ ）に記載されている。これは金蒸着したガラ
ス基板上に光ＣＶ Ｄ法で堆積するアモルファスシリコ
ン膜へ偏光変調赤外光を入射させ、反射赤外光をインプ
ロセスでモニタしたものである。偏光変調赤外法を用い
ることで形成中のアモルファスシリコンの膜厚や水素元
素との結合状態等についてインプロセスで知ることがで
きる。
上記従来技術は赤外光を入射２反射させることが必要で
あるため赤外光に対する減衰係数の大きい金などの金属
薄膜をあらかじめ基板表面に蒸着させ、その上に薄膜を
形成しなければならず、ＬＳＩの製造工程へ適用できな
い問題があった。
あるため赤外光に対する減衰係数の大きい金などの金属
薄膜をあらかじめ基板表面に蒸着させ、その上に薄膜を
形成しなければならず、ＬＳＩの製造工程へ適用できな
い問題があった。
また、基板にシリコン単結晶基板を用いる場合、基板の
温度が高くなると基板自身からの赤外発光が強くなり、
反射赤外光を測定できなくなる問題があった。
温度が高くなると基板自身からの赤外発光が強くなり、
反射赤外光を測定できなくなる問題があった。
本発明の目的はシリコン単結晶基板表面に金属をあらか
じめ蒸着することなく堆積中の薄膜をインプロセスでモ
ニタできる半導体製造装置を提供することにある。
じめ蒸着することなく堆積中の薄膜をインプロセスでモ
ニタできる半導体製造装置を提供することにある。
本発明の他の目的は高温に加熱されたシリコン単結晶基
板自身からの赤外発光を光源としてシリコン単結晶基板
表面をインプロセスでモニタできる半導体製造装置を提
供することにある。
板自身からの赤外発光を光源としてシリコン単結晶基板
表面をインプロセスでモニタできる半導体製造装置を提
供することにある。
上記目的を達成するために、シリコン単結晶基板を５０
０℃以」二に加熱した３ また、高温に加熱されたシリコン単結晶基板からの赤外
光を光源とするためにシリコン単結晶基板からの赤外光
を偏光変調赤外分光した。
０℃以」二に加熱した３ また、高温に加熱されたシリコン単結晶基板からの赤外
光を光源とするためにシリコン単結晶基板からの赤外光
を偏光変調赤外分光した。
シリコン基板表面に金属を蒸着せずに赤外光に対する減
衰係数を大きくするにはシリコン基板自身の赤外光に対
する減衰係数を大きくすればよ（１ことになる。減衰係
数にと吸収係数αには式］−に示す関係がある。
衰係数を大きくするにはシリコン基板自身の赤外光に対
する減衰係数を大きくすればよ（１ことになる。減衰係
数にと吸収係数αには式］−に示す関係がある。
λ
にニー、 ・・・（１）
４ π ここでλは波長、πは円周率である。これより減衰係数
を大きくするには吸収係数を大きくすればよいことが分
かる。赤外域における吸収はシリコン結晶中の自由キャ
リアによって生ずる。吸収係数αと自由キャリアには式
２に示す関係がある。
４ π ここでλは波長、πは円周率である。これより減衰係数
を大きくするには吸収係数を大きくすればよいことが分
かる。赤外域における吸収はシリコン結晶中の自由キャ
リアによって生ずる。吸収係数αと自由キャリアには式
２に示す関係がある。
ここでｎ＋Ｐはそれぞれ電子、正孔の密度、ｒｎｎ ２
ｍＦはそれぞれ電子、正孔の有効質量、μｎ；μＰはそ
れぞれ電子、正孔の移動度である。
ｍＦはそれぞれ電子、正孔の有効質量、μｎ；μＰはそ
れぞれ電子、正孔の移動度である。
これより吸収係数を大きくするには電子あるいは正孔の
密度を大きくすればよいことが分かる。電子の密度はシ
リコン基板の温度と式３に示す関係がある。
密度を大きくすればよいことが分かる。電子の密度はシ
リコン基板の温度と式３に示す関係がある。
式３より電子密度は基板温度の増加とともに急激に増加
することが分かる。結果として金属を蒸着することなく
堆積中の薄膜をインプロセスでモニタするためにはシリ
コン基板の温度を高くし、シリコン基板中の電子あるい
は正孔の密度を増加させればよいことになる。
することが分かる。結果として金属を蒸着することなく
堆積中の薄膜をインプロセスでモニタするためにはシリ
コン基板の温度を高くし、シリコン基板中の電子あるい
は正孔の密度を増加させればよいことになる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。本実
施例ではエピタキシャル成長装置内に設置されたシリコ
ン単結晶基板１１の表面酸化膜をインプロセスモニタし
た。成長室１２はＳＵＳ製で基板加熱装置１３からの基
板加熱用赤外光を透過させるために成長室１２の下部に
は厚さ１５＋ｎｍの石英窓１４が取り付けられている。
施例ではエピタキシャル成長装置内に設置されたシリコ
ン単結晶基板１１の表面酸化膜をインプロセスモニタし
た。成長室１２はＳＵＳ製で基板加熱装置１３からの基
板加熱用赤外光を透過させるために成長室１２の下部に
は厚さ１５＋ｎｍの石英窓１４が取り付けられている。
シリコン単結晶基板１１は炭化シリコンで被覆されたグ
ラファイト製のサセプタ１５の」二に盾かれる。エピタ
キシャル成長用の原料ガスはモノシランガス（Ｓ ｉ
１１４）と水素ガス（Ｈ２）である。それぞれのガスは
流量制御器１９を介して成長室１２内へ導入され石英製
ののガスノズル１．６から噴出される。
ラファイト製のサセプタ１５の」二に盾かれる。エピタ
キシャル成長用の原料ガスはモノシランガス（Ｓ ｉ
１１４）と水素ガス（Ｈ２）である。それぞれのガスは
流量制御器１９を介して成長室１２内へ導入され石英製
ののガスノズル１．６から噴出される。
成長室内のガスはターボ分子ポンプ１７およびロタリボ
ンブ１８で耕気される。
ンブ１８で耕気される。
次に赤外分光装量に関して説明する。ニクロム光源２１
から発光した赤外光はハーフミラ−２２で二分され、そ
れぞれ偏光子２３に１つて偏光される。偏光面はシリコ
ン単結晶基板１１の表面に対してそれぞれ垂直及び平行
な方向である。赤外光はチョッパ２４によって７０ Ｉ
Ｉ ｚの変調を受け、交互に臭化カリウム製の赤外窓２
５を通して成長室１２内のシリコン単結晶基板１１へ入
射する。
から発光した赤外光はハーフミラ−２２で二分され、そ
れぞれ偏光子２３に１つて偏光される。偏光面はシリコ
ン単結晶基板１１の表面に対してそれぞれ垂直及び平行
な方向である。赤外光はチョッパ２４によって７０ Ｉ
Ｉ ｚの変調を受け、交互に臭化カリウム製の赤外窓２
５を通して成長室１２内のシリコン単結晶基板１１へ入
射する。
シリコン単結晶基板】１から反射した赤外光は分光器２
６で分光され、検出器２７へ入射する。検出器２７の出
力はロックインアンプ２８でチョッパ２４からの信号と
同期して増幅される。ロックインアンプ２８の出力は記
録計２９でスペクトルとして記録される。
６で分光され、検出器２７へ入射する。検出器２７の出
力はロックインアンプ２８でチョッパ２４からの信号と
同期して増幅される。ロックインアンプ２８の出力は記
録計２９でスペクトルとして記録される。
上記のエピタキシャル成長装置と赤外分光装置を用いて
エピタキシャル成長工程におけるシリコン単結晶基板表
面の酸化膜をインプロセスでモニタした。ＲＣＡ洗浄し
たシリコン単結晶基板（面方位（１００）、ｐ型（ボロ
ン）、比抵抗１〇−１５Ω・―、４インチφ）を試料と
して用いた。
エピタキシャル成長工程におけるシリコン単結晶基板表
面の酸化膜をインプロセスでモニタした。ＲＣＡ洗浄し
たシリコン単結晶基板（面方位（１００）、ｐ型（ボロ
ン）、比抵抗１〇−１５Ω・―、４インチφ）を試料と
して用いた。
エリプソメトリ−法で測定した結果、洗浄後の表面酸化
膜厚は約１． 、５ ｎ ｍ であった。基板温度７５
０℃、水素流量３００ｍＱ／分、成長室内圧力８０Ｐａ
で１０分間、水素処理した後、基板温度と成長室内圧力
を一定にしたままモノシランガスを５ ｍ Ｑ ／分流
して３０分間、エピタキシャル成長させた。スペクトル
測定時の条材は、ロックインアンプの時定数は１秒２分
光器のスキャン速度は５０ｎｍ／分、チョッパの変調周
波数は７０Ｈｚである。第２図は水素処理中のシリコン
単結晶基板１１からの赤外反射スペクトルである。水素
処理時間とともに８．２μｍ近傍のスペクトル強度が小
さくなることが分かる。異なる表面酸化膜厚（２ｎｍ〜
２０ ｎ ｍ）を形成したシリコン単結晶基板１１のス
ペクトルを本実施例とは別に開式た結果、８．２μｍの
吸収強度が酸化膜厚に比例したことから、この吸収は表
面酸化膜によるものであることが分かる。これより、水
素処理によって表面酸化膜が除去されたことが分かる。
膜厚は約１． 、５ ｎ ｍ であった。基板温度７５
０℃、水素流量３００ｍＱ／分、成長室内圧力８０Ｐａ
で１０分間、水素処理した後、基板温度と成長室内圧力
を一定にしたままモノシランガスを５ ｍ Ｑ ／分流
して３０分間、エピタキシャル成長させた。スペクトル
測定時の条材は、ロックインアンプの時定数は１秒２分
光器のスキャン速度は５０ｎｍ／分、チョッパの変調周
波数は７０Ｈｚである。第２図は水素処理中のシリコン
単結晶基板１１からの赤外反射スペクトルである。水素
処理時間とともに８．２μｍ近傍のスペクトル強度が小
さくなることが分かる。異なる表面酸化膜厚（２ｎｍ〜
２０ ｎ ｍ）を形成したシリコン単結晶基板１１のス
ペクトルを本実施例とは別に開式た結果、８．２μｍの
吸収強度が酸化膜厚に比例したことから、この吸収は表
面酸化膜によるものであることが分かる。これより、水
素処理によって表面酸化膜が除去されたことが分かる。
次にエピタキシャル成長中のスペクトルと成長後のエピ
タキシャル層中の積層欠陥密度との関係を述べる。水分
濃度の異なる（０．ｌｐｐｍ−１０ｐｐ朧）モノシラン
ガスを用いてエピタキシャル成長させたとき、５ ｐｐ
ｍ以上の水分濃度で８．２μｍ近傍に吸収が現れる。第
３図はこの吸収強度とエピタキシャル層中の積層欠陥密
度との関係である。吸収強度の増大にともない積層欠陥
密度は急激に増加することが分かる。これはエピタキシ
ャル成長中の基板表面に酸化膜が形成される条件下でエ
ピタキシャル成長させると積層欠陥が増加することを示
しており、本発明は高品質なエピタキシャル成長をイン
プロセスでモニタできることを示している。
タキシャル層中の積層欠陥密度との関係を述べる。水分
濃度の異なる（０．ｌｐｐｍ−１０ｐｐ朧）モノシラン
ガスを用いてエピタキシャル成長させたとき、５ ｐｐ
ｍ以上の水分濃度で８．２μｍ近傍に吸収が現れる。第
３図はこの吸収強度とエピタキシャル層中の積層欠陥密
度との関係である。吸収強度の増大にともない積層欠陥
密度は急激に増加することが分かる。これはエピタキシ
ャル成長中の基板表面に酸化膜が形成される条件下でエ
ピタキシャル成長させると積層欠陥が増加することを示
しており、本発明は高品質なエピタキシャル成長をイン
プロセスでモニタできることを示している。
次に高温のシリコン単結晶基板１１からの赤外発光を光
源とするインプロセスモニタの実施例について説明する
。用いた装置を第４図に示ず。エピタキシャル成長装置
は先に記述した実施例と同じである。高温のシリコン単
結晶基板１１からの赤外光はハーフミラ−２２で二分さ
れ、それぞれ偏光子２３へ入射する。偏光面は先の実施
例と同しである。偏光された赤外光はチョッパ２４で７
０１−ｉ ｚの変調を受け、分光器２６へ入射する。
源とするインプロセスモニタの実施例について説明する
。用いた装置を第４図に示ず。エピタキシャル成長装置
は先に記述した実施例と同じである。高温のシリコン単
結晶基板１１からの赤外光はハーフミラ−２２で二分さ
れ、それぞれ偏光子２３へ入射する。偏光面は先の実施
例と同しである。偏光された赤外光はチョッパ２４で７
０１−ｉ ｚの変調を受け、分光器２６へ入射する。
分光された赤外光はロックインアンプ２８で増幅され、
記録Δ［２９に発光スペク１ヘルとして記録される。上
記のエピタキシャル成長装置と赤外分光装置を用いてエ
ピタキシャル成長工程におけるシリコン単結＾ｈ基板表
面をインプロセスでモニタした。ＲＣＡ洗浄したシリコ
ン単結晶基板１１ （面方位（１００）、Ｐ型（ボロン
）、比抵抗】−０−１５Ω・１，４インチφ）を試料と
して用いた。
記録Δ［２９に発光スペク１ヘルとして記録される。上
記のエピタキシャル成長装置と赤外分光装置を用いてエ
ピタキシャル成長工程におけるシリコン単結＾ｈ基板表
面をインプロセスでモニタした。ＲＣＡ洗浄したシリコ
ン単結晶基板１１ （面方位（１００）、Ｐ型（ボロン
）、比抵抗】−０−１５Ω・１，４インチφ）を試料と
して用いた。
エリプソメトリ−法で測定した結果、洗浄後の表面酸化
膜厚は約１． 、５ ｎ ｍ であった。基板温度１０
００℃、水素流量３００ｍＱ／分、成長室内圧力８０Ｐ
ａで１０分間、水素処理した後、基板温度と成長室内圧
力を一定にしたまま、モノシランガスを５ｍＱ／分流し
て１０分間、エピタキシャル成長させた。スペクトル測
定時の条件は、ロックインアンプ２８の時定数は１秒２
分光器２６のスキャン速度は５Ｑｎｍ／分、チョッパの
変調周波数は７０ ＩＩ ｚである。第５図は水素処理
中の試料から発光スペク１ヘルである。水素処理時間と
ともに８．２μｍ近傍の発光スペクトル強度が小さくな
ることが分かる。先の実施例と同様にこの発光は表面酸
化膜からのものである。これより、水素処理によって表
面酸化膜が除去されたことが分かる。次にエピタキシャ
ル成長中の発光スペクトルと成長後のエピタキシャル層
中の積層欠陥密度との関係を述へる。水分濃度が異なる
（０．ｌｐｐｍ−１０ｐｐａ＋）モノシランガスを用い
てエピタキシャル成長させたとき、水分濃度が５ ｐｐ
ｍ以上で８．２μｍ近傍に発光ピークが現れる。第６図
はこの発光スペクトル強度とエピタキシャル層中の積層
欠陥密度との関係である。発光スペクトル強度の増大に
ともない積層欠陥密度は急激に増加することが分かる。
膜厚は約１． 、５ ｎ ｍ であった。基板温度１０
００℃、水素流量３００ｍＱ／分、成長室内圧力８０Ｐ
ａで１０分間、水素処理した後、基板温度と成長室内圧
力を一定にしたまま、モノシランガスを５ｍＱ／分流し
て１０分間、エピタキシャル成長させた。スペクトル測
定時の条件は、ロックインアンプ２８の時定数は１秒２
分光器２６のスキャン速度は５Ｑｎｍ／分、チョッパの
変調周波数は７０ ＩＩ ｚである。第５図は水素処理
中の試料から発光スペク１ヘルである。水素処理時間と
ともに８．２μｍ近傍の発光スペクトル強度が小さくな
ることが分かる。先の実施例と同様にこの発光は表面酸
化膜からのものである。これより、水素処理によって表
面酸化膜が除去されたことが分かる。次にエピタキシャ
ル成長中の発光スペクトルと成長後のエピタキシャル層
中の積層欠陥密度との関係を述へる。水分濃度が異なる
（０．ｌｐｐｍ−１０ｐｐａ＋）モノシランガスを用い
てエピタキシャル成長させたとき、水分濃度が５ ｐｐ
ｍ以上で８．２μｍ近傍に発光ピークが現れる。第６図
はこの発光スペクトル強度とエピタキシャル層中の積層
欠陥密度との関係である。発光スペクトル強度の増大に
ともない積層欠陥密度は急激に増加することが分かる。
これは表面酸化膜が形成される条件下でエピタキシャル
成長させると積層欠陥が増加することを示しており、本
発明は高品質なエピタキシャル成長をインプロセスでモ
ニタできることを示している。
成長させると積層欠陥が増加することを示しており、本
発明は高品質なエピタキシャル成長をインプロセスでモ
ニタできることを示している。
なお、本発明はエピタキシャル成長工程だけでなく酸化
膜、金属膜、高誘電膜、シリサイド薄膜などの形成工程
にも有効である。
膜、金属膜、高誘電膜、シリサイド薄膜などの形成工程
にも有効である。
本発明によれば、シリコン単結晶基板の温度を５００℃
以上に加熱することでシリコン単結晶基板表面に金属を
蒸着せずにシリコン単結晶基板表面をインプロセスでモ
ニタできる効果がある。
以上に加熱することでシリコン単結晶基板表面に金属を
蒸着せずにシリコン単結晶基板表面をインプロセスでモ
ニタできる効果がある。
また、シリコン単結晶基板自身からの赤外発光を光源と
するので５００℃以上に加熱されたシリコン単結晶基板
表面の状態をインプロセスでモニタできる。
するので５００℃以上に加熱されたシリコン単結晶基板
表面の状態をインプロセスでモニタできる。
第１図は本発明の一実施例のエピタキシャル成長装置と
赤外分光装置の断面図、第２図は異なる水素処理時間に
おける赤外吸収スペクトルを示す図、第３図は８．２μ
ｒｒｌ における赤外吸収量とエピタキシャル層中の積
層欠陥密度との関係図、第４図は本発明の他の実施例の
エピタキシャル成長装置と赤外分光装置の断面図、第５
図は異なる水素処理時間におけるシリコン単結晶基板か
らの発光スペクトルを示す図、第６図は８．２μｎｌ
における発光強度とエピタキシャル層中の積層欠陥密度
との関係図である。 １１・・・シリコン単結晶基板、１２・・・成長室、１
３・・・基板加熱装置、１４・・・石英窓、１５・・・
サセプタ、１６・・・ガスノズル、１７・・・ターボ分
子ポンプ、１８・・・ロータリポンプ、１９・・・流量
制御器、２０・・・反射鏡、２１・・・ニクロム光源、
２２・・・ハーフミラ−１２３・・・偏光子、２４・・
・チョッパ、１５・・赤外窓、２６・・・分光器、２７
・・・検出器、２８・・・ロツ第 ２ 区 第１図 ７．８ ６．０ ε２ εム δ乙 波衰 −夏ｐ 第 ３ ｒｒ ３．１ｌｌｒｎ ｌ： ｈ・ｌす６ ｏ％ ｌＩ’
８．に５ （（＋’％ ｍ ｑ）入ン 力” ス 第４図 第 図 筬 図 ８２−にｂ・１する先尤ノ吏度
赤外分光装置の断面図、第２図は異なる水素処理時間に
おける赤外吸収スペクトルを示す図、第３図は８．２μ
ｒｒｌ における赤外吸収量とエピタキシャル層中の積
層欠陥密度との関係図、第４図は本発明の他の実施例の
エピタキシャル成長装置と赤外分光装置の断面図、第５
図は異なる水素処理時間におけるシリコン単結晶基板か
らの発光スペクトルを示す図、第６図は８．２μｎｌ
における発光強度とエピタキシャル層中の積層欠陥密度
との関係図である。 １１・・・シリコン単結晶基板、１２・・・成長室、１
３・・・基板加熱装置、１４・・・石英窓、１５・・・
サセプタ、１６・・・ガスノズル、１７・・・ターボ分
子ポンプ、１８・・・ロータリポンプ、１９・・・流量
制御器、２０・・・反射鏡、２１・・・ニクロム光源、
２２・・・ハーフミラ−１２３・・・偏光子、２４・・
・チョッパ、１５・・赤外窓、２６・・・分光器、２７
・・・検出器、２８・・・ロツ第 ２ 区 第１図 ７．８ ６．０ ε２ εム δ乙 波衰 −夏ｐ 第 ３ ｒｒ ３．１ｌｌｒｎ ｌ： ｈ・ｌす６ ｏ％ ｌＩ’
８．に５ （（＋’％ ｍ ｑ）入ン 力” ス 第４図 第 図 筬 図 ８２−にｂ・１する先尤ノ吏度
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応管と、この反応管内に設置されシリコン基板を
保持するサセプタと、上記反応管の外部に設けられ、上
記サセプタ上のシリコン基板を加熱する加熱手段と、上
記反応管内のシリコン基板に向かつて原料としてのガス
状化合物を導入する手段と、反応管内のガスを排気する
手内を有し、シリコン基板上に固体薄膜を形成する半導
体製造装置において、５００℃以上に加熱、保持したシ
リコン基板へ赤外光を入射させ、反射した赤外光をイン
プロセスで分光解析できることを特徴とする半導体製造
装置。 ２、請求項第１項記載の半導体製造装置において、５０
０℃以上に加熱、保持したシリコン基板自身から発光さ
れる赤外光をインプロセスで分光解析できることを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150028A JPH0443659A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2150028A JPH0443659A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0443659A true JPH0443659A (ja) | 1992-02-13 |
Family
ID=15487921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2150028A Pending JPH0443659A (ja) | 1990-06-11 | 1990-06-11 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0443659A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994005984A1 (en) * | 1992-09-03 | 1994-03-17 | Micro Research, Inc. | Method and apparatus for use of polarized light vectors in evaluating constituent compounds in a specimen |
| US5956144A (en) * | 1992-09-03 | 1999-09-21 | Micro Research, Inc. | Method and apparatus for use of polarized light vectors in identifying and evaluating constituent compounds in a specimen |
| JP2011119528A (ja) * | 2009-12-04 | 2011-06-16 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体単結晶基板の結晶欠陥評価方法 |
| KR20220035114A (ko) | 2019-07-17 | 2022-03-21 | 에스엠시 가부시키가이샤 | 전자밸브 |
-
1990
- 1990-06-11 JP JP2150028A patent/JPH0443659A/ja active Pending
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