JPH0444210A - ガラスウェーハー及び該ガラスウェーハーの面位置検出方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はガラスウェーハー及び該ガラスウェーハーの面
位置検出方法に関し、特に半導体製造用投影露光装置に
おいて該ガラスウェーハーに対する面位置検出をシリコ
ンウェーハー等の実素子製造用のウェーハーの面位置を
光学的に検出する自動焦点検出装置を利用して行う際に
好適なものである。

（従来の技術） 近年の半導体素子、ＬＳＩ素子の微細化の要求に伴い、
高集積ＬＳＩの生産工程では、パターン転写に縮小投影
露光装置（ステッパー）が使われている。これはレチク
ルと呼ばれる原版上の回路パターンを投影レンズ系でウ
ェーハー面上に縮小投影し、ステップ・アンド・リピー
ト方式で、該ウェーハー面上にルチクル分毎に回路パタ
ーン像を縁り返し転写するものである。

ここでステッパーのレチクル上に異物が付着したままで
露光（転写）を行うと、その結果全チップが不良となり
甚大な損害をこうむる事になる。

この為、ステッパーにおいては、露光装置にセットする
前にレチクル単体で厳重な異物検査を行う必要がある。

更に露光装置にセットした後も再確認検査を行うのが望
ましい。この方法としては、レチクルのパターンをレジ
スト付きのウェーハーに一度試し焼きし、現像後、転写
されたパターンの欠陥を検査する方法が知られている。

この方法はレチクル上の異物はもとより、露光装置の光
学系のゴミや、露光条件の良し悪しも含めて検査できる
利点かある。

レチクルの欠陥検査法として、レチクルがマルチチップ
で構成されていることを利用する方法もある。即ち、実
物チップの回路パターンは同一なので、マルチチップを
構成しているレチクル上の異なったチップパターン同志
を比較する事によって、欠陥の検査を行うことができる
。

実際の検査では前述の方法で作成したウェーハー内の二
つ以上のチップの比較が行われる。例えば、互いに比較
すべきチップの各々を専用の複数個の撮像系で撮像した
画像を比較したり、単一の撮像系で、あるチップを撮像
し、この画像を遅延メモリに記憶して、言己憶した画像
と次のチップを撮像した画像とを比較するような画像処
理が行われる。画像の比較の結果本来同一であるべき２
つのチップに共通でない箇所は、レチクルの異物による
欠陥であると判断され、その結果に基ついてレチクルの
洗浄又は交換か行われる。

このようにしてレチクル上の異物を検出し、異物による
パターン欠陥からの不良を防ぐ方法か従来より用いられ
ている。

一般に、レチクルの欠陥のＲＴＥ検出を行うべきウェー
ハーとしては、通常のシリコンウェーハーを用いるほか
に、表面に金属をコーティングしたガラスウェーハーを
用いる方法が知られている。表面に金属をコーティング
されたガラスウェーハーは、レチクルパターンを介して
露光された後、エツチングされ、その表面に、金属膜よ
り成るパターンが生成される。金属膜より成るパターン
は光の透過、非透過がはっきりしている為、コントラス
トの高い透過像で観察が行われ、パターンの比較か容易
である特徴を持フている。

ＬＳＩの高集積化か進む近年、画像比較検査の信頼性、
検出能力を向上するため、このような手法が用いられる
一方、より簡便に検査する方法か求められている。

この為、最近ではガラスウェーハーに染料入りのレジス
トをす布し、このレジストをレチクルのパターンを介し
て露光し、レジストに転写されたパターンを、現像する
ことなく、前述の方法と同じように、その透過像を観察
して画像比較を行う方法が開発されている。染料入りの
レジストを利用すると、通常のレジストを利用する場合
よりも光の透過、非透過かはっきりしていて、コントラ
スの高い透過像で観察でき、パターンの比較が容易であ
り、簡便な精度の良い測定かできることか判明している
。

（発明か解決しようとしている課題） 上記のガラスウェーハー上のレジストに転写したパター
ンを、現像することなく直接ウェーハーの透過像を観察
する方法を用いて、レチクル上の異物を検出するために
は、先ず第一に、ガラスウェーハー上に、レチクルのパ
ターンの像を正しいフォーカス状態で転写してやる必要
かある。現在のステッパーには、光学式の自動焦点検出
装置が付いたものが多い。しかしながら、ガラスウェー
ハーは、自動焦点検出装置によるウェーハー表面の面位
置検出用の検出光に対して透明であるため、ガラスウェ
ーハー裏面からの反射光や、チャック面からの反射光が
、外乱光としてレジスト表面からの反射光に入り込み、
面位置の計測結果に誤差を生じさせてしまうという問題
点がある。このため、現在、ガラスウェーハーの裏面に
この検出光にのみ高い反射率をもつ反射膜を施し、ガラ
スウェーハーの裏面からの反射光の強度を一定にし、誤
差量を一定にさせ、オフセット量として補正してやる方
法が考案されている。

しかしながら、この方法は個々のガラスウェーハーの厚
みのバラツキを管理してやらないと、ウェーハー毎に、
ウェーハーの裏面からの反射光に起因する計測結果中の
誤差量が変動してしまうという欠点をもっている。従っ
て、この方法を効果的に使用するためには、個々のガラ
スウェーハーの厚みを高精度に揃える必要があり、非常
にコストの高いものとなってしまう。又、ウェーハーの
面位置の誤差量、即ちオフセット量も、度ガラスウェー
ハーにレチクルのパターンの焼き付けを行って知る方法
しかなく、画像を比較検査するためのサンプルを作るの
に、非常に時間と手間かかかるという問題点があった。

本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであ
り、ガラスウェーハーの表面の一部に非透過膜を施すと
ともに、該非透過膜上のレジストの表面に対する計測を
行うことにより、ガラスウェーハーの厚みに起因する誤
差を自動的に検出し、補正する事を可能にした半導体製
造用の投影露光装置に好適なガラスウェーハー及び該ガ
ラスウェーハーの面位置検出方法の提供を目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明のガラスウェーハーは、自動焦点検出装置を備え
た投影露光装置に使用されるガラスウェーハーであって
、該自動焦点検出装置の検出光に対して所定の反射率を
有する膜を、該ウェーハーの裏面ＲＡに施すとともに、
該ウェーハーの表面ＲＢの一部の領域Ｂに前記検出光に
対して不透過性の膜を施したことを特徴としている。

更に本発明では、自動焦点検出装置からの検出光に対し
て所定の反射率を有する膜を裏面ＲＡに施すと共に表面
ＲＢの一部の領域Ｂに該検出光に対して不透過性の膜を
施したガラスウェーハーに対して、表面ＲＢ側から検出
光を入射させ、該検出光のうち該領域Ｂと該領域Ｂ以外
の領域Ａの双方からの反射光の所定面上における入射位
置情報を利用することにより該ガラスウェーハー領域Ａ
中の各ショットの面位置情報を検出するようにしたこと
を特徴としている。

（実施例） 第１図（Ａ）は本発明の第１実施例に従うガラスウェー
ハー２３の鳥敵図、第１図（１３）は図面（Ａ）の断面
図を示している。第１図（Ｂ）において１はガラスウェ
ーハー基板であり、裏面には自動焦点検出装置の赤外線
より成る検出光に対し高反射率をもつ膜６が施されてい
る。一方、ガラスウェーハー基板１の表面の一部分（周
辺部）には、この検出光に対して非透過性のものでしか
も反射率か小さな物質が蒸着されて成る膜７が形成され
ている。この部分は、第１図（Ａ）で、斜線を施した領
域２として示されている。ガラスウェーハー基板１の表
面のうち、領域３は非透過性の膜７が形成されていない
領域である。そしてガラスウェーハー基板１の表面上に
は、更に、そこにレチクルのパターンの転写を行うため
に、領域２及び領域３を含む全面にフォトレジスト８が
塗布されている。

縮小投影露光装置（ステッパー）に用いられている光学
的にウェーハー表面の面位置（投影レンズ系の光軸方向
に関するウェーハーの位置）を検出する方法は、第１図
（Ｃ）に示すように、光学式自動焦点検出装置（２１，
２２，２５）を用い、ウェーハー２３上に、投光手段２
１から、赤外線より成る検出光２４を斜め入射させ、検
出光２４がウェーハー２３上で反射して生じた、反射光
を検出光学系２５を介して位置センサー２２上に入射さ
せ、センサー２２への入射位置２２ａを、センサー２２
からの出力信号に基づいて検出する。ウェーハー２３上
の反射点の位置はウェーハーの上下動に伴って変化し、
この変化が位置センサー２２で捉えられて、ウェーハー
２３の表面の上下方向の高さ（ウェーハー２３の表面の
面位！りが検出される。ここで、ウェーハー２３はつェ
ーハーステージのウェーハーチャックに吸着保持されて
いる。

次に第１図（Ａ）、（Ｂ）に示すガラスウェーハーを用
いたときの、面位置検出方法について説明する。

第１図（Ｂ）において、４は第１図に示した投光手段２
１からガラスウェーハー基板１に投光され、領域２で反
射した検出光を示し、５は第１図に示した投光手段から
ガラスウェーハー基板１に投光され、領域３で反射した
検出光を示している。領域３で反射した光束５のうち、
実線５ａで示す光束はガラスウェーハー基板１の表面か
らの反射光を示し、破線５ｂで示す光束はレジスト８を
介してガラスウェーハー基板１の裏面まで到達し、膜６
で反射されて再び基板１の表面に戻フてきて射出した反
射光を示している。

領域３における検出光によるガラスウェーハーの表面の
面位置検出方法に関して説明する。一般に、ガラスウェ
ーハーは５００〜６００μｍと薄いため、反射光５ａと
５ｂは位置センサー２２の受光面上で互いに分離してそ
の入射位置を検出することができない。即ち反射光束５
は、これらの反射光５ａ、５ｂの各成分が重なり合った
形で形成され、このガラスウェーハー基板１の裏面から
の反射光５ｂの存在が、縮小投影露光装置のガラスウェ
ーハー基板１の表面の面位置の検出結果に対し誤差を生
じさせることになる。

即ち、ここで縮小投光露光装置の面位置検出量をＦとし
、このうちフォトレジスト８の表面からの反射光５ａに
基づく成分をＦ（ｔｏｐ）、ガラスウェーハー基板１の
裏面よりの反射光５ｂに基つく成分をΔＦ　（ｂｏｔｔ
ｏｍ）とすると検出量Ｆは、大略 Ｆ−Ｆ　（ｔｏｐ）＋ΔＦ　（ｂｏｔｔｏｍ）と表わす
ことかできる。この検出誤差成分ΔＦ（ｂｏｔｔｏｍ）
について考察、実験を行ったところ、成分ΔＦ　（ｂｏ
ｔｔｏｍ）はガラスウェーハー基板１の裏面のコーチイ
ンク膜６の反射率と、ガラスウェーハー基板１の厚みに
よって決定され、しかも各ガラスウェーハー毎に特有の
値を持つことが判った。

本発明では、このガラスウェーハー基板１の裏面からの
反射光５ｂに基づく検出誤差成分ΔＦ　（ｂｏｔｔｏｍ
）を補正する為に、第１図（Ａ）、（Ｂ）に示すように
、表面の一部分に検出光を透過させない遮光膜７を形成
したガラスウェーハーを用いる。即ち、本発明では、領
域３の他に、ガラスウェーハーの領域２について面位置
検出を行う事を特徴としている。領域２では、ガラスウ
ェーハー基板１上に検出光に対して透過性を持たない例
えばＣｒ、２層Ｃｒなとより成る膜７が形成されている
。領域２がこのように構成されている場合には、ガラス
ウェーハー基板１の裏面からの反射光か存在していない
ため、成分ΔＦ　（ｂｏｔｔｏｍ）という検出誤差は存
在せず、実際に実験したところ面位置検出量Ｆかフォト
レジスト８の表面をとらえていることか確認された。即
ち領域２においては次の式が成立する。

Ｆ　’　＝Ｆ（ｔｏｐ） ここで領域３での検出！Ｆと領域２ての検出量Ｆ′から
、 Ｆ−Ｆ　′−Ｆ　（ｔｏｐ）　＋ΔＦ　（ｂｏｔｔｏｍ
）　−Ｆ　（ｔＯＰ）＝　Δ　Ｆ　（ｂｏｔｔｏｍ） か成立し、検出量ＦとＦ′を検知し演算を行うことによ
って、領域３で生しるガラスウェーハー基板ｌの裏面で
の検出光の反射による検出誤差ΔＦ（ｂｏｔｔｏｍ）を
知ることかできる。従って、領域３に、レチクルのパタ
ーン欠陥検査のためのレチクルのパターンの転写を、ガ
ラスウェーハーの各ショットに行う際、検出誤差ΔＦ　
（ｂｏｔｔｏｍ）の値たけ、第１図（Ｃ）に示し・た装
置の位置センサ２２からの出力信号に基つく各ショット
に関する面位置の検出量Ｆを補ｊＥする、即ちＦ　（ｅ
ｘｐｏ）−Ｆ−ΔＦ　（ｂｏｔｔｏｍ）としてガラスウ
ェーハーの領域３中のショットのレジスト８の表面の面
位置を求め、この結果に基ついてガラスウェーハーを１
下動せしめてレジスト８の表面を投影レンズ系の像面（
ピント面）に致させて焼き付けを行えば、傾城８内の各
ショットに対するレチクルパターンの予め決めた複数の
ショットに対するレチクルのパターンの転写が終了後、
ガラスウェーハーはステッパーから搬出され、現像を行
なうことなく、顕微鏡（ＴＶカメラ）により、ガラスウ
ェーハーのレジストに記録されたパターン像の観察が行
なわれる。転写は全てへストフォーカスで行うことがで
きる。

この観察は可視光を用いて行なわれ、この時レジストに
記録されたパターンの透過像が鮮明に映像化できるよう
ガラスウェーハーの裏面に形成した膜６が構成されてい
る。レチクルの欠陥検査法は、従来通りのショット間の
画像比較により行なわれる。

第２図に本実施例のレチクルパターン転写のフローチャ
ートを示す。オートフォーカスを行なう為の、第１図（
Ｃ）に示す検出装置による検出光の投射位置に、ウェー
ハーステージを動かしてガラスウェーハー基板ｌの領域
２及び領域３を順次送り、領域２及び領域３の面位置を
測定することにより、予め、そのガラスウェーハーにつ
いての裏面反射光に基つく検出誤差を求め、然る後にガ
ラスウェーハーの各ショットに関する計測値を補正する
ことによって、ガラスウェーハーに対しても、容易に正
確な面位置を求めることができる。

第３図は本発明の第二実施例に係るガラスウェーハーの
要部概略図である。第３図（Ａ）は該ガラスウェーハー
鳥敞図、第３図（Ｂ）は該ガラスウェーハーの断面図を
示す。第３図の第２実施例と第１図の第１実施例との間
で最も異なっているのは、第２実施例ではガラスウェー
ハー基板１が全体的に傾斜している点である。これは、
縮小投影露光装置の、ガラスウェーハー２３を載せたウ
ェーハーステージが移動して作る破線で示された平面１
３と、２点釦線で示されている投影レンズ系の結像面が
作る平面１４とが、投影レンズ系の光軸の傾きによる結
像面の傾斜の為に平行でない場合には、ガラスウェーハ
ーを吸着・保持しているウェーハーチャックを傾けてウ
ェーハー自身を傾けるので、平面１３とウェーハーの表
面も角度θだけ相対的に傾くことになるからである。

傾斜θを持った状態で、前述の検出誤差ΔＦ（ｂ　ｏ　
ｔ　ｔ　ｏ　ｍ　）の測定を行った場合を考える。

このとき領域２と領域３との測定点の間隔をｄとすると
、測定値に対してシステム的な計測誤差ｄｔａｎθか載
って来ることが分かる。

このような傾斜θによる誤差をなくし、更にＦ＃密に、
オートフォーカスの為の補正量ΔＦ（ｂｏｔｔｏｍ）を
求めることは、本実施例でこれから述へるように行うこ
とによって実現される。

第３図（Ａ）に示した本実施例では、ガラスウェーハー
基板１の表面上の領域２及び領域３に対し、全ての測定
点が同一直線上に並ぶようにして各２点、計４点とっで
ある。ここで第３図（Ｂ）に示すように、領域２．３の
境界を挟んだ、図中り、Ｒで示した２ケ所で前記実施例
同様の測定を行う。先ず左側の箇所りについては、領域
２に入射する検出光９及び領域３に入射する検出光１０
によって検出される各点の面位置検出値をそれぞれＦＬ
’　　ＦＬとする。同様に右側の箇所Ｒについても領域
２に入射する検出光１２及び領域３に入射する検出光１
１によって検出される各点の面位置検出値をそれぞれＦ
Ｒ′　ＦＲとする。領域３に入射する検出光１０．１１
がそれぞれフォトレジスト表面での反射光１０ａ、ｌｌ
ａと、ガラスウェーハー基板１の裏面のＭ６からの反射
光１０ｂ、１１ｂより成ることは前述のとおりである。

又ここでは光束９と光束ｌＯのフォトレジスト表面での
反射点の間隔ｄが、光束１１と光束１２のフォトレジス
ト表面での反射点の間隔と同一になるように設定されて
いる。

このような配置における検出光９．１０による面位置検
出値ＦＬ′、ＦＬは ＦＬ　’　＝ＦＬ（ｔｏｐ） ＦＬ　　　−ＰＬ（ｔｏｐ）＋　　ｄｔａｎθ◆　ΔＦ
　（ｂｏｔｔｏｇｇ）となり、同様に、光束１１．１２
による面位置検出値ＦＲ′、ＦＲは、それぞれ、 ＦＲ−ＦＲ（ｔｏｐ）＋ΔＦ　（ｂｏｔｔｏｍ）ＦＲ’
　−ＦＲ（ｔｏｐ）＋　ｄｔａｎθとなる。次にＬ側と
Ｒ側で前述の実施例と同じ演算を行うと ＦＬ−ＰＬ −ＦＬ（ｔｏｐ）＋　　ｄｔａｎθ　ｔ　Δ　Ｆ　（ｂ
ｏｔｔｏＩＩ＋＞−ＦＬ（ｔｏｐ）＝ｄｔａｎθ＋ΔＦ
　（ｂｏｔｔｏｍ）ＦＲ−ＦＲ’ ＝ＦＲ（ｔｏｐ）＋ΔＦ　（ｂｏｔｔｏｍ）−ＦＲ（ｔ
ｏｐ）−ｄｔａｎθ−ΔＦ　（ｂｏｔｔｏｍ）−ｄｔａ
ｎθとなる。

この式から分かるように、ガラスウェーハ−２３全体に
傾斜があると、測定値にはｄｔａｎθという誤差が生じ
ることになる。しかしながら、このように２ケ所で、領
域１２．１３の面位置に関する測定を行えば検出誤差Δ
Ｆ　（ｂｏｔｔ。

ｍ）は ΔＦ（ｂｏｔｔｏｍ）・（（ＰＬ−ＦＬ　’　）＋（Ｆ
Ｒ−ＦＲ′）　）　／２という計算により正しく求める
ことかできる。

又、本実施例では左右の測定箇所でのずれ量ｄを等しく
したため式が簡単となったか、系の制約上、ずれ量ｄを
等しく取れないような場合には、更に測定点数を増やし
て内挿計算するとか、あるいは検出誤差ΔＦ　（ｂｏｔ
ｔｏｍ）の補正精度を高めるために３ケ所以上の場所を
測定して平均化するとか、本実施例のように一直線上に
測定点を設定するたけではなく、２次元的に複数箇所を
設定して、測定をするなど種々の変形が考えられる。

従って、本実施例の場合には、レチクルのパターン欠陥
検査のためにレチクルのパターンの転写を行う際、予め
上記の計算に基ついて検出誤差ΔＦ　（ｂｏｔｔｏｍ）
の値を求め、実際の焼き付は領域である領域３中の各シ
ョットでの面位置検出ＩＦに対して、真の値Ｆ　（ｅｘ
ｐｏ）をＦ　（ｅｘｐｏ）−Ｆ−ΔＦ　（ｂｏｔｔｏｍ
）として求め焼き付ける為のガラスウェーハー２３の位
置を定めてやれば良いことになる。この結果、各ショッ
トの焼き付けは全てへストフォーカスで行われることと
なり、良好にレチクルのパターン転写することかできる
。又、このような補正か可能なように、ガラスウェーハ
ー基板１の表面の非透過部分を、複数の測定点が取れる
ような構成、例えば対称な配置にすることが効果的であ
る。

第４図に本実施例のレチクルパターン転写のフローチャ
ートを示す。

（発明の効果） 以上説明したように、本発明によれば、ガラスウェーハ
ー基板上の一部に検出光に対して非透過性の膜を施した
ガラスウェーハーを用いて、該領域での面位置検出量と
、非透過性の膜を施していない領域での面位置検出量と
から、ウェーハー裏面で生じた反射光による面位置の検
出誤差を求め、その値をオフセット値として予め用意し
ておく方法を用いることにより、レチクル上の異物や露
光装置の光学系の異物を、画像比較によフて現像するこ
となくパターン欠陥検査されるガラスウェーハーの、ス
テッパーの投影レンズ系に対するオートフォーカスが容
易に正確に設定でき、試し焼き付けなどをすることなく
、短時間で自動でガラスウェーハーの各ショットに対す
るパターンの転写か行えるという効果を有する。

即ち、本発明の面位置検出方法では、ガラスウェーハー
基板の裏面からの反射光の影響による面位置検出値中の
誤差量か自動的に検知できる。

従って、従来のようにガラスウェーハーの厚みのバラツ
キにより面位置検出値中の誤差量がガラスウェーハー毎
に異なっても、各ガラスウェーハー毎に本測定を実施す
れば、誤差量を簡単且つ自動的に知ることができる。こ
の結果ガラスウェーハーの厚みを管理する必要がなくな
り、ガラスウェーハーのコストを下げることか５丁能と
なる。

本発明によればパターン欠陥検査に用いるサンプルのガ
ラスウェーハー面上に短時間でレチクルのパターンの良
好な転写か可能となった。このためパターンの欠陥検査
に要する時間が短縮され、且つ自動で行われることによ
って欠陥検査の信頼性と検出率の向上か実現され、高集
積ＬＳＩ製造時の歩留まりか向上するという効果を有し
た露光装置を達成することかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）は本発明の第１実施例を示すガラスウェー
ハー及びその検出光束を示す鳥敞図、第１図（Ｂ）は本
発明の第１実施例を示すガラスウェーハー及びその検出
光束を示す断面図、第１図（Ｃ）は従来の縮少投影露光
装置に用いられている自動焦点検出装置の概略図、第２
図は本発明の第１実施例の補正法を示すフローチャート
、第３図（Ａ）は本発明の第２実施例の傾斜をもった場
合のガラスウェーハー及びその検出光束を示す鳥瞼図、
第３図（Ｂ）は本発明の第２実施例の傾斜をもった場合
のガラスウェーハー及びその検出光束を示す断面図、第
４図は本発明の第２実施例の傾斜をもった場合の補正を
行うフローチャートである。 図中、１はガラスウェーハー、２はガラスウェーハーの
表面に非透過性コーティングされた領域、３はガラスウ
ェーハーの表面に非透過性コーティングかされていない
領域、４，９．１２は領域２に当てられたフォーカス検
知光束、５゜１０．１１は領域３に当てられたフォーカ
ス検知光束、６はフォーカス検知光束に対して高反射特
性をもつコーティング、７はフォーカス検知光束に対し
て非透過性のコーティング、８はフォトレジスト、１３
は被露光物体を載せたステージが移動して作る平面、１
４は投影レンズの結像面の作る平面である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）自動焦点検出装置を備えた投影露光装置に使用さ
   れるガラスウェーハーであって、該自動焦点検出装置の
   検出光に対して所定の反射率を有する膜を、該ウェーハ
   ーの裏面ＲＡに施すとともに、該ウェーハーの表面ＲＢ
   の一部の領域Ｂに前記検出光に対して不透過性の膜を施
   したことを特徴とするガラスウェーハー。
2. （２）自動焦点検出装置からの検出光に対して所定の反
   射率を有する膜を裏面ＲＡに施すと共に表面ＲＢの一部
   の領域Ｂに該検出光に対して不透過性の膜を施したガラ
   スウェーハーに対して、表面ＲＢ側から検出光を入射さ
   せ、該検出光のうち該領域Ｂと該領域Ｂ以外の領域Ａの
   双方からの反射光の所定面上における入射位置情報を利
   用することにより該ガラスウェーハー領域Ａ中の各ショ
   ットの面位置情報を検出するようにしたことを特徴とす
   るガラスウェーハーの面位置検出方法。
3. （３）前記ガラスウェーハー上に一直線上に位置する領
   域Ａと領域Ｂの相異なる複数の箇所に検出光を入射させ
   、該複数の箇所からの反射光の該所定面上における入射
   位置情報を利用し該ガラスウェーハーの領域Ａ中の各シ
   ョットの面位置情報を検出するようにしたことを特徴と
   する請求項２記載のガラスウェーハーの面位置検出方法
   。