JPH0792096A - 異物検査装置並びにこれを備えた露光装置及びデバイ スの製造方法 - Google Patents
異物検査装置並びにこれを備えた露光装置及びデバイ スの製造方法Info
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- JPH0792096A JPH0792096A JP6110436A JP11043694A JPH0792096A JP H0792096 A JPH0792096 A JP H0792096A JP 6110436 A JP6110436 A JP 6110436A JP 11043694 A JP11043694 A JP 11043694A JP H0792096 A JPH0792096 A JP H0792096A
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- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
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- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ペリクル付きフォトマスクのフォトマスク面
に付着した異物を高精度に検出することのできる異物検
査装置を得ること。 【構成】 第１、第２面に順に光束を入射させる光学手
段と、該第２面上の異物からの散乱光を検出する第１検
出器と、該光束が該第１面で反射した光を用いて、該第
１面の反射率情報又は透過率情報を検出するための第２
検出器と、該第２検出器の出力信号を使用して該第１検
出器の出力信号を補正する補正手段と、を有すること。
に付着した異物を高精度に検出することのできる異物検
査装置を得ること。 【構成】 第１、第２面に順に光束を入射させる光学手
段と、該第２面上の異物からの散乱光を検出する第１検
出器と、該光束が該第１面で反射した光を用いて、該第
１面の反射率情報又は透過率情報を検出するための第２
検出器と、該第２検出器の出力信号を使用して該第１検
出器の出力信号を補正する補正手段と、を有すること。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は異物検査装置並びにこれ
を備えた露光装置及びデバイスの製造方法に関し、特に
半導体素子の製造装置で使用される回路パターンが形成
されているレチクルやフォトマスク等の基板にペリクル
保護膜を装着したときの基板面上に、例えば不透過性の
ゴミ等の異物が付着していたときにこの異物を精度良く
検出する異物検査装置に関するものである。
を備えた露光装置及びデバイスの製造方法に関し、特に
半導体素子の製造装置で使用される回路パターンが形成
されているレチクルやフォトマスク等の基板にペリクル
保護膜を装着したときの基板面上に、例えば不透過性の
ゴミ等の異物が付着していたときにこの異物を精度良く
検出する異物検査装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般にＩＣ集積回路（半導体デバイス）
製造工程においてはレチクル又はフォトマスク等の基板
上に形成されている露光用の回路パターンを半導体焼付
け装置（ステッパー又はマスクアライナー）によりレジ
ストが塗布されたウエハ面上に転写して製造している。
製造工程においてはレチクル又はフォトマスク等の基板
上に形成されている露光用の回路パターンを半導体焼付
け装置（ステッパー又はマスクアライナー）によりレジ
ストが塗布されたウエハ面上に転写して製造している。
【０００３】この際、基板面上にゴミ等の異物が存在す
ると転写する際、異物も同時に転写されてしまい、ＩＣ
製造の歩留りを低下させる原因となってくる。その為、
ＩＣ製造工程においては基板上の異物の存在を検出する
のが不可欠となっており、従来より種々の検査装置が提
案されている。
ると転写する際、異物も同時に転写されてしまい、ＩＣ
製造の歩留りを低下させる原因となってくる。その為、
ＩＣ製造工程においては基板上の異物の存在を検出する
のが不可欠となっており、従来より種々の検査装置が提
案されている。
【０００４】一般に半導体デバイス製造等のフォトエッ
チング工程で使用される、例えばフォトマスクにはフォ
トマスク面上の異物が投影露光時に転写され、パターン
不良を引き起こすことを防止する為にその面の上方にペ
リクルが装着されている。
チング工程で使用される、例えばフォトマスクにはフォ
トマスク面上の異物が投影露光時に転写され、パターン
不良を引き起こすことを防止する為にその面の上方にペ
リクルが装着されている。
【０００５】図６はペリクルが装着されたフォトマスク
を示す概略図である。同図において５０はペリクルであ
り、ニトロセルロースに代表される透明薄膜から成り、
アルミ合金等から成るペリクル枠５１を介してフォトマ
スク５２上のパターン部（不図示）を覆って固定されて
いる。この為、フォトマスク面上に付着した異物の検査
の際には入射光がペリクル５０を通っていく為、ペリク
ル５０の厚みに応じて光の透過率や反射率が変わってく
る。
を示す概略図である。同図において５０はペリクルであ
り、ニトロセルロースに代表される透明薄膜から成り、
アルミ合金等から成るペリクル枠５１を介してフォトマ
スク５２上のパターン部（不図示）を覆って固定されて
いる。この為、フォトマスク面上に付着した異物の検査
の際には入射光がペリクル５０を通っていく為、ペリク
ル５０の厚みに応じて光の透過率や反射率が変わってく
る。
【０００６】図５はフォトマスク５２の回路パターンが
形成されている面に付着したゴミや埃等の異物を検出す
る従来の異物検査装置の一部分の要部概略図である。
形成されている面に付着したゴミや埃等の異物を検出す
る従来の異物検査装置の一部分の要部概略図である。
【０００７】同図においてレーザー光源（不図示）から
出た光（ビーム）をポリゴンミラー等の走査光学系で測
定すべきフォトマスク５２上に光ビーム４９として紙面
と垂直方向に走査して入射している。
出た光（ビーム）をポリゴンミラー等の走査光学系で測
定すべきフォトマスク５２上に光ビーム４９として紙面
と垂直方向に走査して入射している。
【０００８】そしてフォトマスク５２面上の異物４４か
らの散乱光４８を集光光学系４７を介し、光検出器４６
によって検出している。このとき異物４４の大きさと散
乱光４８の散乱光量の間に成り立つ関係を利用して異物
の性質として、例えば１．０μｍサイズ以下の異物、
１．０μｍ〜２．０μｍサイズの異物というように判別
している。
らの散乱光４８を集光光学系４７を介し、光検出器４６
によって検出している。このとき異物４４の大きさと散
乱光４８の散乱光量の間に成り立つ関係を利用して異物
の性質として、例えば１．０μｍサイズ以下の異物、
１．０μｍ〜２．０μｍサイズの異物というように判別
している。
【０００９】図５においてビーム４９のスキャン方向は
Ｘ軸方向であり、被検用のフォトマスクが乗っているス
テージ（不図示）はＺ軸方向にスキャンしてフォトマス
ク５２の全面を走査し、これによりフォトマスク５２面
上の異物の検査を行っている。
Ｘ軸方向であり、被検用のフォトマスクが乗っているス
テージ（不図示）はＺ軸方向にスキャンしてフォトマス
ク５２の全面を走査し、これによりフォトマスク５２面
上の異物の検査を行っている。
【００１０】尚、このときフォトマスク５２に入射した
ビーム４９の一部は異物４４からの散乱光とフォトマス
ク５２上のＩＣ回路パターンからの散乱光となって光検
出器４６で検出されるが、このときの双方の散乱比率、
所謂Ｓ／Ｎ比を上げる為に偏光特性を利用することが行
われている。
ビーム４９の一部は異物４４からの散乱光とフォトマス
ク５２上のＩＣ回路パターンからの散乱光となって光検
出器４６で検出されるが、このときの双方の散乱比率、
所謂Ｓ／Ｎ比を上げる為に偏光特性を利用することが行
われている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図５に示すような異物
検査装置は次のような問題点があった。
検査装置は次のような問題点があった。
【００１２】（１−１）フォトマスク５２に入射する光
ビーム４９はペリクル５０により反射され、その分実質
的にフォトマスク５２上のＩＣパターンに当たる光量が
減る。この為異物４４からの散乱光量４８も入射光量が
減った分だけ変動（減る）することになる。
ビーム４９はペリクル５０により反射され、その分実質
的にフォトマスク５２上のＩＣパターンに当たる光量が
減る。この為異物４４からの散乱光量４８も入射光量が
減った分だけ変動（減る）することになる。
【００１３】又一般に、ペリクル付きフォトマスクはペ
リクルの厚みが変動するとレーザ光４９の透過率が変わ
り、実質的にフォトマスク５２上のＩＣパターンに当た
る光量が変わる。この為異物からの散乱光４８の散乱光
量がその分だけ変化する。この為異物の検出サイズに検
出誤差をもたらす。
リクルの厚みが変動するとレーザ光４９の透過率が変わ
り、実質的にフォトマスク５２上のＩＣパターンに当た
る光量が変わる。この為異物からの散乱光４８の散乱光
量がその分だけ変化する。この為異物の検出サイズに検
出誤差をもたらす。
【００１４】（１−２）フォトマスク５２に付けたペリ
クル５０の厚みは製作ロットが変わったり、製作膜厚管
理公差の問題等で実質的にバラツキが発生する。
クル５０の厚みは製作ロットが変わったり、製作膜厚管
理公差の問題等で実質的にバラツキが発生する。
【００１５】特に、偏光特性で入射したビーム４９がＳ
偏光の場合にはペリクル５０によるロスが大きく、その
分ペリクル膜厚依存性も大きくなってくる。この為異物
のサイズを精度良く検出することが大変難しい。
偏光の場合にはペリクル５０によるロスが大きく、その
分ペリクル膜厚依存性も大きくなってくる。この為異物
のサイズを精度良く検出することが大変難しい。
【００１６】本発明は、ペリクル膜の透過率又は反射率
をモニターし、このときの値をもとにしてフォトマスク
面上に入射するビームの光量補正を行うことにより、フ
ォトマスク面上に付着したゴミや埃等の異物を高精度に
検出することのできる異物検査装置の提供を目的とす
る。
をモニターし、このときの値をもとにしてフォトマスク
面上に入射するビームの光量補正を行うことにより、フ
ォトマスク面上に付着したゴミや埃等の異物を高精度に
検出することのできる異物検査装置の提供を目的とす
る。
【００１７】
（２−１）本発明の異物検査装置は、 （２−１−１）第１、第２面に順に光束を入射させる光
学手段と、該第２面上の異物からの散乱光を検出する第
１検出器と、該光束が該第１面で反射した光を用いて、
該第１面の反射率情報又は透過率情報を検出するための
第２検出器と、該第２検出器の出力信号を使用して該第
１検出器の出力信号を補正する補正手段と、を有するこ
とを特徴としている。
学手段と、該第２面上の異物からの散乱光を検出する第
１検出器と、該光束が該第１面で反射した光を用いて、
該第１面の反射率情報又は透過率情報を検出するための
第２検出器と、該第２検出器の出力信号を使用して該第
１検出器の出力信号を補正する補正手段と、を有するこ
とを特徴としている。
【００１８】（２−１−２）第１、第２面に順に光束を
入射させる光学手段と、該第２面上の異物からの散乱光
を検出する第１検出器と、該光束が該第１面で反射した
光を再度該第１面に入射させる手段と、該第１面で再度
反射した光を検出する第２検出器と、該第２検出器の出
力信号を使用して該第１検出器の出力信号を補正する補
正手段と、を有することを特徴としている。
入射させる光学手段と、該第２面上の異物からの散乱光
を検出する第１検出器と、該光束が該第１面で反射した
光を再度該第１面に入射させる手段と、該第１面で再度
反射した光を検出する第２検出器と、該第２検出器の出
力信号を使用して該第１検出器の出力信号を補正する補
正手段と、を有することを特徴としている。
【００１９】特に、前記第１面はペリクル面、第２面は
マスク面であることや、前記光束は、所定偏光状態を持
ったレーザビームであること等を特徴としている。
マスク面であることや、前記光束は、所定偏光状態を持
ったレーザビームであること等を特徴としている。
【００２０】（２−２）本発明の露光装置は、 （２−２−１）第１、第２面に順に光束を入射させる光
学手段と、該第２面上の異物からの散乱光を検出する第
１検出器と、該光束が該第１面で反射した光を用いて、
該第１面の反射率情報又は透過率情報を検出するための
第２検出器と、該第２検出器の出力信号を使用して該第
１検出器の出力信号を補正する補正手段と、を有する異
物検査装置と、該異物検査装置で検査されたマスクを用
いて露光を行う露光手段とを有することを特徴としてい
る。
学手段と、該第２面上の異物からの散乱光を検出する第
１検出器と、該光束が該第１面で反射した光を用いて、
該第１面の反射率情報又は透過率情報を検出するための
第２検出器と、該第２検出器の出力信号を使用して該第
１検出器の出力信号を補正する補正手段と、を有する異
物検査装置と、該異物検査装置で検査されたマスクを用
いて露光を行う露光手段とを有することを特徴としてい
る。
【００２１】（２−２−２）第１、第２面に順に光束を
入射させる光学手段と、該第２面上の異物からの散乱光
を検出する第１検出器と、該光束が該第１面で反射した
光を再度該第１面に入射させる手段と、該第１面で再度
反射した光を検出する第２検出器と、該第２検出器の出
力信号を使用して該第１検出器の出力信号を補正する補
正手段と、を有する異物検査装置と、該異物検査装置で
検査されたマスクを用いて露光を行う露光手段とを有す
ることを特徴としている。
入射させる光学手段と、該第２面上の異物からの散乱光
を検出する第１検出器と、該光束が該第１面で反射した
光を再度該第１面に入射させる手段と、該第１面で再度
反射した光を検出する第２検出器と、該第２検出器の出
力信号を使用して該第１検出器の出力信号を補正する補
正手段と、を有する異物検査装置と、該異物検査装置で
検査されたマスクを用いて露光を行う露光手段とを有す
ることを特徴としている。
【００２２】特に、前記第１面はペリクル面、第２面は
マスク面であることや、前記光束は、所定偏光状態を持
ったレーザビームであること等を特徴としている。
マスク面であることや、前記光束は、所定偏光状態を持
ったレーザビームであること等を特徴としている。
【００２３】（２−３）本発明のデバイスの製造方法
は、 （２−３−１）第１、第２面に順に光束を入射させる光
学手段と、該第２面上の異物からの散乱光を検出する第
１検出器と、該光束が該第１面で反射した光を用いて、
該第１面の反射率情報又は透過率情報を検出するための
第２検出器と、該第２検出器の出力信号を使用して該第
１検出器の出力信号を補正する補正手段と、を有する異
物検査装置と、該異物検査装置で検査されたマスクを用
いて露光を行う露光手段とを有する露光装置を用いてデ
バイスを製造していることを特徴としている。
は、 （２−３−１）第１、第２面に順に光束を入射させる光
学手段と、該第２面上の異物からの散乱光を検出する第
１検出器と、該光束が該第１面で反射した光を用いて、
該第１面の反射率情報又は透過率情報を検出するための
第２検出器と、該第２検出器の出力信号を使用して該第
１検出器の出力信号を補正する補正手段と、を有する異
物検査装置と、該異物検査装置で検査されたマスクを用
いて露光を行う露光手段とを有する露光装置を用いてデ
バイスを製造していることを特徴としている。
【００２４】（２−３−２）第１、第２面に順に光束を
入射させる光学手段と、該第２面上の異物からの散乱光
を検出する第１検出器と、該光束が該第１面で反射した
光を再度該第１面に入射させる手段と、該第１面で再度
反射した光を検出する第２検出器と、該第２検出器の出
力信号を使用して該第１検出器の出力信号を補正する補
正手段と、を有する異物検査装置と、該異物検査装置で
検査されたマスクを用いて露光を行う露光手段とを有す
る露光装置を用いてデバイスを製造していることを特徴
としている。
入射させる光学手段と、該第２面上の異物からの散乱光
を検出する第１検出器と、該光束が該第１面で反射した
光を再度該第１面に入射させる手段と、該第１面で再度
反射した光を検出する第２検出器と、該第２検出器の出
力信号を使用して該第１検出器の出力信号を補正する補
正手段と、を有する異物検査装置と、該異物検査装置で
検査されたマスクを用いて露光を行う露光手段とを有す
る露光装置を用いてデバイスを製造していることを特徴
としている。
【００２５】特に、前記第１面はペリクル面、第２面は
マスク面であることや、前記光束は、所定偏光状態を持
ったレーザビームであること等を特徴としている。
マスク面であることや、前記光束は、所定偏光状態を持
ったレーザビームであること等を特徴としている。
【００２６】
【実施例】図１は本発明の実施例１の要部概略図、図２
は図１の一部分の拡大説明図である。
は図１の一部分の拡大説明図である。
【００２７】図１において４０はレーザ光源、３９はビ
ームスプリッター、４９はレーザビームであり、レーザ
光源４０から放射されてポリゴン等の走査光学系（不図
示）を介してペリクル５０面側に投射されている。レー
ザビーム４９は走査光学系によりペリクル面５０とフォ
トマスク５２を紙面と垂直方向のＸ方向に走査してい
る。レーザビーム４９のうちペリクル５０（第１面）を
経てフォトマスク（第２面）５２上の異物４４に入った
レーザビームは散乱される。このときの散乱光４８を集
光光学系４７を介して光検出器（第１検出器）４６で検
出している。
ームスプリッター、４９はレーザビームであり、レーザ
光源４０から放射されてポリゴン等の走査光学系（不図
示）を介してペリクル５０面側に投射されている。レー
ザビーム４９は走査光学系によりペリクル面５０とフォ
トマスク５２を紙面と垂直方向のＸ方向に走査してい
る。レーザビーム４９のうちペリクル５０（第１面）を
経てフォトマスク（第２面）５２上の異物４４に入った
レーザビームは散乱される。このときの散乱光４８を集
光光学系４７を介して光検出器（第１検出器）４６で検
出している。
【００２８】３６は電気増幅処理系であり、光検出器４
６からの光信号を増幅している。レーザビーム４９のう
ちペリクル５０で反射した光４５はミラー４３に略垂直
に入射し、ミラー４３で反射して光４２として元の光路
を戻る。そしてペリクル５２の略同じ位置で再度反射し
て、光４１として走査光学系（不図示）を経てビームス
プリッター３９により反射され、光検出器（第２検出
器）３８に入射する。３７は電気増幅処理系であり、光
検出器３８からの信号を増幅している。
６からの光信号を増幅している。レーザビーム４９のう
ちペリクル５０で反射した光４５はミラー４３に略垂直
に入射し、ミラー４３で反射して光４２として元の光路
を戻る。そしてペリクル５２の略同じ位置で再度反射し
て、光４１として走査光学系（不図示）を経てビームス
プリッター３９により反射され、光検出器（第２検出
器）３８に入射する。３７は電気増幅処理系であり、光
検出器３８からの信号を増幅している。
【００２９】今、ペリクル５０の反射率をＲ、透過率を
Ｔ、ミラー４３の反射率をＲm 、ビーム４１の入射光量
をＩinとすると、異物４４に当たるレーザビーム４９の
光量Ｌ44はＬ44＝Ｔ×Ｉinとなる。ペリクル５０での吸
収が殆どないことからＴ＝１−Ｒとなる。
Ｔ、ミラー４３の反射率をＲm 、ビーム４１の入射光量
をＩinとすると、異物４４に当たるレーザビーム４９の
光量Ｌ44はＬ44＝Ｔ×Ｉinとなる。ペリクル５０での吸
収が殆どないことからＴ＝１−Ｒとなる。
【００３０】本実施例では反射率Ｒを求め、これを元に
異物４４に当たるビームの光量の実質的な変動を補正し
ている。光ビーム４１はペリクル５０で２回反射し、ミ
ラー４３で１回反射する。従ってビーム４１の強さＩ41
はＩ41＝Ｉin×Ｒ2 ×Ｒm となる。
異物４４に当たるビームの光量の実質的な変動を補正し
ている。光ビーム４１はペリクル５０で２回反射し、ミ
ラー４３で１回反射する。従ってビーム４１の強さＩ41
はＩ41＝Ｉin×Ｒ2 ×Ｒm となる。
【００３１】ミラー４３の反射率Ｒmは装置側に固定し
て設けられていることから、一定値である。従って光検
出器３８に入るビーム４１の光量Ｉ38はビームスプリッ
ター３９の透過率をＴ38 、反射率をＲ38 、走査光学系
（不図示）の透過率をＴSC、元のレーザ４０の出射パワ
ーをＬ0 とすると、 Ｉ38＝Ｌ0 ×Ｔ39×ＴSC×Ｒ2 ×Ｒm×ＴSC×Ｒ39 ＝Ｌ0 ×Ｔ39×Ｒ39×ＴSC 2 ×Ｒm×Ｒ2 ・・・・・・（１） となる。
て設けられていることから、一定値である。従って光検
出器３８に入るビーム４１の光量Ｉ38はビームスプリッ
ター３９の透過率をＴ38 、反射率をＲ38 、走査光学系
（不図示）の透過率をＴSC、元のレーザ４０の出射パワ
ーをＬ0 とすると、 Ｉ38＝Ｌ0 ×Ｔ39×ＴSC×Ｒ2 ×Ｒm×ＴSC×Ｒ39 ＝Ｌ0 ×Ｔ39×Ｒ39×ＴSC 2 ×Ｒm×Ｒ2 ・・・・・・（１） となる。
【００３２】ここに、Ｌ0 ，Ｔ39 ，Ｒ39 ，ＴSC ，Ｒm
は装置側の固有値で一定値であるから、（１）式より光
検出器３８に入る光量Ｉ38が分かれば、反射率Ｒは
は装置側の固有値で一定値であるから、（１）式より光
検出器３８に入る光量Ｉ38が分かれば、反射率Ｒは
【００３３】
【数１】 となる。
【００３４】ここに、Ｋ＝Ｌ0 ×Ｔ39×Ｒ39×ＴSC 2 ×
Ｒmとして求めることができる。従って異物４４に当た
るビーム４１の光強度Ｌ44は
Ｒmとして求めることができる。従って異物４４に当た
るビーム４１の光強度Ｌ44は
【００３５】
【数２】 図１において３５は補正系であり、このようなファクタ
ー補正をして正確な異物サイズを得ている。即ち光量Ｉ
38が大きければペリクル５０の透過率Ｔは小さく、異物
４４に当たるビームの光量は小さくなる。そしてその分
だけ同じサイズの異物４４からの散乱光量は小さくな
る。この為、光検出器４６に入る光量Ｉ46に対して、一
定サイズのゴミであることを正確に判定するためには、
例えば （ａ）電気増幅処理系３６からの信号出力に対して、ゴ
ミのサイズ判別のためのスライスレベルを光量Ｉ38 に
応じて変えてやる。 （ｂ）光量Ｉ38 に応じて電気増幅処理系３６のアンプ
のゲインを変える。 という方法を用いている。
ー補正をして正確な異物サイズを得ている。即ち光量Ｉ
38が大きければペリクル５０の透過率Ｔは小さく、異物
４４に当たるビームの光量は小さくなる。そしてその分
だけ同じサイズの異物４４からの散乱光量は小さくな
る。この為、光検出器４６に入る光量Ｉ46に対して、一
定サイズのゴミであることを正確に判定するためには、
例えば （ａ）電気増幅処理系３６からの信号出力に対して、ゴ
ミのサイズ判別のためのスライスレベルを光量Ｉ38 に
応じて変えてやる。 （ｂ）光量Ｉ38 に応じて電気増幅処理系３６のアンプ
のゲインを変える。 という方法を用いている。
【００３６】このうち（ａ）の場合は、図１に示すよう
に補正系３５にスライスレベルを変える機能を持たせ
て、電気増幅処理系３７からの信号に基づいてスライス
レベルを変えている。（ｂ）の場合は、図１２に示すよ
うに光量Ｉ38 を光検出器３８で検出し、このとき得ら
れる信号出力に応じて光検出器４６で得られる信号を増
幅する電気増幅処理系３６のゲインを変えるようにして
いる。
に補正系３５にスライスレベルを変える機能を持たせ
て、電気増幅処理系３７からの信号に基づいてスライス
レベルを変えている。（ｂ）の場合は、図１２に示すよ
うに光量Ｉ38 を光検出器３８で検出し、このとき得ら
れる信号出力に応じて光検出器４６で得られる信号を増
幅する電気増幅処理系３６のゲインを変えるようにして
いる。
【００３７】本実施例ではこのときの補正量を（２）式
より求めている。
より求めている。
【００３８】図１において不図示の走査光学系はＸ方向
にビーム４９を走査しており、又フォトマスク（レチク
ル）５２は不図示のステージに乗せられており、Ｚ方向
にゆっくりと走査される。これによりフォトマスク５２
の全面をくまなく光ビーム４９で走査して、フォトマス
ク５２上のＩＣ回路パターン面上にある異物の存在を散
乱光４８の検出として特定している。
にビーム４９を走査しており、又フォトマスク（レチク
ル）５２は不図示のステージに乗せられており、Ｚ方向
にゆっくりと走査される。これによりフォトマスク５２
の全面をくまなく光ビーム４９で走査して、フォトマス
ク５２上のＩＣ回路パターン面上にある異物の存在を散
乱光４８の検出として特定している。
【００３９】図３は本発明の実施例２の要部概略図、図
４は図３の一部分の拡大説明図である。
４は図３の一部分の拡大説明図である。
【００４０】本実施例は図１の実施例１に比べてペリク
ル５０で反射したビームを反射させ戻らせる為のミラー
３３の傾きを調整している。そしてペリクル５０で反射
して入射してくるビーム２５のミラー３３への入射角が
０（即ち垂直）でなく小さな角度となるようにしてい
る。そしてミラー３３で反射したビーム２４と入射して
きたビーム２５との光路が互いに異なるようにして、ビ
ームスプリッター３９の使用を不要にしている点が異な
っている。
ル５０で反射したビームを反射させ戻らせる為のミラー
３３の傾きを調整している。そしてペリクル５０で反射
して入射してくるビーム２５のミラー３３への入射角が
０（即ち垂直）でなく小さな角度となるようにしてい
る。そしてミラー３３で反射したビーム２４と入射して
きたビーム２５との光路が互いに異なるようにして、ビ
ームスプリッター３９の使用を不要にしている点が異な
っている。
【００４１】尚、この点は図１２で示す構成においても
同様にビームスプリッター３９を不要にすることができ
る。
同様にビームスプリッター３９を不要にすることができ
る。
【００４２】このように本実施例ではビームスプリッタ
ー３９を不要とし、レーザ４０から出たビームの光量が
ビームスプリッター３９により減ずることなく効率的に
活用できることを特徴としている。
ー３９を不要とし、レーザ４０から出たビームの光量が
ビームスプリッター３９により減ずることなく効率的に
活用できることを特徴としている。
【００４３】本実施例では図４に詳細に示すようにビー
ム２５とビーム２４の張り角εは、 （イ）．ペリクル５０上のビーム４９が当たる位置２３
とビーム２４が当たる位置２２が余り離れないこと （ロ）．ビーム４９のペリクル５０への入射角と戻りビ
ーム２４のペリクル５０への入射角が余り大きく違わな
いこと の２つの条件を満たす範囲で設定している。
ム２５とビーム２４の張り角εは、 （イ）．ペリクル５０上のビーム４９が当たる位置２３
とビーム２４が当たる位置２２が余り離れないこと （ロ）．ビーム４９のペリクル５０への入射角と戻りビ
ーム２４のペリクル５０への入射角が余り大きく違わな
いこと の２つの条件を満たす範囲で設定している。
【００４４】（イ）とした理由とはペリクル５０が一般
に場所によって膜厚ムラが存在し、そのムラの発生周期
より十分小さい距離に点２２と点２３を離しておく必要
がある。
に場所によって膜厚ムラが存在し、そのムラの発生周期
より十分小さい距離に点２２と点２３を離しておく必要
がある。
【００４５】一般にペリクル５０は５インチのレチクル
についても、たかだか１周期程度発生する程度であるか
ら点２２と点２３は十数ｍｍ以下であれば膜厚は略等し
い位置を見ていることとなり問題はない。
についても、たかだか１周期程度発生する程度であるか
ら点２２と点２３は十数ｍｍ以下であれば膜厚は略等し
い位置を見ていることとなり問題はない。
【００４６】又（ロ）とした理由は、入射角が変わると
反射率と透過率が一般に変化する。しかしながらこれも
程度問題であって、例えばＳ偏光の入射の場合図７に示
すように透過率は入射角とペリクル膜厚によって変動す
る。Ｐ偏光の入射の場合は図８に示すようになる。
反射率と透過率が一般に変化する。しかしながらこれも
程度問題であって、例えばＳ偏光の入射の場合図７に示
すように透過率は入射角とペリクル膜厚によって変動す
る。Ｐ偏光の入射の場合は図８に示すようになる。
【００４７】図７，図８より分かるように入射角は極端
に小さくない限り、例えば２５°以上であれば２〜３°
程度、入射角が違っても透過率は２〜３％程度の違いに
過ぎないから実質的に問題はない。この為、本実施例で
は図４において角度εは２〜３°以下としている。
に小さくない限り、例えば２５°以上であれば２〜３°
程度、入射角が違っても透過率は２〜３％程度の違いに
過ぎないから実質的に問題はない。この為、本実施例で
は図４において角度εは２〜３°以下としている。
【００４８】以上の実施例１，２では何れも入射光と散
乱光との投光・受光の関係が１つの面内（紙面）に含ま
れる関係の場合について示しているが、本発明はこのよ
うな投光・受光の関係に限定されるものでない。
乱光との投光・受光の関係が１つの面内（紙面）に含ま
れる関係の場合について示しているが、本発明はこのよ
うな投光・受光の関係に限定されるものでない。
【００４９】例えば図１では散乱光がＹＺ面内の受光系
配置になっているが、Ｘ軸方向に配置した所謂側方受光
であっても良い。又投光系側に傾いた位置で受光してい
るのを投光系と逆側（Ｚ軸の正の方向；圧側）に傾いた
位置で受光しても良い。
配置になっているが、Ｘ軸方向に配置した所謂側方受光
であっても良い。又投光系側に傾いた位置で受光してい
るのを投光系と逆側（Ｚ軸の正の方向；圧側）に傾いた
位置で受光しても良い。
【００５０】その他、投光・受光のバリエーションにつ
いては本発明は何んら限定を与えるものではない。又ペ
リクルの入射光はＳ偏光、Ｐ偏光或は円偏光他の偏光状
態であっても良い。
いては本発明は何んら限定を与えるものではない。又ペ
リクルの入射光はＳ偏光、Ｐ偏光或は円偏光他の偏光状
態であっても良い。
【００５１】更に散乱光検出方式についても直接散乱光
の強度から求める方式を用いているが、この他異物から
の散乱光に別途装置側で発生させた参照光との干渉によ
り干渉信号を処理して異物検出を行う方式を用いてペリ
クルを介して異物に当てるビームのペリクル反射光に対
してモニター機能を付けても良い。
の強度から求める方式を用いているが、この他異物から
の散乱光に別途装置側で発生させた参照光との干渉によ
り干渉信号を処理して異物検出を行う方式を用いてペリ
クルを介して異物に当てるビームのペリクル反射光に対
してモニター機能を付けても良い。
【００５２】図９は本発明の異物検査装置を半導体デバ
イスの製造装置に適用したときの実施例３の構成概略図
である。本実施例では異物検査装置全体が半導体デバイ
スの製造装置内に組み込まれている。
イスの製造装置に適用したときの実施例３の構成概略図
である。本実施例では異物検査装置全体が半導体デバイ
スの製造装置内に組み込まれている。
【００５３】図９において１１０１はエキシマレーザー
のような遠紫外光源あるいはｉ線光源であり、１１０２
は照明系ユニットであってレチクル１０８を上部から均
一に被検査領域全域を同時（一括）に、しかも所定のＮ
Ａ（開口数）で照明する働きをもつ。１１０９はレチク
ルパターンをウエハ１１１０上に転写する為の超高解像
度レンズ系（若しくはミラー系）であり、焼付時にはウ
エハ移動ステージ１１１１のステップ送りに従って１シ
ョット毎ずらして露光されていく。
のような遠紫外光源あるいはｉ線光源であり、１１０２
は照明系ユニットであってレチクル１０８を上部から均
一に被検査領域全域を同時（一括）に、しかも所定のＮ
Ａ（開口数）で照明する働きをもつ。１１０９はレチク
ルパターンをウエハ１１１０上に転写する為の超高解像
度レンズ系（若しくはミラー系）であり、焼付時にはウ
エハ移動ステージ１１１１のステップ送りに従って１シ
ョット毎ずらして露光されていく。
【００５４】１１００は露光に先立ってレチクル１０８
とウエハ１１１０を位置合わせする為のアライメント光
学系であり、最低１つのレチクル観察用顕微鏡系をもっ
ている。１１１４はレクチルチェンジャーであり、複数
のレチクルを格納し、待機させるユニットである。１１
１３は本発明に係る異物等検査ユニットであり、実施例
１と実施例２のいずれかの構成条件を全て含めている。
このユニット１１１３はレチクル１０８がチェンジャー
１１１４から引き出され露光位置（図中Ｅ．Ｐ）にセッ
トされる前にレチクル１０８の異物検査を行なうもので
ある。
とウエハ１１１０を位置合わせする為のアライメント光
学系であり、最低１つのレチクル観察用顕微鏡系をもっ
ている。１１１４はレクチルチェンジャーであり、複数
のレチクルを格納し、待機させるユニットである。１１
１３は本発明に係る異物等検査ユニットであり、実施例
１と実施例２のいずれかの構成条件を全て含めている。
このユニット１１１３はレチクル１０８がチェンジャー
１１１４から引き出され露光位置（図中Ｅ．Ｐ）にセッ
トされる前にレチクル１０８の異物検査を行なうもので
ある。
【００５５】コントローラ１１１８はステッパーの基本
動作である、アライメント露光、ウエハのステップ送り
のシーケンスを制御する。
動作である、アライメント露光、ウエハのステップ送り
のシーケンスを制御する。
【００５６】次に前述した露光装置を利用した半導体デ
バイス（半導体素子）の製造方法の実施例を説明する。
バイス（半導体素子）の製造方法の実施例を説明する。
【００５７】図１０は半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローチャートである。
の半導体チップ、或は液晶パネルやＣＣＤ等）の製造の
フローチャートである。
【００５８】本実施例においてステップ１（回路設計）
では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２
（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマ
スクを製作する。
では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２
（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマ
スクを製作する。
【００５９】一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリ
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
コン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４
（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、前記用意したマ
スクとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ
上に実際の回路を形成する。
【００６０】次のステップ５（組立）は後工程と呼ば
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
れ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導
体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシ
ング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。
【００６１】ステップ６（検査）ではステップ５で作製
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト
等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイス
が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００６２】図１１は上記ステップ４のウエハプロセス
の詳細なフローチャートである。まずステップ１１（酸
化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（Ｃ
ＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。
の詳細なフローチャートである。まずステップ１１（酸
化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（Ｃ
ＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。
【００６３】ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打
込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５
（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステ
ップ１６（露光）では前記説明した露光装置によってマ
スクの回路パターンをウエハに焼付露光する。
【００６４】ステップ１７（現像）では露光したウエハ
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
を現像する。ステップ１８（エッチング）では現像した
レジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジ
スト剥離）ではエッチングがすんで不要となったレジス
トを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうこと
によってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００６５】尚本実施例の製造方法を用いれば高集積度
の半導体デバイスを容易に製造することができる。
の半導体デバイスを容易に製造することができる。
【００６６】
【発明の効果】本発明によれば、第１面（ペリクル面）
で反射した光を用いて第１面の反射率情報又は透過率情
報を検出し、これを基にして第２面（マスク面）からの
散乱光の検出強度を補正することにより、第２面に付着
した異物を高精度に検出することができる。
で反射した光を用いて第１面の反射率情報又は透過率情
報を検出し、これを基にして第２面（マスク面）からの
散乱光の検出強度を補正することにより、第２面に付着
した異物を高精度に検出することができる。
【００６７】また、第１面（ペリクル面）で反射した光
を再度第１面に入射させ、再反射した光を検出して、こ
れを基にして第２面（マスク面）からの散乱光の検出強
度を補正することにより、第２面に付着した異物を高精
度に検出することができる。
を再度第１面に入射させ、再反射した光を検出して、こ
れを基にして第２面（マスク面）からの散乱光の検出強
度を補正することにより、第２面に付着した異物を高精
度に検出することができる。
【００６８】また、この異物検査装置を用いれば、高精
度なデバイスの製造が可能な露光装置やデバイスの製造
方法を提供することができる。
度なデバイスの製造が可能な露光装置やデバイスの製造
方法を提供することができる。
【図１】 本発明の実施例１の要部概略図
【図２】 図１の一部分の拡大説明図
【図３】 本発明の実施例２の要部概略図
【図４】 図３の一部分の拡大説明図
【図５】 従来の異物検査装置の要部概略図
【図６】 従来のペリクル付きフォトマスクの説明図
【図７】 ペリクル厚さとＳ偏光透過率の説明図
【図８】 ペリクル厚さとＰ偏光透過率の説明図
【図９】 本発明の実施例３の要部概略図
【図１０】本発明の半導体素子の製造方法に係るフロー
チャート
チャート
【図１１】本発明の半導体素子の製造方法に係るフロー
チャート
チャート
【図１２】図１の一部分を変更したときの要部概略図
４０ レーザ光源 ４４ 異物 ４１，４２，４５，４９ レーザビーム ４８ 散乱光 ５０ ペリクル（第１面） ５１ 支持枠 ５２ フォトマスク（第２面） ４６ 第１検出器 ３８ 第２検出器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹内 誠二 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 吉井 実 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 第１、第２面に順に光束を入射させる光
学手段と、該第２面上の異物からの散乱光を検出する第
１検出器と、該光束が該第１面で反射した光を用いて、
該第１面の反射率情報又は透過率情報を検出するための
第２検出器と、該第２検出器の出力信号を使用して該第
１検出器の出力信号を補正する補正手段と、を有するこ
とを特徴とする異物検査装置。 - 【請求項２】 第１、第２面に順に光束を入射させる光
学手段と、該第２面上の異物からの散乱光を検出する第
１検出器と、該光束が該第１面で反射した光を再度該第
１面に入射させる手段と、該第１面で再度反射した光を
検出する第２検出器と、該第２検出器の出力信号を使用
して該第１検出器の出力信号を補正する補正手段と、を
有することを特徴とする異物検査装置。 - 【請求項３】 前記第１面はペリクル面、第２面はマス
ク面であることを特徴とする請求項１又は２記載の異物
検査装置。 - 【請求項４】 前記光束は、所定偏光状態を持ったレー
ザビームであることを特徴とする請求項１乃至３のいず
れか記載の異物検査装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか記載の異物検
査装置と、該異物検査装置で検査されたマスクを用いて
露光を行う露光手段とを有することを特徴とする露光装
置。 - 【請求項６】 請求項５記載の露光装置を用いてデバイ
スを製造することを特徴とするデバイスの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6110436A JPH0792096A (ja) | 1993-07-30 | 1994-04-25 | 異物検査装置並びにこれを備えた露光装置及びデバイ スの製造方法 |
| US08/799,879 US5742386A (en) | 1993-07-30 | 1997-02-13 | Apparatus for detecting foreign matter on a substrate, and an exposure apparatus including the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5-208367 | 1993-07-30 | ||
| JP20836793 | 1993-07-30 | ||
| JP6110436A JPH0792096A (ja) | 1993-07-30 | 1994-04-25 | 異物検査装置並びにこれを備えた露光装置及びデバイ スの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0792096A true JPH0792096A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=26450065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6110436A Pending JPH0792096A (ja) | 1993-07-30 | 1994-04-25 | 異物検査装置並びにこれを備えた露光装置及びデバイ スの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5742386A (ja) |
| JP (1) | JPH0792096A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460705B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레티클 상의 파티클 검출장치 |
| JP2009016870A (ja) * | 2004-10-05 | 2009-01-22 | Asml Netherlands Bv | 粒子検出デバイス、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2009151197A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Nec Corp | フォトマスク受納器並びにこれを用いるレジスト検査方法及びその装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5907397A (en) * | 1998-03-20 | 1999-05-25 | United Semiconductor Corp. | Method of inspecting a defect on a translucid film |
| JPH11295439A (ja) * | 1998-04-07 | 1999-10-29 | Ishida Co Ltd | 異物検出機および異物検出システム |
| US7271950B1 (en) * | 2000-02-16 | 2007-09-18 | Toppan Photomasks, Inc. | Apparatus and method for optimizing a pellicle for off-axis transmission of light |
| US6836362B2 (en) | 2001-05-14 | 2004-12-28 | General Electric Company | Method for the rapid determination of the optical quality of combinatorial libraries |
| JP2003287875A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-10-10 | Hitachi Ltd | マスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
| US6835502B2 (en) * | 2002-07-15 | 2004-12-28 | International Business Machines Corporation | In-situ pellicle monitor |
| US7679736B1 (en) * | 2007-07-27 | 2010-03-16 | N&K Technology, Inc. | System and method for optical photomask inspection through pellicle |
| KR20160031274A (ko) * | 2014-09-12 | 2016-03-22 | 삼성전자주식회사 | 레티클 검사 장치 및 방법 |
| KR102242559B1 (ko) | 2014-12-01 | 2021-04-20 | 삼성전자주식회사 | 광학 검사 장치 |
| CN105655267A (zh) * | 2016-01-04 | 2016-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种用于对基板进行检测的预警系统及生产设备 |
-
1994
- 1994-04-25 JP JP6110436A patent/JPH0792096A/ja active Pending
-
1997
- 1997-02-13 US US08/799,879 patent/US5742386A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460705B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레티클 상의 파티클 검출장치 |
| JP2009016870A (ja) * | 2004-10-05 | 2009-01-22 | Asml Netherlands Bv | 粒子検出デバイス、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
| JP2009151197A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Nec Corp | フォトマスク受納器並びにこれを用いるレジスト検査方法及びその装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5742386A (en) | 1998-04-21 |
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