JPH0444225A - 同軸型プラズマ処理装置 - Google Patents
同軸型プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0444225A JPH0444225A JP2149455A JP14945590A JPH0444225A JP H0444225 A JPH0444225 A JP H0444225A JP 2149455 A JP2149455 A JP 2149455A JP 14945590 A JP14945590 A JP 14945590A JP H0444225 A JPH0444225 A JP H0444225A
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- JP
- Japan
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- chamber
- plate
- closed
- internal electrode
- electrode
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は半導体ウェハ表面のレジスト膜のアッシング等
に用いる同軸型プラズマ処理装置に関する。
に用いる同軸型プラズマ処理装置に関する。
（従来の技術）
外部電極と内部電極とを筒状チャンバーを挟んで同軸状
に配置したプラズマ処理装置として特公昭５３−３３４
７１号公報に開示される装置がある。
に配置したプラズマ処理装置として特公昭５３−３３４
７１号公報に開示される装置がある。
同軸型プラズマ処理装置の一般的な構造は第３図に示す
ように、合成石英等から成る筒状チャンバー１００の両
端開口をチャンバープレート１０１．１０２で閉塞し、
筒状チャンバー１００の外側には高周波発振器１０３に
接続される板状外部電極１０４を設け、筒状チャンバー
１００の内側には外部電極１０４と電気的に絶縁された
内部電極１０５を設けている。
ように、合成石英等から成る筒状チャンバー１００の両
端開口をチャンバープレート１０１．１０２で閉塞し、
筒状チャンバー１００の外側には高周波発振器１０３に
接続される板状外部電極１０４を設け、筒状チャンバー
１００の内側には外部電極１０４と電気的に絶縁された
内部電極１０５を設けている。
そして、内部電極１０５はパンチングメタル或いは金網
等からなり、外部電極１０４と内部電極１０５との間で
発生したプラズマによるダメージが、内部電極１０５の
内方に保持具１０６によって支持されているウェハ１０
７まで及ばないようにしている。
等からなり、外部電極１０４と内部電極１０５との間で
発生したプラズマによるダメージが、内部電極１０５の
内方に保持具１０６によって支持されているウェハ１０
７まで及ばないようにしている。
（発明が解決しようとする課題）
上述した従来の同軸型プラズマ処理装置にあっては、チ
ャージアップによるダメージを十分に防止できない。即
ち内部電極１０５はその基端部が一方のチャンバープレ
ート１０１に支持されており、他方のチャンバープレー
ト１０２と内部電極１０５の先端部との間には隙間１０
８を形成するようにしている。（このようにしないとチ
ャンバープレート１０２によって筒状チャンバー１００
の開口を密に閉塞できない。） そして、隙間１０８があるとこの隙間１０８を通って外
部電極１０４と内部電極１０５との間で発生したプラズ
マが内部に侵入し、隙間１０８の近くのウェハ１０７に
電荷が蓄積されチャージアップによるダメージが発生す
る。
ャージアップによるダメージを十分に防止できない。即
ち内部電極１０５はその基端部が一方のチャンバープレ
ート１０１に支持されており、他方のチャンバープレー
ト１０２と内部電極１０５の先端部との間には隙間１０
８を形成するようにしている。（このようにしないとチ
ャンバープレート１０２によって筒状チャンバー１００
の開口を密に閉塞できない。） そして、隙間１０８があるとこの隙間１０８を通って外
部電極１０４と内部電極１０５との間で発生したプラズ
マが内部に侵入し、隙間１０８の近くのウェハ１０７に
電荷が蓄積されチャージアップによるダメージが発生す
る。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決すべく本発明は、筒状チャンバーの外側
に高周波発振器に接続する外部電極を配置し、筒状チャ
ンバーの内側に前記外部電極と電気的に絶縁されるとと
もに多数の小孔を形成した内部電極を同軸状に配置した
プラズマ処理装置の筒状チャンバーの一方の開口を閉塞
するチャンバープレートに内部電極の基端部を支持し、
他方のチャンバープレートに対向する内部電極の開口を
盲板または孔明き板にて閉塞した。
に高周波発振器に接続する外部電極を配置し、筒状チャ
ンバーの内側に前記外部電極と電気的に絶縁されるとと
もに多数の小孔を形成した内部電極を同軸状に配置した
プラズマ処理装置の筒状チャンバーの一方の開口を閉塞
するチャンバープレートに内部電極の基端部を支持し、
他方のチャンバープレートに対向する内部電極の開口を
盲板または孔明き板にて閉塞した。
（作用）
外部電極と内部電極との間の空間で発生したプラズマ中
のイオンや荷電粒子は内部電極によってその侵入を阻止
され、反応に有効なラジカルだけが内部電極の小孔を通
ってウェハまで到達する。
のイオンや荷電粒子は内部電極によってその侵入を阻止
され、反応に有効なラジカルだけが内部電極の小孔を通
ってウェハまで到達する。
（実施例）
以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
第１図は本発明に係る同軸型プラズマ処理装置の縦断面
図、第２図は同軸型プラズマ処理装置の縦断面図である
。
図、第２図は同軸型プラズマ処理装置の縦断面図である
。
同軸型プラズマ処理装置は合成石英、パイレックスガラ
ス等から成る筒状チャンバー１を装置本体等に固定し、
この筒状チャンバー１の上端開口をチャンバープレート
２で閉塞し、下端開口をチャンバープレート３で閉塞し
ている。これらチャンバープレート２．３はアルミニウ
ム或いは銅等の熱伝導性に優れた金属材料にて構成して
アースし、特にチャンバープレート３は外側部３ａと内
側部３ｂからなり、内側部３ｂについては昇降自在とし
、その上面に多数のウェハＷを保持する保持体４を設け
ている。
ス等から成る筒状チャンバー１を装置本体等に固定し、
この筒状チャンバー１の上端開口をチャンバープレート
２で閉塞し、下端開口をチャンバープレート３で閉塞し
ている。これらチャンバープレート２．３はアルミニウ
ム或いは銅等の熱伝導性に優れた金属材料にて構成して
アースし、特にチャンバープレート３は外側部３ａと内
側部３ｂからなり、内側部３ｂについては昇降自在とし
、その上面に多数のウェハＷを保持する保持体４を設け
ている。
また、筒状チャンバー１の外周には高周波発振器５に接
続される板状外部電極６を配置し、筒状チャンバー１の
内方には前記外部電極６と同軸状に内部電極７を配置し
でいる。ここで同軸状とは外部電極６と内部電極７の中
心が完全に一致するものだけでなく多少ずれているもの
をも意味する。
続される板状外部電極６を配置し、筒状チャンバー１の
内方には前記外部電極６と同軸状に内部電極７を配置し
でいる。ここで同軸状とは外部電極６と内部電極７の中
心が完全に一致するものだけでなく多少ずれているもの
をも意味する。
更に、内部電極７はパンチングメタル或いは金網からな
り多数の小孔８・・・を有し、その基端部が前記チャン
バープレート３の外側部３ａ上面に取り付けられ、第１
図において先端開口は盲板９で閉塞されている。
り多数の小孔８・・・を有し、その基端部が前記チャン
バープレート３の外側部３ａ上面に取り付けられ、第１
図において先端開口は盲板９で閉塞されている。
また、外部電極６と内部電極７との間に形成されるプラ
ズマ発生空間１０にはガスボンベ等につながる反応ガス
導入管１１及び真空ポンプにつながる排気管１２を臨ま
せている。
ズマ発生空間１０にはガスボンベ等につながる反応ガス
導入管１１及び真空ポンプにつながる排気管１２を臨ま
せている。
以上において、排気管１２を介してチャンバー１内を減
圧した状態でガス導入管１１から反応ガスを導入すると
ともに、外部電極６に高周波を印加する。すると、外部
電極６と内部電極７との間のプラズマ発生空間１０にプ
ラズマが発生し、このプラズマ中のイオンや荷電粒子排
除されて有効なラジカルが内部電極７の小孔８を通って
内部電極７で囲まれる反応空間に入り、ウェハＷ表面の
レジスト膜と反応してレジスト膜を除去する。
圧した状態でガス導入管１１から反応ガスを導入すると
ともに、外部電極６に高周波を印加する。すると、外部
電極６と内部電極７との間のプラズマ発生空間１０にプ
ラズマが発生し、このプラズマ中のイオンや荷電粒子排
除されて有効なラジカルが内部電極７の小孔８を通って
内部電極７で囲まれる反応空間に入り、ウェハＷ表面の
レジスト膜と反応してレジスト膜を除去する。
第２図は別実施例を示す第１図と同様の断面図であり、
この実施例にあっては盲板９の代わりに内部電極７と同
様の孔明き板１３にて内部電極７の先端開口を閉塞して
いる。
この実施例にあっては盲板９の代わりに内部電極７と同
様の孔明き板１３にて内部電極７の先端開口を閉塞して
いる。
（効果）
以上に説明したように本発明によれば、同軸型プラズマ
処理装置の内部電極の全体形状を、先端開口が盲板或い
は孔明き板にて閉塞された有底筒状としたことで、プラ
ズマ中のイオンや荷電粒子が侵入する隙間を塞ぐことと
なりチャージアップによるダメージを低減することがで
きる。
処理装置の内部電極の全体形状を、先端開口が盲板或い
は孔明き板にて閉塞された有底筒状としたことで、プラ
ズマ中のイオンや荷電粒子が侵入する隙間を塞ぐことと
なりチャージアップによるダメージを低減することがで
きる。
第１図は本発明に係る同軸型プラズマ処理装置の縦断面
図、第２図は別実施例を示す縦断面図、第３図は従来例
の縦断面図である。 尚、図面中１は筒状チャンバー ２，３はチャンバープ
レート、５は高周波発振器、６は外部電極、７は内部電
極、９は盲板、１０はプラズマ発生空間、１３は孔明き
板である。 願人
図、第２図は別実施例を示す縦断面図、第３図は従来例
の縦断面図である。 尚、図面中１は筒状チャンバー ２，３はチャンバープ
レート、５は高周波発振器、６は外部電極、７は内部電
極、９は盲板、１０はプラズマ発生空間、１３は孔明き
板である。 願人
Claims (1)
- 筒状チャンバーの外側に高周波発振器に接続する外部
電極を配置し、筒状チャンバーの内側に前記外部電極と
電気的に絶縁されるとともに多数の小孔を形成した内部
電極を同軸状に配置したプラズマ処理装置において、前
記筒状チャンバーの両端開口をチャンバープレートにて
閉塞するとともに筒状チャンバーの一方の開口を閉塞す
るチャンバープレートに内部電極の基端部を支持し、他
方のチャンバープレートに対向する内部電極の開口を盲
板または孔明き板にて閉塞したことを特徴とする同軸型
プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149455A JPH0444225A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 同軸型プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2149455A JPH0444225A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 同軸型プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0444225A true JPH0444225A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15475498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2149455A Pending JPH0444225A (ja) | 1990-06-07 | 1990-06-07 | 同軸型プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0444225A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5362353A (en) * | 1993-02-26 | 1994-11-08 | Lsi Logic Corporation | Faraday cage for barrel-style plasma etchers |
| US5383984A (en) * | 1992-06-17 | 1995-01-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus etching tunnel-type |
| US6067930A (en) * | 1991-11-22 | 2000-05-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coaxial plasma processing apparatus |
-
1990
- 1990-06-07 JP JP2149455A patent/JPH0444225A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6067930A (en) * | 1991-11-22 | 2000-05-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Coaxial plasma processing apparatus |
| US5383984A (en) * | 1992-06-17 | 1995-01-24 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus etching tunnel-type |
| US5362353A (en) * | 1993-02-26 | 1994-11-08 | Lsi Logic Corporation | Faraday cage for barrel-style plasma etchers |
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