JPH0444323A - 基板の水切り乾燥装置 - Google Patents

基板の水切り乾燥装置

Info

Publication number
JPH0444323A
JPH0444323A JP2152413A JP15241390A JPH0444323A JP H0444323 A JPH0444323 A JP H0444323A JP 2152413 A JP2152413 A JP 2152413A JP 15241390 A JP15241390 A JP 15241390A JP H0444323 A JPH0444323 A JP H0444323A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
water
cleaning
tank
holder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2152413A
Other languages
English (en)
Inventor
Kiyoto Sato
清人 佐藤
Takeo Takahashi
高橋 武男
Tatsuo Yamamoto
山本 達雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP2152413A priority Critical patent/JPH0444323A/ja
Priority to KR1019910009697A priority patent/KR930011433B1/ko
Publication of JPH0444323A publication Critical patent/JPH0444323A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/04Apparatus for manufacture or treatment
    • H10P72/0402Apparatus for fluid treatment
    • H10P72/0406Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H10P72/0408Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/76Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
    • H10P72/7602Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶用ガラス基板、半導体ウェーハなどを対
象に、洗浄槽内に満たした洗浄水の中に基板を浸漬して
洗浄した後に、該基板の表面に付着している水滴を液切
りさせた上で洗浄槽内がら引き上げる基板の水切り乾燥
装置に関する。
〔従来の技術〕
頭記した各種基板の製造工程では、薬液処理の後に基板
を純水を満たした洗浄槽内に搬入し、ここで基板を純水
で洗浄した後に水切り、乾燥を行い、しかる後に基板を
洗浄槽から引き上げて次の処理工程に移送するようにし
ている。また、洗浄後に行う基板の水切り、乾燥方法と
して、基板の表面に付着している洗浄水の水滴を水の表
面張力を利用して基板から排除するうよにした方法が例
えば特開昭63−301527号公報、あるいは特開平
1−225124号公報などで既に公知である。
これらの提案になる水切り、乾燥方式は、洗浄水(純水
)で満たした洗浄槽の中にキ中リヤ、あるいは吊り下げ
機構で基板を保持したまま水中に浸漬して洗浄を行った
後、槽内の水を徐々に排水して基板を水面上に露出させ
て水切り乾燥させ、しかる後にキャリヤ、吊り下げ機構
を引き上げ操作して基板を槽外に搬出するようにしたも
のである。このような操作により、基板の表面に付着し
ていた水滴は、槽内を下降する水面との間に働く水の表
面張力により引き摺られて水切りされ、水面上に露出し
た部位から順に乾燥状態になる。
〔発明が解決しようとする1IN) ところで、前記した従来方式では基板を完全に水切りで
きず、特にキャリヤ、吊り下げ機構との接触部分に水滴
が残り、これが原因で基板に乾燥むら、汚れが発生し昌
い難点がある。
すなわち、基板をキャリヤ、あるいは吊り下げ機構に保
持して水中に浸漬すると、基板とこれに接するキャリヤ
、吊り下げ機構との間の接触部分の微小な隙間に毛細管
現象が働いて水が滲み込むようになる。しかも、固体間
の隙間に浸透した水に吸引力として働く固−液間の界面
張力は、基板の自由表面に付着した水滴に働く表面張力
よりも大きく、このために洗浄槽内の水面降下に伴って
キャリヤ、ないし吊り下げ機構が水面上に露出した状態
になっても、基板との間の隙間に滲みこんだ水は水面側
から吸引力として作用する表面張力では排除されずにそ
のまま隙間内に残り、これが基板に乾燥むら、汚れを引
き起こす原因となって基板の品質を劣化させる。
本発明は上記の点にかんがみなされたものであり、従来
方式を改良することにより、基板上から水滴を完全に水
切りして乾燥できるようにした基板の水切り乾燥装置を
提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決するために、本発明の装置は、洗浄槽内
に満たした洗浄水を槽の底部側から徐々に抜く排水弁と
、洗浄槽内の底部に設置して槽内に搬入された基板を起
立姿勢に受容保持する固定ホルダと、洗浄槽の上方より
アクセスして前記固定ホルダに保持されている基板を把
持する基板引き上げ用の可動ホルダを備え、基板の洗浄
後に排水弁を通じて槽内の洗浄水を徐々に排水するとと
もに、固定ホルダが水面下に没している状態で水面上に
露出した基板部分を可動ホルダにより把持し、緩速で基
板を水面上に引き上げ操作するよう構成したものである
〔作用〕
上記のように洗浄槽内に搬入した基板を保持する手段を
、槽内の底部で基板を起立姿勢に支える固定ホルダと、
基板を把持して槽内から引き上げる可動ホルダとに分け
、かつこれに洗浄槽内の水面を下降させる前半の水切り
工程と、水面上に露出して水切り、乾燥した部位を可動
ホルダが把持して基板を槽内から引き上げる後半の水切
り工程を組合わせて基板の水切り、乾燥をjテうことに
より、水中に浸漬している基板部分に全く触れることな
く可動ホルダの操作で基板を槽内から引き上げることが
でき、これにより基板の完全な水切り乾燥状態が得られ
る。
〔実施例〕
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
まず、第1図に装置全体の構成を示す0図において、1
は底面が中央部に向けて下向きに傾斜した洗浄槽であり
、その底部から引出した排水管2にはニードル弁などの
排水弁3が接続され、さらに槽内の傾斜底壁上には、液
晶用ガラス基板を対象とした方形状の基板4を図示のよ
うに基板の対角線を上下、左右に向けた起立姿勢に並べ
て担持する固定ホルダ5が装備されている。また、6は
洗浄槽1の上方からアクセスして固定ホルダ5に担持さ
れている基板4を受は取り、槽外に引き上げる可動ホル
ダである。この可動ホルダ6の詳細構造は第2図、第3
図に示すごとくであり、口字形をなす二股状のフレーム
7と、フレーム7の先端記取付けた開閉爪8と、該爪8
を開閉操作するアクチュエータ9とを装備し、支持アー
ムlOを介してハンドリング用ロボット11に連結され
ている。
なお、図示は基板の把持状態を示しており、フレーム7
の先端と開閉爪8(閉している)との間に複数枚の基板
4が一括して把持されている。ここで、方形状の基板4
はその対角線上に並ぶ左右の角部が爪8に係止して把持
されるでいる。
次に、第4図により基板4の洗浄、水切り乾燥工程を説
明する。なお第4図において、12は前段工程から受は
取った基板を洗浄槽1に搬入する搬入専用の可動ホルダ
であり、先記した基板引き上げ専用の可動ホルダ6とは
別個に設備されている。
まず、洗浄槽1には洗浄水としての純水13が水位n1
まで満たされている。ここで前段工程で処理された基板
4は搬入用の可動ホルダ12の操作により第4図(a)
に表した移動経路Aを経て洗浄槽4に搬入され、基板4
が槽内の底部に設けた固定ホルダ5に移載される。一方
、空になった可動ホルダ12は洗浄槽から出て待機位置
に後退する。なお、この時点では基板引き上げ用の可動
ホルダ6が槽外の待機位置に後退している。続いて洗浄
槽内でオーバーフロー洗浄方式などにより基板4の洗浄
を行った後、次にら)図のように排水弁3を通じて槽内
の純水を少量ずつ排水して槽内の水面を緩速で降下させ
る。この水面下降操作により、固定ホルダ5に担持され
ている基板4は上端部位から徐々に水面上に露出するよ
うになり、この過程で基板4の表面に付着している水滴
は水面との間に働(表面張力により水切りされ、水面上
に露出した部分から順に乾燥状態になる。
そして、水面の下降操作に伴う基板4の水切りが進行し
、(C)図のように水面が水位H3にまで下降(但し、
固定ホルダ5は水面下に没している)して基板4の少な
くとも上半分域以上が水面上に露出した状態になると、
次に可動ホルダ6を待機位置から移動経路Bを経て上方
から洗浄槽内に搬入し、ここで水面上に露出している基
板4の左右角部(既に水切りが済んで乾燥状態になって
いる)を把持する。続いて可動ホルダ6を緩速で上昇操
作し、水位H3の水面下に浸漬していた基板4の残り部
分を徐々に水面上に露出させ、この引き上げ過程で表面
張力による水切り、乾燥を行う、なお、可動ホルダ6の
引き上げ操作により、基板4は槽内の固定ホルダ5から
H脱した状態で水面上に露出する。そして、基板4が完
全に水面上に露出した後に、可動ホルダ6を洗浄槽1の
外に引き上げて基板4を後段工程に移送する。以下同様
な操作を繰り返し、基板の洗浄、水切り乾燥工程をバン
チ方式で進める。
上記のような水切り操作で基板4を水面上に引き上げる
ことにより、乾いている可動ホルダ6が基板4の乾燥状
態の部分を把持して引き上げ、さらに槽内の水面下で固
定ホルダ5に担持されていた基板4の下縁部分も固定ホ
ルダ5より離脱してから水面上に露出するようになり、
したがって基板4の表面、特に固定ホルダ5.可動ホル
ダ6と接触する部分に水滴が残るおそれは全くない。
なお、図示実施例では、基板の搬入用と引き上げ用とに
分けて2基の可動ホルダ6.12を備えているが、洗浄
槽内への基板搬入の際に水で濡れた可動ホルダを槽外で
乾燥させる手段を併設することにより、可動ホルダ6.
12を1基で共用することも可能である。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明による基板の水切り乾燥装置に
よれば、従来方式におけるキャリヤ、吊り上げ機構など
のように、基板引き上げ手段が水中に没したままの状態
で基板を保持することがなく、可動ホルダは水面上に露
出した乾燥部分を把持して基板を引き上げる。
したがって可動ホルダとの接触部分に水滴が残るといっ
た問題が解消され、基板を完全に水切り乾燥した状態で
洗浄槽から引き上げて次段工程へ移送でき、これにより
乾燥むら、汚れの発生を確実に防止して基板の品質の向
上化が図れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例の全体構成図、第2図第3図はそ
れぞれ第1図における可動ホルダの詳細構造を示す正面
図、側面図、第4図(a)〜(C)は第1図の装置によ
る基板の洗浄、水切り乾燥工程の説明図である0図にお
いて、 1;洗浄槽、2:排水管、3:排水弁、4:基第2肥

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)洗浄槽内に満たした洗浄水の中に基板を浸漬して洗
    浄した後に、該基板の表面に付着している水滴を液切り
    させた上で洗浄槽から引き上げる基板の液切り乾燥装置
    であって、洗浄槽内に満たした洗浄水を槽の底部側から
    徐々に抜く排水弁と、洗浄槽内の底部に設置して槽内に
    搬入された基板を起立姿勢に受容保持する固定ホルダと
    、洗浄槽の上方よりアクセスして前記固定ホルダに保持
    されている基板を把持する基板引き上げ用の可動ホルダ
    を備え、基板の洗浄後に排水弁を通じて槽内の洗浄水を
    徐々に排水するとともに、固定ホルダが水面下に没して
    いる状態で水面上に露出した基板部分を可動ホルダによ
    り把持し、緩速で基板を水面上に引き上げ操作すること
    を特徴とする基板の水切り乾燥装置。
JP2152413A 1990-06-11 1990-06-11 基板の水切り乾燥装置 Pending JPH0444323A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2152413A JPH0444323A (ja) 1990-06-11 1990-06-11 基板の水切り乾燥装置
KR1019910009697A KR930011433B1 (ko) 1990-06-11 1991-06-11 기판의 물빼기 건조장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2152413A JPH0444323A (ja) 1990-06-11 1990-06-11 基板の水切り乾燥装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0444323A true JPH0444323A (ja) 1992-02-14

Family

ID=15539974

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2152413A Pending JPH0444323A (ja) 1990-06-11 1990-06-11 基板の水切り乾燥装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPH0444323A (ja)
KR (1) KR930011433B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995002473A1 (en) * 1993-07-16 1995-01-26 Cfmt, Inc. Static megasonic cleaning system for cleaning objects
WO1997048129A1 (en) * 1996-06-14 1997-12-18 Seiko Epson Corporation Pull-up drying method and drying apparatus
JP2014103149A (ja) * 2012-11-16 2014-06-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995002473A1 (en) * 1993-07-16 1995-01-26 Cfmt, Inc. Static megasonic cleaning system for cleaning objects
WO1997048129A1 (en) * 1996-06-14 1997-12-18 Seiko Epson Corporation Pull-up drying method and drying apparatus
US6179930B1 (en) 1996-06-14 2001-01-30 Seiko Epson Corporation Pull-up drying method and apparatus
JP2014103149A (ja) * 2012-11-16 2014-06-05 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
KR920001642A (ko) 1992-01-30
KR930011433B1 (ko) 1993-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6027574A (en) Method of drying a substrate by lowering a fluid surface level
CN1145691A (zh) 化学处理基片的方法和装置
JPH07111963B2 (ja) 基板の洗浄乾燥装置
US20010045223A1 (en) Semiconductor wafer cleaning apparatus and method of using the same
JPH0444323A (ja) 基板の水切り乾燥装置
US20020129838A1 (en) Substrate aspiration assembly
JP3167765B2 (ja) 自動洗浄装置
JPS63208223A (ja) ウエハ処理装置
JPH0536668A (ja) 半導体基板乾燥方法
US6379470B2 (en) Method and device for treating substrates
JP3066986B2 (ja) ウエット処理装置及びウエット処理方法
JP3219284B2 (ja) 洗浄処理装置
JP3248789B2 (ja) 基板ウェット処理方法および処理システム
JPH11317390A (ja) 基板乾燥方式
JPH03125457A (ja) 半導体ウェハ支持キャリア
JP3048735B2 (ja) ウェーハ処理装置用搬送機構
JPH10125646A (ja) ウエハー洗浄装置
JPH01138721A (ja) ウェットエッチング装置
JP2000279898A (ja) 基板処理装置
JPH0444321A (ja) 基板運搬用キャリヤ
JPH03165032A (ja) 純水引き上げ乾燥装置
JPH04317330A (ja) 精密洗浄用の基板保持具
KR950010445Y1 (ko) 반도체웨이퍼 지지캐리어
JPH1116869A (ja) 基板の洗浄乾燥方法
JPH10163160A (ja) 基板処理方法およびその装置