JPH0444419B2 - - Google Patents

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JPH0444419B2
JPH0444419B2 JP58243951A JP24395183A JPH0444419B2 JP H0444419 B2 JPH0444419 B2 JP H0444419B2 JP 58243951 A JP58243951 A JP 58243951A JP 24395183 A JP24395183 A JP 24395183A JP H0444419 B2 JPH0444419 B2 JP H0444419B2
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JP
Japan
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substrate
multilayer wiring
sic
wiring substrate
heat dissipation
Prior art date
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JP58243951A
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English (en)
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JPS60136320A (ja
Inventor
Hiroaki Doi
Tatsuji Sakamoto
Toshihiro Yamada
Motohiro Sato
Kanji Ootsuka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は絶縁基板に複数のSiチツプが実装され
た半導体装置、特に発熱量の多いSiチツプの放熱
に好適な半導体装置に関するものである。
〔発明の背景〕
従来のこの種の半導体装置においては、例えば
特開昭57−2591号に開示されているようにアルミ
ナセラミツク基板（AI2O3板）にＷなどの配線を
施している。このAI2O3基板の熱伝導率は小さい
ため、発熱量の多い半導体素子を接続すると放熱
が不十分となるという欠点があつた。
〔発明の目的〕
本発明の目的は放熱性能の高い半導体装置を提
供することにある。
〔発明の概要〕
炭化ケイ素（SiCと略す）は熱伝導率
（0.65cal／cm・sec・℃）が高い絶縁材料である
という点から放熱性能の高い多層配線基板材料に
適していると考えられてきた。しかし、SiC上に
従来の方法によつてＷメタライズなどの配線導体
を作成しようとすると、配線導体がはがれてしま
うため、SiCを用いた半導体装置は作られていな
い。
そこで本発明者らは、鋭意検討した結果SiCへ
の配線導体作成法として配線導体をSiCへ拡散接
合することを試みた。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の半導体装置の実施例を第１図、
第２図により説明する。第１図は断面図、第２図
は第１図のキヤツプを取り除いたものの平面図で
ある。第１図において貫通孔内に導体であるAl
１を入れられたSiC基板２はAlの金属配線杆３と
拡散接合され多層配線基板を形成している。この
多層配線基板の下面にはリード線４が付けられ、
上面にははんだ５を介してSiチツプ６が接合され
ている。多層配線基板には低融点ガラス７によつ
てキヤツプ８が取付けられている。第１図におい
て、配線導体はAl以外にも、SiC基板２と拡散接
合が可能で、電気抵抗の小さい金属であれば良
い。又、貫通孔内に入れる材料はAl以外にも、
貫通孔に充てん可能で電気抵抗の小さい金属であ
ればよい。なお、配線導体をSiC２に接合する場
合、配線導体は基板全面に渡り一体パターン加工
を施したものを用いる場合と部分パターン加工を
施したものを用いる場合がある。又、配線導体を
エツチングにより形成してもよい。拡散接合を完
了した多層基板には配線導体の厚さにほぼ等しい
微小隙間ができるため、強制空冷時にSiCの放熱
面積を増加させる効果がある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、Siチツプを熱伝導率の大きい
材料に拡散接合ができるので、放熱性能の高い半
導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の半導体装置一実施例の断面
図、第２図は第１図においてキヤツプを いたも
のの平面図である。 １……Al、２……SiC、３……Al配線、４……
リード線、５……はんだ、６……Siチツプ、７…
…低融点ガラス、８……キヤツプ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 内部に導体１を有する絶縁基板２上にSiチツ
    プ６を実装した半導体装置において、前記絶縁基
    板を熱伝導性材料により構成すると共に、この熱
    伝導性材料と金属配線材３を相互に重ね合わせて
    拡散接合し、前記金属配線材を前記導体と電気的
    に接合したことを特徴とする半導体装置。
JP58243951A 1983-12-26 1983-12-26 半導体装置 Granted JPS60136320A (ja)

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JP58243951A JPS60136320A (ja) 1983-12-26 1983-12-26 半導体装置

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JPS60136320A JPS60136320A (ja) 1985-07-19
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JP2556881B2 (ja) * 1988-05-31 1996-11-27 キヤノン株式会社 電気回路装置

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JPS60136320A (ja) 1985-07-19

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