JPS60136320A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS60136320A JPS60136320A JP58243951A JP24395183A JPS60136320A JP S60136320 A JPS60136320 A JP S60136320A JP 58243951 A JP58243951 A JP 58243951A JP 24395183 A JP24395183 A JP 24395183A JP S60136320 A JPS60136320 A JP S60136320A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- multilayer wiring
- sic
- wiring
- heat dissipation
- Prior art date
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07231—Techniques
- H10W72/07236—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/20—Bump connectors, e.g. solder bumps or copper pillars; Dummy bumps; Thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は絶縁基板に複数のSlチップが実装された半導
体装置、特に発熱量の多いSiチップの放熱に好適な半
導体装置に関するものである。
体装置、特に発熱量の多いSiチップの放熱に好適な半
導体装置に関するものである。
従来のこの種の半導体装置においては、例えば特開昭5
7−2591号に開示されているようにアルミナセラミ
ック基板(AQ、O3板)にWなどの配線を施している
。このAQ□03基板の熱伝導率は小さいため、発熱量
の多い半導体素子を接続すると放熱が不十分となるとい
う欠点があった。
7−2591号に開示されているようにアルミナセラミ
ック基板(AQ、O3板)にWなどの配線を施している
。このAQ□03基板の熱伝導率は小さいため、発熱量
の多い半導体素子を接続すると放熱が不十分となるとい
う欠点があった。
本発明の目的は放熱性能の高い半導体装置を提供するこ
とにある。
とにある。
炭化ケイ素(SiCと略す)は熱伝導率(0,65ca
l/ cm−sec・℃)が高い絶縁材料であるという
点から放熱性能の高い多層配線基板材料に適していると
考えられてきた。しかし、SiC上に従来の方法によっ
てWメタライズなどの配線導体を作成しようとすると、
配線導体がはがれてしまうため、SiCを用いた半導体
装置は作られていない。
l/ cm−sec・℃)が高い絶縁材料であるという
点から放熱性能の高い多層配線基板材料に適していると
考えられてきた。しかし、SiC上に従来の方法によっ
てWメタライズなどの配線導体を作成しようとすると、
配線導体がはがれてしまうため、SiCを用いた半導体
装置は作られていない。
そこで本発明者らは、鋭意検討した結果SiCへの配線
導体作成法として配線導体をSiCへ拡散接合すること
を試みた。
導体作成法として配線導体をSiCへ拡散接合すること
を試みた。
以下、本発明の半導体装置の実施例を第1図。
第2図により説明する。第1図は断面図、第2図は第1
図のキャップを取り除いたものの平面図である。第1図
において貫通孔内にAl1を入れられたSiC基板2は
A Q配線3と拡散接合され多層配線基板を形成してい
る。この多層配線基板の下面にはリード線4が付けられ
、上面にははんだ5を介してSiチップ6が接合されて
いる。多層配線基板には低融点ガラス7によってキャッ
プ8が取伺けられている。第1図において、配線導体は
AQ以外にも、SiC基板2と拡散接合が可能で、電気
抵抗の小さい金属であれば良い。又、貫通孔内に入れる
材料はAQ以外にも、貫通孔に充”Cん可能で電気抵抗
の小さい金属であればよい。
図のキャップを取り除いたものの平面図である。第1図
において貫通孔内にAl1を入れられたSiC基板2は
A Q配線3と拡散接合され多層配線基板を形成してい
る。この多層配線基板の下面にはリード線4が付けられ
、上面にははんだ5を介してSiチップ6が接合されて
いる。多層配線基板には低融点ガラス7によってキャッ
プ8が取伺けられている。第1図において、配線導体は
AQ以外にも、SiC基板2と拡散接合が可能で、電気
抵抗の小さい金属であれば良い。又、貫通孔内に入れる
材料はAQ以外にも、貫通孔に充”Cん可能で電気抵抗
の小さい金属であればよい。
なお、配線導体をS i C2に接合する場合、配線導
体は基板全面に渡り導体パターン加工を施したものを用
いる場合と部分パターン加工を施したものを用いる場合
がある。又、配線導体をエツチングにより形成し′Cも
よい。拡散接aを完rした多層基板には配線導体の厚さ
にほぼ等しい微小隙間ができるため、強制空冷時にSi
Cの放熱面積を増加させる効果がある。
体は基板全面に渡り導体パターン加工を施したものを用
いる場合と部分パターン加工を施したものを用いる場合
がある。又、配線導体をエツチングにより形成し′Cも
よい。拡散接aを完rした多層基板には配線導体の厚さ
にほぼ等しい微小隙間ができるため、強制空冷時にSi
Cの放熱面積を増加させる効果がある。
本発明によれば、Siチップを熱伝導率の太きい材料に
拡散接合ができるので、放熱性能の高い半導体装置を得
ることができる。
拡散接合ができるので、放熱性能の高い半導体装置を得
ることができる。
第1図は本発明の半導体装置一実施例の断面図。
第2図は第1図においてキャップを いたも□のの平面
図である。 1・・・AQ、2・・・5iC13・・・AQ配線、4
・・・リード線、5・・・はんだ、6・・・Siチップ
、7・・・低融点;i′1 目 才zl¥1
図である。 1・・・AQ、2・・・5iC13・・・AQ配線、4
・・・リード線、5・・・はんだ、6・・・Siチップ
、7・・・低融点;i′1 目 才zl¥1
Claims (1)
- 内部に導体を有する絶縁基板上にSiチップを実装した
半導体装置において、前記絶縁基板を熱伝導性材により
構成すると共に、この熱伝導体材と金属配線材を相互に
重ね合わせて拡散接合し、前記金属配線材を前記導体と
電気的に接合したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58243951A JPS60136320A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58243951A JPS60136320A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60136320A true JPS60136320A (ja) | 1985-07-19 |
| JPH0444419B2 JPH0444419B2 (ja) | 1992-07-21 |
Family
ID=17111459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58243951A Granted JPS60136320A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60136320A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01302832A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Canon Inc | 電気回路装置 |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP58243951A patent/JPS60136320A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01302832A (ja) * | 1988-05-31 | 1989-12-06 | Canon Inc | 電気回路装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0444419B2 (ja) | 1992-07-21 |
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