JPH0445513A - 投影装置およびアライメント方法 - Google Patents
投影装置およびアライメント方法Info
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- JPH0445513A JPH0445513A JP2154403A JP15440390A JPH0445513A JP H0445513 A JPH0445513 A JP H0445513A JP 2154403 A JP2154403 A JP 2154403A JP 15440390 A JP15440390 A JP 15440390A JP H0445513 A JPH0445513 A JP H0445513A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slit
- mount
- crystal
- single crystal
- driving means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばＬＳＩの製造プロセスにおけるＸ線リ
ソグラフィ工程で使用する投影装置およびアライメント
方法に関するものである。
ソグラフィ工程で使用する投影装置およびアライメント
方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来、この種の投影装置は第８図に示すように構成され
ている。これを同図に基づいて概略説明すると、同図に
おいて、符号１はストレージリング、２はモノクロメー
タ、３はサンプルチェンバー、４はスリット、５はモノ
クロ結晶、６は放射光である。
ている。これを同図に基づいて概略説明すると、同図に
おいて、符号１はストレージリング、２はモノクロメー
タ、３はサンプルチェンバー、４はスリット、５はモノ
クロ結晶、６は放射光である。
このように構成された投影装置においては、ストレージ
リング１で発生する放射光６がスリット４によって整形
され後、モノクロメータ２内のモノクロ結晶によって単
色化されてサンプルチェンバー３内に導入されることに
よりビームラインをアライメントすることができる。な
お、このアライメントは、モノクロメータ２およびサン
プルチェンバー３等の各構成部品が相互に独立して動作
可能であることから、光路が妨げられずに行われる。
リング１で発生する放射光６がスリット４によって整形
され後、モノクロメータ２内のモノクロ結晶によって単
色化されてサンプルチェンバー３内に導入されることに
よりビームラインをアライメントすることができる。な
お、このアライメントは、モノクロメータ２およびサン
プルチェンバー３等の各構成部品が相互に独立して動作
可能であることから、光路が妨げられずに行われる。
ところで、この種の投影装置およびアライメント方法に
おいては、アライメント時にモノクロメータ２およびサ
ンプルチェンバー３等の各構成部品を単独に動作させる
機能しか備えておらず、このためガイドラインや回動中
心が一定せず、特にビームラインの−立ち上がり時にア
ライメント誤差が大きくなり、アライメント精度が低下
するという問題があった。また、アライメント時に各構
成部品が単独に動作する機能しかもたないこと−は、ス
トレージリング１の近い側の構成部品を動作させた場合
には遠い側の構成部品を動作させる必要が生じ、アライ
メントに多大の時間を費やすという問題もあった。
おいては、アライメント時にモノクロメータ２およびサ
ンプルチェンバー３等の各構成部品を単独に動作させる
機能しか備えておらず、このためガイドラインや回動中
心が一定せず、特にビームラインの−立ち上がり時にア
ライメント誤差が大きくなり、アライメント精度が低下
するという問題があった。また、アライメント時に各構
成部品が単独に動作する機能しかもたないこと−は、ス
トレージリング１の近い側の構成部品を動作させた場合
には遠い側の構成部品を動作させる必要が生じ、アライ
メントに多大の時間を費やすという問題もあった。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、アラ
イメント精度を高めることができると共に、アライメン
トに費やす時間を短縮することができる投影装置および
アライメント方法を提供するものである。
イメント精度を高めることができると共に、アライメン
トに費やす時間を短縮することができる投影装置および
アライメント方法を提供するものである。
本発明に係る投影装置は、ビーム発生源を基準点にして
動作する第１架台と、この第１架台上に設けられ第１ス
リットの開口を基準部として動作する第２架台と、この
第２架台上に設けられモノクロ結晶を内蔵する動作可能
なモノクロメータを基準部として動作する第３架台と、
この第３架台上に設けられかつモノクロメータのビーム
下流側に設けられた第２スリットと、この第２スリット
のビーム下流側に設けられかつ第３架台上に動作可能に
設けられ単結晶を搭載する第１駆動手段と、この第１駆
動手段のビーム下流側に設けられかつ第３架台上に動作
可能に設けられ被投影部材を搭載する第２駆動手段とを
備えたものである。
動作する第１架台と、この第１架台上に設けられ第１ス
リットの開口を基準部として動作する第２架台と、この
第２架台上に設けられモノクロ結晶を内蔵する動作可能
なモノクロメータを基準部として動作する第３架台と、
この第３架台上に設けられかつモノクロメータのビーム
下流側に設けられた第２スリットと、この第２スリット
のビーム下流側に設けられかつ第３架台上に動作可能に
設けられ単結晶を搭載する第１駆動手段と、この第１駆
動手段のビーム下流側に設けられかつ第３架台上に動作
可能に設けられ被投影部材を搭載する第２駆動手段とを
備えたものである。
また、本発明の別の発明に係るアライメント方法は、予
めビーム軌道と異なる位置にモノクロ結晶を後退させ、
モノクロメータ内をビームが通過してビームカウンタに
到達するように第１スリットの開口を基準部として第２
架台を動作させる工程と、ビームカウンタに到達するビ
ームの強度が最大となるようにビーム発生源を基準部と
して第１架台を動作させる工程と、ビーム軌道上にモノ
クロ結晶を前進させた後、ビームがビームカウンタに到
達するようにモノクロメータを動作させる工程と、第２
駆動手段上に被投影部材の代わりに第３スリットを位置
付け、この第３スリットの開口をビームが通過してビー
ムカウンタに到達するようにモノクロ結晶を動作させる
工程と、第１駆動手段上に単結晶の代わりに第４スリッ
トを位置付け、この第４スリットおよび第２スリットの
開口を通過するようにモノクロ結晶を基準部として第３
架台を動作させる工程と、モノクロ結晶を基準部として
第４スリットを微動させることにより第３スリットの開
口と第４スリットの開口の位置合わせをする工程と、こ
の第４スリットの代わりに単結晶を第１駆動手段上に位
置付け、この単結晶を回動させることにより単結晶軸の
傾きを補正した後、第４スリットの開口を通過してビー
ムカウンタに到達するように単結晶を水平方向と垂直方
向に移動させる工程と、第３スリットの代わりに半導体
ウェハを位置付けると共に、第１スリットの代わりに２
開口を有する第５スリットを位置付け、この第５スリッ
トの２開口を通過したビームが第１アライメントマーク
に照射するようにモノクロ結晶を動作させた後、第４ス
リットの代わりに被投影部材を第１駆動手段上に位置付
け、単結晶を出射したビームが第２アライメントマーク
を照射するように被投影部材を動作させる工程とを備え
たものである。
めビーム軌道と異なる位置にモノクロ結晶を後退させ、
モノクロメータ内をビームが通過してビームカウンタに
到達するように第１スリットの開口を基準部として第２
架台を動作させる工程と、ビームカウンタに到達するビ
ームの強度が最大となるようにビーム発生源を基準部と
して第１架台を動作させる工程と、ビーム軌道上にモノ
クロ結晶を前進させた後、ビームがビームカウンタに到
達するようにモノクロメータを動作させる工程と、第２
駆動手段上に被投影部材の代わりに第３スリットを位置
付け、この第３スリットの開口をビームが通過してビー
ムカウンタに到達するようにモノクロ結晶を動作させる
工程と、第１駆動手段上に単結晶の代わりに第４スリッ
トを位置付け、この第４スリットおよび第２スリットの
開口を通過するようにモノクロ結晶を基準部として第３
架台を動作させる工程と、モノクロ結晶を基準部として
第４スリットを微動させることにより第３スリットの開
口と第４スリットの開口の位置合わせをする工程と、こ
の第４スリットの代わりに単結晶を第１駆動手段上に位
置付け、この単結晶を回動させることにより単結晶軸の
傾きを補正した後、第４スリットの開口を通過してビー
ムカウンタに到達するように単結晶を水平方向と垂直方
向に移動させる工程と、第３スリットの代わりに半導体
ウェハを位置付けると共に、第１スリットの代わりに２
開口を有する第５スリットを位置付け、この第５スリッ
トの２開口を通過したビームが第１アライメントマーク
に照射するようにモノクロ結晶を動作させた後、第４ス
リットの代わりに被投影部材を第１駆動手段上に位置付
け、単結晶を出射したビームが第２アライメントマーク
を照射するように被投影部材を動作させる工程とを備え
たものである。
本発明およびこの発明の別の発明においては、アライメ
ント時に第１架台の動作によって第２架台および第３架
台を動作させることができ、第２架台の動作によって第
３架台を動作させることができると共に、モロクロメー
タ内のモノクロ結晶および第３架台上の単結晶と被投影
部材を動作させることができる。
ント時に第１架台の動作によって第２架台および第３架
台を動作させることができ、第２架台の動作によって第
３架台を動作させることができると共に、モロクロメー
タ内のモノクロ結晶および第３架台上の単結晶と被投影
部材を動作させることができる。
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る投影装置の概略を示す斜視図、第
２図は同じく本発明における投影装置のゴニオメータを
示す斜視図である。同図において、符号１１で示すもの
はビーム１２の発生源としてのシンクロトロン１３のベ
ンディングマグネット１４を基準部としてゴニオメータ
１５によって動作する第１架台、１６はこの第１架台１
１上に設けられ第１スリーフト１７のピンホール１８を
基準部としてゴニオメータ１９によって動作する第２架
台、２０はこの第２架台１６上に設けられ第１モノクロ
結晶２１および第２モノクロ結晶２−２を内蔵する動作
可能なモノクロメータ２３を基準部としてゴニオメータ
２４によって回動する第３架台、２５はこの第３架台２
０上に設けられかつ前記モノクロメータ２３のビーム下
流側に設けられた第２スリット、２６はこの第２スリッ
ト２５のビーム下流側に設けられかつ前記第３架台２０
上に動作可能に設けられ単結晶２７を搭載する第１駆動
手段としてのゴニオメータ、２８はこのゴニオメータ２
６のビーム下流側に設けられかつ前記第３架台２０上に
動作可能に設けられた被投影部材としての半導体ウェハ
２９を搭載する第２駆動手段としてのゴニオメータであ
る。また、３０および３１は前記第１モノクロ結晶２１
と第２モノクロ結晶２２を駆動するゴニオメータである
。なお、各ゴニオメータは、回動動作と進退動作の両機
能を備えているものとする。また、図中矢印は各構成部
品の動作方向を示す。
２図は同じく本発明における投影装置のゴニオメータを
示す斜視図である。同図において、符号１１で示すもの
はビーム１２の発生源としてのシンクロトロン１３のベ
ンディングマグネット１４を基準部としてゴニオメータ
１５によって動作する第１架台、１６はこの第１架台１
１上に設けられ第１スリーフト１７のピンホール１８を
基準部としてゴニオメータ１９によって動作する第２架
台、２０はこの第２架台１６上に設けられ第１モノクロ
結晶２１および第２モノクロ結晶２−２を内蔵する動作
可能なモノクロメータ２３を基準部としてゴニオメータ
２４によって回動する第３架台、２５はこの第３架台２
０上に設けられかつ前記モノクロメータ２３のビーム下
流側に設けられた第２スリット、２６はこの第２スリッ
ト２５のビーム下流側に設けられかつ前記第３架台２０
上に動作可能に設けられ単結晶２７を搭載する第１駆動
手段としてのゴニオメータ、２８はこのゴニオメータ２
６のビーム下流側に設けられかつ前記第３架台２０上に
動作可能に設けられた被投影部材としての半導体ウェハ
２９を搭載する第２駆動手段としてのゴニオメータであ
る。また、３０および３１は前記第１モノクロ結晶２１
と第２モノクロ結晶２２を駆動するゴニオメータである
。なお、各ゴニオメータは、回動動作と進退動作の両機
能を備えているものとする。また、図中矢印は各構成部
品の動作方向を示す。
このように構成された投影装置においては、アライメン
ト時に第１架台１１の動作によって第２架台１６および
第３架台２０を動作させることができ、第２架台１６の
動作によって第３架台２０を動作させることができると
共に、モノクロメータ２３内の第１モノクロ結晶２１と
第２モノクロ結晶２２および第３架台２０上の単結晶２
７と半導体ウェハ２９を動作させることができる。
ト時に第１架台１１の動作によって第２架台１６および
第３架台２０を動作させることができ、第２架台１６の
動作によって第３架台２０を動作させることができると
共に、モノクロメータ２３内の第１モノクロ結晶２１と
第２モノクロ結晶２２および第３架台２０上の単結晶２
７と半導体ウェハ２９を動作させることができる。
したがって、本実施例においては、ガイドラインや回動
中心（基準部）を設定して各構成部品を整列させること
ができる。
中心（基準部）を設定して各構成部品を整列させること
ができる。
また、本実施例においては、発光源としてのシンクロト
ロン１３の近い側の構成部品を動作させた場合に遠い側
の構成部品をも同時に動作させることができる。
ロン１３の近い側の構成部品を動作させた場合に遠い側
の構成部品をも同時に動作させることができる。
次に、本発明の別の発明におけるアライメント方法につ
き、第３図〜第７図を用いて説明する。
き、第３図〜第７図を用いて説明する。
■ 第３図において、シンクロトロン５１のべンディン
グマグネット５２から出射されるビーム５３を、第１ス
リット５４のピンホール５５を通過してモノクロメータ
５６内に入射させる。ここで、モノクロメータ５６内の
モノクロ結晶５７を予めビーム５３の軌道から異なる位
置に後退させ、モノクロメータ５６内をビーム５３が通
過してシンチレーションカウンタ５８に到達するように
ピンホール５５を基準部として第２架台１６ （第１図
に図示）を同図（ａ）に矢印で示す方向に動作させる。
グマグネット５２から出射されるビーム５３を、第１ス
リット５４のピンホール５５を通過してモノクロメータ
５６内に入射させる。ここで、モノクロメータ５６内の
モノクロ結晶５７を予めビーム５３の軌道から異なる位
置に後退させ、モノクロメータ５６内をビーム５３が通
過してシンチレーションカウンタ５８に到達するように
ピンホール５５を基準部として第２架台１６ （第１図
に図示）を同図（ａ）に矢印で示す方向に動作させる。
このとき、シンチレーションカウンタ５８の計数が最大
となるように調整する。なお、カウンタ計数値が著しく
大きい場合（＞ １００００カウント／５ｅｃ）には、
適宜アブソーバを挿入する。そして、同図（ｂｌに破線
で示すようにベンディングマグネット５２を基準部とし
て第１架台１１ （第１図に図示）を動作させてビーム
強度が最大となるように調整する。
となるように調整する。なお、カウンタ計数値が著しく
大きい場合（＞ １００００カウント／５ｅｃ）には、
適宜アブソーバを挿入する。そして、同図（ｂｌに破線
で示すようにベンディングマグネット５２を基準部とし
て第１架台１１ （第１図に図示）を動作させてビーム
強度が最大となるように調整する。
■ 第４図において、モノクロメータ５６内のモノクロ
結晶５７をビーム軌道上に前進させる。
結晶５７をビーム軌道上に前進させる。
そして、ビーム５３がシンチレーションカウンタ５８に
到達するようにモノクロメータ５６を同図（ａｌに示す
方向に微動させ、モノクロ結晶５７の結晶面の全体にビ
ーム５３が入射するように調整すると共に、ブラッグ条
件を満足するようにビーム５３の入射角を調整する。こ
のとき、ビーム５３は、同図（ｂ）に符号ａで示すよう
に第１モノクロ結晶５７ａに入射して第２モノクロ結晶
５７ｂから出射する。なお、シンチレーションカウンタ
５８の位置は、ビーム５３の高さ変化に対応するように
設定する。同図（Ｃ）において、半導体ウェハ２９（図
示せず）の代わりに第３スリット５９を位置付け、この
第３スリット５９のピンホール６０を通過してシンチレ
ーションカウンター５８に到達するようにモノクロ結晶
５７を矢印で示す方向に微動させる。なお、符号６１は
単結晶２７（第１図に図示）を駆動するゴニオメータで
ある。
到達するようにモノクロメータ５６を同図（ａｌに示す
方向に微動させ、モノクロ結晶５７の結晶面の全体にビ
ーム５３が入射するように調整すると共に、ブラッグ条
件を満足するようにビーム５３の入射角を調整する。こ
のとき、ビーム５３は、同図（ｂ）に符号ａで示すよう
に第１モノクロ結晶５７ａに入射して第２モノクロ結晶
５７ｂから出射する。なお、シンチレーションカウンタ
５８の位置は、ビーム５３の高さ変化に対応するように
設定する。同図（Ｃ）において、半導体ウェハ２９（図
示せず）の代わりに第３スリット５９を位置付け、この
第３スリット５９のピンホール６０を通過してシンチレ
ーションカウンター５８に到達するようにモノクロ結晶
５７を矢印で示す方向に微動させる。なお、符号６１は
単結晶２７（第１図に図示）を駆動するゴニオメータで
ある。
■ 第５図において、同図（δ）に示すように単結晶２
７（第１図に図示）の代わりに第４スリット６２を位置
付け、この第４スリット６２のピンホール６３およびビ
ーム上流側の第２スリット６４のピンホール６５を通過
するように第３架台２０（第１図に図示）を動作させる
。このとき、モノクロ結晶５７を中心としたゴニオメー
タ２４ （第１図に図示）の回動動作に対応させてシン
チレーションカウンタ５８の計数値を最大となるように
調整する。次に、同図（ｂｌにおいて、ゴニオメータ２
４の中心点Ｏ（ピンホール６３）を微動させることによ
り第４スリット６２のピンホール６３と第３スリット５
９のピンホール６０の位置合わせをする。このとき、ゴ
ニオメータ２６，２８ （第１図に図示）を角度α、
βだけ同時に動作させてピンホール６５の位置が変化し
ないようにする。
７（第１図に図示）の代わりに第４スリット６２を位置
付け、この第４スリット６２のピンホール６３およびビ
ーム上流側の第２スリット６４のピンホール６５を通過
するように第３架台２０（第１図に図示）を動作させる
。このとき、モノクロ結晶５７を中心としたゴニオメー
タ２４ （第１図に図示）の回動動作に対応させてシン
チレーションカウンタ５８の計数値を最大となるように
調整する。次に、同図（ｂｌにおいて、ゴニオメータ２
４の中心点Ｏ（ピンホール６３）を微動させることによ
り第４スリット６２のピンホール６３と第３スリット５
９のピンホール６０の位置合わせをする。このとき、ゴ
ニオメータ２６，２８ （第１図に図示）を角度α、
βだけ同時に動作させてピンホール６５の位置が変化し
ないようにする。
また、ビームの強度が最大になる点を検出する。
■ 第６図において、同図（ａ）に示すように第４スリ
ット６２の代わりに単結晶２７をゴニオメータ２６ （
第１図に図示）上に位置付け、この単結晶２７をゴニオ
メータ２６によって回動させることにより単結晶軸の傾
きを補正して垂直にする。
ット６２の代わりに単結晶２７をゴニオメータ２６ （
第１図に図示）上に位置付け、この単結晶２７をゴニオ
メータ２６によって回動させることにより単結晶軸の傾
きを補正して垂直にする。
これは、ラウェテレビ６６によってモニターされる０次
に、同図（ｂ）に符号６７で示す水平方向に単結晶２７
ａを結晶面がビーム５３に平行になるように微動させ、
ビーム径の半分が隠れるように調整する。そして、同図
（ｂ）に符号６８で示す垂直方向に単結晶２７ｂを微動
させ、第３スリット５９のピンホール６０を通過したビ
ーム５３が最大となるようにωスキャン、２θ−ωスキ
ャンを行う。
に、同図（ｂ）に符号６７で示す水平方向に単結晶２７
ａを結晶面がビーム５３に平行になるように微動させ、
ビーム径の半分が隠れるように調整する。そして、同図
（ｂ）に符号６８で示す垂直方向に単結晶２７ｂを微動
させ、第３スリット５９のピンホール６０を通過したビ
ーム５３が最大となるようにωスキャン、２θ−ωスキ
ャンを行う。
■ 第７図において、同図（ａｌに示すように複数個の
ピンホール６９．７０を有する第５スリット７１を第１
スリット５４の代わりに位置付けると共に、第３スリッ
ト５９の代わりに半導体ウェハ２９を位置付ける。この
とき、２つのピンホール６９．７０を通過したビーム５
３は、モノクロ結晶５７と単結晶２７によって回折され
半導体ウェハ２９に至る。そして、モノクロ結晶５７上
に描画されたマスクパターン上のアライメントマーク７
２を照射する。このとき、第５スリット７１のピンホー
ル６９．７０を通過するビーム５３がアライメントマー
ク７２の中央部を照射するように同図（ａｌに矢印で示
すようにモノクロ結晶５７の位置を微調整する。次に、
同図価）に示すように半導体ウェハ２９上のアライメン
トマーク７３を照射する。このとき、ピンホール６９．
７０を通過するビーム５３がアライメントマーク７３の
中央部を照射するように半導体ウェハ２９を微調整する
。
ピンホール６９．７０を有する第５スリット７１を第１
スリット５４の代わりに位置付けると共に、第３スリッ
ト５９の代わりに半導体ウェハ２９を位置付ける。この
とき、２つのピンホール６９．７０を通過したビーム５
３は、モノクロ結晶５７と単結晶２７によって回折され
半導体ウェハ２９に至る。そして、モノクロ結晶５７上
に描画されたマスクパターン上のアライメントマーク７
２を照射する。このとき、第５スリット７１のピンホー
ル６９．７０を通過するビーム５３がアライメントマー
ク７２の中央部を照射するように同図（ａｌに矢印で示
すようにモノクロ結晶５７の位置を微調整する。次に、
同図価）に示すように半導体ウェハ２９上のアライメン
トマーク７３を照射する。このとき、ピンホール６９．
７０を通過するビーム５３がアライメントマーク７３の
中央部を照射するように半導体ウェハ２９を微調整する
。
このようにして、グローバルアライメントが終了するが
、さらに高精度アライメントが必要な場合にはへテロダ
イン法を適宜用いる。
、さらに高精度アライメントが必要な場合にはへテロダ
イン法を適宜用いる。
なお、本実施例においては、１個のスリットである場合
を示したが、本発明は指向性を高めるために２個のスリ
ットとしてもよい。
を示したが、本発明は指向性を高めるために２個のスリ
ットとしてもよい。
また、本実施例においては、シンクロトロンを用いたち
の適用する例を示したが、本発明はこれに限定されず、
通常の回折計を用いたものに適用することができる。
の適用する例を示したが、本発明はこれに限定されず、
通常の回折計を用いたものに適用することができる。
以上説明したように本発明によれば、ビーム発生源を基
準点にして動作する第１架台と、この第１架台上に設け
られ第１スリットの開口を基準部として動作する第２架
台と、この第２架台上に設けられモノクロ結晶を内蔵す
る動作可能なモノクロメータを基準部として動作する第
３架台と、この第３架台上に設けられかつモノクロメー
タのビーム下流側に設けられた第２スリットと、この第
２スリットのビーム下流側に設けられかつ第３架台上に
動作可能に設けられ単結晶を搭載する第１駆動手段と、
この第１駆動手段のビーム下流側に設けられかつ第３架
台上に動作可能に設けられ被投影部材を搭載する第２駆
動手段とを備えたので、また、本発明の別の発明に係る
アライメント方法は、予めビーム軌道と異なる位置にモ
ノクロ結晶を後退させ、モノクロメータ内をビームが通
過してビームカウンタに到達するように第１スリットの
開口を基準部として第２架台を動作させる工程と、ビー
ムカウンタに到達するビームの強度が最大となるように
ビーム発生源を基準部として第１架台を動作させる工程
と、ビーム軌道上にモノクロ結晶を前進させた後、ビー
ムがビームカウンタに到達するようにモノクロメータを
動作させる工程と、第２駆動手段上に被投影部材の代わ
りに第３スリットを位置付け、この第３スリットの開口
をビームが通過してビームカウンタに到達するようにモ
ノクロ結扁を動作させる工程と、第１駆動手段上に単結
晶の代わりに第４スリットを位置付け、この第４スリッ
トおよび第２スリットの開口を通過するようにモノクロ
結晶を基準部として第３架台を動作させる工程と、モノ
クロ結晶を基準部として第４スリットを微動させること
により第３スリットの開口と第４スリットの開口の位置
合わせをする工程と、この第４スリットの代わりに単結
晶を第１駆動手段上に位置付け、この単結晶を回動させ
ることにより単結晶軸の傾きを補正した後、第４スリッ
トの開口を通過してビームカウンタに到達するように単
結晶を水平方向と垂直方向に移動させる工程と、第３ス
リー／ ）の代わりに半導体ウェハを位置付けると共に
、第１スリ７トの代わりに２開口を有する第５スリット
を位置付け、この第５スリットの２開口を通過したビー
ムが第１アライメントマークに照射するようにモノクロ
結晶を動作させた後、第４スリットの代わりに被投影部
材を第１駆動手段上に位置付け、単結晶を出射したビー
ムが第２アライメントマークを照射するように被投影部
材を動作させる工程とを備えたので、アライメント時に
第１架台の動作によって第２架台および第３架台を動作
させることができ、第２架台の動作によって第３架台を
動作させることができると共に、モロクロメータ内のモ
ノクロ結晶および第３架台上の単結晶と被投影部材を動
作させることができる。したがって、ガイドラインや回
動中心を設定して各構成部品を整列させることができる
から、アライメント精度を高めることができる。また、
ビームの発生源に近い側の構成部品を動作させた場合に
遠い側の構成部品をも同時に動作させることができるか
ら、アライメントに費やす時間を短縮することができる
といった利点もある。゛
準点にして動作する第１架台と、この第１架台上に設け
られ第１スリットの開口を基準部として動作する第２架
台と、この第２架台上に設けられモノクロ結晶を内蔵す
る動作可能なモノクロメータを基準部として動作する第
３架台と、この第３架台上に設けられかつモノクロメー
タのビーム下流側に設けられた第２スリットと、この第
２スリットのビーム下流側に設けられかつ第３架台上に
動作可能に設けられ単結晶を搭載する第１駆動手段と、
この第１駆動手段のビーム下流側に設けられかつ第３架
台上に動作可能に設けられ被投影部材を搭載する第２駆
動手段とを備えたので、また、本発明の別の発明に係る
アライメント方法は、予めビーム軌道と異なる位置にモ
ノクロ結晶を後退させ、モノクロメータ内をビームが通
過してビームカウンタに到達するように第１スリットの
開口を基準部として第２架台を動作させる工程と、ビー
ムカウンタに到達するビームの強度が最大となるように
ビーム発生源を基準部として第１架台を動作させる工程
と、ビーム軌道上にモノクロ結晶を前進させた後、ビー
ムがビームカウンタに到達するようにモノクロメータを
動作させる工程と、第２駆動手段上に被投影部材の代わ
りに第３スリットを位置付け、この第３スリットの開口
をビームが通過してビームカウンタに到達するようにモ
ノクロ結扁を動作させる工程と、第１駆動手段上に単結
晶の代わりに第４スリットを位置付け、この第４スリッ
トおよび第２スリットの開口を通過するようにモノクロ
結晶を基準部として第３架台を動作させる工程と、モノ
クロ結晶を基準部として第４スリットを微動させること
により第３スリットの開口と第４スリットの開口の位置
合わせをする工程と、この第４スリットの代わりに単結
晶を第１駆動手段上に位置付け、この単結晶を回動させ
ることにより単結晶軸の傾きを補正した後、第４スリッ
トの開口を通過してビームカウンタに到達するように単
結晶を水平方向と垂直方向に移動させる工程と、第３ス
リー／ ）の代わりに半導体ウェハを位置付けると共に
、第１スリ７トの代わりに２開口を有する第５スリット
を位置付け、この第５スリットの２開口を通過したビー
ムが第１アライメントマークに照射するようにモノクロ
結晶を動作させた後、第４スリットの代わりに被投影部
材を第１駆動手段上に位置付け、単結晶を出射したビー
ムが第２アライメントマークを照射するように被投影部
材を動作させる工程とを備えたので、アライメント時に
第１架台の動作によって第２架台および第３架台を動作
させることができ、第２架台の動作によって第３架台を
動作させることができると共に、モロクロメータ内のモ
ノクロ結晶および第３架台上の単結晶と被投影部材を動
作させることができる。したがって、ガイドラインや回
動中心を設定して各構成部品を整列させることができる
から、アライメント精度を高めることができる。また、
ビームの発生源に近い側の構成部品を動作させた場合に
遠い側の構成部品をも同時に動作させることができるか
ら、アライメントに費やす時間を短縮することができる
といった利点もある。゛
第１図は本発明に係る投影装置の概略を示す斜視図、第
２図は同じく本発明における投影装置のゴニオメータを
示す斜視図、第３図（ａ）および山）は本発明における
ビームラインのアライメントを説明するために示す図、
第４図（ａ）〜（Ｃ）はモノクロメータのアライメント
を説明するために示す図、第５図（ａ）および（′ｂ）
はゴニオメータのアライメントを説明するために示す図
、第６図（ａ）および（ｂ）は結晶のアライメントを説
明するために示す図、第７図（ａ）および（ｂ）はアラ
イメントマーク合わせを説明するために示す図、第８図
は従来の投影装置を示す正面図である。 １１・・・・第１架台、１２・・・・ビーム、１３・・
・・シンクロトロン、１４・・・・ベンディングマグネ
ット、１５・・・・ゴニオメータ、１６・・第２架台、
１７・・・・第１スリット、１８・・・・ピンホール、
１９・・・・ゴニオメータ、２０・・・・第３架台、２
１・・・・第１モノクロ結晶、２２・・・・第２モノク
ロ結晶、２３・・・・モノクロメータ、２４・・・・ゴ
ニオメータ、２５・・・・第２スリット、２６・・・・
ゴニオメータ、２７・・・・単結晶、２８・・・・ゴニ
オメータ、２９・・・・半導体ウェハ、３０．３１・・
・・ゴニオメータ。 代 理 人 大 岩 増 雄第２＠ 第４図 （Ｇ） （ｂ） （Ｃ） （Ｇ） 第６図 第７図
２図は同じく本発明における投影装置のゴニオメータを
示す斜視図、第３図（ａ）および山）は本発明における
ビームラインのアライメントを説明するために示す図、
第４図（ａ）〜（Ｃ）はモノクロメータのアライメント
を説明するために示す図、第５図（ａ）および（′ｂ）
はゴニオメータのアライメントを説明するために示す図
、第６図（ａ）および（ｂ）は結晶のアライメントを説
明するために示す図、第７図（ａ）および（ｂ）はアラ
イメントマーク合わせを説明するために示す図、第８図
は従来の投影装置を示す正面図である。 １１・・・・第１架台、１２・・・・ビーム、１３・・
・・シンクロトロン、１４・・・・ベンディングマグネ
ット、１５・・・・ゴニオメータ、１６・・第２架台、
１７・・・・第１スリット、１８・・・・ピンホール、
１９・・・・ゴニオメータ、２０・・・・第３架台、２
１・・・・第１モノクロ結晶、２２・・・・第２モノク
ロ結晶、２３・・・・モノクロメータ、２４・・・・ゴ
ニオメータ、２５・・・・第２スリット、２６・・・・
ゴニオメータ、２７・・・・単結晶、２８・・・・ゴニ
オメータ、２９・・・・半導体ウェハ、３０．３１・・
・・ゴニオメータ。 代 理 人 大 岩 増 雄第２＠ 第４図 （Ｇ） （ｂ） （Ｃ） （Ｇ） 第６図 第７図
Claims (2)
- （１）ビーム発生源を基準点にして動作する第１架台と
、この第１架台上に設けられ第１スリットの開口を基準
部として動作する第２架台と、この第２架台上に設けら
れモノクロ結晶を内蔵する動作可能なモノクロメータを
基準部として動作する第３架台と、この第３架台上に設
けられかつ前記モノクロメータのビーム下流側に設けら
れた第２スリットと、この第２スリットのビーム下流側
に設けられかつ前記第３架台上に動作可能に設けられ単
結晶を搭載する第１駆動手段と、この第１駆動手段のビ
ーム下流側に設けられかつ前記第３架台上に動作可能に
設けられ被投影部材を搭載する第２駆動手段とを備えた
ことを特徴とする投影装置。 - （２）請求項１において、予めビーム軌道と異なる位置
にモノクロ結晶を後退させ、モノクロメータ内をビーム
が通過してビームカウンタに到達するように第１スリッ
トの開口を基準部として第２架台を動作させる工程と、
ビームカウンタに到達するビームの強度が最大となるよ
うにビーム発生源を基準部として第１架台を動作させる
工程と、ビーム軌道上にモノクロ結晶を前進させた後、
ビームがビームカウンタに到達するようにモノクロメー
タを動作させる工程と、第２駆動手段上に被投影部材の
代わりに第３スリットを位置付け、この第３スリットの
開口をビームが通過してビームカウンタに到達するよう
にモノクロ結晶を動作させる工程と、第１駆動手段上に
単結晶の代わりに第４スリットを位置付け、この第４ス
リットおよび第２スリットの開口を通過するようにモノ
クロ結晶を基準部として第３架台を動作させる工程と、
モノクロ結晶を基準部として第４スリットを微動させる
ことにより第３スリットの開口と第４スリットの開口の
位置合わせをする工程と、この第４スリットの代わりに
単結晶を第１駆動手段上に位置付け、この単結晶を回動
させることにより単結晶軸の傾きを補正した後、第４ス
リットの開口を通過してビームカウンタに到達するよう
に単結晶を水平方向と垂直方向に移動させる工程と、第
３スリットの代わりに半導体ウェハを位置付けると共に
、第１スリットの代わりに２開口を有する第５スリット
を位置付け、この第５スリットの２開口を通過したビー
ムが第１アライメントマークに照射するようにモノクロ
結晶を動作させた後、第４スリットの代わりに被投影部
材を第１駆動手段上に位置付け、単結晶を出射したビー
ムが第２アライメントマークを照射するように被投影部
材を動作させる工程とを備えたことを特徴とするアライ
メント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154403A JP2836198B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 投影装置およびアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2154403A JP2836198B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 投影装置およびアライメント方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445513A true JPH0445513A (ja) | 1992-02-14 |
| JP2836198B2 JP2836198B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=15583387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2154403A Expired - Fee Related JP2836198B2 (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 投影装置およびアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2836198B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004077477A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Siemens Ag | 単色ｘ線発生装置および方法 |
| JP2007537031A (ja) * | 2004-05-11 | 2007-12-20 | ミュンタース・オイロフォルム・ゲーエムベーハー | 液滴分離器システム |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP2154403A patent/JP2836198B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004077477A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-11 | Siemens Ag | 単色ｘ線発生装置および方法 |
| JP2007537031A (ja) * | 2004-05-11 | 2007-12-20 | ミュンタース・オイロフォルム・ゲーエムベーハー | 液滴分離器システム |
| JP4844981B2 (ja) * | 2004-05-11 | 2011-12-28 | ミュンタース・オイロフォルム・ゲーエムベーハー | 液滴分離器システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2836198B2 (ja) | 1998-12-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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