JPS6115308A - 光磁気記録材料 - Google Patents
光磁気記録材料Info
- Publication number
- JPS6115308A JPS6115308A JP13528984A JP13528984A JPS6115308A JP S6115308 A JPS6115308 A JP S6115308A JP 13528984 A JP13528984 A JP 13528984A JP 13528984 A JP13528984 A JP 13528984A JP S6115308 A JPS6115308 A JP S6115308A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rare earth
- film
- amorphous
- magneto
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はレーザ光を用いて情報の記録、再生、消去を行
なうことか可能な光磁気記録材料に係り・特にカー回転
角を向上させることにより、性能指数を改善し、再生Ｓ
／Ｎ比あるいはＣ／Ｎ比を同上させた光磁気記録材料に
関するものである。
なうことか可能な光磁気記録材料に係り・特にカー回転
角を向上させることにより、性能指数を改善し、再生Ｓ
／Ｎ比あるいはＣ／Ｎ比を同上させた光磁気記録材料に
関するものである。
最近、高密度、大容量、情報の任意読み出し、書き換え
等が可能な光磁気記録が注目を浴びている。光磁気記録
においては、膜面に垂直な方向に磁化容易軸のある磁性
薄膜（垂直磁化膜）が用いられ、光ビーム照射により任
意の位置に反転磁区を作ることによって、それらの磁化
の向きに対応して、パ１″°、“°０″゛の２値情報が
記録され゛る。一方、かかる反転記録を行なった２値信
号の読み出しは、通常、ポーラ−・カー効果あるいはフ
ァラデー効果を利用して行なうものである。
等が可能な光磁気記録が注目を浴びている。光磁気記録
においては、膜面に垂直な方向に磁化容易軸のある磁性
薄膜（垂直磁化膜）が用いられ、光ビーム照射により任
意の位置に反転磁区を作ることによって、それらの磁化
の向きに対応して、パ１″°、“°０″゛の２値情報が
記録され゛る。一方、かかる反転記録を行なった２値信
号の読み出しは、通常、ポーラ−・カー効果あるいはフ
ァラデー効果を利用して行なうものである。
従来、このような光磁気記録媒体として、ＭｎＢ１系結
晶質薄膜、希土類−遷移金属系非晶質薄膜、ガーネット
に代表される単結晶薄膜等の垂直磁化膜が提案されてい
る。中でも希土類−遷移金属系非晶質薄膜は、結晶粒界
がないので媒体ノイズが小さく、大面積膜作製が容易で
あることから、現在最も有望視されている。これらの希
土類−遷移金属系非晶質薄膜として、Ｃｏ系のＧｄ−Ｃ
ｏ系（特公昭５７−３４５８８号公報）、Ｆｅ基の非晶
質薄膜として、Ｔｂ−Ｆｅ系（特開昭５２−３１７０３
号公報）、Ｇｄ−Ｆｅ系（特開昭５７−３４５８８号公
報）、Ｔｂ−Ｇｄ−Ｆｅ系（特開昭５６−１２６９Ｃ１
Ｔ号公報）、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｔ ｂ −Ｆｅ系（特開昭５
７−１２０２５４号公報）、Ｔ’ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ
−Ｆδ−Ｃｏ系（特開昭５８−７３７４６号公報）等の
合金系が現在研究開発され、膜自体の残留磁化でのカー
回転角も０．３°と向上してきている。
晶質薄膜、希土類−遷移金属系非晶質薄膜、ガーネット
に代表される単結晶薄膜等の垂直磁化膜が提案されてい
る。中でも希土類−遷移金属系非晶質薄膜は、結晶粒界
がないので媒体ノイズが小さく、大面積膜作製が容易で
あることから、現在最も有望視されている。これらの希
土類−遷移金属系非晶質薄膜として、Ｃｏ系のＧｄ−Ｃ
ｏ系（特公昭５７−３４５８８号公報）、Ｆｅ基の非晶
質薄膜として、Ｔｂ−Ｆｅ系（特開昭５２−３１７０３
号公報）、Ｇｄ−Ｆｅ系（特開昭５７−３４５８８号公
報）、Ｔｂ−Ｇｄ−Ｆｅ系（特開昭５６−１２６９Ｃ１
Ｔ号公報）、Ｇｄ−Ｄｙ−Ｔ ｂ −Ｆｅ系（特開昭５
７−１２０２５４号公報）、Ｔ’ｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、Ｄｙ
−Ｆδ−Ｃｏ系（特開昭５８−７３７４６号公報）等の
合金系が現在研究開発され、膜自体の残留磁化でのカー
回転角も０．３°と向上してきている。
しかし、これらの非晶質膜は経時変化か大きく、熱安定
性が悪い、また耐食性か悪く、寿命も短かい、さらにキ
ューリ一点が一般に約１５０°Ｃ以下と低く、信号を読
み出すのに強いパワーのレーザ光を用いてＳ／Ｎ比を上
げることができない等々の欠点があった。
性が悪い、また耐食性か悪く、寿命も短かい、さらにキ
ューリ一点が一般に約１５０°Ｃ以下と低く、信号を読
み出すのに強いパワーのレーザ光を用いてＳ／Ｎ比を上
げることができない等々の欠点があった。
本発明の目的はカー回転角が十分１こ大きく、高い再生
Ｓ／Ｎ比が得られ、高熱安定性の非晶質光磁気記録材料
を提供することにある。
Ｓ／Ｎ比が得られ、高熱安定性の非晶質光磁気記録材料
を提供することにある。
光磁気記録材料の候補材として注目されている希土類−
鉄族系非晶質膜は、従来布土類元素の濃度が原子パーセ
ントで２元系では１５〜３０原子パーセント、３元系で
は１５〜３５原子パーセントでアリ、この組成範囲で磁
化が膜面に垂直で、比較的大きなカー回転角が得られて
いた。しかし、磁気光学効果を利用して再生信号を得る
に際しては、レーザ光のパワーを大きくすれば再生Ｓ／
Ｎ比が大きくなることは従来から知られてい−だが、上
記希土類元素の組成範囲では、キューリ一温度Ｔｃある
いは補償温度Ｔｃｏｍｐが低いため、レーザ光のパワー
を余り大きくすると、カー回転角か低下し、Ｓ／Ｎ比を
大きくすることができない。
鉄族系非晶質膜は、従来布土類元素の濃度が原子パーセ
ントで２元系では１５〜３０原子パーセント、３元系で
は１５〜３５原子パーセントでアリ、この組成範囲で磁
化が膜面に垂直で、比較的大きなカー回転角が得られて
いた。しかし、磁気光学効果を利用して再生信号を得る
に際しては、レーザ光のパワーを大きくすれば再生Ｓ／
Ｎ比が大きくなることは従来から知られてい−だが、上
記希土類元素の組成範囲では、キューリ一温度Ｔｃある
いは補償温度Ｔｃｏｍｐが低いため、レーザ光のパワー
を余り大きくすると、カー回転角か低下し、Ｓ／Ｎ比を
大きくすることができない。
そこで、本発明者らは、従来より高いキューリ一温度あ
るいは補償温度が得られるような高濃度の希土類元素を
含む希土類−鉄族系非晶磁性膜組成で、垂直磁化膜が得
られる条件について種々検討した結果、本発明に到達し
たものである。
るいは補償温度が得られるような高濃度の希土類元素を
含む希土類−鉄族系非晶磁性膜組成で、垂直磁化膜が得
られる条件について種々検討した結果、本発明に到達し
たものである。
本発明の光磁気記録材料は、組成式かＲａ ＴｂＭｃで
表わされ、実質的にＲがＧｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙからなる
群から選ばれた少なくとも一種の元素、ＴがＮｄ、’
Ｅｕ、 Ｈｏ、 Ｅｒ、 Ｔｍ、 Ｙｂ、 Ｙ、 Ｎｂ
、 Ｎｉ、 Ａ／からなる群から選ばれた少なくとも一
種の元素、ＭがＦｅ、Ｇｏからなる群から選ばれた少な
くとも一種の元素からなり、かつａ十り＋ｃ ＝ １０
０．３５．５＜ａ＜４５、０（ｂ（１５を満足する希土
類金属−鉄族系非晶質合金垂直磁化膜である。なお、さ
らに好ましくは、３６（ａ（３８とする。
表わされ、実質的にＲがＧｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙからなる
群から選ばれた少なくとも一種の元素、ＴがＮｄ、’
Ｅｕ、 Ｈｏ、 Ｅｒ、 Ｔｍ、 Ｙｂ、 Ｙ、 Ｎｂ
、 Ｎｉ、 Ａ／からなる群から選ばれた少なくとも一
種の元素、ＭがＦｅ、Ｇｏからなる群から選ばれた少な
くとも一種の元素からなり、かつａ十り＋ｃ ＝ １０
０．３５．５＜ａ＜４５、０（ｂ（１５を満足する希土
類金属−鉄族系非晶質合金垂直磁化膜である。なお、さ
らに好ましくは、３６（ａ（３８とする。
本発明の合金膜では、キューリ一温度あるいは補償温度
を１５０℃以上の従来より高い温度にするために、Ｒの
量ａは３５．５原子パ一セント以上にする必要かあるが
、余り多くすると半導体レーザ光での書き込みができな
（なったり、また、垂直磁化膜が得られなくなるので、
４５原子パーセント以下にする必要がある。以上のよう
な本発明における希土類金属元素Ｒの組成濃度範囲ａ内
で膜面に強い垂直磁気異方性を得るには、スパッタ法あ
るいは蒸着法により達成できるが、より強い垂直磁気異
方性を得るには、２０〜１００ ｍ Ｔｏｒｒの高濃度
のアルゴンガス雰囲気中、あるいは窒素または酸素ガス
の各単独の雰囲気中、もしくはアルゴンカスに窒素また
は酸素カスを分圧として１チ以上混入させた混合ガス雰
囲気中でスパッタあるいは蒸着するのが好ましい。この
ことは希土類金属元素が、これらのガスと反応し、何ら
かの非磁性の領域を合金膜中に作ることにより、強い垂
直磁気異方性が誘導されることによるものと考えられる
。
を１５０℃以上の従来より高い温度にするために、Ｒの
量ａは３５．５原子パ一セント以上にする必要かあるが
、余り多くすると半導体レーザ光での書き込みができな
（なったり、また、垂直磁化膜が得られなくなるので、
４５原子パーセント以下にする必要がある。以上のよう
な本発明における希土類金属元素Ｒの組成濃度範囲ａ内
で膜面に強い垂直磁気異方性を得るには、スパッタ法あ
るいは蒸着法により達成できるが、より強い垂直磁気異
方性を得るには、２０〜１００ ｍ Ｔｏｒｒの高濃度
のアルゴンガス雰囲気中、あるいは窒素または酸素ガス
の各単独の雰囲気中、もしくはアルゴンカスに窒素また
は酸素カスを分圧として１チ以上混入させた混合ガス雰
囲気中でスパッタあるいは蒸着するのが好ましい。この
ことは希土類金属元素が、これらのガスと反応し、何ら
かの非磁性の領域を合金膜中に作ることにより、強い垂
直磁気異方性が誘導されることによるものと考えられる
。
また、これらのガス雰囲気中でスパッタあるいは蒸着す
ることにより膜形成を行なうと、鉄族元素と反強磁性的
にスピンが結合している希土類金属元素の一部が酸化等
により非磁性化する。ため、見掛は上、補償組成は希土
類金属が多い組成側に移動し、希土類金属元素の多い組
成の膜でも垂直磁化膜が得られるようになる。たとえば
、第４図はＴｂＸＣｏ＋ｏｏ−ｘ非晶質膜を純Ａｒガス
中およびＡｒ十〇ｚガス中でＲＦスパッタ法により作製
した場合における該膜の飽和磁束密度４πＭｓのＴｂ濃
度依存性を示す図である。図において、実線は純Ａｒガ
ス中で作製した場合、点線はＡｒ ＋ ０２ガス中で作
製した場合を示し、Ｘは膜中のＴｂ濃度、ΔＸは両膜に
おける補償組成のずれ、すなわち、後者の膜におけるＴ
ｂの非磁化量を示す。同図から、Ａｒ十０２混合ガス雰
囲気中で膜作成を行なうと補償組成はＴｂの高濃度側に
ΔＸだけ移動することがわかる。これはＴｂ原子がこの
量だけ、非磁性化されたためである。第５図はＲＦスパ
ッタ法により、Ａｒ＋０２混合カス雰囲気中てＴｂＸｃ
ｏｌｏｏ−ｘ非晶質膜を作製した時の酸素分圧Ｐ０２に
対するＴｂ原子の非磁性化量ΔＸ／Ｘの変化を示す図で
ある。同図から、非磁性化量は酸素分圧の増加とともに
急激に増加し、約０．１３ Ｘ １Ｏ−４Ｔｏｒｒを過
ぎると増加は緩やかとなり、０．１６ Ｘ １Ｏ−４Ｔ
ｏｒｒでは約５０％となる。しかし、Ｒで示される希土
類元素Ｒの一部が余り多く、酸化等により非磁性化する
と、膜特性の劣化が生じるので、非磁化する量としては
５〜６０％、より好ましくは２０〜５０％の範囲にする
のか好ましい。また、必要に応し°Ｃ１膜の記録、再生
感度を調整するために、膜を構成する希土類元素ＲのＧ
ｄ、 Ｔｂ、 ＤＶの一部を他の希土類構成元素ＴのＮ
ｄ、 Ｅｕ、 Ｈｏ、 Ｅｒ、’Ｓｍ、 Ｙｂ、 Ｙの
少なくとも一種で１５原子パーセント以下置換すること
により、光磁気記録媒体としての性能を最適化すること
ができる。また鉄族構成元素ＭのＦｅあるいはＣｏの一
部をＮｂ、 Ａ／、 Ｎｉの少なくとも一種で１５原子
パーセント以下置換することにより、光磁気記録材料の
性能指数４．θＫ（Ｒは反射率、θやはカー回転角）を
劣化させることなく、結晶化温度ＴＸを上昇させたり、
耐食性を向上させたりすることができる。
ることにより膜形成を行なうと、鉄族元素と反強磁性的
にスピンが結合している希土類金属元素の一部が酸化等
により非磁性化する。ため、見掛は上、補償組成は希土
類金属が多い組成側に移動し、希土類金属元素の多い組
成の膜でも垂直磁化膜が得られるようになる。たとえば
、第４図はＴｂＸＣｏ＋ｏｏ−ｘ非晶質膜を純Ａｒガス
中およびＡｒ十〇ｚガス中でＲＦスパッタ法により作製
した場合における該膜の飽和磁束密度４πＭｓのＴｂ濃
度依存性を示す図である。図において、実線は純Ａｒガ
ス中で作製した場合、点線はＡｒ ＋ ０２ガス中で作
製した場合を示し、Ｘは膜中のＴｂ濃度、ΔＸは両膜に
おける補償組成のずれ、すなわち、後者の膜におけるＴ
ｂの非磁化量を示す。同図から、Ａｒ十０２混合ガス雰
囲気中で膜作成を行なうと補償組成はＴｂの高濃度側に
ΔＸだけ移動することがわかる。これはＴｂ原子がこの
量だけ、非磁性化されたためである。第５図はＲＦスパ
ッタ法により、Ａｒ＋０２混合カス雰囲気中てＴｂＸｃ
ｏｌｏｏ−ｘ非晶質膜を作製した時の酸素分圧Ｐ０２に
対するＴｂ原子の非磁性化量ΔＸ／Ｘの変化を示す図で
ある。同図から、非磁性化量は酸素分圧の増加とともに
急激に増加し、約０．１３ Ｘ １Ｏ−４Ｔｏｒｒを過
ぎると増加は緩やかとなり、０．１６ Ｘ １Ｏ−４Ｔ
ｏｒｒでは約５０％となる。しかし、Ｒで示される希土
類元素Ｒの一部が余り多く、酸化等により非磁性化する
と、膜特性の劣化が生じるので、非磁化する量としては
５〜６０％、より好ましくは２０〜５０％の範囲にする
のか好ましい。また、必要に応し°Ｃ１膜の記録、再生
感度を調整するために、膜を構成する希土類元素ＲのＧ
ｄ、 Ｔｂ、 ＤＶの一部を他の希土類構成元素ＴのＮ
ｄ、 Ｅｕ、 Ｈｏ、 Ｅｒ、’Ｓｍ、 Ｙｂ、 Ｙの
少なくとも一種で１５原子パーセント以下置換すること
により、光磁気記録媒体としての性能を最適化すること
ができる。また鉄族構成元素ＭのＦｅあるいはＣｏの一
部をＮｂ、 Ａ／、 Ｎｉの少なくとも一種で１５原子
パーセント以下置換することにより、光磁気記録材料の
性能指数４．θＫ（Ｒは反射率、θやはカー回転角）を
劣化させることなく、結晶化温度ＴＸを上昇させたり、
耐食性を向上させたりすることができる。
さらに、本発明においては、膜を構成する希土類元素Ｒ
のＧｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙの少なくとも２種以上を非晶質
化元素として非晶質膜を形成することにより、キューリ
一温度、あるいは補償温度をさらに高めたり、カー回転
角を上げることができる。また、ＦｅをＣｏで、または
ＣｏをＦｅで５０原子パーセント以下置換することによ
り、カー回転角に寄与する鉄族元素の磁気モーメントを
太き（し、さらに本発明における他の構成元素である希
土類元素Ｒを他種の希土類元素で置゛換することにより
、カー回転角をさらに改善し、同時にキューリ一温度−
゛を最適化することにより、記録、再生感度を大幅に改
善することができる。
のＧｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙの少なくとも２種以上を非晶質
化元素として非晶質膜を形成することにより、キューリ
一温度、あるいは補償温度をさらに高めたり、カー回転
角を上げることができる。また、ＦｅをＣｏで、または
ＣｏをＦｅで５０原子パーセント以下置換することによ
り、カー回転角に寄与する鉄族元素の磁気モーメントを
太き（し、さらに本発明における他の構成元素である希
土類元素Ｒを他種の希土類元素で置゛換することにより
、カー回転角をさらに改善し、同時にキューリ一温度−
゛を最適化することにより、記録、再生感度を大幅に改
善することができる。
以上説明した本発明の希土類−鉄族系非晶質膜に対して
、Ｂ、Ｓｉ等の非金属元素あるいは本発明の構成元素以
外の白金族元素等の遷移金属元素を１０原子パーセント
以下添加することによっても、膜特性の磁気特性、キュ
ーリ一温度、結晶化温度、耐食性等をさらに用途に応じ
て最適化することができる。
、Ｂ、Ｓｉ等の非金属元素あるいは本発明の構成元素以
外の白金族元素等の遷移金属元素を１０原子パーセント
以下添加することによっても、膜特性の磁気特性、キュ
ーリ一温度、結晶化温度、耐食性等をさらに用途に応じ
て最適化することができる。
前記元素ＴのＮｄ、 Ｅｕ、 Ｈｏ、 Ｅｒ、 Ｓｍ、
Ｙｂ、 Ｎｂ、 Ａ／。
Ｙｂ、 Ｎｂ、 Ａ／。
Ｙ、ＮｉやＢ、Ｓｉ及び白金族元素等の遷移金属元素等
による希土類−鉄族系非晶質膜への添加効果は、本発明
の組成範囲内の合金膜に限らず、一般に全希土類元素濃
度が５〜４５原子パーセントの広範囲組成範囲の希土類
−鉄族系合金膜にも同様の効果が得られる。特にＮｂ、
Ｒｕ元素は結晶化温度を上げて熱安定性を高め、耐食
性を向上させるのに有効である。
による希土類−鉄族系非晶質膜への添加効果は、本発明
の組成範囲内の合金膜に限らず、一般に全希土類元素濃
度が５〜４５原子パーセントの広範囲組成範囲の希土類
−鉄族系合金膜にも同様の効果が得られる。特にＮｂ、
Ｒｕ元素は結晶化温度を上げて熱安定性を高め、耐食
性を向上させるのに有効である。
以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
本発明の非晶質合金膜は、鉄族元素Ｃｏ、Ｆｅのうち合
金膜の主成分となる一方の元素を直径１１０馴の円板と
し、この円板上に他方の鉄族元素、希土類金属元素Ｇｄ
、 Ｔｂ、 ＤＶのうちの少なくとも一種の元素、Ｎｄ
、 Ｓｍ、 Ｎｂ、 Ｎｉ、 Ａｚのうちの少なくとも
一種の元素を５Ｘ５−の角板としたものを面積比で所定
の組成となるように配置した複合ターゲットを用いてス
パッタすることにより、あるいは所定組成の合金を真空
中アーク溶解し、これらの合金を用いて電子ビーム蒸着
することにより、作製した。ＲＦスパッタ法の場合は、
Ａｒガスの圧力を５０〜１００ ｍ Ｔｏｒｒ、あるい
は１０ ％ ０２を含むＡｒカスの圧力を５〜ＩＱ ｍ
Ｔｏｒｒとし、投入高周波電力１００Ｗの条件下で行
なった。また、マグネトロンスパッタ法の場合は、Ａｒ
カス、１０％Ｎ２を含むＡｒガス、または５％０２を含
むＡｒガスの圧力を１０〜１００ ｍ Ｔｏｒｒとし、
投入高周波電力５Ｋｗの条件下で行なった。さらに、電
子ビーム蒸着法の場合は、酸素圧１〜１５ Ｘ ］Ｏ”
−７Ｔｏｒｒの雰囲ｉ中で蒸着を行なった。以上のよう
に、Ａｒガス単独の場合、ガス圧を高めることにより、
また０２．Ｎ２のような活性ガスを含むガス中てスパッ
ｑあるいは蒸着することにより、本発明にいう希土類元
素Ｒの一部を酸化等により非磁性化し、フェリ磁性体の
副格子から希土類原子のスピン結合を除去させて、補償
組成を希土類元素Ｒの高濃度側に移動させて、従来より
高濃度側で垂直磁化膜が得られるようになる。
金膜の主成分となる一方の元素を直径１１０馴の円板と
し、この円板上に他方の鉄族元素、希土類金属元素Ｇｄ
、 Ｔｂ、 ＤＶのうちの少なくとも一種の元素、Ｎｄ
、 Ｓｍ、 Ｎｂ、 Ｎｉ、 Ａｚのうちの少なくとも
一種の元素を５Ｘ５−の角板としたものを面積比で所定
の組成となるように配置した複合ターゲットを用いてス
パッタすることにより、あるいは所定組成の合金を真空
中アーク溶解し、これらの合金を用いて電子ビーム蒸着
することにより、作製した。ＲＦスパッタ法の場合は、
Ａｒガスの圧力を５０〜１００ ｍ Ｔｏｒｒ、あるい
は１０ ％ ０２を含むＡｒカスの圧力を５〜ＩＱ ｍ
Ｔｏｒｒとし、投入高周波電力１００Ｗの条件下で行
なった。また、マグネトロンスパッタ法の場合は、Ａｒ
カス、１０％Ｎ２を含むＡｒガス、または５％０２を含
むＡｒガスの圧力を１０〜１００ ｍ Ｔｏｒｒとし、
投入高周波電力５Ｋｗの条件下で行なった。さらに、電
子ビーム蒸着法の場合は、酸素圧１〜１５ Ｘ ］Ｏ”
−７Ｔｏｒｒの雰囲ｉ中で蒸着を行なった。以上のよう
に、Ａｒガス単独の場合、ガス圧を高めることにより、
また０２．Ｎ２のような活性ガスを含むガス中てスパッ
ｑあるいは蒸着することにより、本発明にいう希土類元
素Ｒの一部を酸化等により非磁性化し、フェリ磁性体の
副格子から希土類原子のスピン結合を除去させて、補償
組成を希土類元素Ｒの高濃度側に移動させて、従来より
高濃度側で垂直磁化膜が得られるようになる。
このようにして作製した膜の垂直磁気異方性エネルギー
Ｋｕは１〜１５×１１０５ｅｒ／／Ｃｃの範囲の値を示
した。
Ｋｕは１〜１５×１１０５ｅｒ／／Ｃｃの範囲の値を示
した。
第１図は以」二述べた方法で作製した代表的な膜のカー
回転角θＫ、保磁力Ｈｃ、キューリ一温度Ｔｃ、補償温
度Ｔｃｏｍｐ、結晶化温度ＴＸを示す表図である。
回転角θＫ、保磁力Ｈｃ、キューリ一温度Ｔｃ、補償温
度Ｔｃｏｍｐ、結晶化温度ＴＸを示す表図である。
同表図から明らかなように、希土類元素Ｒの濃度が３５
．５原子パ一セント以上で、キューリ一温度Ｔｃか１５
０℃以上、補償温度Ｔｃｏｍｐが室温付近、カー回転角
θＫが０．２４度以上、保磁力Ｈｃがｌ ｋｏｅ以上、
結晶化温度Ｔｋが４２０″Ｃ以上の光磁気記録材料に好
適な非晶質膜が得られている。
．５原子パ一セント以上で、キューリ一温度Ｔｃか１５
０℃以上、補償温度Ｔｃｏｍｐが室温付近、カー回転角
θＫが０．２４度以上、保磁力Ｈｃがｌ ｋｏｅ以上、
結晶化温度Ｔｋが４２０″Ｃ以上の光磁気記録材料に好
適な非晶質膜が得られている。
第２図は上記した方法で作製した代表的な非晶質膜のカ
ー回転角の組成依存性を示す図である。
ー回転角の組成依存性を示す図である。
同図の曲線ｌはＴｂ３６−Ｘ ＧｄＸＦｅ６４非晶質膜
、曲線２はＴｂ３８ＦＣ６２，、、ＸＣ０Ｘ非晶質膜、
曲線３はＴｂ１８ＧｄｌＢＦｅ６４ Ｘ ＣｏＸ非晶質
膜、曲線４はＴｂ３８Ｃｏ６２−ｘＦｅＸ非晶質膜、曲
線５は”ｒｂ、９Ｄｙ１８ Ｃｏ６３−Ｘ、ＦｅＸ非晶
質膜のそれぞれのＸの関数としてのカー回転角θにの変
化を示す図である。、同図から明らかなように、本発明
のＲａＴｂＭｃて示される非晶質合金膜において、Ｒて
示される希土類元素の濃度を３５．５原子パーセント以
」二とし、残部をＭて示される鉄族元素とした合金膜で
はカー回転角θＫがさらに改善できることがわかる。
、曲線２はＴｂ３８ＦＣ６２，、、ＸＣ０Ｘ非晶質膜、
曲線３はＴｂ１８ＧｄｌＢＦｅ６４ Ｘ ＣｏＸ非晶質
膜、曲線４はＴｂ３８Ｃｏ６２−ｘＦｅＸ非晶質膜、曲
線５は”ｒｂ、９Ｄｙ１８ Ｃｏ６３−Ｘ、ＦｅＸ非晶
質膜のそれぞれのＸの関数としてのカー回転角θにの変
化を示す図である。、同図から明らかなように、本発明
のＲａＴｂＭｃて示される非晶質合金膜において、Ｒて
示される希土類元素の濃度を３５．５原子パーセント以
」二とし、残部をＭて示される鉄族元素とした合金膜で
はカー回転角θＫがさらに改善できることがわかる。
第３図は第１図に示した本発明のＴｂ３６ ｐｅ５９
＃５５非晶質金膜（曲線７）、Ｔｂ３６ Ｆｅ５ｇ Ｎ
ｂ５非晶質合金膜（曲線８）と従来のＴｂ２５ 、Ｆｅ
７５非晶質合金膜（曲線６）との熱処理による垂直磁
気異方性エネルギーＫｕの劣化の状態を比較した結果を
示す図である。゛実験はＡｒ雰囲気中、２００℃で各時
間＋１１焼鈍し、その時のＫｕ（ｔ）を測定し、初期値
Ｋｕ（０１で規格化した値をＫｕ（ｔ）／Ｋｕ（０）と
して求めた結果で示した。同図から明らかなように、本
発明のＴｂ−Ｆｅ−Ａｅ金合金曲線７）、Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｎｂ合金（曲線８）はすぐれた熱安定性を示すことかわ
かる。
＃５５非晶質金膜（曲線７）、Ｔｂ３６ Ｆｅ５ｇ Ｎ
ｂ５非晶質合金膜（曲線８）と従来のＴｂ２５ 、Ｆｅ
７５非晶質合金膜（曲線６）との熱処理による垂直磁
気異方性エネルギーＫｕの劣化の状態を比較した結果を
示す図である。゛実験はＡｒ雰囲気中、２００℃で各時
間＋１１焼鈍し、その時のＫｕ（ｔ）を測定し、初期値
Ｋｕ（０１で規格化した値をＫｕ（ｔ）／Ｋｕ（０）と
して求めた結果で示した。同図から明らかなように、本
発明のＴｂ−Ｆｅ−Ａｅ金合金曲線７）、Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｎｂ合金（曲線８）はすぐれた熱安定性を示すことかわ
かる。
一般に、本発明の希土類元素Ｒを多（含む非晶質合金膜
（Ｒ≧３５゜５原子パーセント）は従来の同種希土類元
素の少ない非晶質合金膜（Ｒ（３，５原子パーセント）
に比べて耐食性の点てもよりすくれている。
（Ｒ≧３５゜５原子パーセント）は従来の同種希土類元
素の少ない非晶質合金膜（Ｒ（３，５原子パーセント）
に比べて耐食性の点てもよりすくれている。
つぎに、本発明で得られた希土類元素濃度の高いＴｂ３
６Ｆｅ５３Ｃｏ１□垂直磁化膜と従来の希土類濃度の低
いＴｂ２５ Ｆｅ７５垂直磁化膜との再生光パワー依存
性を調べた。その結果、再生時の出力対雑音比Ｃ／Ｎは
従来利のＴｂ２５ Ｆｅ７５垂直磁化膜ては、再生光１
．５ ｍＷ以上てＣ／Ｎは飽和して、４７ｄＢＬか得ら
れないのに対して、本発明のＴｂ３６ Ｆｅ５３ Ｃｏ
１１垂直磁化膜ては、再生光を２．５ｍＷまで上げるこ
とができ、その結果、Ｃ／Ｎで５５ｄＢと高い値か得ら
れた。この時の測定周波数ｆは１ＭＨｚ、測定バンド幅
Δｆは３ＱｋＨ２、ビット長は１３μｍであった。
６Ｆｅ５３Ｃｏ１□垂直磁化膜と従来の希土類濃度の低
いＴｂ２５ Ｆｅ７５垂直磁化膜との再生光パワー依存
性を調べた。その結果、再生時の出力対雑音比Ｃ／Ｎは
従来利のＴｂ２５ Ｆｅ７５垂直磁化膜ては、再生光１
．５ ｍＷ以上てＣ／Ｎは飽和して、４７ｄＢＬか得ら
れないのに対して、本発明のＴｂ３６ Ｆｅ５３ Ｃｏ
１１垂直磁化膜ては、再生光を２．５ｍＷまで上げるこ
とができ、その結果、Ｃ／Ｎで５５ｄＢと高い値か得ら
れた。この時の測定周波数ｆは１ＭＨｚ、測定バンド幅
Δｆは３ＱｋＨ２、ビット長は１３μｍであった。
このように、一般に、本発明の希土類元素Ｒの濃度の高
い非晶質垂直磁化膜は従来の希土類元素濃度の低い非晶
質垂直磁化膜に比べて、より高い再生光パワーで、より
高いＣ／Ｎが得られることがわかる。
い非晶質垂直磁化膜は従来の希土類元素濃度の低い非晶
質垂直磁化膜に比べて、より高い再生光パワーで、より
高いＣ／Ｎが得られることがわかる。
以上において説”明しなかったが、Ｒ元素としてＤｙを
単独添加した場合、Ｔ元素としてＥｕ、Ｈａ。
単独添加した場合、Ｔ元素としてＥｕ、Ｈａ。
Ｅｒ、ＹｂまたはＹを添加した場合にも上記と同様な結
果が得られる。
果が得られる。
以上説明したところから明らかなように、本発明の希土
類元素濃度の高い非晶質垂直磁化膜は、従来報告されて
いる希土類元素濃度のより低い非晶質垂直磁化膜よりも
熱安定性にすぐれ、より大きな再生出力・雑音比（Ｃ／
Ｎ ）が得られるすぐれた光磁気記録材料であることが
わかる。
類元素濃度の高い非晶質垂直磁化膜は、従来報告されて
いる希土類元素濃度のより低い非晶質垂直磁化膜よりも
熱安定性にすぐれ、より大きな再生出力・雑音比（Ｃ／
Ｎ ）が得られるすぐれた光磁気記録材料であることが
わかる。
第１図は本発明の代表的な非晶質垂直磁化膜のカー回転
角、保磁力、キューリ一温度補償温度および結晶化温間
を示す表図、第２図はＴｂ５６−ｘ′ＧｄＸ Ｆｅ６４
＋ Ｔｂ３８Ｆ”６２ Ｘ ＣｏＸ＋ Ｔｂ１８ Ｇ
ｄ１７−５ Ｆｅ６４−Ｘ ＣｏＸ＋Ｔｂ３Ｂ Ｃｏ６
２ Ｘ ＦｅＸ、 Ｔ’）＋９ Ｄｙ１８ Ｃｏ６３−
Ｘ ＦｅＸ非晶質垂直磁化膜におけるカー回転角のＸ濃
度依存性を示す線図、第３図はＴｂ２５Ｆｅ７５．Ｔｂ
３６Ｆｅ５９Ｍ５．Ｔｂ３６Ｆｅ５９Ｎｂ５非晶質垂直
磁化膜をＡｒ雰囲気中で２００℃で焼鈍した時の焼鈍時
間に対する垂直磁気異方性エネルギーの変化を示す線図
、第４図＋４ＴｂＸＣｏ１００−Ｘ非晶質垂直磁化膜を
純Ａｒカス中およびＡｒ＋０２混合ガス中てＲＦスパッ
タ法で作製した時の該膜の飽和磁束密度４πＭｓのＴｂ
４度依存性を示す線図、第５図はＲＦスパッタ法により
、Ａｒ ＋ ０２混合ガス雰囲気中でＴｂ）Ｈｃｏｌｏ
ｏ−Ｘ非晶質垂直磁化膜を作製した時の酸素分圧Ｐｏ２
に対するＴｂ原子の非磁性化量の変化を示す線図である
。
角、保磁力、キューリ一温度補償温度および結晶化温間
を示す表図、第２図はＴｂ５６−ｘ′ＧｄＸ Ｆｅ６４
＋ Ｔｂ３８Ｆ”６２ Ｘ ＣｏＸ＋ Ｔｂ１８ Ｇ
ｄ１７−５ Ｆｅ６４−Ｘ ＣｏＸ＋Ｔｂ３Ｂ Ｃｏ６
２ Ｘ ＦｅＸ、 Ｔ’）＋９ Ｄｙ１８ Ｃｏ６３−
Ｘ ＦｅＸ非晶質垂直磁化膜におけるカー回転角のＸ濃
度依存性を示す線図、第３図はＴｂ２５Ｆｅ７５．Ｔｂ
３６Ｆｅ５９Ｍ５．Ｔｂ３６Ｆｅ５９Ｎｂ５非晶質垂直
磁化膜をＡｒ雰囲気中で２００℃で焼鈍した時の焼鈍時
間に対する垂直磁気異方性エネルギーの変化を示す線図
、第４図＋４ＴｂＸＣｏ１００−Ｘ非晶質垂直磁化膜を
純Ａｒカス中およびＡｒ＋０２混合ガス中てＲＦスパッ
タ法で作製した時の該膜の飽和磁束密度４πＭｓのＴｂ
４度依存性を示す線図、第５図はＲＦスパッタ法により
、Ａｒ ＋ ０２混合ガス雰囲気中でＴｂ）Ｈｃｏｌｏ
ｏ−Ｘ非晶質垂直磁化膜を作製した時の酸素分圧Ｐｏ２
に対するＴｂ原子の非磁性化量の変化を示す線図である
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、組成式がＲａ Ｔｂ Ｍｃで示され、ＲがＧｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙからなる群のうちから選ばれた少なくとも一種
の元素、ＴがＮｄ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｓｍ、Ｙｂ、Ｙ
、Ｎｂ、Ｎｉ、Ａｌからなる群のうちから選ばれた少な
くとも一種の元素、ＭがＦｅ、Ｃｏからなる群のうちか
ら選ばれた少なくとも一種の元素からなり、かつ原子パ
ーセントで、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、３５．５＜ａ＜４５
、０＜ｂ＜１５を満足し、優位的に非晶質であることを
特徴とする光磁気記録材料。 ２、特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録材料におい
て、前記ＲがＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙからなる群から選ばれた
少なくとも二種の元素からなることを特徴とする光磁気
記録材料。 ３、特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録材料におい
て、前記ＭがＦｅおよびＣｏの二種の元素からなること
を特徴とする光磁気記録材料。 ４、特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録材料におい
て、前記ＲがＧｄ、Ｔｂ、Ｄｙからなる群から選んだ少
なくとも二種の元素、前記ＭがＦｅおよびＣｏの二種の
元素からなることを特徴とする光磁気記録材料。 ５、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４
項記載の光磁気記録材料において、前記Ｒで示される元
素の５〜６０％が非磁性化された状態で含まれているこ
とを特徴とする光磁気記録材料。 ６、特許請求の範囲第１項、第２項、第３項または第４
項記載の光磁気記録材料において、前記Ｒで示される元
素の２０〜５０％が非磁性化された状態で含まれている
ことを特徴とする光磁気記録材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13528984A JPS6115308A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 光磁気記録材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13528984A JPS6115308A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 光磁気記録材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6115308A true JPS6115308A (ja) | 1986-01-23 |
Family
ID=15148215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13528984A Pending JPS6115308A (ja) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | 光磁気記録材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6115308A (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118107A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Ricoh Co Ltd | 非晶質磁気光学層 |
| JPS61165847A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-26 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS61214254A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Ltd | 光磁気記録材料 |
| JPS6212941A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS62132254A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-15 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS62262245A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-14 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS62267950A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 磁気光学記録媒体 |
| FR2601175A1 (fr) * | 1986-04-04 | 1988-01-08 | Seiko Epson Corp | Cible de pulverisation cathodique et support d'enregistrement utilisant une telle cible. |
| JPS63140058A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-11 | Hitachi Ltd | 光磁気記録材料 |
| JPS63173249A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-16 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS63206930A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスク |
| JPS63253555A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-10-20 | ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング カンパニー | 安定な磁気光記録媒体 |
| US4822675A (en) * | 1987-01-14 | 1989-04-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Stable magneto optic recording medium |
| US5060478A (en) * | 1984-07-27 | 1991-10-29 | Research Development Corporation Of Japan | Magnetical working amorphous substance |
| JPH0423247A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-07-02 JP JP13528984A patent/JPS6115308A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6118107A (ja) * | 1984-07-04 | 1986-01-27 | Ricoh Co Ltd | 非晶質磁気光学層 |
| US5060478A (en) * | 1984-07-27 | 1991-10-29 | Research Development Corporation Of Japan | Magnetical working amorphous substance |
| JPS61165847A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-26 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS61214254A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-24 | Hitachi Ltd | 光磁気記録材料 |
| JPS6212941A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS62132254A (ja) * | 1985-12-05 | 1987-06-15 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録媒体 |
| FR2601175A1 (fr) * | 1986-04-04 | 1988-01-08 | Seiko Epson Corp | Cible de pulverisation cathodique et support d'enregistrement utilisant une telle cible. |
| JPS62262245A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-14 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
| JPS62267950A (ja) * | 1986-05-16 | 1987-11-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 磁気光学記録媒体 |
| JPS63140058A (ja) * | 1986-12-03 | 1988-06-11 | Hitachi Ltd | 光磁気記録材料 |
| JPS63173249A (ja) * | 1987-01-13 | 1988-07-16 | Daicel Chem Ind Ltd | 光磁気記録媒体 |
| JPS63253555A (ja) * | 1987-01-14 | 1988-10-20 | ミネソタ マイニング アンド マニユフアクチユアリング カンパニー | 安定な磁気光記録媒体 |
| US4822675A (en) * | 1987-01-14 | 1989-04-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Stable magneto optic recording medium |
| JPS63206930A (ja) * | 1987-02-23 | 1988-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気デイスク |
| JPH0423247A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光磁気記録媒体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0118506B2 (ja) | ||
| US4838962A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| JPS6227459B2 (ja) | ||
| US5660929A (en) | Perpendicular magnetic recording medium and method of producing same | |
| JPS6134744A (ja) | 磁気光学記録媒体 | |
| JPS60243840A (ja) | 光磁気記録体 | |
| US4925742A (en) | Thin-film having large Kerr rotation angle and production process thereof | |
| JPH0670924B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
| US5958575A (en) | Magneto-optical recording medium | |
| US5100741A (en) | Magneto-optic recording systems | |
| JPH0351082B2 (ja) | ||
| JPS61246946A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS60253040A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| US5529854A (en) | Magneto-optic recording systems | |
| JPH0384755A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH0470705B2 (ja) | ||
| JPH0445898B2 (ja) | ||
| KR910006146B1 (ko) | 4층막 구조를 지닌 Tb-Fe 비정질 수직 광열 자기 기록매체 | |
| JP2705066B2 (ja) | 光熱磁気記録媒体 | |
| Das et al. | Thin films for secondary data storage | |
| JPH0259603B2 (ja) | ||
| JPS63164049A (ja) | 光磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS61188759A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS62267950A (ja) | 磁気光学記録媒体 | |
| JPH0536134A (ja) | 光磁気記録媒体 |