JPH0445960A - 画像記録用電極の製造方法 - Google Patents
画像記録用電極の製造方法Info
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- JPH0445960A JPH0445960A JP15280590A JP15280590A JPH0445960A JP H0445960 A JPH0445960 A JP H0445960A JP 15280590 A JP15280590 A JP 15280590A JP 15280590 A JP15280590 A JP 15280590A JP H0445960 A JPH0445960 A JP H0445960A
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- Japan
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- metal layer
- electrode
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、画像記録装置11tの記録電極の製造方法に
係り、特に導電性磁性1〜ナーを直接的に接触させて、
高解像度の記録側4(、tlをtj)るのに好適な画像
記録装置の記録′市(かの製造方法に関するものである
、。
係り、特に導電性磁性1〜ナーを直接的に接触させて、
高解像度の記録側4(、tlをtj)るのに好適な画像
記録装置の記録′市(かの製造方法に関するものである
、。
[従来の技術]
従来より、記録電極と導電性磁性トナーどを直接的に接
触させて記録電極に電圧を印加し任、()、の記録画像
を得る力θ、が種々提案されている。この11丁(の装
置に関するIn的な記録加理及びその植成は、例えは特
公昭55− HI O228号に記載されている。
触させて記録電極に電圧を印加し任、()、の記録画像
を得る力θ、が種々提案されている。この11丁(の装
置に関するIn的な記録加理及びその植成は、例えは特
公昭55− HI O228号に記載されている。
つまり、この技術は現在の電子写真技術の主流となって
いる感光性1〜ラムを用いて、静電潜像をトナーでj見
做し、こ才しを、i[!録紙宿・に転写記録する方法と
は異なり、感光性ドラムを用いず画像情報を直接1−ナ
ーによる像として誘電体上に形成し、これを記録媒体に
転写するか、もしくは直接誘電体からなる記録媒体」−
に形成する記録方式で、名[マクネチック・スタイラス
記録方式」とも呼ばれているものである。
いる感光性1〜ラムを用いて、静電潜像をトナーでj見
做し、こ才しを、i[!録紙宿・に転写記録する方法と
は異なり、感光性ドラムを用いず画像情報を直接1−ナ
ーによる像として誘電体上に形成し、これを記録媒体に
転写するか、もしくは直接誘電体からなる記録媒体」−
に形成する記録方式で、名[マクネチック・スタイラス
記録方式」とも呼ばれているものである。
また、その記録方法と画質に関する一端の報告が例えば
電子写1′転学会第55回研究R’を論会予稿集第35
〜39頁、昭和60年6月24日に、低電圧普通紙記録
方式としC1又、ジャーナル・オブ・アプライド・フォ
トグラフィク・エンジニアリング (Jurn++]
of Appljed Photograpbi
c Fngineer−ing;Vol、7 N+1
2 April 1981)に論じられている。
電子写1′転学会第55回研究R’を論会予稿集第35
〜39頁、昭和60年6月24日に、低電圧普通紙記録
方式としC1又、ジャーナル・オブ・アプライド・フォ
トグラフィク・エンジニアリング (Jurn++]
of Appljed Photograpbi
c Fngineer−ing;Vol、7 N+1
2 April 1981)に論じられている。
この種の記録方法を実施するためには、第2図に示すよ
うな画素電極どなる個々の記録電極が直線状に多数個櫛
歯状に配列された特殊な画像記録ヘッドを必要とする。
うな画素電極どなる個々の記録電極が直線状に多数個櫛
歯状に配列された特殊な画像記録ヘッドを必要とする。
第2図にお゛いて、2]は絶縁基板、22は記録電極で
ある。
ある。
高品位な画像を描くためには1)1M11当り8〜16
ト・ソト程度の分解能、すなオ〕も1mm当り8〜16
本の記録電極が必要であり、近年この分解能はまずます
増加する傾向にある。例えば、記録用紙幅が200何で
ある場合、画像記録ヘッドに1600〜3200本もの
多数の記録電極を作成する必要があり、このような高精
細な画像記録l\ツドを歩留りよく製造する方法が重要
となる。このような画像記録ヘラIくの製造方法の一例
が、特開昭に3 296fl’162に示されている、
これは、下記のプロセスによろ3.すなわl′)、(A
、 )絶縁基板」二全面に酸化しやすい金属層を真空蒸
着あるいはスバソタリンタ゛によって300〜400人
の薄膜に。
ト・ソト程度の分解能、すなオ〕も1mm当り8〜16
本の記録電極が必要であり、近年この分解能はまずます
増加する傾向にある。例えば、記録用紙幅が200何で
ある場合、画像記録ヘッドに1600〜3200本もの
多数の記録電極を作成する必要があり、このような高精
細な画像記録l\ツドを歩留りよく製造する方法が重要
となる。このような画像記録ヘラIくの製造方法の一例
が、特開昭に3 296fl’162に示されている、
これは、下記のプロセスによろ3.すなわl′)、(A
、 )絶縁基板」二全面に酸化しやすい金属層を真空蒸
着あるいはスバソタリンタ゛によって300〜400人
の薄膜に。
さ1゛)にその」に下地層を0.r〜0.2μm程度、
メツキ方式等の手段で全面!4布する。(+3)”′ト
地Jf’i、l・に感光性(11脂に係るフォトレジス
ト80μm塗!]Jして被覆させ乾燥させたのち、フォ
トレジスト ス1−を除去して、細線パターンを形成する。<C)下
地層上の細線パターン間のスペースに熱電解メツキθζ
あるいは電解メツキ法に,上り、二Iパル1−二ソリル
、鉄−ニッケル等の導電外磁竹材料を:30〜50μ汀
1塗布し、導’1($牲磁性′市極を形成する、。
メツキ方式等の手段で全面!4布する。(+3)”′ト
地Jf’i、l・に感光性(11脂に係るフォトレジス
ト80μm塗!]Jして被覆させ乾燥させたのち、フォ
トレジスト ス1−を除去して、細線パターンを形成する。<C)下
地層上の細線パターン間のスペースに熱電解メツキθζ
あるいは電解メツキ法に,上り、二Iパル1−二ソリル
、鉄−ニッケル等の導電外磁竹材料を:30〜50μ汀
1塗布し、導’1($牲磁性′市極を形成する、。
(r))導電性磁性電極具ガの細線パターン、そのF
BQの下地層、金属層をエツチングによって除去する。
BQの下地層、金属層をエツチングによって除去する。
( E ) i’lf記エソチンクによって新たに形成
−:) された多数の導電性磁性電極間の空間に、酸化鉄、酸化
クロム等の非導電性磁性粉を有機バインダと混合し5ペ
ースト状としたものを塗布充填し、乾燥する,、 [発明が解決しようとする課題] 」1記のように、画像記録装置の分解能の増加によって
、]膿当りの記録電極の本数も増加している。このこと
は、第2図において個々の導電性磁性電極および電極間
の鴫が小さくなることを意味する,1また、本記録力式
において画像濃度を大きくするためには電極断面積を大
きくする必要があり、従って電極の細線化に伴って電極
厚はできる限り大きくする必要がある。このような細幅
、厚膜の記録電極を上記従来技術で作成するためには、
フォトレシス1ーパターンも細幅、厚膜としなければな
らない。しかし、−上記従来技術では露光部のフォトレ
シス1−下層が金属であるため。露光時、lフジスト中
を透過した光が金属面で反射し、まわりの非露光部のレ
ジス1−をも硬化させ、高解像度に細幅、厚膜のフォ1
ーレジス1ーパターンを形成できなかった。
−:) された多数の導電性磁性電極間の空間に、酸化鉄、酸化
クロム等の非導電性磁性粉を有機バインダと混合し5ペ
ースト状としたものを塗布充填し、乾燥する,、 [発明が解決しようとする課題] 」1記のように、画像記録装置の分解能の増加によって
、]膿当りの記録電極の本数も増加している。このこと
は、第2図において個々の導電性磁性電極および電極間
の鴫が小さくなることを意味する,1また、本記録力式
において画像濃度を大きくするためには電極断面積を大
きくする必要があり、従って電極の細線化に伴って電極
厚はできる限り大きくする必要がある。このような細幅
、厚膜の記録電極を上記従来技術で作成するためには、
フォトレシス1ーパターンも細幅、厚膜としなければな
らない。しかし、−上記従来技術では露光部のフォトレ
シス1−下層が金属であるため。露光時、lフジスト中
を透過した光が金属面で反射し、まわりの非露光部のレ
ジス1−をも硬化させ、高解像度に細幅、厚膜のフォ1
ーレジス1ーパターンを形成できなかった。
また、−1記従来技術では.!i!録電極電極形成後極
以外の部分の下」1!!層、金属層をエツチングで除去
するが、rli極間[すAが小さい11脂5密度記録電
極作成に際してエツチング液が電極間に入りにくくなる
ため、エツチングがされにくくなったり、不均一になっ
たりして、電極間ショー1−の原因となー〕だ、。
以外の部分の下」1!!層、金属層をエツチングで除去
するが、rli極間[すAが小さい11脂5密度記録電
極作成に際してエツチング液が電極間に入りにくくなる
ため、エツチングがされにくくなったり、不均一になっ
たりして、電極間ショー1−の原因となー〕だ、。
さ1〕)シこ、フカ1〜レジス]〜、下地層、金属層の
除去に用いろ剥離液、エツチング液には導電性磁性電極
λを腐食するものがあり、これらを使用する場合には、
導電性磁性電極の溶解、変形などが起こす問題があった
。
除去に用いろ剥離液、エツチング液には導電性磁性電極
λを腐食するものがあり、これらを使用する場合には、
導電性磁性電極の溶解、変形などが起こす問題があった
。
本発明の「1的は、」−記従来技術の問題点を解消する
と共に高密庶、高精細へ’ iii.+録電極を効率良
く製造する方法を提供することにある。
と共に高密庶、高精細へ’ iii.+録電極を効率良
く製造する方法を提供することにある。
し課題を解決するための手段]
J−’fi+4 1’l的は、画像記録電極を製造する
方法において、F地〈)属層を記録電極のパターンと同
しパターンに形成しておき、電極が形成されない部分に
はド地金1!I(!鐸7I)存在しないようにする方法
を採用することによって達成される。
方法において、F地〈)属層を記録電極のパターンと同
しパターンに形成しておき、電極が形成されない部分に
はド地金1!I(!鐸7I)存在しないようにする方法
を採用することによって達成される。
すなわち、本発明は、絶縁基板上に、画像記録電極のパ
ターンに対応して該バタ・−ンと同じパターン状に下地
金属層を形成し、その上に感光性樹脂を被覆し、該感光
性樹脂を選択的に露光し現像することによって前記下池
金属層の上部が開口部になるように細線バタ・−ンを形
成し、該開口部内の土地金属層上にめっきによって導電
性磁性材料を充填して記録電極群を形成することを特徴
とする画像記録電極の製造方法に関する。
ターンに対応して該バタ・−ンと同じパターン状に下地
金属層を形成し、その上に感光性樹脂を被覆し、該感光
性樹脂を選択的に露光し現像することによって前記下池
金属層の上部が開口部になるように細線バタ・−ンを形
成し、該開口部内の土地金属層上にめっきによって導電
性磁性材料を充填して記録電極群を形成することを特徴
とする画像記録電極の製造方法に関する。
以下に第1図の工程に従って本発明にかかる記録電極の
製造方法を説明する。(A)絶縁基板1」上全面に、ス
パッタ、蒸着、めっきなどの方法で厚さ数μTnの下地
金属層12を形成し、(B)tjE! 録1/d極とは
逆の形状のフカ1−レジス1−パターン13を形成し、
(C)フォ1−レジストパターン13をマスクとしてレ
ジス[・開口部の下地金属層をエツチング除去したのぢ
、フォトレジストを除去して、記録電極と同じパターン
の下地金属層14を形成する。(D)この」二全面に、
感光性樹脂にかかるフォトレジス1−15を20〜50
μmの厚さに塗布して1(吃燥させたのち、(E)フォ
]−レジスI・15を選択的に露光して−1・地金属層
14の存在しない部分にのみフォ1〜レジス1ヘパター
ン」6を形成する。(T=’ )下地金属7*l 1、
4. l:にめっきによって記録屯1417を形成す
る。(G)必要に応じて、フカ1−レジス[・パターン
1Gを除去する。
製造方法を説明する。(A)絶縁基板1」上全面に、ス
パッタ、蒸着、めっきなどの方法で厚さ数μTnの下地
金属層12を形成し、(B)tjE! 録1/d極とは
逆の形状のフカ1−レジス1−パターン13を形成し、
(C)フォ1−レジストパターン13をマスクとしてレ
ジス[・開口部の下地金属層をエツチング除去したのぢ
、フォトレジストを除去して、記録電極と同じパターン
の下地金属層14を形成する。(D)この」二全面に、
感光性樹脂にかかるフォトレジス1−15を20〜50
μmの厚さに塗布して1(吃燥させたのち、(E)フォ
]−レジスI・15を選択的に露光して−1・地金属層
14の存在しない部分にのみフォ1〜レジス1ヘパター
ン」6を形成する。(T=’ )下地金属7*l 1、
4. l:にめっきによって記録屯1417を形成す
る。(G)必要に応じて、フカ1−レジス[・パターン
1Gを除去する。
」−記において、記銭電(がど回しパターンの下地金属
層14は、その幅か形成する記録電極より小さくなるよ
うにすることが望ましい。また、記録電極と同しパター
ンに形成するには、上記の他、銅張り積層板のように表
面に金属d層をイjする絶縁基板をフォトエヂング処理
する方法でもよい。
層14は、その幅か形成する記録電極より小さくなるよ
うにすることが望ましい。また、記録電極と同しパター
ンに形成するには、上記の他、銅張り積層板のように表
面に金属d層をイjする絶縁基板をフォトエヂング処理
する方法でもよい。
I核絶縁jA仮は、アルミナ、ムライ1−等のセラミッ
クス、ガラス、ガラス繊維エポキシ樹脂、ポリイミド等
の有機材料か12+ 4.lII成さ九、十分な絶縁性
と比較的小さな膨張係数タイjするものが望ましい。
クス、ガラス、ガラス繊維エポキシ樹脂、ポリイミド等
の有機材料か12+ 4.lII成さ九、十分な絶縁性
と比較的小さな膨張係数タイjするものが望ましい。
該絶縁基板−1−に形成される該下地金属層は1. l
id以[〕の金金属台から成り、最]−1Gの金属は導
1を性をイ1する金属jCjであることが望ましい。ま
た、必要一 に応じて該下地金属層と該絶縁基板の間に両者の密着性
を向−1させる材料の層が形成される。
id以[〕の金金属台から成り、最]−1Gの金属は導
1を性をイ1する金属jCjであることが望ましい。ま
た、必要一 に応じて該下地金属層と該絶縁基板の間に両者の密着性
を向−1させる材料の層が形成される。
フォ]ヘレジス1−パターン形成に用いる感光性樹脂と
しで、ドライフィルム、液状レジス1−等が挙げられる
。厚膜形成の点からはフィルムタイプのものが優れるが
、基板どの密着性は液状タイプのものか優れる。該感光
性樹脂を該下地金属層を形成した絶縁基板−1−全11
i口こ塗布し、乾燥した後、所望のパターン状に選択的
に露光し、現像を行って、フォトレジスト 士必要ならば、フォトIノジストパターンを形成した#
l総基板を適当な温度で加熱して、フォトレジストの耐
めっき液性、絶縁基板に対する密着性を向」二せしめる
ことができる、。
しで、ドライフィルム、液状レジス1−等が挙げられる
。厚膜形成の点からはフィルムタイプのものが優れるが
、基板どの密着性は液状タイプのものか優れる。該感光
性樹脂を該下地金属層を形成した絶縁基板−1−全11
i口こ塗布し、乾燥した後、所望のパターン状に選択的
に露光し、現像を行って、フォトレジスト 士必要ならば、フォトIノジストパターンを形成した#
l総基板を適当な温度で加熱して、フォトレジストの耐
めっき液性、絶縁基板に対する密着性を向」二せしめる
ことができる、。
記録電極は、この電極を通して外部の磁化手段と磁気的
に結合する必要があることから、Ni。
に結合する必要があることから、Ni。
Fe、CoまたはN i −1’ s 、 N i −
Co等のNi合金など、望ましくは高透磁率特性を有す
る導電性磁性材料で構成される。記録電極は厚さ20〜
50μrnであって、下地金属層−[−に適当な活性化
処理を行った後、無電解めっきによって形成されるか、
あるいは下地金属層に通電を行って電気めっきによって
形成される。
Co等のNi合金など、望ましくは高透磁率特性を有す
る導電性磁性材料で構成される。記録電極は厚さ20〜
50μrnであって、下地金属層−[−に適当な活性化
処理を行った後、無電解めっきによって形成されるか、
あるいは下地金属層に通電を行って電気めっきによって
形成される。
フォ]・レシス[へは、記録電極を形成した後、電極の
記録特性干、除去することが必要ならば除去してもよい
し、そのまま゛上極間に残してもかまわない。さらに、
フォトレジストを除去した後の記録′上極間の空間は、
そのまま空間としてもよいし、電極の記録特性上必要な
らば、特開昭63−296962に述べられているよう
に酸化鉄、酸化クロム等の井i8電性磁刊粉を何機バイ
ンダと混合してべ・−ス]へ状としたものを塗布、充填
してもよい。
記録特性干、除去することが必要ならば除去してもよい
し、そのまま゛上極間に残してもかまわない。さらに、
フォトレジストを除去した後の記録′上極間の空間は、
そのまま空間としてもよいし、電極の記録特性上必要な
らば、特開昭63−296962に述べられているよう
に酸化鉄、酸化クロム等の井i8電性磁刊粉を何機バイ
ンダと混合してべ・−ス]へ状としたものを塗布、充填
してもよい。
以下に、第3図の従来θ−の工程と、第4図の本発明方
法による−に程を対比して説明する。第3図(A)では
絶縁基板31−ヒ全面に下地金属層32を形成するが、
第4図(A)では絶縁基板41−1−に、記録電極のパ
ターンに対応して記録電極が形成される部分にのみ下地
金1.’Jf、 +に/42が形成さ4しる。
法による−に程を対比して説明する。第3図(A)では
絶縁基板31−ヒ全面に下地金属層32を形成するが、
第4図(A)では絶縁基板41−1−に、記録電極のパ
ターンに対応して記録電極が形成される部分にのみ下地
金1.’Jf、 +に/42が形成さ4しる。
第;略図(I))よンよび第4図(I3)において、感
光性樹脂のフォトレジス]−33,43を塗布して乾燥
させたのち、フォトレジストを選択的に露光を行う。ネ
ガ型感光性樹脂の場合は、露光部が硬化し、現像後パタ
ーンとなるため、記録電極を形成する部分以外に露光を
行い、第3図(C)および第4図(C)のように不要な
フォトレジストを除去して、細線パターン34,4.4
を形成する。次に第3図(1))および第4図(D)に
おいて、細線パターン間のスペースにめっきにより導電
性磁性材料を充填して、記録電極35.45を形成する
。しかる後、第3図(E)においては、フォi・レジス
ト)6びにフォト−ジス1〜下部の下地金属層を除去す
る。第4図(E)においては、必要に応してフォI・レ
ジストを除去するが、フォ8レジス1〜十部には一ド地
金属層が存在しないので、下地金属層の除去の工程がな
い。
光性樹脂のフォトレジス]−33,43を塗布して乾燥
させたのち、フォトレジストを選択的に露光を行う。ネ
ガ型感光性樹脂の場合は、露光部が硬化し、現像後パタ
ーンとなるため、記録電極を形成する部分以外に露光を
行い、第3図(C)および第4図(C)のように不要な
フォトレジストを除去して、細線パターン34,4.4
を形成する。次に第3図(1))および第4図(D)に
おいて、細線パターン間のスペースにめっきにより導電
性磁性材料を充填して、記録電極35.45を形成する
。しかる後、第3図(E)においては、フォi・レジス
ト)6びにフォト−ジス1〜下部の下地金属層を除去す
る。第4図(E)においては、必要に応してフォI・レ
ジストを除去するが、フォ8レジス1〜十部には一ド地
金属層が存在しないので、下地金属層の除去の工程がな
い。
[作用]
絶縁基板」二にフォト−ジス1〜パターンを形成する工
程において、ネガ型の感光性樹脂を用いる場合、ネガ型
感光性樹脂は露光部が硬化し、現像後パターンとなるた
め、第3図(B)、第4図(B)に示すように記録電極
を形成する部分以外に露光を行う。しかし、第3図のよ
うに従来技術のように露ソロ部分に下地金属層が存在す
ると、レジスト11を透過した照射光が下地金属面で反
射し、散乱して周囲の非露光部の樹脂をも硬化させる。
程において、ネガ型の感光性樹脂を用いる場合、ネガ型
感光性樹脂は露光部が硬化し、現像後パターンとなるた
め、第3図(B)、第4図(B)に示すように記録電極
を形成する部分以外に露光を行う。しかし、第3図のよ
うに従来技術のように露ソロ部分に下地金属層が存在す
ると、レジスト11を透過した照射光が下地金属面で反
射し、散乱して周囲の非露光部の樹脂をも硬化させる。
このため、現像後のフォトレジス1−パターンの断面が
台形状となり、次−1ニ稈て形成する記録電極が所望の
・1゛法より小さくなったり、フォトレジス]・パター
ン間の間隔が小さい場合には、]・地金属層がお才;オ
)れ記録電極が形成されない。これに対し、本発明の製
造力θ;では、第4図のように記録′上極形成部のみ下
地金属Jtりが形成され、硬化部のフォトレジスI・下
部は絶縁体であるため、透過光の反射が少なく、i11
解像度でフォ1−レシス1〜パターンが形成でき、これ
によって高精細な記録電極を形成できる。
台形状となり、次−1ニ稈て形成する記録電極が所望の
・1゛法より小さくなったり、フォトレジス]・パター
ン間の間隔が小さい場合には、]・地金属層がお才;オ
)れ記録電極が形成されない。これに対し、本発明の製
造力θ;では、第4図のように記録′上極形成部のみ下
地金属Jtりが形成され、硬化部のフォトレジスI・下
部は絶縁体であるため、透過光の反射が少なく、i11
解像度でフォ1−レシス1〜パターンが形成でき、これ
によって高精細な記録電極を形成できる。
士だ、本発明の堰造方θ、においては、記録電極間には
土地金ル(1ζ1がイr在せす、よって1記録電極形成
後、′電極間の下地金属J(ηをエツチングで除去する
必要がない。これによちで、エツチング処理に=11 起因する不良、例えばエツチング液による記録電極の腐
食、下地金属層のエツチング残りによる記録電極間のシ
ョー1へ等の問題がおこらないため、効率良< 11’
LI精細な記録電極を形成できる。
土地金ル(1ζ1がイr在せす、よって1記録電極形成
後、′電極間の下地金属J(ηをエツチングで除去する
必要がない。これによちで、エツチング処理に=11 起因する不良、例えばエツチング液による記録電極の腐
食、下地金属層のエツチング残りによる記録電極間のシ
ョー1へ等の問題がおこらないため、効率良< 11’
LI精細な記録電極を形成できる。
[実施例]
(実施例1)
第1図の工程に従って以下のように記録電極を作製した
。
。
アルミナ基板11上全面に、めっき下地金属層]2とし
てCr / CLlをスパッタリングによって厚さ2μ
mに成膜加工した。
てCr / CLlをスパッタリングによって厚さ2μ
mに成膜加工した。
次に、この上に記録電極と同じパターン状にフォI〜レ
ジス1〜パターン]3を形成し、次にレジス[−開「1
部の下地金属層をエツチングによって除去し、レジスト
パターン13も除去する。
ジス1〜パターン]3を形成し、次にレジス[−開「1
部の下地金属層をエツチングによって除去し、レジスト
パターン13も除去する。
基板1ゴとパターン化された下地金属14の上全面に感
光層の厚さ25μmのドライフィルム15 (日立化成
製I−’ HT−1,45F −25)をラミネーI・
装置により貼付け、次いで現像後に記録電極形成部が開
L1部となるように選択的に露光し、トリクロルエタン
をスプレー噴射して現像を行った。さらに1.20℃で
30分間ボストベークを行い、レジスh 幅:30 p
m、間隔32.5μm、厚さ20μII+のレジス1
−パターン16を形成した、。
光層の厚さ25μmのドライフィルム15 (日立化成
製I−’ HT−1,45F −25)をラミネーI・
装置により貼付け、次いで現像後に記録電極形成部が開
L1部となるように選択的に露光し、トリクロルエタン
をスプレー噴射して現像を行った。さらに1.20℃で
30分間ボストベークを行い、レジスh 幅:30 p
m、間隔32.5μm、厚さ20μII+のレジス1
−パターン16を形成した、。
次に、プラスマアッシンヅ(30ow、o□ハ゛0 、
F) To r r ) & 1.0分間行い、めっ
きF地金属J’f!l 1−の現像で除去しきれなかっ
たレジス1〜残漬を除去した。
F) To r r ) & 1.0分間行い、めっ
きF地金属J’f!l 1−の現像で除去しきれなかっ
たレジス1〜残漬を除去した。
ド記組成のN :i −F” eめっき液を用い−C,
該めっき下地金属JM ] 4上に厚さ19μI11に
記録電極17を電気めっき(液温45°C1′市流密度
51\/d T【r )で形成した。
該めっき下地金属JM ] 4上に厚さ19μI11に
記録電極17を電気めっき(液温45°C1′市流密度
51\/d T【r )で形成した。
レジスl−を塩化メチレンをスプレー噴射することによ
−〕で除去した後、櫛歯状に形成された記録電極の画像
記録部側の端より1〜10 +naの適当な位置をレー
ザカソチング、ダイシング等の適当な方法で切断して、
帖;32メI Ill、厚さ19μm、間隔30.5μ
mのパーン ロイ製の記録電極(11ml当り16本)
を製造した。
−〕で除去した後、櫛歯状に形成された記録電極の画像
記録部側の端より1〜10 +naの適当な位置をレー
ザカソチング、ダイシング等の適当な方法で切断して、
帖;32メI Ill、厚さ19μm、間隔30.5μ
mのパーン ロイ製の記録電極(11ml当り16本)
を製造した。
ホウ酸
30 、。
(比較例)
実施例]ど同様の方〃(でアルミナ基板上全面にめっき
一ト地金属層としてC: r / Cu l模を形成し
たものの上に、−Y・地金属層をパターン化せずに実施
例]の方法で幅30μIDI、厚さ20μrn、間隔3
2.5μITIのレジストパターンを形成しようと試み
たところ、非露光部のレジストも光硬化してレジストパ
ターンを形成できなかった。これはレジ人ト光硬化のr
Al光散が過剰であったためと考え、露光量を順次減少
してレジストパターン形成を行った2、シかし、非露光
部レジストの硬化が起こらない露光部では露光部のレジ
ストの硬化も不完全となり、現像時に膨潤してレジスI
−パターンを形成できず、適正な露光板は存在しなかっ
た。
一ト地金属層としてC: r / Cu l模を形成し
たものの上に、−Y・地金属層をパターン化せずに実施
例]の方法で幅30μIDI、厚さ20μrn、間隔3
2.5μITIのレジストパターンを形成しようと試み
たところ、非露光部のレジストも光硬化してレジストパ
ターンを形成できなかった。これはレジ人ト光硬化のr
Al光散が過剰であったためと考え、露光量を順次減少
してレジストパターン形成を行った2、シかし、非露光
部レジストの硬化が起こらない露光部では露光部のレジ
ストの硬化も不完全となり、現像時に膨潤してレジスI
−パターンを形成できず、適正な露光板は存在しなかっ
た。
(実施例2)
ポリイミド板表面に周知の方法によって電極ノヘターン
状に化学銅めっきに対する活性化処理を施し、次いでこ
の上に周知の化学銅めっき処3111によって薄付銅め
っきを施した3、(アディティブ法)次にこの−にに感
光層の厚さ25μmのトライフィルム(1−1立化成製
P H’[’ −1,4FJ F−25)を用いて、実
施例1と同様の方法で輻30μlT1、J11/さ20
μ丁「1、間隔32.!うμInのフ第1−レジスI〜
パターンを形成した・ 該めっきド地金属層」二に下記組成のN]めつき液を用
いて、jlノさ19μmの記録電極を′上気めつき(液
dよ50℃、@流密度2.5A/d、I仔)で形成した
。
状に化学銅めっきに対する活性化処理を施し、次いでこ
の上に周知の化学銅めっき処3111によって薄付銅め
っきを施した3、(アディティブ法)次にこの−にに感
光層の厚さ25μmのトライフィルム(1−1立化成製
P H’[’ −1,4FJ F−25)を用いて、実
施例1と同様の方法で輻30μlT1、J11/さ20
μ丁「1、間隔32.!うμInのフ第1−レジスI〜
パターンを形成した・ 該めっきド地金属層」二に下記組成のN]めつき液を用
いて、jlノさ19μmの記録電極を′上気めつき(液
dよ50℃、@流密度2.5A/d、I仔)で形成した
。
レジス1−を塩化メチレンに、1つて除去した後、実施
例1と同様に?11極ヴ16を基板ととすJ断じて、h
t:’S 2 μrn 、厚さ]9μm、IIl’l隔
:3Q、5μmの二ソグル呵り〕11己@電(旬λ(1
1111III〕1す16本)を製j告した。
例1と同様に?11極ヴ16を基板ととすJ断じて、h
t:’S 2 μrn 、厚さ]9μm、IIl’l隔
:3Q、5μmの二ソグル呵り〕11己@電(旬λ(1
1111III〕1す16本)を製j告した。
%、−iめ一λヱー液
スルファミン醜ニッケル 410 gホウ酸
40 gラウリル硫酸す1−リ
ウム 25[11g蒸留水 全電
を]Qとする旦(実施例3) 銅張り積1ニ1板(銅厚20μm)を出発材料として、
この」−全面に電着法によってフォトレジスト(シブ1
ノ一社製イーグルE/P 2000)を塗布した3、8
0℃で3分間乾燥しさらにl−ツブ11−’& t’h
:/lj L/ fs後、紫外光を200mJ/aJ
rs光し、現像を行って、記録電極パターン状に幅62
.5μrn、間隔60μmのフォトレジストパターンを
形成した。
40 gラウリル硫酸す1−リ
ウム 25[11g蒸留水 全電
を]Qとする旦(実施例3) 銅張り積1ニ1板(銅厚20μm)を出発材料として、
この」−全面に電着法によってフォトレジスト(シブ1
ノ一社製イーグルE/P 2000)を塗布した3、8
0℃で3分間乾燥しさらにl−ツブ11−’& t’h
:/lj L/ fs後、紫外光を200mJ/aJ
rs光し、現像を行って、記録電極パターン状に幅62
.5μrn、間隔60μmのフォトレジストパターンを
形成した。
次いで、アルカリエラチャン1−によってレジス1−開
[1部の銅箔を除去した。
[1部の銅箔を除去した。
基板全面」−に感光層の厚さ50μmのドライフィルム
(Fi立化成製P I−T T−152F 71’ −
50)を用いて、実施例1と同様の方法で、記録電極形
成部が開「1部になるように幅60μm、厚さ45μr
rl、間隔62.5μ打−のフォトレジストパターン ンを形成した。
(Fi立化成製P I−T T−152F 71’ −
50)を用いて、実施例1と同様の方法で、記録電極形
成部が開「1部になるように幅60μm、厚さ45μr
rl、間隔62.5μ打−のフォトレジストパターン ンを形成した。
該銅箔パターン状に、%電解Niめつき液(日本カニゼ
ン社製シューマーS B −55)を用いて、厚さ25
μmのN]製配己録電(桓をめっきに3上って形成した
。。
ン社製シューマーS B −55)を用いて、厚さ25
μmのN]製配己録電(桓をめっきに3上って形成した
。。
塩化メチレンをスプレー噴射することによってレジス1
〜を除去した後、実施例1と同様に電極端を基板ごと切
断して、幅62.5μm、厚さ45μm、間隔601L
rnのニッケル製の記録電極(1゜11ffi1当り8
本)をMi告した。
〜を除去した後、実施例1と同様に電極端を基板ごと切
断して、幅62.5μm、厚さ45μm、間隔601L
rnのニッケル製の記録電極(1゜11ffi1当り8
本)をMi告した。
[発明の効果]
本発明では、めっき下地金属層がパターン状に形成され
ているので、フ第1−レジスI−パターン形成が高解像
度で形成できる。従って、高精細な記録電極を製造する
ことができる。
ているので、フ第1−レジスI−パターン形成が高解像
度で形成できる。従って、高精細な記録電極を製造する
ことができる。
本発明によれば、記B電(か形成部間にはめつきド地金
属層が存在せず、よって晶己録@極形成後、該下地金属
J(ヲをエソチンクで除去必要がないため、エノヂング
に起因する不良、缶入げエツチング液による記録電極の
腐食、−ト地金属層のエノチンク残りによる記録電極間
のショート等が起こらず、効率良く、高精細な記録電極
を製造することができる。
属層が存在せず、よって晶己録@極形成後、該下地金属
J(ヲをエソチンクで除去必要がないため、エノヂング
に起因する不良、缶入げエツチング液による記録電極の
腐食、−ト地金属層のエノチンク残りによる記録電極間
のショート等が起こらず、効率良く、高精細な記録電極
を製造することができる。
第1図は、本発明による記録電極の製造方法を示す〕二
程図、第2図は、−・般的な記録電極の斜視図、第3,
4図は、それぞれ従来技術、本発明の記録電極の!12
造方法を用いて高精細記録電極を作成するときの工程図
である。
程図、第2図は、−・般的な記録電極の斜視図、第3,
4図は、それぞれ従来技術、本発明の記録電極の!12
造方法を用いて高精細記録電極を作成するときの工程図
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、絶縁基板上に、画像記録電極のパターンに対応して
該パターンと同じパターン状に下地金属層を形成し、そ
の上に感光性樹脂を被覆し、該感光性樹脂を選択的に露
光し現像することによって前記下地金属層の上部が開口
部になるように細線パターンを形成し、該開口部内の下
地金属層上にめっきによって導電性磁性材料を充填して
記録電極群を形成することを特徴とする画像記録電極の
製造方法。 2、記録電極群を形成したのち、細線パターンを除去す
ることを特徴とする請求項1記載の画像記録電極の製造
方法。 3、前記感光性樹脂は、ネガタイプであることを特徴と
する請求項1記載の画像記録用電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15280590A JPH0445960A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 画像記録用電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15280590A JPH0445960A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 画像記録用電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0445960A true JPH0445960A (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=15548543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15280590A Pending JPH0445960A (ja) | 1990-06-13 | 1990-06-13 | 画像記録用電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0445960A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6233819B1 (en) | 1999-01-21 | 2001-05-22 | Yamaha Corporation | Fine-pitch electrode, process for producing the same, and fine-pitch electrode unit |
-
1990
- 1990-06-13 JP JP15280590A patent/JPH0445960A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6233819B1 (en) | 1999-01-21 | 2001-05-22 | Yamaha Corporation | Fine-pitch electrode, process for producing the same, and fine-pitch electrode unit |
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