JPH0447368B2 - - Google Patents
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- JPH0447368B2 JPH0447368B2 JP56047445A JP4744581A JPH0447368B2 JP H0447368 B2 JPH0447368 B2 JP H0447368B2 JP 56047445 A JP56047445 A JP 56047445A JP 4744581 A JP4744581 A JP 4744581A JP H0447368 B2 JPH0447368 B2 JP H0447368B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- layer
- forming
- polysilsesquioxane
- gold
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜磁気ヘツドの製造方法に関し、特
に導体コイルが高精度に形成される改善された製
造方法に関する。
に導体コイルが高精度に形成される改善された製
造方法に関する。
最近、半導体製造技術に用いられるフオトリン
グラフイ技術を適用して作成する薄膜磁気ヘツド
は、量生産にすぐれて、周波数特性及びビツト記
録密度の向上が可能であるため、大記憶容量やデ
ータ転送速度の速いデイスク装置及びテープ装置
用として注目されている。
グラフイ技術を適用して作成する薄膜磁気ヘツド
は、量生産にすぐれて、周波数特性及びビツト記
録密度の向上が可能であるため、大記憶容量やデ
ータ転送速度の速いデイスク装置及びテープ装置
用として注目されている。
第１図にかような薄膜磁気ヘツドの断面図を示
しており、１は絶縁性基板（例えばガラス基板）、
２は磁性体パターン、３はヘツドギヤツプとなる
絶縁層、４は厚い絶縁層、５は導体コイル、６は
上部磁性体パターン、７は融着ガラス層、８は記
録担体との対向面を示している。
しており、１は絶縁性基板（例えばガラス基板）、
２は磁性体パターン、３はヘツドギヤツプとなる
絶縁層、４は厚い絶縁層、５は導体コイル、６は
上部磁性体パターン、７は融着ガラス層、８は記
録担体との対向面を示している。
ところで、この様な構造にする製造方法におい
て、導体コイル５のパターンニングは最も微細で
難かしく、通常は蒸着した導体層をレジスト膜を
保護マスクとしてエツチング法で形成させている
が、サイドエツチングが生じるため、導体コイル
は梯形の断面形状となるばかりでなく、エツチン
グ時間などの微妙な相異で、その断面積は一定と
ならず、形成された磁気ヘツドの寿命や信頼性が
充分でない欠点がある。
て、導体コイル５のパターンニングは最も微細で
難かしく、通常は蒸着した導体層をレジスト膜を
保護マスクとしてエツチング法で形成させている
が、サイドエツチングが生じるため、導体コイル
は梯形の断面形状となるばかりでなく、エツチン
グ時間などの微妙な相異で、その断面積は一定と
ならず、形成された磁気ヘツドの寿命や信頼性が
充分でない欠点がある。
本発明はこのような欠点を除去し、高精度な角
型断面形状の導体コイルをもつた磁気ヘツドの製
造方法を提供するもので、その特徴は厚い絶縁層
内の所要面上に薄い導体膜を被着し、該導体膜上
に導体コイルパターンの膜厚と同等以上の膜厚を
もつたレジストパターンを形成し、次いでレジス
トパターンの間隙部分の露出した前記導体膜を電
極として導体層を鍍金し、次いでレジストパター
ンを除去した後、前記薄い導体膜を完全に除去で
きる程度に全面エツチングを行ない、次いで絶縁
層となる有機耐熱性樹脂を塗布し、更に全面に該
樹脂からなる絶縁層あるいは無機物からなる絶縁
層を形成する工程を含むことにある製造方法であ
る。更に本発明の他の特徴は前記有機耐熱性樹脂
はポリシルセスキオキサンを含むことにある製造
方法であり、以下実施例によつて詳細に説明す
る。
型断面形状の導体コイルをもつた磁気ヘツドの製
造方法を提供するもので、その特徴は厚い絶縁層
内の所要面上に薄い導体膜を被着し、該導体膜上
に導体コイルパターンの膜厚と同等以上の膜厚を
もつたレジストパターンを形成し、次いでレジス
トパターンの間隙部分の露出した前記導体膜を電
極として導体層を鍍金し、次いでレジストパター
ンを除去した後、前記薄い導体膜を完全に除去で
きる程度に全面エツチングを行ない、次いで絶縁
層となる有機耐熱性樹脂を塗布し、更に全面に該
樹脂からなる絶縁層あるいは無機物からなる絶縁
層を形成する工程を含むことにある製造方法であ
る。更に本発明の他の特徴は前記有機耐熱性樹脂
はポリシルセスキオキサンを含むことにある製造
方法であり、以下実施例によつて詳細に説明す
る。
第２図ないし第９図は本発明にかゝる製造方法
の工程順断面図で、先づ、第２図に示すように絶
縁性ガラス基板１上に磁性体パターン（例えばパ
ーマロイ）２を形成し、次いでヘツドギヤツプと
なる絶縁層３を酸化シリコン（SiO2）の薄膜
（膜厚0.3μｍ程度）で形成した後、その上面にポ
リシルセスキオキサンを含む樹脂１０をスピンナ
ーで塗布して450℃、１時間熱処理する。その際、
ポリシルセスキオキサンを含む樹脂１０の膜厚は
1μｍ位とする。
の工程順断面図で、先づ、第２図に示すように絶
縁性ガラス基板１上に磁性体パターン（例えばパ
ーマロイ）２を形成し、次いでヘツドギヤツプと
なる絶縁層３を酸化シリコン（SiO2）の薄膜
（膜厚0.3μｍ程度）で形成した後、その上面にポ
リシルセスキオキサンを含む樹脂１０をスピンナ
ーで塗布して450℃、１時間熱処理する。その際、
ポリシルセスキオキサンを含む樹脂１０の膜厚は
1μｍ位とする。
次いで、第３図に示すように、その上面に膜厚
0.2〜0.8μｍの金（Au）薄膜１１を蒸着法によつ
て被着し、その上にレジスト膜１２を塗布し、プ
リベーキングを行なつて、その膜厚は1.5μｍ程度
にする。次いで、第４図に示すように、フオトプ
ロセスまたは、電子線リソグラフイなどによつて
レジスト膜１２をパターンニングして、導体コイ
ルの逆パターンを形成する。この場合、導体コイ
ル相互の幅、即ちレジスト膜パターンの間隔が
3μｍ以上あるときはレジスト膜としてAZ1350な
ど用いて、パターンニングはクロムマスクを使用
して遠紫外線露光を行ない、レジスト膜パターン
の間隔が3μｍ以下のときはポリメチルメタクリ
レート（PMMA）を用いて、電子ビーム露光あ
るいはＸ線露光を行なうことが望ましい。
0.2〜0.8μｍの金（Au）薄膜１１を蒸着法によつ
て被着し、その上にレジスト膜１２を塗布し、プ
リベーキングを行なつて、その膜厚は1.5μｍ程度
にする。次いで、第４図に示すように、フオトプ
ロセスまたは、電子線リソグラフイなどによつて
レジスト膜１２をパターンニングして、導体コイ
ルの逆パターンを形成する。この場合、導体コイ
ル相互の幅、即ちレジスト膜パターンの間隔が
3μｍ以上あるときはレジスト膜としてAZ1350な
ど用いて、パターンニングはクロムマスクを使用
して遠紫外線露光を行ない、レジスト膜パターン
の間隔が3μｍ以下のときはポリメチルメタクリ
レート（PMMA）を用いて、電子ビーム露光あ
るいはＸ線露光を行なうことが望ましい。
この様にしてレジスト膜パターン１２を得る
と、レジスト膜が除去された部分はAu薄膜１１
が露出しており、そのAu薄膜を電極としてAu鍍
金を行なう。そうすると、第５図に示すようにレ
ジスト膜パターン１２の間にAu鍍金層１３が形
成される。この際のAu鍍金は、Au蒸着膜１１と
の密着性を良くするため、予めAuストライクメ
ツキを行つた後、Auメツキを行なう方法が望ま
しく、Auストライクメツキは例えばオーロシー
ド浴（日進化成製）を用い、Au濃度0.5〜1.0ｇ／
（常温）、電流密度1A／ｄm2で、メツキ時間は
約10秒とする。又、Auメツキは同じくオーロシ
ード浴を用い、Au濃度20ｇ／、液温55〜60℃、
PH4.7〜5.7の酸性浴で、白金陽極と電流密度
0.2A／ｄm2で12.5分通電する。そうすれば、Au
鍍金層１３の膜厚はストライクメツキ層と併せて
約1.5μｍに形成される。
と、レジスト膜が除去された部分はAu薄膜１１
が露出しており、そのAu薄膜を電極としてAu鍍
金を行なう。そうすると、第５図に示すようにレ
ジスト膜パターン１２の間にAu鍍金層１３が形
成される。この際のAu鍍金は、Au蒸着膜１１と
の密着性を良くするため、予めAuストライクメ
ツキを行つた後、Auメツキを行なう方法が望ま
しく、Auストライクメツキは例えばオーロシー
ド浴（日進化成製）を用い、Au濃度0.5〜1.0ｇ／
（常温）、電流密度1A／ｄm2で、メツキ時間は
約10秒とする。又、Auメツキは同じくオーロシ
ード浴を用い、Au濃度20ｇ／、液温55〜60℃、
PH4.7〜5.7の酸性浴で、白金陽極と電流密度
0.2A／ｄm2で12.5分通電する。そうすれば、Au
鍍金層１３の膜厚はストライクメツキ層と併せて
約1.5μｍに形成される。
次いで、第６図に示すように有機溶剤を用いて
レジスト膜１２を溶解除去した後、第７図に示す
ようにAu蒸着膜１１の膜厚だけAu層を全面エツ
チングする。エツチング方法としては、通常の湿
式法または乾式法の何れでもよいが、要すれば平
行平板型のリアクテイブスパツタエツチング法が
好ましい。これは基板面に対して垂直方向にエツ
チングされるため、Au鍍金パターン１３の側面
がエツチングされず、パターン幅が減少する恐れ
がない方法である。
レジスト膜１２を溶解除去した後、第７図に示す
ようにAu蒸着膜１１の膜厚だけAu層を全面エツ
チングする。エツチング方法としては、通常の湿
式法または乾式法の何れでもよいが、要すれば平
行平板型のリアクテイブスパツタエツチング法が
好ましい。これは基板面に対して垂直方向にエツ
チングされるため、Au鍍金パターン１３の側面
がエツチングされず、パターン幅が減少する恐れ
がない方法である。
次いで、この様にして形成したAu鍍金層１３
からなる導体コイル上に第８図に示すようにポリ
シルセスキオキサンを含む樹脂１４をスピンナー
で塗布し熱処理する。その膜厚は平面板上で約
1.4μｍとするが、このポリシルセスキオキサンを
含む樹脂組成物は下地との密着性がよくて、耐熱
性があり、リベリング性にすぐれた絶縁体であ
り、上記の如くにして導体コイルを高精度な角型
断面形状とすれば、導体コイル相互間の凹部にも
十分に充填されて、しかも表面が平坦となるレベ
リング性が必要で、その点でポリシルセスキオキ
サンを含む樹脂は最適なものである。又、耐熱性
は磁気ヘツド全体を融着ガラス７（第１図参照）
でコートする際に加熱されるので、是非耐性がな
ければならないが、その点でもポリシルセスキオ
キサンを含む樹脂は好適である。（参考：特願昭
54−077557、54−171005）次いで、第９図に示す
ように、更にその全面に同じくポリシルセスキオ
キサンを含む樹脂１５を約2μｍの膜厚に塗布す
るが、この様なコーテイング樹脂はSiO2やアル
ミナ（Al2O3）などの無機物を含んでも差し支え
ないし、又これらの無機物のみでもかまわない。
からなる導体コイル上に第８図に示すようにポリ
シルセスキオキサンを含む樹脂１４をスピンナー
で塗布し熱処理する。その膜厚は平面板上で約
1.4μｍとするが、このポリシルセスキオキサンを
含む樹脂組成物は下地との密着性がよくて、耐熱
性があり、リベリング性にすぐれた絶縁体であ
り、上記の如くにして導体コイルを高精度な角型
断面形状とすれば、導体コイル相互間の凹部にも
十分に充填されて、しかも表面が平坦となるレベ
リング性が必要で、その点でポリシルセスキオキ
サンを含む樹脂は最適なものである。又、耐熱性
は磁気ヘツド全体を融着ガラス７（第１図参照）
でコートする際に加熱されるので、是非耐性がな
ければならないが、その点でもポリシルセスキオ
キサンを含む樹脂は好適である。（参考：特願昭
54−077557、54−171005）次いで、第９図に示す
ように、更にその全面に同じくポリシルセスキオ
キサンを含む樹脂１５を約2μｍの膜厚に塗布す
るが、この様なコーテイング樹脂はSiO2やアル
ミナ（Al2O3）などの無機物を含んでも差し支え
ないし、又これらの無機物のみでもかまわない。
上記方法によつて、レジストはAZ−1350を使
用し、遠紫外線露光法にてレジスト膜パターンを
形成した場合、幅4.5μｍ、層厚さ1.4μｍ、相互の
間隔4.5μｍの導体コイルが精度良く形成され、又
レジストはPMMAを使用して電子ビーム露光方
法により、幅2.5μｍ、層厚さ1.4μｍ、間隔1.5μｍ
の導体コイルを作成して好結果が得られた。
用し、遠紫外線露光法にてレジスト膜パターンを
形成した場合、幅4.5μｍ、層厚さ1.4μｍ、相互の
間隔4.5μｍの導体コイルが精度良く形成され、又
レジストはPMMAを使用して電子ビーム露光方
法により、幅2.5μｍ、層厚さ1.4μｍ、間隔1.5μｍ
の導体コイルを作成して好結果が得られた。
以上の説明から判るように、本発明は導体コイ
ルを角型とする高精度な薄膜磁気ヘツドの製造方
法で、しかも導体コイルの絶縁体として、高性能
なポリシルセスキオキサンを含む樹脂を用いて、
一層品質のよい磁気ヘツドがえられ、信頼性が向
上すると共に、更に磁気ヘツドを小型にして、記
録装置の高密度化にも寄与するものである。
ルを角型とする高精度な薄膜磁気ヘツドの製造方
法で、しかも導体コイルの絶縁体として、高性能
なポリシルセスキオキサンを含む樹脂を用いて、
一層品質のよい磁気ヘツドがえられ、信頼性が向
上すると共に、更に磁気ヘツドを小型にして、記
録装置の高密度化にも寄与するものである。
第１図は薄膜磁気ヘツドの断面図、第２図ない
し第９図は本発明にかかる製造方法の工程順断面
図である。図中、１は基板、２は磁性体パター
ン、３は絶縁層（例えばSiO2層）、４は厚い絶縁
層、５は導体コイル、６は上部磁性体パターン、
７は融着ガラス層、８は記録担体との対向面、１
０，１４，１５はポリシルセスキオキサンを含む
樹脂、１１はAuの薄い蒸着膜、１２はレジスト
膜（パターン）、１３はAu鍍金層（本発明の導体
コイル）を示す。
し第９図は本発明にかかる製造方法の工程順断面
図である。図中、１は基板、２は磁性体パター
ン、３は絶縁層（例えばSiO2層）、４は厚い絶縁
層、５は導体コイル、６は上部磁性体パターン、
７は融着ガラス層、８は記録担体との対向面、１
０，１４，１５はポリシルセスキオキサンを含む
樹脂、１１はAuの薄い蒸着膜、１２はレジスト
膜（パターン）、１３はAu鍍金層（本発明の導体
コイル）を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板１上に磁性体パターン２を形成し、該磁
性体パターン２上にヘツドギヤツプとなる所要膜
厚の絶縁層３を形成し、次いで積層形成される厚
い絶縁層４内に該磁性体パターン２に鎖交する導
体コイル５を分離形成し、該厚い絶縁層４と該絶
縁層３上に上部磁性体パターン６を形成した後、
記録担体との対向面８を研磨形成してなる薄膜磁
気ヘツドの製法であつて、基板１に磁性体パター
ン２を形成する工程と、該磁性体パターン２上に
ヘツドギヤツプとなる所要膜厚の絶縁層３を形成
する工程と、該絶縁層３上面にポリシルセスキオ
キサンを含む樹脂をスピン塗布して後熱処理しポ
リシルセスキオキサン層１０を形成する工程と、
該ポリシルセスキオキサン層１０上に蒸着法によ
り金薄膜１１を形成する工程と、該金薄膜１１上
に上記導体コイル５の膜厚と同等又はそれ以上の
膜厚のレジストパターン１２をホトリソグラフイ
法により形成する工程と、該金薄膜１１を電極と
して金鍍金を行い該レジストパターン１２の間に
金鍍金層１３を形成する工程と、該レジストパタ
ーン１２を除去する工程と、該金薄膜１１を完全
に除去できる程度に全面エツチングし金鍍金層よ
りなる該導体コイル５を形成する工程と、該導体
コイル５が形成された該ポリシルセスキオキサン
層１０上面にポリシルセスキオキサンを含む樹脂
をスピン塗布して後熱処理し導体コイル５相互間
の凹部を充填し表面が平坦なポリシルセスキオキ
サン層１４を形成する工程と、該ポリシルセスキ
オキサン層１４上面にポリシルセスキオキサンを
含む樹脂からなる絶縁層１５あるいは無機物から
なる絶縁層１５を形成し、該ポリシルセスキオキ
サン層１０と該ポリシルセスキオキサン層１４と
該絶縁層１５よりなる上記厚い絶縁層４を形成す
る工程と、該厚い絶縁層４上と該絶縁層３上に上
部磁性体パターン６を形成する工程と、記録担体
との対向面８を研磨する工程とを有することを特
徴とする薄膜磁気ヘツドの製造方法。 ２ 上記金鍍金層１３が金ストライクメツキを行
つた後金メツキを行う工程により形成される特許
請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘツドの製造方
法。 ３ 上記全面エツチングが平行平板型のリアクテ
イブスパツタエツチングである特許請求の範囲第
１項記載の薄膜磁気ヘツドの製造方法。 ３ 上記ホトリソグラフイが電子ビーム露光、Ｘ
線露光、あるいは紫外線露光によるホトレジスト
の露光工程を有する特許請求の範囲第１項記載の
薄膜磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4744581A JPS57164413A (en) | 1981-03-31 | 1981-03-31 | Manufacture of thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4744581A JPS57164413A (en) | 1981-03-31 | 1981-03-31 | Manufacture of thin film magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57164413A JPS57164413A (en) | 1982-10-09 |
| JPH0447368B2 true JPH0447368B2 (ja) | 1992-08-03 |
Family
ID=12775336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4744581A Granted JPS57164413A (en) | 1981-03-31 | 1981-03-31 | Manufacture of thin film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57164413A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61201430A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置用シリコ−ン樹脂膜及びその形成方法 |
| US4847162A (en) * | 1987-12-28 | 1989-07-11 | Dow Corning Corporation | Multilayer ceramics coatings from the ceramification of hydrogen silsequioxane resin in the presence of ammonia |
| US4849296A (en) * | 1987-12-28 | 1989-07-18 | Dow Corning Corporation | Multilayer ceramic coatings from metal oxides and hydrogen silsesquioxane resin ceramified in ammonia |
| US7009811B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-03-07 | International Business Machines Corporation | Surface planarization processes for the fabrication of magnetic heads and semiconductor devices |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2209216B1 (ja) * | 1972-11-30 | 1977-09-30 | Ibm |
-
1981
- 1981-03-31 JP JP4744581A patent/JPS57164413A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57164413A (en) | 1982-10-09 |
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