JPH0445983B2 - - Google Patents

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JPH0445983B2
JPH0445983B2 JP58130093A JP13009383A JPH0445983B2 JP H0445983 B2 JPH0445983 B2 JP H0445983B2 JP 58130093 A JP58130093 A JP 58130093A JP 13009383 A JP13009383 A JP 13009383A JP H0445983 B2 JPH0445983 B2 JP H0445983B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
frame
leads
lead frame
plating
Prior art date
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Expired
Application number
JP58130093A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6021551A (ja
Inventor
Masao Sekihashi
Masakatsu Ishida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58130093A priority Critical patent/JPS6021551A/ja
Publication of JPS6021551A publication Critical patent/JPS6021551A/ja
Publication of JPH0445983B2 publication Critical patent/JPH0445983B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00Package configurations
    • H10W90/701Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts

Landscapes

  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は半導体パツケージのリード取付方法に
係り、特に半導体フラツト形セラミツクパツケー
ジの電気メツキのための導通やリード付の位置精
度向上などを可能にするのに好適なリード付け方
法に関する。
〔発明の背景〕
半導体用セラミツクパツケージを製造する場
合、リード付の精度が極めて重要である。特に、
近年、多リード化、微細ピツチ化が進み、その精
度も厳しくなつている。一方パツケージにはメツ
キを施す必要があり、その方法は電気メツキ法が
主流であるが、パツケージのメツキすべき表面配
線には外部端子と導通のない配線も有り、メツキ
のための導通を取るのが難しい製品が多くなつて
いる。
従来の半導体パツケージのリード取付方法とし
て、第1図に示すようなものがある同図におい
て、aはパツケージの平面図、bはaのX−
X′線上断面図である。4はセラミツク多層基板
であり、このセラミツク多層基板4には、リード
付パツト3、およびこのリード付パツト3とセラ
ミツク多層基板4の内部配線を介してその一部が
接続される表面配線5が施されている。
上記セラミツク多層基板4に、パツケージ完成
後外部端子となる部品(リード)1aを一体にし
たリードフレーム1を、部品1aの先端がリード
付パツト3上に位置するように載置し、ロウ付す
る。ロウ材としては、銀ロウなどを用い、セラミ
ツク多層基板4とリードフレーム1とを一般には
カーボン製の冶具を組み込み、セラミツク多層基
板4はその端面を用い、リードフレーム1はガイ
ド穴2を用いて位置を合せる。リードフレーム1
をリード付パツト3にロウ付して後、LSI等の半
導体チツプを実装し、リードフレーム2をA−
A′線上で切断して完成する。
上記のようなリード付方法においては、半導体
チツプをセラミツク多層基板に搭載する場合、リ
ードフレーム1のガイド穴2が一般的に使用され
るため、リードフレーム1間の相対位置は高い精
度が要求される。しかしながら、第1図に示すよ
うなリードフレーム1が個々に独立している場
合、リードフレーム1間の相対位置精度を向上さ
せることは難しいという欠点があつた。また、セ
ラミツク多層基板4上の表面配線5が内部配線を
介してリード付パツト3に接続され、リードフレ
ーム1に接続されているのであれば、リードフレ
ーム1を介して電気メツキのため導通が取れる。
しかしながら、前述のようにセラミツク多層基板
4の内部配線を介して、リード付パツト3と表面
配線5の全てが接続されているとは限らず、リー
ドフレーム1に接続されていない表面配線5があ
るときは、リードフレーム1を介して電気メツキ
のための導通を取ることが不可能となる。そこで
従来はリードフレーム1に接続されていない表面
配線5用に、メツキのためのリード配線を設け、
メツキ後それを切断除去する方法とか、導電性ペ
ーストを印刷し、メツキ後この導電性ペーストを
除去する方法とかが、行わてれいる。しかしなが
ら前者の場合、配線を施すスペースが基板上にな
いことが多く、そのためメツキが不可能となつた
り、また後者の場合も導電性ペーストの印刷除去
に手間がかかる等の欠点があつた。
〔発明の目的〕
本発明は上述の点にかんがみなされたもので、
リード付パツトに接続されない表面配線にもメツ
キのための導通をとることを可能にした半導体パ
ツケージのリード付方法を提供することを主目的
とする。さらに、本発明は基板の各リードフレー
ム間の相対位置精度を向上させる半導体パツケー
ジのリード付方法を提供することを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明は、半導体パツケージの外部端子となる
リードの形成されたリードフレームを基板上に載
置し、該リードフレームのリードを基板のパツト
部にロウ付する方法において、前記基板上の表面
配線にメツキするためのメツキリードを前記リー
ドフレームに一体的に形成し、前記リードフレー
ムを前記基板上に載置する際、前記メツキリード
を該基板板の表面配線上に位置せしめ、所望の表
面配線にメツキすることを可能としたことであ
る。これ以外の本発明の種々の特徴は、以下に述
べる実施例において随時説明することにする。
〔発明の実施例〕
第2図は本発明に係るリード付方法の一実施例
を示す図で、同図aはパツケージ平面図、同図b
はaのX−X′線上断面図である。同図において、
第1図と同一符号を付した部分は同一、または相
当部分を示す。図示するように、セラミツク多層
基板4の各辺のリード付パツト3にロウ付される
リード部品1aをリードフレーム1で一体的に形
成すると共に、さらにリードフレーム1同志も、
その両端を枠リード6で一体的に形成する。これ
により、第1図に示すように個々のリードフレー
ム1を位置決め載置してロウ付するより、リード
フレーム1間の相対位置精度が大幅に向上する。
上記リードフレーム1および枠リード6の形成方
法はリードフレームの加工時にエツチング法また
はプレス打抜き法で行うので、その精度は極めて
良い。また枠リード6でリードフレーム1を一体
的に接続するとリード部品1aをリード付パツト
3にロウ付する際、リードフレーム1、枠リード
6とロウ付冶具の熱膨張係数の違いからリードフ
レーム1、枠リード6が変形する。例えば、リー
ドフレーム1、枠リード6に熱膨張係数約8×
10-61/℃(25℃〜750℃)の42アロイ材を用い、
治具に熱膨張係数約4×10-61/℃のカーボンを
使用すると、ガイド穴間が30mmある場合、約0.1
mmの伸縮が温度上下で発生する。このためリード
フレーム1の異常変形を発生し、リードフレーム
1間の相対位置精度を劣化する。この変形を防止
するため枠リード6の一部にロウ付時の伸縮を逃
がすノツチ7を設ける。ノツチ7部分の枠リード
6は変形し易いように他の部分より幅を狭くし、
ノツチ7の方向は枠リード6の伸縮方向3に対し
て90°になるようにしておくと効果が大きい。こ
の枠リード6上に、セラミツク多層基板4の表面
配線5の電気メツキのための導通をとるメツキリ
ード8を設け、このメツキリード8が表面配線5
の一部に接するようにする。このメツキリード8
もリードフレーム1、枠リード6を加工時にエツ
チング法またはプレス打抜法で形成する。
上記のようにリードフレーム1、枠リード6お
よびメツキリード8が一体的に形成されたリード
枠とセラミツク多層基板4とを、カーボン製の治
具に組み込み、リードフレーム1のリード部品1
aの先端をリード付パツト3上にロウ付した後、
第3図の示すように、押圧部材9,10からなる
治具でメツキリード8を機械的に加圧し、メツキ
リード8を表面配線5に確実に接触させ、電気メ
ツキのための外部端子との導通をとり、メツキを
行う。押圧部材9としては、例えば金属性の基台
9aの表面にシリコンゴム9aをコーテイングし
た構造のものを用いる。
電気メツキを施した後、リード枠を第2図aの
A−A′線上で切断して、リードフレーム1、枠
リード6およびメツキリード8を除去すると第1
図aに示す従来のパツケージと同一となり、LSI
等の半導体チツプの搭載は従来と何ら変らない方
法で作業が可能となる。
〔発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
半導体パツケージ基板のリード付方法によれば、
リードフレームが一体化にしているのでロウ付治
具への組み込み作業が簡単で、かつリードフレー
ム間の相対位置精度が向上し半導体チツプ搭載の
歩留が向上するのみならず、特に外部端子へ接続
されていないメツキの必要な表面配線に電気メツ
キを簡単に施すことが可能となる優れた効果が得
られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のリード付方法を示す図で、同図
aはパツケージの平面図、同図bはaのX−
X′線上断面図、第2図は本発明のリード付方法
を示す図で、同図aはパツケージの平面図、同図
bはaのX−X′線上断面図、第3図はメツキリ
ードを表面配線に接触させる治具を示す概略図で
ある。 1……リードフレーム、2……ガイド穴、3…
…リード付パツト、4……セラミツク多層基板、
5……表面配線、6……枠リード、7……ノツ
チ、8……メツキリード。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 半導体パツケージの外部端子となるリードの
    形成されたリードフレームを基板上に載置し、該
    リードフレームのリードを基板のパツト部にロウ
    付するリード付方法において、前記基板上の表面
    配線にメツキするためのメツキリードを前記リー
    ドフレームに一体的に形成し、前記リードフレー
    ムを前記基板上に載置する際、前記メツキリード
    を該基板の表面配線上に位置せしめ、所望の表面
    配線にメツキすることを可能とした半導体パツケ
    ージのリード付方法。 2 前記リードフレームは、基板の複数辺に外部
    端子を取り付けるべく複数のフレームよりなり、
    各フレーム間を枠リードで接続して一体化したこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の半導
    体パツケージのリード付方法。 3 前記リードフレーム間を接続する枠リードの
    一部に変形防止用のノツチを設けたことを特徴と
    する特許請求の範囲第2項記載の半導体パツケー
    ジのリード付方法。
JP58130093A 1983-07-15 1983-07-15 半導体パッケ−ジのリ−ド付方法 Granted JPS6021551A (ja)

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JP58130093A JPS6021551A (ja) 1983-07-15 1983-07-15 半導体パッケ−ジのリ−ド付方法

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JPS6021551A JPS6021551A (ja) 1985-02-02
JPH0445983B2 true JPH0445983B2 (ja) 1992-07-28

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JP58130093A Granted JPS6021551A (ja) 1983-07-15 1983-07-15 半導体パッケ−ジのリ−ド付方法

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JP2013200240A (ja) * 2012-03-26 2013-10-03 Panasonic Corp 角速度センサおよびその製造方法

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JPS6021551A (ja) 1985-02-02

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