JPH0445984A - 光学記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は、レーサー光線によって、情報を書込んだり、
読み取ったりすることが可能な光学記録媒体に関する。

（従来の技術） 従来、Ｉノーザー光線を用いて、情報を記録し読み取る
光学記録媒体としては２種々のものが知られている。そ
の一つに、Ｉノーザー光線を基板」二の記録層に照射し
て、照射部分に融解、蒸発１分解なとの変化を生じさせ
て記録を行なうものがある。

このような光学記録媒体の記録層としては、△Ｓ。

Ｔｅ、Ｓｅ、Ｔｉなとの金属や合金の薄膜層が用いられ
てきた。これら金属や合金の薄膜層を記録層とする光学
記録媒体は、一般に、書込み感度が高く、記録再生光学
系を小型化できる半導体レーザーを適用できると言う特
長かあるが、熱伝導率か大であるなとの理由により、記
録時にＩノーザー光線のエネルギーを効率よく利用でき
ないという欠点かあった。また１、：れらの記録層は、
化学的に不安定であり、劣化することがあった。

このため、特開昭５’ｌ−８２０９３号公報、特開昭５
８−５６８９２号公報１特開昭６０−８９８４２号公報
、特開昭６０−１５０２４３号公報などにより、記録層
として有機薄膜層を用い、比較的長波長の例えば７８０
ｎｍ以上のレーサー光線により情報の書込みや読取りを
行なう光学記録媒体か提案された。このような光学記録
媒体では記録再生光学系の小型化が可能な半導体レーザ
ーによる融解、蒸発１分解などによって、有機薄膜層に
容易に微小な凹部（ピッｌ−）を形成させることかでき
るものの、半導体レーザー光線に対する吸光係数が小さ
く、記録感度が十分ではないなとの欠点があった。

（発明が解決しようとする課題） 本発明は、従来の有機薄膜記録層を有する光学記録媒体
の種々の欠点をを改良し、化学的・物理的に安定で、レ
ーザー光線により高感度て記録・再生かてきる。特定の
フタロシアニン系化合物を用いた光学記録媒体を提供す
るものである。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段） 本発明は、基板上に、下記一般式ＣＩ）〜〔■〕て示さ
れるフタロシアニン系化合物の少なくとも１種以上を含
有する有機薄膜層を設けてなる光学記録媒体である。

（以下余白） 一般式（Ｉｌｌ 一般式 〔■〕 一般式 （］［） 一般式 （ＩＶ） 〔式中９Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｔｎ、Ｓｉ、ＧｅまたはＳ
ｎを表わす。

Ｑは、互いに同一でもあっても異なっていてもよく、置
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、置換基
を有してもよいフタルイミドメチル基、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基スルホン酸基、−ＯＲ’　、　−３
Ｒ’　、　−ＣＯＯＲ３−Ｎ−Ｒ４，−３Ｏ９Ｎ−Ｒ６
，−ＣＯＮ−Ｒ８Ｒ’　　　　　　　　　Ｒ７Ｒ９ ＣＨ２Ｎ　ＨＣＯＣＨ２Ｎ　　　　Ｒ”ＮＨＣＯＲ”、
　−Ｎ＝ＮＲ１３，または−Ｎ＝ＣＨＲ１４を表わす。

Ｒ’、Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｒ’、Ｒ７Ｒ８，Ｒ’
、Ｒ１０およびＲ１１は、互いに同一てあっでも異なっ
ていてもよく、水素原子、置換基を有していてもよいア
ルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換
基を有していてもよいアシル基、置換基を有していても
よいシクロアルキ一　１２− ル基、または置換基を有していてもよいポリエーテル基
を表わし、または　Ｒ６とＲ７とてｌ　Ｒ８とＲ９とて
、あるいはＲ１０とＲ１とて、４〜７員環を形成してい
てもよく、これらの４〜７員環は。

さらに窒素原子、酸素原子、またはいおう原子を含む複
素環てあってもよい。

Ｒ１２１Ｒ１３およびＲ１４は、互いに同一であっても
異なっていてもよく、置換基を有してもよいアルキル基
、置換基を有してもよいシクロアルキル基、または置換
基を有してもよいアリール基を表わす。

Ｘは、互いに同一でもあっても異なっていてもよく、置
換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、置換基
を有してもよいフタルイミドメチル基、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基スルホン酸基、−０Ｒ１５，−ＳＲ
”、−ＣＯＯＲ−ＣＨ，ＮＨＣＯＣＨ２Ｎ−Ｒ” Ｒ２５ −ＮＨＣＯＲ”６．−Ｎ＝ＮＲ”、　　または−Ｎ＝Ｃ
ＨＲ”を表わす。

Ｒ１５１Ｒ”ｌ　Ｒ”＋　　Ｒ”ｌ　　ＲＩ９１　　Ｒ
”ｌ　　Ｒ”ｌＲ２２１Ｒ”’ｌ　Ｒ”およびＲ２Ｊは
、互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子
、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有し
ていてもよいアリール基、置換基を有していてもよいア
シル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
または置換基を有していてもよいポリエーテル基を表わ
し、または、Ｒ２０とＲ”とて、Ｒ２２とＲ２３とて、
あるいはＲ”とＲ２５とて、４〜７員環を形成していて
もよく、これらの４〜７員環はさらに窒素原子、酸素原
子、またはいおう原子を含む複素環てあってもよい。

Ｒ”ｌ　　Ｒ２７およびＲ”は、互いに同一であっても
異なっていてもよく、置換基を有してもよいアルキル基
、置換基を有してもよいシクロアルキル基、または置換
基を有してもよいアリール基を表わす。

−０−Ｐ−Ｒ″５または−０−３ｅ　−Ｒ”を表わ＼Ｒ
３６ す。

Ｚは、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換または一
〇−３ｅ　−Ｒ”を表わす。

Ｒ２９１Ｒ”Ｉ　Ｒ”ｌ　Ｒ”Ｔ　Ｒ３７１Ｒ”Ｉ　　
Ｒ３９Ｒ”ｌ　　Ｒ”およびＲ”は、互いに同一であっ
ても異なっていてもよく、置換基を有していてもよいア
ルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換
基を有していてもよいアシル基、置換基を有していても
よいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアル
コキシ基、置換基を有していてもよいアリロキシ基、置
換基を有していてもよいポリエーテル基、水酸基、また
はハロケン原子を表わす。

Ｒ”ｌ　　Ｒ３２１Ｒ””ｌ　　Ｒ”ｌ　　Ｒ４２１Ｒ
４３１Ｒ目およびＲ４５は、互いに同一であっても異な
っていてもよ（、置換基を有していてもよいアルキル基
置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有して
いてもよいアシル基、置換基を有していてもよいシクロ
アルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、
置換基を有していてもよいアルキル基置換基を有してい
てもよいポリエーテル基、水酸基、ハロゲン原子または
水素原子を表わす。

Ｗは、Ｏ，Ｓ、ＳｅまたはＴｅを表わす。

ｇ、　　ｈ、　　ｉ、　　ｊは、それぞれ独立に０〜２
の整数を表わす。

ｋ、　　１．　ｍ、　　ｎ、はそれぞれ独立に０〜４の
整数を表わす。

ｐは、Ｏまたは１を表わす。〕 本発明にかかわる一般式〔■〕て示される化合物におい
て、　Ｘ、　Ｚ、およびＲ１ないしＲ４６を構成する原
子および基の代表例として、ハロゲン原子としては、塩
素原子、臭素原子、よう素原子およびふっ素原子を、置
換基を有してもよいアルキル基としては、メチル基、ｎ
−ブチル基、　ｔｅｒｔブチル基、ステアリル基、トリ
クロロメチル基。

２−メトギシエチル基などを、置換基を有してもよいア
リール基としては、フェニル基、クロロフェニル基１　
トルイル基、ナフチル基、アントリル基、ジメチルアミ
ノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ジエチルアミノ
ナフチル基、ヒドロキシフェル基などを、置換基を有し
てもよいアルコキシ基としては、メトキシ基、ｎ−ブト
キシ基ｔ−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基なとを置
換基を有してもよいアリロキシ基としては、フェノキシ
基、ニトロフェノキシ基　ジメチルフェノキシ基、クロ
ロフェノキシ基、ジエチルアミノフェノキシ基、ナフト
キシ基、アトロキシ基、ジ−ｎ−ブチルアミノナフトキ
ン基なとを、置換基を有してもよいシクロアルキル基と
しては、ンクロヘキシル基、シクロブチル基などを２置
換基を有してもよいアシル基としては、アセチル基、ト
リフルオロアセチル基などを、置換基を有してもよいポ
リエーテル基としては、ジエチレングリコールモノエチ
ル基、トリエチレングリコールモノブチル基などを、置
換基を有してもよい複素環基としては　ピリジル基、フ
リル基、チアゾリル基。

ピペラジニル基１モルホリル基なとを、また、置換基を
有してもよいフタルイミドメチル基としては、フタルイ
ミドメチル基２二Ｉ・ロフタルイミドメチル基、　　ｔ
ｅｒｔ−ブチルフタルイミドメチル基メトキシフタルイ
ミドメチル基、ジクロロフタルイミドメチル基などを、
それぞれあげることができるが、これらの基に限定され
るものてはない。

本発明において、一般式ＣＩ）〜（ＩＶ）て示される化
合物は１例えば、以下の方法により製造することができ
る。

すなわち、下記一般式（Ｖ）で示されるイソインドリン
化合物と各種金属塩とから、あるいはカルボン酸無水物
類、イミド類、またはニトリル類を出発原料として常法
により、一般式〔■〕〜（ＩＸ） で示されるフタロシアニン系化合物を製造する。

一般式 〔式中 Ｑ。

ｈ。

ｊ。

１゜ ｎは一般式〔■〕 （ＩＶ） における意味と同じ意 味を表わす。

〕 一般式 一般式 〔■〕 一般式 一般式 〔■］ 〔式中、Ｑ、Ｘ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊ、に、］、ｍ。

ｎは一般式（１）〜［、ＩＶ）における意味と同じ意味
を表わす。〕 次に１得られた一般式〔■口〜（ＩＸ）で示されるフタ
ロシアニン系化合物に２種々のイオウ化合物を反応させ
ることにより、一般式ＣＩ）〜〔■〕で示されるフタロ
シアニン系化合物を製造することがてきる。

本発明において用いられる一般式（Ｉ）〜〔■〕て示さ
れるフタロシアニン系化合物の代表例としては１下記の
フタロシアニン系化合物（ａ、）〜（ｉ４）をあげるこ
とかできる。

（以下余白） （ａ （ａ２ （ａａ （ａ４ （ｂ （ｂ２ （ｂ。

（ｂ４ ＣＨｚＯ（ｉ Ｌ＋−１１ｃｌ″ｔ１ （Ｃ （Ｃ２） （ｃｓ （Ｃ４ −ｉ’Ｂ− （ｄ （ｄ２ （ｄ３ （ｄ。

（ｅ （ｅ２　） （ｅａ （ｅａ （ｆ。

（ｆ２　） （ｆ、） （ｈ （ｈ２ （ｈａ （ｈ。

（ｉ へＨ ＵＩ （ｉ、） （ｉ４） 本発明において用いられる基板としては、信号の書き込
みや読み出しを行なうための光の透過率か、好ましくは
８５９６以上であり、かつ光学異方性の小さいものが望
ましい。例えば、ガラス１　またはアクリル樹脂、ポリ
カーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂
、塩化ビニル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレン
系樹脂、ポリオレフィン樹脂（ポリ−４−メチルペンテ
ンなと）、ポリエーテルスルホン樹脂なとの熱可塑性樹
脂やエポキシ樹脂、アリル樹脂などの熱硬化樹脂からな
る基板があげられる。これらの中で、成形のしやすさ、
案内溝やアドレス信号なとの付与のしやすさなどから熱
可塑性樹脂からなるものか好ましく、さらに光学特性や
機械的特性からアクリル樹脂やポリカーボネート樹脂か
らなるものが特に望ましい。

本発明において、これらの透明な基板の厚さは特に制限
がなく、板状でもフィルム状でもよい。

また２その形状は９円形状やカート状でもよくその大き
さには特に制限はない。

また、基板には４通常、記録および読み出しの際の位置
制御のための案内溝やアドレス信号や各種マークなとの
プリフォーマット用の凹凸かあるが、これらの凹凸は前
記したような熱可塑性樹脂を成形（射出成形、圧縮成形
なと）する際にスタンパ−なとを用いて付与することが
、好ましい。

本発明の光学記録媒体において、フタロシアニン系化合
物を含有する有機薄膜層を基板上に形成する方法として
は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレート法
およびＬＢ法（ラングミュアブロジェット法）なとの方
法かあるか、これらの方法は、操作が煩雑てあり、生産
性か低く、また、一般式（Ｉ）〜（ＩＶ）て示されるフ
タロシアニン系化合物は、従来の有機薄膜層を有する光
学記録媒体に用いられている有機色素に較べ１通常の有
機溶媒に対する溶解性がはるかに高いのてスピンコータ
ーなどを用いる塗布法か最も有利である。塗布法によっ
て記録層である有機薄膜層を形成する場合には、フタロ
シアニン系化合物をアルコール類、ケトン類、アミド類
、スルホキシド類、エーテル類、エステル類、脂肪族ハ
ロゲン化炭化水素類、芳香族炭化水素類など通常の有機
溶媒に分散または溶解して塗布する。このとき、必要に
応じて、高分子バインダーを加えてもよい。

高分子バインダーとしては、塩化ビニル系樹脂。

アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、メタクリル樹脂、
酢酸ビニル系樹脂、ニトロセルロース、フェノール樹脂
などがあげられる。高分子バインダーを用いる場合、フ
タロシアニン系化合物に対する高分子バインダーの比率
は１０重量９６以下か好ましい。

また２本発明において、フタロシアニン系化合物に、他
の色素を混合分散あるいは混合溶解して使用することも
できる。混合して使用できる色素としては、すてに公知
の９例えば、芳香族または不飽和脂肪族ジアミン系金属
錯体、芳香族または不飽和脂肪族ジチオール系金属錯体
、フタロシアニン系錯体、ナツタロンアニン系船体、ス
クアリウム系色素、ナフトキノン系錯体、アントラキノ
ン系色素やポリメチン系色素などがあげられる。

基板上に形成するフタロシアニン系化合物を含有する記
録層の厚さは、１０μｍ以下、好ましくは５００Ａ〜２
μｍである。また、塗布した後クロロホルム、テトラヒ
ドロフラン、トルエンなどの有機溶媒の蒸気にさらすこ
とによって、有機薄膜層の吸収波長か長波長側にシフＩ
・シ、半導体レーザーの発振波長域の光に対する感度を
いちじるしく向」ニさせることかできる場合もある。

また、これらの記録層を保護するために、Ａ１２０ａ、
Ｓｉ○ｔ、ＳｉＯ，ＳｎＯなどの無機化合物を蒸着して
保護層としてもよい。また、保護層として、高分子を塗
布してもよい。

また、記録層の反射レベルを高くするために記録層の上
に、金、銀、銅、白金、アルミニウムコバルト、スズ等
の金属、ＭｇＯ，ＺｎＯ，５ｎＯ９等の金属酸化物、Ｓ
　ｉＮ、＋　、ＡＩＮ、ＴｉＮ等の窒化物、および、Ｔ
ｅ、Ｓｅ、Ｓなどを含むカルコゲン化合物等の反射膜を
設けてもよい。

」１記のようにして得られた記録媒体への記録は。

基板上に設けた記録層に１μｍ程度に集束したレーザー
光、好ましくは半導体レーザー光を照射することにより
行なわれる。記録層のレーザー光の照射された部分は、
レーザーエネルギーの吸収による分解、蒸発、溶融など
の熱的な状態変化か生じる。再生は、熱的な変化を生じ
た部分と生じていない部分との反射率の差を読み取るこ
とによって行なわれる。一般式ＣＩ）〜〔■〕で示され
るフタロシアニン系化合物は、従来の有機薄膜層を有す
る光学記録媒体に用いられている有機色素に較べ、記録
前後の反射率の差がきわめて大きいのて、きわめて有利
である。

また、レーザーとしてはＨｅ−Ｎｅレーザー。

Ａｒレーザー、半導体レーザーなとの各種レーザーを用
いることがてきるが２価格、大きさの点て半導体レーザ
ーが特に好ましい。半導体レーザーとしては、中心波長
８３０ｎｍ、　　７８０ｎｍおよびそれより短波長のレ
ーザーを使用することができる。

（実　施　例） つぎに１本発明を実施例によりさらに具体的に説明する
。なお１例中１部とは重量部を表わす。

製　造　例　トフタロシアニン系化合物（ａ〜（Ｃ４）
の製造 キノリン５０部に、下記構造式 て示されるイソインドリン化合物７．８部および四塩化
ケイ素５０部を加え、１８０〜２００°Ｃて３時間加熱
撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチル
ホルムアミドで洗浄し、乾燥してジヒ１くロキンシリコ
ンフタロシアニン系化合物７０部を得た。

得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物
５．０部、クロロジフェニルホスフィン５０部、トリー
ｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部を１１５°
Ｃて２時間加熱撹拌した後、冷却し、５９６塩酸１００
０部で希釈し２口過し、メタノール洗浄し、８０°Ｃて
乾燥してフタロシアニン系化合物（ａｌ）〜（Ｃ４）の
混合物２．８部を得た。

製　造　例　２：フタロシアニン系化合物（ｂ、）〜（
ｂ４）の製造 キノリン５０部に、下記構造式 て示されるイソインドリン化合物７．８部および四塩化
ケイ素５．０部を加え、１８０〜２００°Ｃて３時間加
熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチ
ルホルムアミドで洗浄し、乾燥して。

ジヒドロキソシリコンフタロシアニン系化合物６゜５部
を得た。

得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物
５．０部、ジフェニルホスフィニルクロリド５０部、ト
リーｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部を１１
５°Ｃて２時間加熱撹拌した後冷却し、５９６塩酸１ｏ
ｏｏ部で希釈し１口過しメタノール洗浄し、８０°Ｃて
乾燥してフタロシアニン系化合物（ｂ］）〜（ｂ４）の
混合物２．６部を得た。

製　造　例　３、フタロシアニン系化合物（Ｃ，）〜（
Ｃ４）の製造 キノリン５０部に、下記構造式 て示されるイソインＩ・リン化合物７．８部および四塩
化ケイ素５，０部を加え７１８０〜２００°Ｃて３時間
加熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメ
チルホルムアミドで洗浄し、乾燥して。

ジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物７゜３部
を得た。

得られたジヒドロキンシリコンフタロシアニン系化合物
５．０部、クロロンフェニルホスフェート５０部、トリ
ーｎ−ブチルアミン５０部１　ピリジン３００部を１１
５°Ｃて２時間加熱撹拌した後冷却し、５０６塩酸１０
００部で希釈し１口過しメタノール洗浄し、８０’Ｃて
乾燥してフタロシアニン系化合物（Ｃ１）〜（Ｃ４）の
混合物２．９部を得た。

製　造　例　４：フタロシアニン系化合物（ｄｌ）〜（
ｄ、、）の製造 キノリン５０部に、下記構造式 て示されるイソインドリン化合物７，８部および四塩化
ケイ素５．０部を加え、１８０〜２００°Ｃて３時間加
熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメチ
ルホルムアミドて洗浄し、乾燥してジヒドロキシシリコ
ンフタロシアニン系化合物６゜６部を得た。

得られたジヒドロキシシリコンフタロシアニン系化合物
５．０部、ジエチルクロロホスフィン５０部、トリーｎ
−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部を１．１５°
Ｃて２時間加熱撹拌した後、冷却し、５９６塩酸１００
０部で希釈し２口過し、メタノール洗浄し、８０°Ｃて
乾燥してフタロシアニン系化合物（ｄｌ）〜（ｄ４）の
混合物２．５部を得ノこ。

製　造　例　５　フタロシアニン系化合物（ｅｌ）〜（
ｅ４）の製造 キノリン５０部に、下記構造式 て示されるイソインドリン化合物７．８部および四塩化
ゲルマニウム５．０部ヲ加え、１８０〜２００°Ｃて３
時間加熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよび
ジメチルホルムアミドで洗浄し、乾燥して、ジヒドロキ
シゲルマニウムフタロシアニン系化合物６．０部を得た
。

得られたジヒドロキシゲルマニウムフタロシアニン系化
合物５，０部、ヒス（ジメチルアミノ）ホスホリルクロ
リド５０部、トリーｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン
３００部を１１５℃で２時間加熱撹拌した後、冷却し、
５％塩酸１０００部で希釈し２口過し、メタノール洗浄
し、８０°Ｃで乾燥してフタロシアニン系化合物（ｅｌ
）〜（ｅ４）の混合物２．４部を得た。

製　造　例　６：フタロシアニン系化合物（ｆｌ）〜（
ｆ４）の製造 ば で示されるイソインドリン化合物７３８部および四塩化
スズ（ＩＶ）５．０部を加え、１８０〜２００°Ｃで３
時間加熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよび
ジメチルホルムアミドて洗浄し１乾燥して、ジヒドロキ
スズフタロシアニン系化合物６゜６部を得た。

得られたジヒドロキスズフタロシアニン系化合物５．０
部、ジエチルクロロホスフェート５０部。

トリーｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部を１
１５°Ｃで２時間加熱撹拌した後、冷却し５％塩酸１０
００部て希釈し１口過し、メタノール洗浄し、８０°Ｃ
で乾燥してフタロシアニン系化合物（ｆｌ）〜（ｆ、）
の混合物２．７部を得た。

製　造　例　７：フタロシアニン系化合物（ｇｌ）〜（
ｇ、）の製造 キノリン５０部に、下記構造式 て示されるイソインドリン化合物７．８部および塩化ア
ルミニウム５．０部を加え、１８０〜２００℃で３時間
加熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメ
チルホルムアミドで洗浄し、乾燥して、ジヒドロキアル
ミニウムフタロシアニン系化合物６．９部を得た。

得られたジヒドロキアルミニウムフタロシアニン系化合
物部５．０．クロロジフェニルホスフィン２５部、トリ
ーｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部を１１５
°Ｃて２時間加熱撹拌した後。

冷却し、５％塩酸１０００部で希釈し９口過し。

メタノール洗浄し、８０°Ｃて乾燥してフタロシアニン
系化合物（ｇｌ）〜（ｇ４）の混合物３．０部を得た。

製　造　例　８　フタロシアニン系化合物（ｈｌ）〜（
ｈ、＋）の製造 キノリン５０部に、下記構造式 で示されるイソインドリン化合物７．８部および三塩化
ガリウム５，０部を加え２１８０〜２００°Ｃて３時間
加熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジメ
チルホルムアミドて洗浄し、乾燥して、ヒドロキガリウ
ムフタロシアニン系化合物６．５部を得た。

得られたヒドロキガリウムフタロシアニン系化合物５．
０部、フェニルセレネニルクロリド２５部トリーｎ−ブ
チルアミン５０部、ピリジン３００部を１１５°Ｃて２
時間加熱撹拌した後、冷却し５９６塩酸１０００部て希
釈し９口過し１　メタツル洗浄し、８０°Ｃて乾燥して
フタロシアニン系化合物（ｈｌ）〜（ｈ４）の混合物２
．４部を得た。

製　造　例　９：フタロシアニン系化合物（１１）〜（
ｉ４）の製造 キノリン５０部に、下記構造式 て示されるイソインドリン化合物７．８部および三塩化
インジウム５．０部を加え、１８０〜２００°Ｃて３時
間加熱撹拌した後、ろ過、冷却し、メタノールおよびジ
メチルホルムアミドて洗浄し、乾燥して、ヒドロキシイ
ンジウムフタロシアニン系化合物６．５部を得た。

得られたヒドロキシインジウムフタロシアニン系化合物
５．０部、ｎ−ブチルセＩノネニルクロリド２５部、ト
リーｎ−ブチルアミン５０部、ピリジン３００部を１１
５℃で２時間加熱撹拌した後。

冷却し、５％塩酸１０００部て希釈し１口過し。

メタノール洗浄し、８０℃で乾燥してフタロシアニン系
化合物（１１）〜（ｉ４）の混合物２．３部を得ノこ。

実施例１ ガラス製基板上に、スピンコータにて、フタロシアニン
系化合物（ａｌ）〜（ａｌ）の混合物３゜０部とクロロ
ホルム９７．０部とからなる溶液を滴下した後、１２０
０ｒｐｍの速度で２０秒間回転させ、８０°Ｃて２０分
間乾燥させて光学記録媒体を得／こ。

得られた光学記録媒体の記録層は、厚さ７８０人、最大
吸収波長が７１０部ｍ、波長７８０ｎｍの光に対する反
射率が３５％であった。

得られた光学記録媒体をターンテーブル上に取り付け、
ターンテーブルを１８００ｒｐｍで回転させながら、１
．０μｍに集束した７８０部ｍのレーザー光を５ｍＷ、
８ＭＨｚて照射して記録を行なった。

記録後の光学記録媒体の表面を走査型電子顕微鏡で観察
したと１：ろ、鮮明なピッＩ・の形成か認められた。ま
た、得１うれた光学記録媒体に７８０部ｍ０、４　ｍ　
Ｗの１ノーサー光を照射し９反射光の検出を行なったと
ころ、Ｃ／Ｎ比が４０ｄＢてあった。

実施例２ ポリカーボネート樹脂製基板上に２　スピンコータにて
、フタロシアニン系化合物（ｂｌ）〜（ｂ４）の混合物
２．５部とメチルセロソルブ９７．５部とからなる溶液
を滴下した後、８００ｒｐｍの速度で３０秒間回転させ
、減圧下８０’Ｃて１５分間乾燥させて光学記録媒体を
得た。

得られた光学記録媒体の記録層は、厚さ８５０人、最大
吸収波長が７２０　ｎｍ、波長７８０ｎｍの光に対する
反射率か４１％であった。

また、得られた光学記録媒体に、実施例１と同様にして
記録を行なったところ、記録層表面に鮮明なピット形成
か認められ、また、Ｃ／Ｎ比は４２ｄＢてあった。

実施例３〜９ ガラス製基板上に２表１に示すフタロシアニン系化合物
を、実施例１と同様にして塗布し、乾燥させて光学記録
媒体を得た。

得られた光学記録媒体の記録層の最大吸収波長および波
長７８０ｎｍの光に対する反射率、および得られた光学
記録媒体に実施例１と同様な記録再生を行なったときの
Ｃ／Ｎ比を表１に示す。

（以下余白） 表 実施例１０ 厚さ１．１８ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのア
クリル基板上にフォトポリマーを厚さ０．０２ｍｍて塗
布し、これにスタンパ−を押しつり高圧水銀灯により硬
化させ、外径１１６ｍｍ、内径４８ｍｍの範囲に０８μ
ｍピッチのスパイラルグ＝５ｑ ループを形成した。

このディスク基板−Ｈに、スピンコータにて、フタロシ
アニン系化合物（ａｌ）〜（ａ４）の混合物２．０部と
クロロホルム９８．０部とからなる溶液を滴下した後、
６００ｒｐｍの速度で３０秒間回転させ、７０°Ｃて３
０分間乾燥させて、記録膜厚み１２００人の光学記録媒
体を得た。

ついて、塗布した記録膜」二に、スパッタリングにより
、膜厚８００Ａの金を成膜した。さらに、この上に紫外
線硬化型樹脂により保護層を設けて光ディスクを作成し
た。

このようにして作成した光ディスクを用い７８０ｎｍの
半導体レーザーを使用して、線速１，２〜１．４ｍ／ｓ
ｅｃで８．０ｍＷの記録パワーてＥＦＭＣＤフォーマッ
ト信号で記録したところ記録か可能であった。記録され
たピット列は、長さ０．９〜３．３μｍ、間隔０，９〜
３．３μｍである。

次に、この信号をＣＤプｌノーヤーにより、線速１、２
〜１．４　ｍ／　ｓ　ｅ　ｃ、再生レーザー信号０．５
　ｍＷで再生を行ったところ得られた再生信号は良好て
あり、市販のＣＤプレーヤーに十分かかるレベルであっ
た。

実施例１１ 厚さ１．１８ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍのア
クリル基板上にフォトポリマーを厚さ０．０２ｍｍで塗
布し、これにスタンパ−を押しつけ高圧水銀灯により硬
化させ、外径１１６ｍｍ、内径４８ｍｍの範囲に０．８
μｍピッチのスパイラルグループを形成した。

このディスク基板上に、スピンコータにて、フタロシア
ニン系化合物（ｇｌ）〜（ｇ４）の混合物１，２部とジ
クロルエタン９８．８部とからなる溶液を滴下した後、
１２０Ｏｒｐｍの速度で２０秒間回転させ、８０°Ｃて
２０分間乾燥させて、記録膜厚み１０００人の光学記録
媒体を得た。

ついて、塗布した記録膜上に、スパッタリングにより、
膜厚８００人の金を成膜した。さらに、この上に紫外線
硬化型樹脂により保護層を設（プて光ディスクを作成し
た。

このようにして作成した光ディスクを用い６３３部ｍの
Ｈｅ−Ｎｅレーザーを使用して、線速１゜２〜１．４ｍ
／　ｓ　ｅ　ｃで７．０ｍＷの記録パワーでＥＦＭ−Ｃ
Ｄフォーマット信号で記録したところ記録が可能てあっ
た。記録されたピット列は、長さ０、９〜３．３　μｍ
、間隔０．９〜３．３　μｍである。

次に、この信号をＣＤプレーヤーにより、線速１．２〜
１．４　ｍ／　ｓ　ｅ　ｃ、再生レーザー信号０．５　
ｍＷで再生を行ったところ得られた再生信号は良好であ
り、市販のＣＤプレーヤーに十分かかるレベルであった
。

〔発明の効果〕

本発明の光学記録媒体に用いられるフタロシアニン系化
合物は、前記のような通常の有機溶媒への溶解性がきわ
めて高いので、これらの有機溶媒に溶解させて、生産性
や作業性のよい塗布法により基板上に有機薄膜層として
設けることができ本発明の光学記録媒体は、レーザー光
線による記録前後の反射率の差がきわめて大きいため感
度か高（、高感度の記録再生が可能てあり、また、化学
的、物理的にも安定てである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に、下記一般式〔 I 〕〜〔IV〕で示される
   フタロシアニン系化合物の少なくとも１種以上を含有す
   る有機薄膜層を設けてなる光学記録媒体。 一般式〔Ｉ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 一般式〔IV〕 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、または
   Ｓｎを表わす。 Ｑは、互いに同一でもあっても異なっていてもよく、置
   換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
   アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、置換基
   を有してもよいフタルイミドメチル基、ハロゲン原子、
   ニトロ基、シアノ基、スルホン酸基、−ＯＲ＾１、−Ｓ
   Ｒ＾２、−ＣＯＯＲ＾３、▲数式、化学式、表等があり
   ます▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
   化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 または−Ｎ＝ＣＨＲ＾１＾４を表わす。 Ｒ＾１、Ｒ＾２、Ｒ＾３、Ｒ＾４、Ｒ＾５、Ｒ＾６、Ｒ
   ＾７、Ｒ＾８、Ｒ＾９、Ｒ＾１＾０およびＲ＾１＾１は
   、互いに同一であっても異なっていてもよく、水素原子
   、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有し
   ていてもよいアリール基、置換基を有していてもよいア
   シル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、
   または置換基を有していてもよいポリエーテル基を表わ
   し、または、Ｒ＾６とＲ＾７とで、Ｒ＾８とＲ＾９とで
   、あるいはＲ＾１＾０とＲ＾１＾１とで、４〜７員環を
   形成していてもよく、これらの４〜７員環は、さらに窒
   素原子、酸素原子、またはいおう原子を含む複素環であ
   ってもよい。 Ｒ＾１＾２、Ｒ＾１＾３およびＲ＾１＾４は、互いに同
   一であっても異なっていてもよく、置換基を有してもよ
   いアルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基
   、または置換基を有してもよいアリール基を表わす。 Ｘは、互いに同一でもあっても異なっていてもよく、置
   換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよい
   アリール基、置換基を有してもよい複素環残基、置換基
   を有してもよいフタルイミドメチル基、ハロゲン原子、
   ニトロ基、シアノ基、スルホン酸基、−ＯＲ＾１＾５、
   −ＳＲ＾１＾６、−ＣＯＯＲ＾１＾７、▲数式、化学式
   、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 または−Ｎ＝ＣＨＲ＾２＾８を表わす。 Ｒ＾１＾５、Ｒ＾１＾６、Ｒ＾１＾７、Ｒ＾１＾８、Ｒ
   ＾１＾９、Ｒ＾２＾０、Ｒ＾２＾１、Ｒ＾２＾２、Ｒ＾
   ２＾３、Ｒ＾２＾４およびＲ＾２＾５は、互いに同一で
   あっても異なっていてもよく、水素原子、置換基を有し
   ていてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいア
   リール基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基
   を有していてもよいシクロアルキル基、または置換基を
   有していてもよいポリエーテル基を表わし、または、Ｒ
   ＾２＾０とＲ＾２＾１とで、Ｒ＾２＾２とＲ＾２＾３と
   で、あるいはＲ＾２＾４とＲ＾２＾５とで、４〜７員環
   を形成していてもよく、これらの４〜７員環は、さらに
   窒素原子、酸素原子、またはいおう原子を含む複素環で
   あってもよい。 Ｒ＾２＾６、Ｒ＾２＾７およびＲ＾２＾８は、互いに同
   一であっても異なっていてもよく、置換基を有してもよ
   いアルキル基、置換基を有してもよいシクロアルキル基
   、または置換基を有してもよいアリール基を表わす。 Ｙは、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化
   学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
   式、表等があります▼を表わ す。 Ｚは、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、置換基を有し
   てもよいアルキル基、▲数式、化学式、表等があります
   ▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
   表等があります▼、 または−Ｏ−Ｓｅ−Ｒ＾４＾８を表わす。 Ｒ＾２＾９、Ｒ＾３＾０、Ｒ＾３＾５、Ｒ＾３＾６、Ｒ
   ＾３＾７、Ｒ＾３＾８、Ｒ＾３＾９、Ｒ＾４＾０、Ｒ＾
   ４＾１およびＲ＾４＾６は、互いに同一であっても異な
   っていてもよく、置換基を有していてもよいアルキル基
   、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有し
   ていてもよいアシル基、置換基を有していてもよいシク
   ロアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基
   、置換基を有していてもよいアリロキシ基、置換基を有
   していてもよいポリエーテル基、水酸基、またはハロゲ
   ン原子を表わす。 Ｒ＾３＾１、Ｒ＾３＾２、Ｒ＾３＾３、Ｒ＾３＾４、Ｒ
   ＾４＾２、Ｒ＾４＾３、Ｒ＾４＾４およびＲ＾４＾５は
   、互いに同一であっても異なっていてもよく、置換基を
   有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよ
   いアリール基、置換基を有していてもよいアシル基、置
   換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有
   していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよ
   いアリロキシ基、置換基を有していてもよいポリエーテ
   ル基、水酸基、ハロゲン原子または水素原子を表わす。 Ｗは、Ｏ、Ｓ、ＳｅまたはＴｅを表わす。 ｇ、ｈ、ｉ、ｊは、それぞれ独立に０〜２の整数を表わ
   す。 ｋ、ｌ、ｍ、ｎ、はそれぞれ独立に０〜４の整数を表わ
   す。 ｐは、０または１を表わす。〕