JPH0446040B2 - - Google Patents
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- JPH0446040B2 JPH0446040B2 JP57154781A JP15478182A JPH0446040B2 JP H0446040 B2 JPH0446040 B2 JP H0446040B2 JP 57154781 A JP57154781 A JP 57154781A JP 15478182 A JP15478182 A JP 15478182A JP H0446040 B2 JPH0446040 B2 JP H0446040B2
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- film
- electrodes
- piezoelectric
- piezoelectric film
- opposing electrode
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
- B06B1/0688—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction with foil-type piezoelectric elements, e.g. PVDF
- B06B1/0696—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction with foil-type piezoelectric elements, e.g. PVDF with a plurality of electrodes on both sides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/50—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure
- H10N30/506—Piezoelectric or electrostrictive devices having a stacked or multilayer structure having a cylindrical shape and having stacking in the radial direction, e.g. coaxial or spiral type rolls
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
- H10N30/871—Single-layered electrodes of multilayer piezoelectric or electrostrictive devices, e.g. internal electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S310/00—Electrical generator or motor structure
- Y10S310/80—Piezoelectric polymers, e.g. PVDF
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高分子圧電膜を多重構成した超音波探
触子の改良に関する。
触子の改良に関する。
高分子圧電体は、高分子の特性として任意の形
状および大きさのものが容易に得られ、また音響
インピーダンスがセラミツクス圧電体に比して低
いなどの特色を有することから、工業用、医療用
の超音波探触子として有用である。しかし一方、
好ましい圧電体となるフツ化ビニル、フツ化ビニ
リデン、３フツ化エチレンなどの重合体、若しく
は共重合体などの高分子類は、PZTその他のセ
ラミツクス圧電体に比して、極めて高い電気固有
抵抗を有しているので、高分子圧電体の厚膜を使
用する探触子では、その発振回路の電圧が極めて
高くなり、コストおよび安全面で種々の不利があ
る。
状および大きさのものが容易に得られ、また音響
インピーダンスがセラミツクス圧電体に比して低
いなどの特色を有することから、工業用、医療用
の超音波探触子として有用である。しかし一方、
好ましい圧電体となるフツ化ビニル、フツ化ビニ
リデン、３フツ化エチレンなどの重合体、若しく
は共重合体などの高分子類は、PZTその他のセ
ラミツクス圧電体に比して、極めて高い電気固有
抵抗を有しているので、高分子圧電体の厚膜を使
用する探触子では、その発振回路の電圧が極めて
高くなり、コストおよび安全面で種々の不利があ
る。
超音波撮像や超音波探査などに使用する超音波
の波長は、短波長である程解像度が良くなるが、
一方では短波長である程水や人体等の媒体の吸収
による音波の減衰も大きくなり、このため深層の
探査が困難となる。従つて、その撮像や探査の目
的に応じた最適の波長（周波数）を選ぶ必要があ
る。一方、超音波撮像装置の発振周波数は、探触
子として用いられる圧電体素子の共振周波数を用
いるパルス発振によることが多い。また圧電体素
子の共振周波数は、パルス発信される圧電体素子
の材質が一定ならば、その厚みに反比例する。従
つて、材質および最適波長が定まれば、圧電体素
子の厚みも必然的に定められる。
の波長は、短波長である程解像度が良くなるが、
一方では短波長である程水や人体等の媒体の吸収
による音波の減衰も大きくなり、このため深層の
探査が困難となる。従つて、その撮像や探査の目
的に応じた最適の波長（周波数）を選ぶ必要があ
る。一方、超音波撮像装置の発振周波数は、探触
子として用いられる圧電体素子の共振周波数を用
いるパルス発振によることが多い。また圧電体素
子の共振周波数は、パルス発信される圧電体素子
の材質が一定ならば、その厚みに反比例する。従
つて、材質および最適波長が定まれば、圧電体素
子の厚みも必然的に定められる。
上述した通り、膜圧の大きい探触子を１枚の高
分子圧電体膜で構成しようとすると、膜の電気イ
ンピーダンスが極めて大きくなり、このため発振
回路の電圧を高くしなければならない。
分子圧電体膜で構成しようとすると、膜の電気イ
ンピーダンスが極めて大きくなり、このため発振
回路の電圧を高くしなければならない。
この不利を避けるため、従来より、例えば第１
図に示すように、薄膜の高分子圧電体膜１の複数
枚を、矢印で示す成極時の極性を同一な面どうし
を、電極２又は３を介して対接するように重ね合
わせるようにしたものが知られている。また第２
図に示すように、表裏面に電極２，３を有する１
枚の高分子圧電体膜１を折り畳んで重ね合わせる
ようにしたものが知られている。第１図及び第２
図の例では、各層の圧電体膜の駆動に要する電圧
は低いが、積層されることによつて厚くなつた膜
に相当する固有振動を有する探触子とすることが
できる。このような従来例は、例えば、1978
U1trasonix Symposium Proceedings IETE
cat.＃78CH 1344−ISUその他により知られてい
る。
図に示すように、薄膜の高分子圧電体膜１の複数
枚を、矢印で示す成極時の極性を同一な面どうし
を、電極２又は３を介して対接するように重ね合
わせるようにしたものが知られている。また第２
図に示すように、表裏面に電極２，３を有する１
枚の高分子圧電体膜１を折り畳んで重ね合わせる
ようにしたものが知られている。第１図及び第２
図の例では、各層の圧電体膜の駆動に要する電圧
は低いが、積層されることによつて厚くなつた膜
に相当する固有振動を有する探触子とすることが
できる。このような従来例は、例えば、1978
U1trasonix Symposium Proceedings IETE
cat.＃78CH 1344−ISUその他により知られてい
る。
しかし第１図の場合は、積層された探触子が小
型のものである場合、積層された圧電膜１の各層
の間の電極２，３からリード線を導出しなければ
ならないので、その作業が極めて困難となる。特
に１つの探触子上に、細長い圧電体よりなる小単
位の音波出入射面を多数配列させた、アレイ状の
探触子の場合は、各単位圧電素子は極めて小型で
あるため、この各単位素子を夫々積層構造とし、
その各層の間の電極より別々にリード線を取り出
し、これらを配線するとすれば、配線作業が厄介
となるばかりか、狭い所で交錯する各配線の接触
事故を生じ易い。第２図の折り畳み式の場合は、
各層は本来１枚の膜より成るので、その最上部及
び／又は最下部に重ねられる膜の表裏の電極のみ
より電極配線を取ればよいので、その労力は第１
図の場合に比べて大いに軽減されるうえ、配線の
錯綜もあまりない。しかし両面に薄膜電極の付さ
れた膜を多層に折り畳む場合、各折れ目の電極が
はがれて断線を生じ易い。尚、第３図に示すよう
に電極がはがれにくくするために折れ目に多少ま
るく余裕を持たせることも考えられるが、折れ目
をまるめると、その部分Ｃは図示のように圧電膜
が１層のみとなり、この１層部分Ｃに生じる圧電
振動（厚み振動の他伸縮振動もある）がノイズと
なるばかりか、発信器のパワーロスも大きくな
る。
型のものである場合、積層された圧電膜１の各層
の間の電極２，３からリード線を導出しなければ
ならないので、その作業が極めて困難となる。特
に１つの探触子上に、細長い圧電体よりなる小単
位の音波出入射面を多数配列させた、アレイ状の
探触子の場合は、各単位圧電素子は極めて小型で
あるため、この各単位素子を夫々積層構造とし、
その各層の間の電極より別々にリード線を取り出
し、これらを配線するとすれば、配線作業が厄介
となるばかりか、狭い所で交錯する各配線の接触
事故を生じ易い。第２図の折り畳み式の場合は、
各層は本来１枚の膜より成るので、その最上部及
び／又は最下部に重ねられる膜の表裏の電極のみ
より電極配線を取ればよいので、その労力は第１
図の場合に比べて大いに軽減されるうえ、配線の
錯綜もあまりない。しかし両面に薄膜電極の付さ
れた膜を多層に折り畳む場合、各折れ目の電極が
はがれて断線を生じ易い。尚、第３図に示すよう
に電極がはがれにくくするために折れ目に多少ま
るく余裕を持たせることも考えられるが、折れ目
をまるめると、その部分Ｃは図示のように圧電膜
が１層のみとなり、この１層部分Ｃに生じる圧電
振動（厚み振動の他伸縮振動もある）がノイズと
なるばかりか、発信器のパワーロスも大きくな
る。
本発明は上記の問題を解決するためのもので、
高分子圧電膜の表裏両面に電極を形成し、この
際、表裏の電極は、上記高分子圧電膜を介して互
いに対向する対向電極部とキヤパシタンスを殆ん
ど若しくは全く有せず上記高分子電膜を介して互
いに対向しない非対向電極部とが交互に連続的に
形成されるように成し、上記対向電極部どうし及
び上記非対向電極部どうしがそれぞれ重ね合わさ
れるように、上記高分子圧電膜がその幅方向に形
成された折り目で折り畳まれ、この重ね合わされ
た対向電極部どうし及び重ね合わされた非対向電
極部どうしがそれぞれ重ね合わされるように、折
り畳まれた上記高分子圧電膜が基体の周囲に巻回
されて成る超音波探触子である。
高分子圧電膜の表裏両面に電極を形成し、この
際、表裏の電極は、上記高分子圧電膜を介して互
いに対向する対向電極部とキヤパシタンスを殆ん
ど若しくは全く有せず上記高分子電膜を介して互
いに対向しない非対向電極部とが交互に連続的に
形成されるように成し、上記対向電極部どうし及
び上記非対向電極部どうしがそれぞれ重ね合わさ
れるように、上記高分子圧電膜がその幅方向に形
成された折り目で折り畳まれ、この重ね合わされ
た対向電極部どうし及び重ね合わされた非対向電
極部どうしがそれぞれ重ね合わされるように、折
り畳まれた上記高分子圧電膜が基体の周囲に巻回
されて成る超音波探触子である。
以下図面について本発明の実施例を説明する。
第４図において、例えばポリフツ化ビニリデンフ
イルムのような圧電性フイルム１の両面に夫々電
極２および３が長手方向に連続して形成されてい
る。これらの電極２，３は、それぞれ長さl1で巾
w1の電極２ａ，３ａと、長さl1で巾w2（但しw2＜
W1）の電極２ｂ，３ｂとから成つている。
第４図において、例えばポリフツ化ビニリデンフ
イルムのような圧電性フイルム１の両面に夫々電
極２および３が長手方向に連続して形成されてい
る。これらの電極２，３は、それぞれ長さl1で巾
w1の電極２ａ，３ａと、長さl1で巾w2（但しw2＜
W1）の電極２ｂ，３ｂとから成つている。
ここで、電極２，３は、圧電性フイルム１を介
して互いに対向する対向電極部（１Ａ：第５図参
照）とキヤパシタンスを殆んど若しくは全く有せ
ず圧電性フイルム１を介して互いに対向しない非
対向電極部（１Ｂ：第５図参照）とが交互に連続
的に形成されるように成されている。
して互いに対向する対向電極部（１Ａ：第５図参
照）とキヤパシタンスを殆んど若しくは全く有せ
ず圧電性フイルム１を介して互いに対向しない非
対向電極部（１Ｂ：第５図参照）とが交互に連続
的に形成されるように成されている。
この実施例のフイルム１は図のように幅方向に
形成される折り目から折り畳まれて使用される
が、この折り曲げの際、上記電極２ａと３ａとが
重ね合わされ、上記電極２ｂと３ｂとが重ね合わ
されるように成される。即ち、巾w1の部分が互
いに重ね合わされると共に、巾w2の部分が互い
に重ね合わされる。
形成される折り目から折り畳まれて使用される
が、この折り曲げの際、上記電極２ａと３ａとが
重ね合わされ、上記電極２ｂと３ｂとが重ね合わ
されるように成される。即ち、巾w1の部分が互
いに重ね合わされると共に、巾w2の部分が互い
に重ね合わされる。
第５図は上述のフイルム１を折り畳んだ状態を
示す。尚、電極２ａと３ａとは完全に一致して対
向しなくてもよく、それらの大部分が対向してい
てもよい。
示す。尚、電極２ａと３ａとは完全に一致して対
向しなくてもよく、それらの大部分が対向してい
てもよい。
上記構成によれば、対向電極部１Ａでは、電極
２ａと３ａとの大半以上が対向しているので、両
電極２，３に電圧が印加されれば、その部分のフ
イルム１が厚み振動する。また逆にフイルム１が
振動すれば、両面の電極２，３より電位差が検出
される圧電作動部となる。この部分はまた大きな
キヤパシタンスを有している。一方、非対向電極
部１Ｂは、電極２ｂと３ｂの大部分（全部でもよ
い）がフイルム１の両側に離れて互いに対向しな
いように形成されているので、殆んどキヤパシタ
ンスを持たない。第５図のフイルム１にはこのよ
うな１Ａと１Ｂの部分が交互に連続的に設けられ
ている。
２ａと３ａとの大半以上が対向しているので、両
電極２，３に電圧が印加されれば、その部分のフ
イルム１が厚み振動する。また逆にフイルム１が
振動すれば、両面の電極２，３より電位差が検出
される圧電作動部となる。この部分はまた大きな
キヤパシタンスを有している。一方、非対向電極
部１Ｂは、電極２ｂと３ｂの大部分（全部でもよ
い）がフイルム１の両側に離れて互いに対向しな
いように形成されているので、殆んどキヤパシタ
ンスを持たない。第５図のフイルム１にはこのよ
うな１Ａと１Ｂの部分が交互に連続的に設けられ
ている。
さらに、このフイルム１は、第５図に示すよう
な折り畳まれた状態で基体４の周囲に巻回され
る。そのため、第６，７図のように、フイルム１
は２層若しくはそれ以上の偶数層を重ねて基体４
の周囲に巻回されることになる。この場合、１Ａ
の部分どうしが重ね合わされると共に、１Ｂどう
しが重ね合わされるように巻回される。そして１
Ａの部分の重ね合わされた面が圧電作動部とな
る。５，６は電極２，３に接続されたリード線で
あり、発振器回路７および信号処理回路８にスイ
ツチ１５を介して選択的に接続されるように成さ
れている。尚、フイルム１を基体４に２層または
それ以上の偶数層に巻回するが、この場合の１層
とはフイルム１の一枚を云う。
な折り畳まれた状態で基体４の周囲に巻回され
る。そのため、第６，７図のように、フイルム１
は２層若しくはそれ以上の偶数層を重ねて基体４
の周囲に巻回されることになる。この場合、１Ａ
の部分どうしが重ね合わされると共に、１Ｂどう
しが重ね合わされるように巻回される。そして１
Ａの部分の重ね合わされた面が圧電作動部とな
る。５，６は電極２，３に接続されたリード線で
あり、発振器回路７および信号処理回路８にスイ
ツチ１５を介して選択的に接続されるように成さ
れている。尚、フイルム１を基体４に２層または
それ以上の偶数層に巻回するが、この場合の１層
とはフイルム１の一枚を云う。
通常のように一枚のフイルムの表裏面に電極を
形成して巻回すれば、表裏面がシヨートしてしま
うが、第４図のフイルム１を用いる本発明によれ
ば、同一極性の面（例えば電極２の面）のみが互
いに接触して重ね合わされながら巻回されるの
で、電極２と３とがシヨートすることはない。
形成して巻回すれば、表裏面がシヨートしてしま
うが、第４図のフイルム１を用いる本発明によれ
ば、同一極性の面（例えば電極２の面）のみが互
いに接触して重ね合わされながら巻回されるの
で、電極２と３とがシヨートすることはない。
これら２層のフイルム１は強く巻き締められる
ならば必ずしも中間に接着剤を必要としないが、
場合によつては２層間および各巻回層の間に接着
剤を適用してもよい。
ならば必ずしも中間に接着剤を必要としないが、
場合によつては２層間および各巻回層の間に接着
剤を適用してもよい。
また巻回される基体４の表面に例えば金属など
の音波反射板を設け、その上にフイルム１の電極
対向部１Ａが重ねられるようにする場合もある。
この場合音波反射板の厚みは、使用する超音波波
長の1/4の厚みとするのが好ましい。このような
厚みにすれば、反射板より反射される音波が圧電
体より放射される音波と重なり強め合うようにす
ることができる。
の音波反射板を設け、その上にフイルム１の電極
対向部１Ａが重ねられるようにする場合もある。
この場合音波反射板の厚みは、使用する超音波波
長の1/4の厚みとするのが好ましい。このような
厚みにすれば、反射板より反射される音波が圧電
体より放射される音波と重なり強め合うようにす
ることができる。
第８〜１０図は本発明に基づくアレイタイプの
超音波探触子１６の実施例を示す。
超音波探触子１６の実施例を示す。
図において、フエノール樹脂性の基体４は、例
えば長さ150mm、巾11mm、厚さ５mmの寸法を有し、
その表面は巾方向に曲率半径70mmの曲率をもつて
一次曲面の凹面４ａが形成されている。この基体
４の表裏両面では、長さ方向に1.1mmの間隔を以
つて0.1mm巾の突起９，９′が101本ずつ設けられ
ている。そして隣接する２本の突起９，９および
９′，９′の間には上下対向する溝１０，１０′が
夫々100本形成されている。この表面側の溝１０
の中には厚さ180μ、巾１mm、長さ10.5mmの銅製の
反射板１１が夫々埋め込まれている。また裏側の
溝１０′には巻回する圧電フイルムの一端を固定
するための凹部１２が設けられている。
えば長さ150mm、巾11mm、厚さ５mmの寸法を有し、
その表面は巾方向に曲率半径70mmの曲率をもつて
一次曲面の凹面４ａが形成されている。この基体
４の表裏両面では、長さ方向に1.1mmの間隔を以
つて0.1mm巾の突起９，９′が101本ずつ設けられ
ている。そして隣接する２本の突起９，９および
９′，９′の間には上下対向する溝１０，１０′が
夫々100本形成されている。この表面側の溝１０
の中には厚さ180μ、巾１mm、長さ10.5mmの銅製の
反射板１１が夫々埋め込まれている。また裏側の
溝１０′には巻回する圧電フイルムの一端を固定
するための凹部１２が設けられている。
一方、厚さ9μ、巾1.0mmの圧電性ポリフツ化ビ
ニリデンフイルムを第４図のように構成した折り
畳まれたフイルム１が各溝１０，１０′に巻回さ
れる。この場合前記対向電極部１Ａが溝１０上で
重ね合わされ、前記非対向電極部１Ｂが溝１０′
上で重ね合わされる。この巻回はフイルム１の一
端を凹部１２に接着して例えば５回（10層）行わ
れる。また、このフイルム１の場合、電極２，３
は、厚さ800Åのニツケルと厚さ1600Åの金とを
二重蒸着したものから成り、その寸法はl1≒10
mm、w1≒0.5mm、w2≒0.25mm程度である。
ニリデンフイルムを第４図のように構成した折り
畳まれたフイルム１が各溝１０，１０′に巻回さ
れる。この場合前記対向電極部１Ａが溝１０上で
重ね合わされ、前記非対向電極部１Ｂが溝１０′
上で重ね合わされる。この巻回はフイルム１の一
端を凹部１２に接着して例えば５回（10層）行わ
れる。また、このフイルム１の場合、電極２，３
は、厚さ800Åのニツケルと厚さ1600Åの金とを
二重蒸着したものから成り、その寸法はl1≒10
mm、w1≒0.5mm、w2≒0.25mm程度である。
次に上面の溝１０に低粘度エポキシ樹脂を塗布
し、その上からシリコンラバーを押し当て真空下
でプレスすることにより電極対向部１Ａのフイル
ム１が接合される。次に裏面各溝１０′に巻回さ
れたフイルム１の端末部における対向しない電極
２ｂ，３ｂに夫々50μの銀線から成るリード線が
半田付けされる。尚、基体４の突起９，９′は省
略してもよい。その場合は巻回される圧電フイル
ム１は、基体の巾と同様の広巾とすることができ
る。またその場合は圧電フイルム１の表面の電極
は、巻回される方向に平行な多数の帯状とし、相
互の帯状電極は一定間隔を以て隔つているように
形成される。
し、その上からシリコンラバーを押し当て真空下
でプレスすることにより電極対向部１Ａのフイル
ム１が接合される。次に裏面各溝１０′に巻回さ
れたフイルム１の端末部における対向しない電極
２ｂ，３ｂに夫々50μの銀線から成るリード線が
半田付けされる。尚、基体４の突起９，９′は省
略してもよい。その場合は巻回される圧電フイル
ム１は、基体の巾と同様の広巾とすることができ
る。またその場合は圧電フイルム１の表面の電極
は、巻回される方向に平行な多数の帯状とし、相
互の帯状電極は一定間隔を以て隔つているように
形成される。
このように構成されたアレイ型超音波探触子１
６はほぼ5MHzの共振周波数を有し極めて能率良
く作動させることができる。
６はほぼ5MHzの共振周波数を有し極めて能率良
く作動させることができる。
以上述べたように本発明による超音波探触子
は、両面に電極の付された高分子圧電性フイルム
を折り畳むという簡単な操作の後にこれを基体に
巻き付けるだけでよく、その巻き数を変えるだけ
で、任意の共振周波数を有する探触子を得ること
ができ、両面の電極がシヨートすることもない。
このため特に、アレイ型のような小型の単位圧電
素子の集合体などを容易に得ることができる。
は、両面に電極の付された高分子圧電性フイルム
を折り畳むという簡単な操作の後にこれを基体に
巻き付けるだけでよく、その巻き数を変えるだけ
で、任意の共振周波数を有する探触子を得ること
ができ、両面の電極がシヨートすることもない。
このため特に、アレイ型のような小型の単位圧電
素子の集合体などを容易に得ることができる。
その上各単位素子の配線は、基体の裏側に巻か
れた高分子圧電フイルム１の端部にある非対向電
極部１Ｂから、夫々表裏の電極配線を取れば良い
ので、配線取付けも容易で、且つ配線の錯綜も生
じることがない。
れた高分子圧電フイルム１の端部にある非対向電
極部１Ｂから、夫々表裏の電極配線を取れば良い
ので、配線取付けも容易で、且つ配線の錯綜も生
じることがない。
また非対向電極部１Ｂは殆んどキヤパシタンス
を持たず、従つて発振器より伝達される電気パル
スのエネルギーが電極の対向する圧電作動部（１
Ａの部分）で殆んど消費されるので、高い出力の
音波を得ることができる。
を持たず、従つて発振器より伝達される電気パル
スのエネルギーが電極の対向する圧電作動部（１
Ａの部分）で殆んど消費されるので、高い出力の
音波を得ることができる。
第１図及び第２図は従来例を示す側面図、第３
図は他の従来例を示す要部の側面図、第４図は本
発明に用いる圧電フイルムを示す斜視図、第５図
は第４図の上記圧電フイルムの平面図、第６図は
本発明の第１実施例である探触子を示す平面図、
第７図は第６図の−線断面図、第８図は本発
明の第２実施例であるアレイタイプ超音波探触子
を示す平面図、第９図は第８図の側面図、第１０
図は第８図の一部断面正面図である。 なお図面に用いた符号において、１……圧電フ
イルム、１Ａ……対向電極部、１Ｂ……非対向電
極部、２，３……電極、４……基体である。
図は他の従来例を示す要部の側面図、第４図は本
発明に用いる圧電フイルムを示す斜視図、第５図
は第４図の上記圧電フイルムの平面図、第６図は
本発明の第１実施例である探触子を示す平面図、
第７図は第６図の−線断面図、第８図は本発
明の第２実施例であるアレイタイプ超音波探触子
を示す平面図、第９図は第８図の側面図、第１０
図は第８図の一部断面正面図である。 なお図面に用いた符号において、１……圧電フ
イルム、１Ａ……対向電極部、１Ｂ……非対向電
極部、２，３……電極、４……基体である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高分子圧電膜の表裏両面に電極を形成し、こ
の際、表裏の電極は、上記高分子圧電膜を介して
互いに対向する対向電極部とキヤパシタンスを殆
んど若しくは全く有せず上記高分子圧電膜を介し
て互いに対向しない非対向電極部とが交互に連続
的に形成されるように成し、 上記対向電極部どうし及び上記非対向電極部ど
うしがそれぞれ重ね合わされるように、上記高分
子圧電膜がその幅方向に形成された折り目で折り
畳まれ、 この重ね合わされた対向電極部どうし及び重ね
合わされた非対向電極部どうしがそれぞれ重ね合
わされるように、折り畳まれた上記高分子圧電膜
が基体の周囲に巻回されて成る超音波探触子。 ２ 上記基体に反射板を設け、この反射板の上に
上記重ね合わされた対向電極部が設けられて成る
特許請求の範囲第１項記載の超音波探触子。 ３ 上記巻回により重ね合わされた上記対向電極
部を上記基体の表面に複数個配列して成る特許請
求の範囲第１項または第２項記載の超音波探触
子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154781A JPS5943356A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 超音波探触子 |
| DE3331955A DE3331955C2 (de) | 1982-09-06 | 1983-09-05 | Ultraschallwandler |
| FR8314208A FR2532807A1 (fr) | 1982-09-06 | 1983-09-06 | Detecteur d'ultrasons |
| US06/529,616 US4469978A (en) | 1982-09-06 | 1983-09-06 | Electrode arrangement for a folded polymer piezoelectric ultrasonic detector |
| GB08323898A GB2129252B (en) | 1982-09-06 | 1983-09-06 | Piezoelectric polymer ultrasonic detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57154781A JPS5943356A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 超音波探触子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943356A JPS5943356A (ja) | 1984-03-10 |
| JPH0446040B2 true JPH0446040B2 (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=15591756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57154781A Granted JPS5943356A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 超音波探触子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4469978A (ja) |
| JP (1) | JPS5943356A (ja) |
| DE (1) | DE3331955C2 (ja) |
| FR (1) | FR2532807A1 (ja) |
| GB (1) | GB2129252B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE3720574A1 (de) * | 1987-06-22 | 1989-01-05 | Deutsch Pruef Messgeraete | Ultraschall-mehrfachpruefkopf |
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| AT375466B (de) * | 1977-07-27 | 1984-08-10 | List Hans | Messwertaufnehmer mit einem piezoelektrischen messelement |
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-
1982
- 1982-09-06 JP JP57154781A patent/JPS5943356A/ja active Granted
-
1983
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- 1983-09-06 US US06/529,616 patent/US4469978A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-09-06 GB GB08323898A patent/GB2129252B/en not_active Expired
- 1983-09-06 FR FR8314208A patent/FR2532807A1/fr active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5943356A (ja) | 1984-03-10 |
| GB2129252A (en) | 1984-05-10 |
| DE3331955A1 (de) | 1984-03-08 |
| FR2532807B1 (ja) | 1985-05-24 |
| FR2532807A1 (fr) | 1984-03-09 |
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