JPH0446253B2 - - Google Patents
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- JPH0446253B2 JPH0446253B2 JP60276879A JP27687985A JPH0446253B2 JP H0446253 B2 JPH0446253 B2 JP H0446253B2 JP 60276879 A JP60276879 A JP 60276879A JP 27687985 A JP27687985 A JP 27687985A JP H0446253 B2 JPH0446253 B2 JP H0446253B2
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- Japan
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- cresol
- bis
- crystals
- biscresol
- crude
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３
−メチルフエニル）プロパン（以下、ビスクレゾ
ールＡと言う）の製造方法に関する。
−メチルフエニル）プロパン（以下、ビスクレゾ
ールＡと言う）の製造方法に関する。
更に詳しくは、ｏ−クレゾールとアセトンまた
はその誘導体とを反応させて得られる粗製のビス
クレゾールＡをｏ−クレゾールにより再結晶する
ことを特徴とする高純度ビスクレゾールＡの製造
方法に関する。
はその誘導体とを反応させて得られる粗製のビス
クレゾールＡをｏ−クレゾールにより再結晶する
ことを特徴とする高純度ビスクレゾールＡの製造
方法に関する。
ビスクレゾールＡは、フエノールとアセトンと
から製造される２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
エニル）プロパン（以下、ビスクレゾールＡと言
う）と同様ポリカーボネートやエポキシ樹脂、芳
香族ポリエステル等の原料として用いられる。
から製造される２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
エニル）プロパン（以下、ビスクレゾールＡと言
う）と同様ポリカーボネートやエポキシ樹脂、芳
香族ポリエステル等の原料として用いられる。
このような用途に対しては、高純度のものが用
いられ、高度に精製する必要がある。
いられ、高度に精製する必要がある。
（従来の技術）
従来、ビスクレゾールの製造するには、公知の
幾つかの方法が適用されている。
幾つかの方法が適用されている。
最も一般的には、ビスクレゾールＡの製造の場
合と同様の方法が適用され、例えば、過剰のｏ−
クレゾールとアセトンと酸触媒の存在下に縮合脱
水させて粗製物を得、その後、触媒と過剰のｏ−
クレゾールを除去し、必要によつて蒸留、有機溶
剤からの再結晶などの方法によつて粗製して、製
品を得ている。このような方法の具体例として
は、Wm.H.MossらのUSP2211070号（1941）で
は、ｏ−クレゾールとアセトンとから塩酸を触媒
として製造され、ハロゲン化炭化水素、例えば、
四塩化炭素で再結晶する方法が記載されている。
合と同様の方法が適用され、例えば、過剰のｏ−
クレゾールとアセトンと酸触媒の存在下に縮合脱
水させて粗製物を得、その後、触媒と過剰のｏ−
クレゾールを除去し、必要によつて蒸留、有機溶
剤からの再結晶などの方法によつて粗製して、製
品を得ている。このような方法の具体例として
は、Wm.H.MossらのUSP2211070号（1941）で
は、ｏ−クレゾールとアセトンとから塩酸を触媒
として製造され、ハロゲン化炭化水素、例えば、
四塩化炭素で再結晶する方法が記載されている。
また、特公昭47−50616号明細書には、ｏ−ク
レゾールとｏ−トリルアセテートおよびアセトン
とを原料として製造する方法が、さらには特開昭
55−151512号明細書にはｏ−クレゾールと１，１
−ジアセトキシプロパンとから製造する方法が開
示されている。
レゾールとｏ−トリルアセテートおよびアセトン
とを原料として製造する方法が、さらには特開昭
55−151512号明細書にはｏ−クレゾールと１，１
−ジアセトキシプロパンとから製造する方法が開
示されている。
さらに、特公昭47−50616号および特開昭55−
151512号明細書には、ビスクレゾールＡの単離方
法としては、ビスフエノールＡの製造の場合と同
様に処理して単離することが記載されている。こ
の方法は、フエノールとビスフエノールＡの付加
物の結晶を取り出して、更に、付加物から、減圧
加熱蒸留等の方法によつてフエノールを除去し
て、ビスフエノールＡを単離するというものであ
る。
151512号明細書には、ビスクレゾールＡの単離方
法としては、ビスフエノールＡの製造の場合と同
様に処理して単離することが記載されている。こ
の方法は、フエノールとビスフエノールＡの付加
物の結晶を取り出して、更に、付加物から、減圧
加熱蒸留等の方法によつてフエノールを除去し
て、ビスフエノールＡを単離するというものであ
る。
同様の方法が島内（日本化学会誌1982(8)p1363
〜1370）により示されているが、ここでは上記方
法で得られた粗ビスクレゾールをさらにベンゼン
で再結晶することにより精ビスクレゾールを得て
いる。
〜1370）により示されているが、ここでは上記方
法で得られた粗ビスクレゾールをさらにベンゼン
で再結晶することにより精ビスクレゾールを得て
いる。
これらの何れの方法でも、長い精製工程を必要
としたり、有機溶媒を使用しその回収工程を必要
としたりするなど、工業的に実施するには非常に
煩雑であつた。
としたり、有機溶媒を使用しその回収工程を必要
としたりするなど、工業的に実施するには非常に
煩雑であつた。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明の目的は、簡易で、しかも精製効果の高
いビスクレゾールの製造方法を提供することであ
る。
いビスクレゾールの製造方法を提供することであ
る。
（問題点を解決するための手段）
本発明者等は上記目的を達成するため鋭意検討
の結果、ビスクレゾールＡはｏ−クレゾールとは
付加生成物を形成しないこと、ビスクレゾールＡ
は他の副生物とはｏ−クレゾール中への溶解度差
を利用して分離可能なこと、得られるビスクレゾ
ールＡの結晶は、結晶に付着している母液以外に
不純物を殆ど含まず、簡単な方法で高純度のビス
クレゾールＡを製造できることを見い出し、本発
明に到つた。
の結果、ビスクレゾールＡはｏ−クレゾールとは
付加生成物を形成しないこと、ビスクレゾールＡ
は他の副生物とはｏ−クレゾール中への溶解度差
を利用して分離可能なこと、得られるビスクレゾ
ールＡの結晶は、結晶に付着している母液以外に
不純物を殆ど含まず、簡単な方法で高純度のビス
クレゾールＡを製造できることを見い出し、本発
明に到つた。
すなわち、本発明はｏ−クレゾールとアセトン
またはその誘導体とから２，２−ビス（４−ヒド
ロキシ−３−メチルフエニル）プロパンを製造す
るに際し、生成した粗２，２−ビス（４−ヒドロ
キシ−３−メチルフエニル）プロパンをｏ−クレ
ゾールにより再結晶させ、これを単離して高純度
の２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフ
エニル）プロパンを製造する方法である。
またはその誘導体とから２，２−ビス（４−ヒド
ロキシ−３−メチルフエニル）プロパンを製造す
るに際し、生成した粗２，２−ビス（４−ヒドロ
キシ−３−メチルフエニル）プロパンをｏ−クレ
ゾールにより再結晶させ、これを単離して高純度
の２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフ
エニル）プロパンを製造する方法である。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の方法で粗２，２−ビス（４−ヒドロキ
シ−３−メチルフエニル）プロパンは、これを製
造し得る方法であれば、特に限定はない。最も一
般的には、ｏ−クレゾールまたはその誘導体、例
えば、ｏ−トリルアセテートおよびアセトンまた
はその誘導体、例えば、１，１−ジアセトキシプ
ロパンとその酸触媒の作用の下で、過剰のｏ−ク
レゾールの存在下に得られる。また、ｐ−イソプ
ロペニルーｏ−クレゾールと化学量論的に過剰量
のｏ−クレゾールとから製造することも出来る。
シ−３−メチルフエニル）プロパンは、これを製
造し得る方法であれば、特に限定はない。最も一
般的には、ｏ−クレゾールまたはその誘導体、例
えば、ｏ−トリルアセテートおよびアセトンまた
はその誘導体、例えば、１，１−ジアセトキシプ
ロパンとその酸触媒の作用の下で、過剰のｏ−ク
レゾールの存在下に得られる。また、ｐ−イソプ
ロペニルーｏ−クレゾールと化学量論的に過剰量
のｏ−クレゾールとから製造することも出来る。
反応終了後、反応生成液そのまま精製に供する
ことができるが、勿論、常法により単離して得ら
れる粗ビスクレゾールＡであつてもよい。
ことができるが、勿論、常法により単離して得ら
れる粗ビスクレゾールＡであつてもよい。
更に、他の精製法では十分な純度が得られな
い、不純物を含有しているビスクレゾールＡをｏ
−クレゾールに溶解してもよい。
い、不純物を含有しているビスクレゾールＡをｏ
−クレゾールに溶解してもよい。
粗ビスクレゾールＡを精製するに必要なｏ−ク
レゾールの使用量は、ｏ−クレゾール中の粗ビス
クレゾールＡが20〜60重量％となるような範囲に
選べばよい。
レゾールの使用量は、ｏ−クレゾール中の粗ビス
クレゾールＡが20〜60重量％となるような範囲に
選べばよい。
ビスクレゾールＡはｏ−クレゾールに対して僅
かに溶解性を有するので、ビスクレゾールＡの濃
度が高い方が結晶の析出量は増加する。晶析時の
ｏ−クレゾール溶液の濃度は前記ビスクレゾール
Ａの濃度の範囲でビスクレゾールＡの結晶が析出
しない温度範囲に制御される。例えば、ビスクレ
ゾールＡの濃度が20％の時には、50℃以上であ
り、ビスクレゾールＡの濃度が60％の時には、80
℃以上である。
かに溶解性を有するので、ビスクレゾールＡの濃
度が高い方が結晶の析出量は増加する。晶析時の
ｏ−クレゾール溶液の濃度は前記ビスクレゾール
Ａの濃度の範囲でビスクレゾールＡの結晶が析出
しない温度範囲に制御される。例えば、ビスクレ
ゾールＡの濃度が20％の時には、50℃以上であ
り、ビスクレゾールＡの濃度が60％の時には、80
℃以上である。
粗ビスクレゾールＡのｏ−クレゾール溶液は、
水を含んでいても、水を含んでいなくても良い。
水を含んでいても、水を含んでいなくても良い。
処理する粗ビスクレゾールＡが反応生成液を引
き続き処理する場合は、粗ビスクレゾールＡの生
成反応はｏ−クレゾールの少過剰で行うのが好ま
しい。すなわち、生成するビスクレゾールＡと未
反応ｏ−クレゾールが１：２乃至１：10モル／モ
ルの比の範囲で行うのがより好ましい。反応後、
触媒を除いて、あるいは反応固定床触媒層を用い
る場合は、直接に、ビスクレゾールＡのｏ−クレ
ゾール溶液を得ることができる。
き続き処理する場合は、粗ビスクレゾールＡの生
成反応はｏ−クレゾールの少過剰で行うのが好ま
しい。すなわち、生成するビスクレゾールＡと未
反応ｏ−クレゾールが１：２乃至１：10モル／モ
ルの比の範囲で行うのがより好ましい。反応後、
触媒を除いて、あるいは反応固定床触媒層を用い
る場合は、直接に、ビスクレゾールＡのｏ−クレ
ゾール溶液を得ることができる。
溶液からの結晶化は、いかなる晶析方法を用い
ても実施することが出来る。
ても実施することが出来る。
一つの方法として、粗ビスクレゾールＡのｏ−
クレゾール溶液に水を添加して、これを減圧蒸留
することにより冷却し、結晶を得ることが出来
る。水は結晶化前のビスクレゾールＡのｏ−クレ
ゾール溶液に添加しても良いし、結晶化しつつあ
るスラリー状の混合物に添加することもできる。
連続的に晶析を行う場合には、後者の方法が有利
である。この場合、操作圧力は20〜100mmHgで、
２〜20重量％の水、あるいは等量の水を含む水−
ｏ−クレゾール混合物を添加し、25〜70℃の範囲
に冷却することにより純粋なビスクレゾールＡの
結晶を得ることが出来る。
クレゾール溶液に水を添加して、これを減圧蒸留
することにより冷却し、結晶を得ることが出来
る。水は結晶化前のビスクレゾールＡのｏ−クレ
ゾール溶液に添加しても良いし、結晶化しつつあ
るスラリー状の混合物に添加することもできる。
連続的に晶析を行う場合には、後者の方法が有利
である。この場合、操作圧力は20〜100mmHgで、
２〜20重量％の水、あるいは等量の水を含む水−
ｏ−クレゾール混合物を添加し、25〜70℃の範囲
に冷却することにより純粋なビスクレゾールＡの
結晶を得ることが出来る。
結晶化のための冷却は、反応生成水、未反応ア
セトン、ビスクレゾール自身の蒸発による熱除去
も利用できる。
セトン、ビスクレゾール自身の蒸発による熱除去
も利用できる。
このようにして得られた結晶は通常の分離方
法、即ち、濾過、遠心分離等によつて母液から分
離される。
法、即ち、濾過、遠心分離等によつて母液から分
離される。
母液は必要ならば脱水され、更に必要により濃
縮され本発明の方法により新たに製造するビスク
レゾールＡの原料とすることが出来る。
縮され本発明の方法により新たに製造するビスク
レゾールＡの原料とすることが出来る。
分離された結晶は、目的によつてはそのまま製
品とすることができる。必要な場合には、水、ｏ
−クレゾール、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素
等の溶媒で洗浄し、後乾燥した後に製品とするこ
とができる。ある場合には、結晶を溶解し残存付
着母液を、加熱、減圧、ストリツピング等の方法
で完全に除去した後、好みの製品形態で取り出す
こともできる。
品とすることができる。必要な場合には、水、ｏ
−クレゾール、芳香族炭化水素、脂肪族炭化水素
等の溶媒で洗浄し、後乾燥した後に製品とするこ
とができる。ある場合には、結晶を溶解し残存付
着母液を、加熱、減圧、ストリツピング等の方法
で完全に除去した後、好みの製品形態で取り出す
こともできる。
こうして得られたビスクレゾールＡは純白であ
り、ポリカーボネート樹脂の製造を含む高純度の
ビスクレゾールを要求する用途に直接使用するこ
とが出来る。
り、ポリカーボネート樹脂の製造を含む高純度の
ビスクレゾールを要求する用途に直接使用するこ
とが出来る。
（実施例）
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例 １
ｏ−クレゾール162ｇ（1.5モル）、アセトン
14.5ｇ（0.25モル）とを混合し、これに更に塩化
水素を吹き込みながら45℃で8.5時間縮合反応を
行つた。反応混合物をそのまま室温に放置したと
ころ、６日目に結晶の析出が認められた。反応混
合物を減圧下に120℃に加熱して該結晶の全量を
溶解しながら塩酸および反応で生成した水を除去
した。この脱塩酸液を冷却して結晶を析出させ
た。結晶を濾過した後、３倍量のベンゼンで洗浄
して純ビスクレゾールを得た。高速液体クロマト
グラフイーでの分析の結果、結晶の純度は99.4％
であり、0.6％の異性体を含んでいた。
14.5ｇ（0.25モル）とを混合し、これに更に塩化
水素を吹き込みながら45℃で8.5時間縮合反応を
行つた。反応混合物をそのまま室温に放置したと
ころ、６日目に結晶の析出が認められた。反応混
合物を減圧下に120℃に加熱して該結晶の全量を
溶解しながら塩酸および反応で生成した水を除去
した。この脱塩酸液を冷却して結晶を析出させ
た。結晶を濾過した後、３倍量のベンゼンで洗浄
して純ビスクレゾールを得た。高速液体クロマト
グラフイーでの分析の結果、結晶の純度は99.4％
であり、0.6％の異性体を含んでいた。
比較例 １
実施例１と同様の方法で反応を実施した。反応
混合物をそのまま室温で放置したが、10日目に40
ｇの結晶が得られた。この結晶をろ過した後、３
倍量のベンゼンで洗浄して得た結晶の純度は97.1
％であつた。
混合物をそのまま室温で放置したが、10日目に40
ｇの結晶が得られた。この結晶をろ過した後、３
倍量のベンゼンで洗浄して得た結晶の純度は97.1
％であつた。
実施例 ２
実施例１と同様の方法で粗ビスクレゾールを等
量のｏ−クレゾールと混合溶融し、室温まで冷却
し結晶を得た。85％の収率で精ビスクレゾールが
得られた。分析の結果純度は99.6％であつた。
量のｏ−クレゾールと混合溶融し、室温まで冷却
し結晶を得た。85％の収率で精ビスクレゾールが
得られた。分析の結果純度は99.6％であつた。
実施例 ３
実施例１と同じモル比でｏ−クレゾールとアセ
トンとビスクレゾールを製造した。
トンとビスクレゾールを製造した。
ビスクレゾール 30％
異性体 2.3％
その他不純物 1.8％
ｏ−クレゾール 57.9％
このビスクレゾール溶液を90℃で毎時400Kgの
流量で、30mmHgで操作されている晶析槽に装入
し、さらに晶析槽には毎時30Kgの割合で水を加え
た。晶析槽内温は35℃で一定となつた。晶析槽か
ら結晶を含む液を連続的に抜き出し、濾過した。
結晶は連続的にｏ−クレゾールで洗浄され、得ら
れた結晶の組成は以下のようであつた。
流量で、30mmHgで操作されている晶析槽に装入
し、さらに晶析槽には毎時30Kgの割合で水を加え
た。晶析槽内温は35℃で一定となつた。晶析槽か
ら結晶を含む液を連続的に抜き出し、濾過した。
結晶は連続的にｏ−クレゾールで洗浄され、得ら
れた結晶の組成は以下のようであつた。
ビスクレゾール 92.7％
異性体 0.2％
その他不純物 7.1％
ｏ−クレゾール 痕跡のみ検出
この結晶からスチームトリツプによりｏ−クレ
ゾールを除去して純度99.8％の純白のビスクレゾ
ールを得た。
ゾールを除去して純度99.8％の純白のビスクレゾ
ールを得た。
（発明の効果）
本発明は、以上にくわしく述べたように、ビス
クレゾールＡの高純度に製造する方法を提供する
ものである。
クレゾールＡの高純度に製造する方法を提供する
ものである。
この方法では、原料を用いて製品を再結晶する
という点に特徴を有し、工程の簡略化が可能にな
り、製造工程に他の有機溶剤を使用しなくてもよ
い等産業上寄与するところが大きい。
という点に特徴を有し、工程の簡略化が可能にな
り、製造工程に他の有機溶剤を使用しなくてもよ
い等産業上寄与するところが大きい。
Claims (1)
- １ ｏ−クレゾールとアセトンまたはその誘導体
とから２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチ
ルフエニル）プロパンを製造するに際し、生成し
た粗２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチル
フエニル）プロパンをｏ−クレゾールにより再結
晶することを特徴とする高純度の２，２−ビス
（４−ヒドロキシ−３−メチルフエニル）プロパ
ンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27687985A JPS62138443A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | ビスクレゾ−ルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27687985A JPS62138443A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | ビスクレゾ−ルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62138443A JPS62138443A (ja) | 1987-06-22 |
| JPH0446253B2 true JPH0446253B2 (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=17575674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27687985A Granted JPS62138443A (ja) | 1985-12-11 | 1985-12-11 | ビスクレゾ−ルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62138443A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5104038B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2012-12-19 | 株式会社エーピーアイ コーポレーション | ビスフェノール化合物の顆粒状粉末及びその製造方法 |
| JP7021561B2 (ja) * | 2017-03-06 | 2022-02-17 | 三菱ケミカル株式会社 | ２，２－ビス（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）プロパンの製造方法およびポリカーボネート樹脂の製造方法 |
| WO2019039515A1 (ja) | 2017-08-22 | 2019-02-28 | 三菱ケミカル株式会社 | ビスフェノール組成物及びその製造方法、並びにポリカーボネート樹脂及びその製造方法 |
| WO2019039520A1 (ja) | 2017-08-22 | 2019-02-28 | 三菱ケミカル株式会社 | 芳香族アルコールスルホン酸塩を含有するビスフェノール組成物及びその製造方法、ポリカーボネート樹脂及びその製造方法、並びに、ビスフェノールの製造方法 |
| WO2020184182A1 (ja) * | 2019-03-14 | 2020-09-17 | 三菱ケミカル株式会社 | ビスフェノール組成物及びポリカーボネート樹脂 |
| KR20250005981A (ko) | 2022-04-27 | 2025-01-10 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 비스페놀 함유 조성물 및 그 제조 방법, 비스페놀 a 의 제조 방법 그리고 폴리카보네이트 수지의 제조 방법 |
| JP2024130530A (ja) * | 2023-03-15 | 2024-09-30 | 三菱ケミカル株式会社 | ビスフェノールの製造方法およびポリカーボネート樹脂の製造方法 |
| JP2024130529A (ja) * | 2023-03-15 | 2024-09-30 | 三菱ケミカル株式会社 | ビスフェノールの製造方法およびポリカーボネート樹脂の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53101347A (en) * | 1976-12-30 | 1978-09-04 | Gen Electric | Method for purification of crude diphenol |
-
1985
- 1985-12-11 JP JP27687985A patent/JPS62138443A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62138443A (ja) | 1987-06-22 |
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