JPH0446312B2 - - Google Patents
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- JPH0446312B2 JPH0446312B2 JP59158826A JP15882684A JPH0446312B2 JP H0446312 B2 JPH0446312 B2 JP H0446312B2 JP 59158826 A JP59158826 A JP 59158826A JP 15882684 A JP15882684 A JP 15882684A JP H0446312 B2 JPH0446312 B2 JP H0446312B2
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Description
〔技術分野〕
本発明は、電界発光を行なう電界発光素子［エ
レクトロルミネツセンス（EL）素子］に関し、
くわしくは、独立した２つの発光層を有し、これ
らのそれぞれを個々に制御することにより、発光
の色調や強度等を自由に制御することができ、し
かも、十分な輝度を有する３端子EL素子に関す
る。 〔従来技術〕 EL素子は、一般にEL機能を有する材料、すな
わち電界内に置かれた際に光を発する機能を有す
る材料を含む発光層を２つの電極間に配置した構
造を有し、これら電極間に電圧を印加することに
より電界を発生させて電気エネルギーを直接光に
変換して光を発生する発光素子であり、例えば白
熱電球のようにフイラメントを白熱させて発光さ
せる、あるいは蛍光灯のように電気的に励起した
気体が蛍光体にエネルギーを付与して発光させる
などの従来の発光方式とは異なり、薄型のパネル
状、ベルト状、円筒状等の種々の形状の例えば、
ランプや線、図、画像等の表示に用いる表示媒体
の構成部材として、あるいは大面積のパネルラン
プ等の発光体を実現化できる可能性を有するもの
として注目されている。 EL素子に用いられるEL機能を有する材料とし
ては、従来、Mn、CuまたはReF3（Reは希土類を
表わす）等を賦活剤として含むZnS等の無機金属
材料が主に使用されてきており、また、最近で
は、特開昭58−172891公報により、アントラセ
ン、ピレン若しくはペリレンまたはこれらの誘導
体を発光層用材料として用いたEL素子が知られ
ているように、種々の薄膜形成法により精度良い
薄膜の形成が可能である有機化合物材料がEL素
子用の材料として注目されている。 このようなEL素子の発する光の色は、主に、
発光層に使用する材料を適宜選択して組合わせた
り、電界の強度を変化させたりして制御すること
が可能である。 しかしながら、現在知られているEL素子の発
光層を形成することのできる材料を用いてEL素
子を形成した場合、発光の色や強度がある程度限
られてしまい、しかも１つのEL素子に於いて、
発光色を大きく変化させたり、色調を微妙に調節
したり、発光の強弱を自由に制御することはほぼ
困難であつた。 一方、上記のZnSを主体とする無機金属材料を
用いて蒸着法等の薄膜形成法により薄膜の発光層
を形成し、いわゆる薄膜型のEL素子を製造した
場合、製造コストが非常に高くなつてしまうとい
う問題があり、また大面積の均一な薄膜からなる
発光層の形成が非常に困難であるため、品質の良
い大面積のEL素子を量産性良く製造することは
できなかつた。 これに対して、量産性に富み、コスト的に有利
であるEL素子として、上記のZnSを主体とする
EL無機材料を有機バインダー中に分散して発光
層を形成した真性EL方式の有機粉末型EL素子が
知られている。 ところが、この粉末型のEL素子に於いては、
層厚を薄く形成すると、その発光層にピンホール
等の欠陥が生じ易く、発光特性を十分に高めるた
めに、発光層の層厚を一定以上薄くするには構造
上の限界があり、十分な発光、特に高い輝度を得
ることができず、また層厚が比較的厚くなるの
で、より強い電界を発生させるために、電力消費
が多くなるなどの問題点を有していた。この粉末
型のEL素子の有する発光層内に、より強い電界
を発生させるためにフツ化ビニリデン系重合体か
らなる中間誘電体層を設けた改良型の粉末型EL
素子が、特開昭58−172891公報によつて知られて
いるが、輝度、電力消費等に於いて満足のいく性
能が得られていないのが現状である。 前記のアントラセン等の有機材料を用いた、こ
のEL素子に於いても、発光層が精度良い薄膜と
して形成されてはいるものの、キヤリアーである
電子あるいはホールの密度が非常に小さく、キヤ
リアーの移動や再結合等による機能分子の励起確
率が低く、効率の良い発光が得られず、特に電力
消費や輝度の点で満足できるものとなつていない
のが現状である。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、１つのEL素子に於いて発光
色を大きく変化させたり、色調を微妙に調節した
り、発光の強弱を自由に制御することが可能な構
造を有する新規なEL素子を提供することにある。 本発明の他の目的は、EL素子用の種々の材料
を適宣選択し、その材料に最適な薄膜形成法を組
合わせて形成することができ、発光効率が良好で
あり、低電圧駆動でも十分な輝度が得られ、安価
でかつ製造容易な構造を有する新規なEL素子を
提供することにある。 〔発明の構成〕 すなわち、本発明の電界発光素子は、少なくと
も一方が透明である２つの電極層と、これら２つ
の電極層間に設けられた、２つの発光層と、これ
ら２つの発光層間に設けられた透明または半透明
な電極層とを有してなる３端子電界発光素子であ
つて、前記発光層の少なくともいずれか一方が、
相対的に電子受容性を示す有機化合物を含む第１
の層と、相対的に電子供与性を示す有機化合物を
含む第２の層と、電気絶縁性を有する第３の層と
を有し、これらの層が、前記電極層の一方から他
方に向かつて前記第３の層上に前記第１の層、第
２の層及び第３の層がこの順に２回以上繰り返さ
れて積層されてなり、更にこれら第１の層、第２
の層及び第３の層の少なくともいずれか一層が、
単分子膜または単分子累積膜からなるものである
ことを特徴とする。 本発明の３端子電界発光素子（以下、単にEL
素子という）は、一対の電極層間に設けられた２
つの独立した発光層が積層された構造を有し、そ
れぞれの発光層を個々に制御して発光の色や強度
を所望に応じて変化させることが可能であり、ま
た十分な輝度を有する発光を行なうことのできる
ものである。 以下、図面を用いて本発明のEL素子の一例を
詳細に説明する。 第１図は、本発明のEL素子の模式的断面図で
ある。 １，２及び３は電圧が印加されることによつて
電界を発生させるための電極層であり、１は発光
層４と発光層５とで発生した光が合成されて取り
出される透明な電極層である。４及び５は、EL
機能を有する発光層であり、発光層４は、電極層
１と３によつて発生した電界により発光し、発光
層５は電極層２と３によつて発生した電界により
発光する。従つて、電極層３は発光層４と５とに
対して共通電極となつており、発光層５で発生し
た光を発光層４側へ透過させる機能を有し、透明
でも、主に発光層４側へのみ光を透過させるよう
に半透明な層でも良い。 なお、第１図に示した本発明のEL素子の一例
に於いては、電極層１及び電極層２のうち電極層
１が透明電極として設けられているが、電極層２
のみが、あるいはこれら両方が透明であつても良
い。電極層２のみが透明である場合には、電極層
３は、少なくとも発光層４から発光層５側へ光を
透過させる機能を有するように設けられ、また電
極層１及び電極層２の両方が透明である場合に
は、電極層３は発光層４から発光層５側へ光を透
過させるとともに、これと逆芳香にも光を透過で
きるように設けられる。 発光層４と発光層５は、それぞれが同様の機能
を有するものであつても良く、例えば発光色や輝
度が異なるように、それぞれが異なる機能を有す
るものであつても良い。 以下、本発明のEL素子の有する発光層４及び
発光層５の基本的構造について説明する。 発光層４，５は、主に相対的に電子受容性を示
す有機化合物を含む第１の層と、主に相対的に電
子供与性を示す有機化合物を含む第２の層と、電
気絶縁性を有する第３の層とを有し、これらの層
が、前記第３の層上に前記第１の層、第２の層及
び第３の層がこの順に２回以上繰り返されて積層
された基本的構造を有するものである。そして、
発光層４及び発光層５のいずれか一方の有する第
１の層、第２の層及び第３の層のうち少なくとも
１つの層が、該層を形成することのできる有機化
合物の単分子膜または単分子累積膜から形成され
ているものである。 すなわち本発明のEL素子の有する発光層は、
相対的に電子受容性を示す有機化合物（以後EA
化合物と略称する）と、相対的に電子供与性を示
す有機化合物（以後ED化合物と略称する）が互
いに接触する位置に配置された構造を有し、これ
ら化合物が電界中に置かれた時のこれら化合物間
の電子の授受に伴なう励起錯体の形成に基づく発
光作用を主な発光源として有するものであり、し
かもこのような励起錯体が電界の発生とともに効
率良く形成されるのに好適な構造を有するもので
ある。 このような構造の発光層４，５の一例を第２図
の模式的断面図に示す。 ２５，２６は電圧が印加されることによつて電
界を発生させるための電極層であり、２０はEL
機能を有する発光層である。第２図に示された電
極層のうち、電極層２５は、第１図に示した本発
明のEL素子の電極層３に、また電極層２６は該
EL素子の電極層１または２にそれぞれ相当する。 発光層２０は、上下両端に積層された絶縁層と
して機能する第３の層２３−１，２３−３の間
に、第１の層２１−１，２１−２、第２の層２２
−１，２２−２及び第３の層２３−２が交互に繰
返されて積層された多層構造となつている。な
お、単分子膜または単分子累積膜を有する発光層
の場合には、第１の層２１−１，２１−２、第２
の層２２−１，２２−２及び第３の層２３−１，
２３−２，２３−３のうちの少なくとも１つの層
が、該層を形成することのできる有機化合物の単
分子膜あるいはその累積膜から形成されている。 発光層の有する第１の層２１−１は、第２の層
２２−１に主に含まれる前述したED化合物に対
してEA化合物となり得る化合物を含み、この第
１の層２１−１に直接接して積層された第２の層
２２−１は、第１の層２１−１に主に含まれた
EA化合物に対してED化合物となり得る化合物を
含み、これら第１の層２１−１と第２層２２−１
の界面２４−１がEA化合物とED化合物との接触
面となつている。第１の層２１−２と第２の層２
２−２の関係もこれと同様であり、これらの層に
よつて界面２４−２が独自に形成されている。 これらの界面２４−１，２４−２に於いて、電
極１，２に電圧が印加されて発光層３に電界がか
けられたときに、EA化合物とED化合物が励起状
態にある錯体を形成し、この励起錯体が基底状態
に戻る際に、励起状態にある錯体、EA化合物及
び／またはED化合物から励起エネルギーが光と
して発生される。このように、本発明のEL素子
に於ける発光は、この界面２４−１，２４−２に
於ける発光を主な発光源とするものである。 本発明のEL素子の有する発光層を構成する第
１の層２１−１，２１−２及び第２の層２２−
１，２２−２は、以下に示すような電界励起錯体
の形成に直接関与する化合物分子を、または該化
合物分子の少なくとも１つの機能性部分として有
する化合物分子を含有している。 このような電界励起錯体の形成に直接関与する
化合物分子の発光層２０内の配置としては、以下
のような組み合わせを代表的なものとして挙げる
ことができる。 (a) 第１の層２１−１，２１−２と第２の層２２
−１，２２−２のそれぞれに励起錯体形成に基
づくEL機能を有する（主に発光を行なう）化
合物分子が配置されている。 (b) 第１の層２１−１，２１−２に励起錯体形成
に基づくEL機能を有する化合物分子が配置さ
れ、これら化合物分子に対して電子供与体とな
り得る化合物（ED化合物）分子がそれぞれ第
２の層２２−１，２２−２に配置されている。 (c) 第２の層２２−１，２２−２に励起錯体形成
に基づくEL機能を有する化合物分子が配置さ
れ、これら化合物に対して電子受容体となり得
る化合物（EA化合物）分子がそれぞれ第１の
層２１−１，２１−２に配置されている。 上記の励起錯体形成に基づくEL機能を有する
化合物としては、高い発光量子効率を持ち、外部
摂動を受け易いπ電子系を有し、容易に電界励起
する有機化合物が好適に用いられる。 このような化合物としては、例えば縮合多環芳
香族炭化水素、ｐ−ターフエニル、２，５−ジフ
エニルオキサゾール、１，４−bis−（２−メチル
スチリル）−ベンゼン、キサンチン、クマリン、
アクリジン、シアニン色素、ベンゾフエノン、フ
タロシアニン、フタロシアニンの金属錯体、ポリ
フイリン、ポルフイリンの金属錯体、８−ヒドロ
キシキノリン、８−ヒドロキシキノリンの金属錯
体、ルテニウム錯体、稀土類錯体及びこれらの化
合物の誘導体、並びに上記以外の複素環式化合物
及びその誘導体、芳香族アミン、芳香族ポリアミ
ン及びキノン構造を有する化合物のなかで励起錯
体形成に基づくEL機能を有する化合物を挙げる
ことができ、これら化合物の中から、相対的に
EA化合物となり得るもの１種以上と、ED化合物
となり得るもの１種以上とを所望に応じて選択し
て組み合わせ、蒸着法、CVD法や後に述べる単
分子累積法等の薄膜形成法を適宣適用して、前記
した第１の層と第２の層の構成(a)を有する発光層
を形成することができる。 更に、上記の励起錯体形成に基づくEL機能を
有する化合物に対して電子受容体または電子供与
体となり得る化合物としては、上記した化合物以
外の複素環式化合物及びその誘導体、芳香族アミ
ン、芳香族ポリアミン、キノン構造を有する化合
物、テトラシアノキノジメタン並びにテトラシア
ノエチレン等を挙げることができ、先に挙げた化
合物とこれら化合物とを適宣選択して組み合わせ
て、前記した第１の層と第２の層の構成(b)または
(c)を有する発光層を形成することができる。 なお、これまで挙げた機能性部分を形成するこ
とのできる化合物は、励起錯体形成に基づかない
発光を行なう機能を備えた化合物であつても良
く、本発明のEL素子に於ける発光は、第１の層
と第２の層の界面２４−１，２４−２に於ける発
光のみに限定されるものではなく、第１の層２１
−１，２１−２及び／または第２の層２２−１，
２２−２内に於いて発光が行なわれる場合をも含
むものであつても良い。 また、第１の層２１−１，２１−２にはEA化
合物の他に、該EA化合物との電気化学的相互作
用によりEA化合物の電界励起効率を高めたり、
発光色等を制御したり、あるいは第１の層の強度
を高めたり、他の層との接着性を向上させるなど
のための他の成分を含有させても良く、第２の層
についてもこれと同様にED化合物以外の化合物
を含有したものであつても良い。これらのEA化
合物及びED化合物以外の化合物自身もまた、EL
機能を有するものであつても良い。 EA化合物あるいはED化合物との電気化学的相
互作用によりEA化合物の電界励起効率を高める
ことのできるものとしては、EA化合物に対して
電子受容体または電子供与体となり得る化合物、
ED化合物に体して電子受容体または電子供与体
となり得る化合物等を挙げることができる。 このような、化合物としては前記した励起錯体
の形成に基づくEL機能を有する（主に発光を行
なう）化合物、該化合物に対して電子供与体若し
くは電子受容体となり得る化合物、励起エネルギ
ーの移動により、発光体となり得る化合物及びこ
れら化合物分子を機能性部分として少なくとも１
つ有する化合物等を挙げることができ、第１の層
及び第２の層を形成する際には、これらの化合物
の１種以上を、第１の層及び第２の層の主成分と
して用いられる化合物（EA化合物及びED化合
物）に応じて適宣選択して用いることができる。 このような化合物を第１の層及び／または第２
の層に含有させる場合の混合量は、第１の層及び
第２の層に用いられる化合物に応じて異なり、一
概には規定できないが、通常、EA化合物に対し
て電子受容体または電子供与体となり得る第１の
層に含まれる化合物については、EA化合物に対
して、10モル％〜0.1モル％、またED化合物に対
して電子受容体または電子供与体となり得る第２
の層に含まれる化合物については、10モル％〜
0.1モル％程度とされる。 第１の層２１−１，２１−２及び第２の層２２
−１，２２−２のうちの少なくとも１つの層を、
該層を構成することのできる化合物の単分子膜ま
たは単分子累積膜として形成する場合には、高秩
序の分子配向と配列を可能とし、超薄膜層を簡易
に形成できる、いわゆる単分子累積法を好適に適
用することができる。 この単分子累積法は、以下のような原理に基づ
くものである。すなわち、例えば分子内に親水性
部分と疎水性部分を有する分子に於いて、両者の
バランス（両親媒性のバランス）が適度に保たれ
ているとき、このような分子の多数が水面上で親
水性部分を下に向けて単分子の層を形成する。こ
の単分子層は二次元系の特徴を有し、これら分子
がまばらに散開しているときは、一分子当たりの
面積Ａと表面圧Πとの間に二次元理想気体の式；
ΠA＝kT（ｋ；ボルツマン定数、Ｔ；絶対温度）
が成り立ち、これら分子は“気体膜”を形成する
が、Ａを十分に小さくすると分子間相互作用が強
まりこれら分子は二次元固体の“凝縮膜（または
固体膜）”を形成する。この凝縮膜はガラス等の
基板の表面に移し取ることができ、基板上に超薄
膜の単分子膜またはその累積膜を形成することが
できる。 この方法によれば、単分子膜を形成する分子の
配列される向きは、例えば構成分子の親水性部分
のほぼ全てが基板側に高秩序で配向されるなど、
１つの単分子膜内で一様とすることができる。従
つて、本発明のEL素子の第１の層及び／または
第２の層を単分子膜また単分子累積膜とすること
によつて、単分子膜または単分子累積膜として形
成された層に含まれる励起錯体形成に直接関与す
る化合物分子からなる機能性部分を第１の層と第
２の層の界面に高密度に配置することが可能とな
る。 この単分子累積法に於ける単分子形成用の溶液
としては、種々の溶液を使用することができ、こ
の使用される溶液に応じて、該溶液に対する親媒
性の異なる部分をバランス良く有する単分子膜形
成用化合物を適宣選択して単分子膜を形成するこ
とができる。このような単分子膜形成用の溶液の
中では、安価であり、取り扱いも容易であり、安
全である等の点から水または水を主成分とした溶
液が好適に用いられている。 以下、水または水を主成分とした溶液を用いた
単分子累積法を適用した場合を一例として、本発
明のEL素子の単分子膜を有する発光層の構成に
ついて説明する。 基本的に、本発明のEL素子の発光層の有する
第１の層及び第２の層を形成することのできる化
合物は、前述した機能性部分を形成することので
きる化合物若しくは該化合物分子を機能性部分と
して少なくとも１つ有する化合物である。これら
の化合物のうち単分子膜あるいは単分子累積膜を
形成できる化合物は、例えば機能性部分を１つ有
する単分子膜形成用化合物を例に取ると、機能性
部分を有する分子内の位置によつて、第３図の分
子構造の模式図に示すように、 (a) 機能性部分３１が親水性部分３２側にある、
−第３図ａ (b) 機能性部分３１が疎水性部分３３側にある、
−第３図ｂ (c) 機能性部分３１が疎水性部分３３と親水性部
分３２とのほぼ中間にある −第３図ｃ の３つのタイプに大きく分類される。 これらの化合物の親水性部分３２の構成要素と
しては、例えばカルボキシル基及びその金属塩、
アミン塩並びにエステル、スルホン酸基及びその
金属塩並びにアミン塩、スルホンアミド基、アミ
ド基、アミノ基、イミノ基、ヒドロキシル基、４
級アミノ基、オキシアミノ基、オキシイミノ基、
ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、
リン酸基、ケイ酸基、アルミン酸基等が挙げら
れ、各々が単独でまたは組み合わされて上記化合
物中の親水性部分３２を構成することができる。 また、疎水性部分３３の構成要素としては、直
鎖状のまたは分枝を有するアルキル基、ビニレ
ン、ビニリデン、アセチレン等のオレフイン系炭
化水素、フエニル、ナフチル、アントラニル等の
縮合多環フエニル基、ビフエニル等の鎖状多環フ
エニル基等の疎水性を示す基を挙げることがで
き、これらもまた各々が単独でまたは組み合わさ
れて上記化合物中の疎水性部分３３を構成するこ
とができる。 一方、本発明のEL素子の単分子膜または単分
子累積膜を有する方の発光層の第１の層と第２の
層の界面２４−１，２４−２（主に発光が行なわ
れる部分）に於ける単分子膜の配向及び配列は、
第４図は界面２４−１付近の模式的断面部分図
（この図の場合第１の層及び第２の層がともに機
能性部分を有する化合物のみからなる単分子膜か
ら形成されている）に示すように、 (1) 第１の層２１−１の単分子膜を形成する分子
の機能性部分３１を有する親水性部分３２と、
第２の層３２−１の単分子膜を形成する分子の
機能性部分３１′を有する親水性部分３２′とが
界面２４−１に配向されている。 −第４図ａ (2) 第１の層２１−１の単分子膜を形成する分子
の機能性部分３１を有する疎水性部分３３と、
第２の層２２−１の単分子膜を形成する分子の
機能性部分３１′を有する疎水性部分３３′とが
界面２４−１に配向されている。 −第４図ｂ (3) 第１の層２１−１の単分子膜を形成する分子
の機能性部分３１を有する疎水性部分３３と、
第２の層２２−１の単分子膜を形成する分子の
機能性部分３１′を有する親水性部分３２′とが
界面２４−１に配向されている。 −第４図ｃ (4) 第１の層２１−１の単分子膜を形成する分子
の機能性部分３１を有する親水性部分３２と、
第２の層６−１の単分子膜を形成する分子の機
能性部分３１′を有する疎水性部分３３′とが界
面２４−１に配向されている。 −第４図ｄ の４つのパターンに基本的に分けられる。 なお、第４図に示した例は単分子膜を有する方
の発光層の有する第１の層及び第２の層がともに
単分子膜からなるものであるが、もちろん先に述
べたように第１の層のみが、あるいは第２の層の
みが単分子膜から構成されたものであつても良
く、そのような場合、単分子膜でない層は、蒸着
法、CVD法等の薄膜形成法によつて形成された
薄膜層として設けられる。 第４図に示したような発光層の有する界面のパ
ターンを形成するには、先に挙げた単分子膜形成
用化合物のタイプａ及びｂに属する化合物が好適
に用いられる。また、上記界面のパターン(1)を形
成するには、第１の層及び第２の層に前記タイプ
ａに属する化合物を用いるのが、また上記界面の
パターン(2)を形成するには、第１の層及び第２の
層に前記タイプｂに属する化合物を用いるのが好
適である。更に、上記界面のパターン(3)を形成す
るには、第１の層に前記タイプａを、第２の層に
前記タイプｂに属する化合物をそれぞれ用いるの
が好適であり、上記界面のパターン(4)を形成する
には、第１の層に前記タイプｂを、第２の層に前
記タイプａに属する化合物をそれぞれ用いるのが
好適である。 以上説明した例は、第１の層及び第２の層が単
分子膜から形成されている場合であるが、第１の
層５−１，５−２及び／または第２の層６−１，
６−２が単分子累積膜からなる場合に於いても、
第１の層と第２の層の界面が上記のようなパター
ンを取るように、第１の層と第２の層の界面７−
１，７−２を構成する単分子膜を形成すれば良
い。 なお、第１の層５−１，５−２及び／または第
２の層６−１，６−２が単分子累積膜からなる場
合には、累積膜を構成する各単分子膜は、それぞ
れが同一のものであつても良く、また単分子膜の
１つ以上が他の単分子膜と異なるものであつても
良い。更に、単分子累積膜の各単分子膜を形成す
る分子の配向状態による構造は、いわゆるＹ型
（各膜間に於いて親水性部分と親水性部分または
疎水性部分と疎水性部分とが互いに向きあつた構
造）、Ｘ型（各膜の基板側に疎水性部分が向いた
構造）、Ｚ型（各膜の基板側に親水性部分が向い
た構造）及びこれらの変形構造等の種々の構造と
することができる。更に、本発明のEL素子の有
する発光層の第１の層または第２の層に含まれる
単分子膜は、２種以上の化合物によつて形成され
た多成分系単分子膜でも良い。そのような場合、
先に発光層の構成について説明したように、機能
性部分を有する化合物の２種以上を組み合わせ
て、あるいは機能性部分を有する化合物と、機能
性部分を有するものではないが機能性部分を有す
る化合物との相互作用により発光層の、例えば電
気陰性度等の電気化学的特性を制御できるような
化合物との組み合わせであつても良いし、更には
発光層を構成する単分子層の強度を増したり、各
層間の接着性を良くするための他の成分を加えた
ものであつても良い。 このような単分子膜または単分子累積膜の構造
は、所望とする第１の層または第２の層の電気的
特性に応じて、すなわち第１の層または第２の層
を形成する化合物または化合物の組み合わせに応
じて適宣選択すれば良く、例えば前記単分子膜形
成用化合物のタイプａ、ｂまたはｃに属する化合
物からなる単分子膜を組み合わせて累積して単分
子膜の面方向に垂直な方向でのπ電子のポテンシ
ヤル曲線を制御すること等ができる。 上記の第１の層２１−１，２１−２及び／また
は第２の層２２−１，２２−２を単分子膜若しく
は単分子累積膜として形成するのに用いることの
できる化合物としては、機能性部分を形成するこ
とのできる先に挙げた化合物、若しくは該化合物
の１つ以上を有する化合物の中で、親水性部分と
疎水性部分をバランス良く有している化合物はそ
のまま単分子膜形成用として用いることができ、
そうでないものは、先に挙げたような親水基及
び／または疎水基を新たに分子内に導入し、単分
子膜形成用化合物とすることができる。そのよう
な化合物としては、以下のような構造式で示され
た化合物を挙げることができる。 なお、以下に示す構造式に於いて、Ｘ及びＹ
は、先に挙げたような親水基を表すが、１分子内
にこれらが両方存在する時は、どちらか一方が親
水基であれば良く、そのような場合は他の一方は
水素となる。また、Ｒは炭素数４〜30程度、好ま
しくは10〜25程度の直鎖状若しくは側鎖を有する
アルキル基を表わす。 これらの化合物の中でNo.１〜No.35の構造式の化
合物は、先に挙げた機能性部分を形成できる化合
物のうち励起錯体の形成に基づくEL機能を有す
る化合物を疎水基及び／または親水基によつて修
飾し、単分子膜形成用化合物としたものである。
なお、No.42〜No.54及びNo.85〜No.86の構造式の化合
物は、機能性部分にアルキル鎖が直接結合した構
造を有するものであるが、アルキル鎖の機能性部
分への結合は、例えばエーテル結合、カルボニル
基を介した結合等によるものであつても良い。 本発明のEL素子の有する発光層のもう１つの
層である第３の層２３−１，２３−２，２３−３
は、絶縁性を有する層であり、特に第３の層２３
−１，２３−３は本発明のEL素子のコンデンサ
ー構造の絶縁性を高める機能を有し、第３の層２
３−２は、電子の移動を必要最小限の領域内に閉
じ込め、効率良い電子の授受による発光を行なわ
せる機能を有する。これら第３の層もまた蒸着
法、CVD法等の薄膜形成法あるいは単分子累積
法によつて形成することができる。この第３の層
を単分子累積法によつて形成する場合には、精度
良い均一な絶縁性を有する単分子膜からなる層を
形成することのできる一般式； CH3−（CH2）o−Ｘ、 または （上記式中に於いてｎは、10≦ｎ≦30であり、Ｘ
は−COOH、−CONH2、−COOR、−N+（CH3）3・
Cl-、
レクトロルミネツセンス（EL）素子］に関し、
くわしくは、独立した２つの発光層を有し、これ
らのそれぞれを個々に制御することにより、発光
の色調や強度等を自由に制御することができ、し
かも、十分な輝度を有する３端子EL素子に関す
る。 〔従来技術〕 EL素子は、一般にEL機能を有する材料、すな
わち電界内に置かれた際に光を発する機能を有す
る材料を含む発光層を２つの電極間に配置した構
造を有し、これら電極間に電圧を印加することに
より電界を発生させて電気エネルギーを直接光に
変換して光を発生する発光素子であり、例えば白
熱電球のようにフイラメントを白熱させて発光さ
せる、あるいは蛍光灯のように電気的に励起した
気体が蛍光体にエネルギーを付与して発光させる
などの従来の発光方式とは異なり、薄型のパネル
状、ベルト状、円筒状等の種々の形状の例えば、
ランプや線、図、画像等の表示に用いる表示媒体
の構成部材として、あるいは大面積のパネルラン
プ等の発光体を実現化できる可能性を有するもの
として注目されている。 EL素子に用いられるEL機能を有する材料とし
ては、従来、Mn、CuまたはReF3（Reは希土類を
表わす）等を賦活剤として含むZnS等の無機金属
材料が主に使用されてきており、また、最近で
は、特開昭58−172891公報により、アントラセ
ン、ピレン若しくはペリレンまたはこれらの誘導
体を発光層用材料として用いたEL素子が知られ
ているように、種々の薄膜形成法により精度良い
薄膜の形成が可能である有機化合物材料がEL素
子用の材料として注目されている。 このようなEL素子の発する光の色は、主に、
発光層に使用する材料を適宜選択して組合わせた
り、電界の強度を変化させたりして制御すること
が可能である。 しかしながら、現在知られているEL素子の発
光層を形成することのできる材料を用いてEL素
子を形成した場合、発光の色や強度がある程度限
られてしまい、しかも１つのEL素子に於いて、
発光色を大きく変化させたり、色調を微妙に調節
したり、発光の強弱を自由に制御することはほぼ
困難であつた。 一方、上記のZnSを主体とする無機金属材料を
用いて蒸着法等の薄膜形成法により薄膜の発光層
を形成し、いわゆる薄膜型のEL素子を製造した
場合、製造コストが非常に高くなつてしまうとい
う問題があり、また大面積の均一な薄膜からなる
発光層の形成が非常に困難であるため、品質の良
い大面積のEL素子を量産性良く製造することは
できなかつた。 これに対して、量産性に富み、コスト的に有利
であるEL素子として、上記のZnSを主体とする
EL無機材料を有機バインダー中に分散して発光
層を形成した真性EL方式の有機粉末型EL素子が
知られている。 ところが、この粉末型のEL素子に於いては、
層厚を薄く形成すると、その発光層にピンホール
等の欠陥が生じ易く、発光特性を十分に高めるた
めに、発光層の層厚を一定以上薄くするには構造
上の限界があり、十分な発光、特に高い輝度を得
ることができず、また層厚が比較的厚くなるの
で、より強い電界を発生させるために、電力消費
が多くなるなどの問題点を有していた。この粉末
型のEL素子の有する発光層内に、より強い電界
を発生させるためにフツ化ビニリデン系重合体か
らなる中間誘電体層を設けた改良型の粉末型EL
素子が、特開昭58−172891公報によつて知られて
いるが、輝度、電力消費等に於いて満足のいく性
能が得られていないのが現状である。 前記のアントラセン等の有機材料を用いた、こ
のEL素子に於いても、発光層が精度良い薄膜と
して形成されてはいるものの、キヤリアーである
電子あるいはホールの密度が非常に小さく、キヤ
リアーの移動や再結合等による機能分子の励起確
率が低く、効率の良い発光が得られず、特に電力
消費や輝度の点で満足できるものとなつていない
のが現状である。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、１つのEL素子に於いて発光
色を大きく変化させたり、色調を微妙に調節した
り、発光の強弱を自由に制御することが可能な構
造を有する新規なEL素子を提供することにある。 本発明の他の目的は、EL素子用の種々の材料
を適宣選択し、その材料に最適な薄膜形成法を組
合わせて形成することができ、発光効率が良好で
あり、低電圧駆動でも十分な輝度が得られ、安価
でかつ製造容易な構造を有する新規なEL素子を
提供することにある。 〔発明の構成〕 すなわち、本発明の電界発光素子は、少なくと
も一方が透明である２つの電極層と、これら２つ
の電極層間に設けられた、２つの発光層と、これ
ら２つの発光層間に設けられた透明または半透明
な電極層とを有してなる３端子電界発光素子であ
つて、前記発光層の少なくともいずれか一方が、
相対的に電子受容性を示す有機化合物を含む第１
の層と、相対的に電子供与性を示す有機化合物を
含む第２の層と、電気絶縁性を有する第３の層と
を有し、これらの層が、前記電極層の一方から他
方に向かつて前記第３の層上に前記第１の層、第
２の層及び第３の層がこの順に２回以上繰り返さ
れて積層されてなり、更にこれら第１の層、第２
の層及び第３の層の少なくともいずれか一層が、
単分子膜または単分子累積膜からなるものである
ことを特徴とする。 本発明の３端子電界発光素子（以下、単にEL
素子という）は、一対の電極層間に設けられた２
つの独立した発光層が積層された構造を有し、そ
れぞれの発光層を個々に制御して発光の色や強度
を所望に応じて変化させることが可能であり、ま
た十分な輝度を有する発光を行なうことのできる
ものである。 以下、図面を用いて本発明のEL素子の一例を
詳細に説明する。 第１図は、本発明のEL素子の模式的断面図で
ある。 １，２及び３は電圧が印加されることによつて
電界を発生させるための電極層であり、１は発光
層４と発光層５とで発生した光が合成されて取り
出される透明な電極層である。４及び５は、EL
機能を有する発光層であり、発光層４は、電極層
１と３によつて発生した電界により発光し、発光
層５は電極層２と３によつて発生した電界により
発光する。従つて、電極層３は発光層４と５とに
対して共通電極となつており、発光層５で発生し
た光を発光層４側へ透過させる機能を有し、透明
でも、主に発光層４側へのみ光を透過させるよう
に半透明な層でも良い。 なお、第１図に示した本発明のEL素子の一例
に於いては、電極層１及び電極層２のうち電極層
１が透明電極として設けられているが、電極層２
のみが、あるいはこれら両方が透明であつても良
い。電極層２のみが透明である場合には、電極層
３は、少なくとも発光層４から発光層５側へ光を
透過させる機能を有するように設けられ、また電
極層１及び電極層２の両方が透明である場合に
は、電極層３は発光層４から発光層５側へ光を透
過させるとともに、これと逆芳香にも光を透過で
きるように設けられる。 発光層４と発光層５は、それぞれが同様の機能
を有するものであつても良く、例えば発光色や輝
度が異なるように、それぞれが異なる機能を有す
るものであつても良い。 以下、本発明のEL素子の有する発光層４及び
発光層５の基本的構造について説明する。 発光層４，５は、主に相対的に電子受容性を示
す有機化合物を含む第１の層と、主に相対的に電
子供与性を示す有機化合物を含む第２の層と、電
気絶縁性を有する第３の層とを有し、これらの層
が、前記第３の層上に前記第１の層、第２の層及
び第３の層がこの順に２回以上繰り返されて積層
された基本的構造を有するものである。そして、
発光層４及び発光層５のいずれか一方の有する第
１の層、第２の層及び第３の層のうち少なくとも
１つの層が、該層を形成することのできる有機化
合物の単分子膜または単分子累積膜から形成され
ているものである。 すなわち本発明のEL素子の有する発光層は、
相対的に電子受容性を示す有機化合物（以後EA
化合物と略称する）と、相対的に電子供与性を示
す有機化合物（以後ED化合物と略称する）が互
いに接触する位置に配置された構造を有し、これ
ら化合物が電界中に置かれた時のこれら化合物間
の電子の授受に伴なう励起錯体の形成に基づく発
光作用を主な発光源として有するものであり、し
かもこのような励起錯体が電界の発生とともに効
率良く形成されるのに好適な構造を有するもので
ある。 このような構造の発光層４，５の一例を第２図
の模式的断面図に示す。 ２５，２６は電圧が印加されることによつて電
界を発生させるための電極層であり、２０はEL
機能を有する発光層である。第２図に示された電
極層のうち、電極層２５は、第１図に示した本発
明のEL素子の電極層３に、また電極層２６は該
EL素子の電極層１または２にそれぞれ相当する。 発光層２０は、上下両端に積層された絶縁層と
して機能する第３の層２３−１，２３−３の間
に、第１の層２１−１，２１−２、第２の層２２
−１，２２−２及び第３の層２３−２が交互に繰
返されて積層された多層構造となつている。な
お、単分子膜または単分子累積膜を有する発光層
の場合には、第１の層２１−１，２１−２、第２
の層２２−１，２２−２及び第３の層２３−１，
２３−２，２３−３のうちの少なくとも１つの層
が、該層を形成することのできる有機化合物の単
分子膜あるいはその累積膜から形成されている。 発光層の有する第１の層２１−１は、第２の層
２２−１に主に含まれる前述したED化合物に対
してEA化合物となり得る化合物を含み、この第
１の層２１−１に直接接して積層された第２の層
２２−１は、第１の層２１−１に主に含まれた
EA化合物に対してED化合物となり得る化合物を
含み、これら第１の層２１−１と第２層２２−１
の界面２４−１がEA化合物とED化合物との接触
面となつている。第１の層２１−２と第２の層２
２−２の関係もこれと同様であり、これらの層に
よつて界面２４−２が独自に形成されている。 これらの界面２４−１，２４−２に於いて、電
極１，２に電圧が印加されて発光層３に電界がか
けられたときに、EA化合物とED化合物が励起状
態にある錯体を形成し、この励起錯体が基底状態
に戻る際に、励起状態にある錯体、EA化合物及
び／またはED化合物から励起エネルギーが光と
して発生される。このように、本発明のEL素子
に於ける発光は、この界面２４−１，２４−２に
於ける発光を主な発光源とするものである。 本発明のEL素子の有する発光層を構成する第
１の層２１−１，２１−２及び第２の層２２−
１，２２−２は、以下に示すような電界励起錯体
の形成に直接関与する化合物分子を、または該化
合物分子の少なくとも１つの機能性部分として有
する化合物分子を含有している。 このような電界励起錯体の形成に直接関与する
化合物分子の発光層２０内の配置としては、以下
のような組み合わせを代表的なものとして挙げる
ことができる。 (a) 第１の層２１−１，２１−２と第２の層２２
−１，２２−２のそれぞれに励起錯体形成に基
づくEL機能を有する（主に発光を行なう）化
合物分子が配置されている。 (b) 第１の層２１−１，２１−２に励起錯体形成
に基づくEL機能を有する化合物分子が配置さ
れ、これら化合物分子に対して電子供与体とな
り得る化合物（ED化合物）分子がそれぞれ第
２の層２２−１，２２−２に配置されている。 (c) 第２の層２２−１，２２−２に励起錯体形成
に基づくEL機能を有する化合物分子が配置さ
れ、これら化合物に対して電子受容体となり得
る化合物（EA化合物）分子がそれぞれ第１の
層２１−１，２１−２に配置されている。 上記の励起錯体形成に基づくEL機能を有する
化合物としては、高い発光量子効率を持ち、外部
摂動を受け易いπ電子系を有し、容易に電界励起
する有機化合物が好適に用いられる。 このような化合物としては、例えば縮合多環芳
香族炭化水素、ｐ−ターフエニル、２，５−ジフ
エニルオキサゾール、１，４−bis−（２−メチル
スチリル）−ベンゼン、キサンチン、クマリン、
アクリジン、シアニン色素、ベンゾフエノン、フ
タロシアニン、フタロシアニンの金属錯体、ポリ
フイリン、ポルフイリンの金属錯体、８−ヒドロ
キシキノリン、８−ヒドロキシキノリンの金属錯
体、ルテニウム錯体、稀土類錯体及びこれらの化
合物の誘導体、並びに上記以外の複素環式化合物
及びその誘導体、芳香族アミン、芳香族ポリアミ
ン及びキノン構造を有する化合物のなかで励起錯
体形成に基づくEL機能を有する化合物を挙げる
ことができ、これら化合物の中から、相対的に
EA化合物となり得るもの１種以上と、ED化合物
となり得るもの１種以上とを所望に応じて選択し
て組み合わせ、蒸着法、CVD法や後に述べる単
分子累積法等の薄膜形成法を適宣適用して、前記
した第１の層と第２の層の構成(a)を有する発光層
を形成することができる。 更に、上記の励起錯体形成に基づくEL機能を
有する化合物に対して電子受容体または電子供与
体となり得る化合物としては、上記した化合物以
外の複素環式化合物及びその誘導体、芳香族アミ
ン、芳香族ポリアミン、キノン構造を有する化合
物、テトラシアノキノジメタン並びにテトラシア
ノエチレン等を挙げることができ、先に挙げた化
合物とこれら化合物とを適宣選択して組み合わせ
て、前記した第１の層と第２の層の構成(b)または
(c)を有する発光層を形成することができる。 なお、これまで挙げた機能性部分を形成するこ
とのできる化合物は、励起錯体形成に基づかない
発光を行なう機能を備えた化合物であつても良
く、本発明のEL素子に於ける発光は、第１の層
と第２の層の界面２４−１，２４−２に於ける発
光のみに限定されるものではなく、第１の層２１
−１，２１−２及び／または第２の層２２−１，
２２−２内に於いて発光が行なわれる場合をも含
むものであつても良い。 また、第１の層２１−１，２１−２にはEA化
合物の他に、該EA化合物との電気化学的相互作
用によりEA化合物の電界励起効率を高めたり、
発光色等を制御したり、あるいは第１の層の強度
を高めたり、他の層との接着性を向上させるなど
のための他の成分を含有させても良く、第２の層
についてもこれと同様にED化合物以外の化合物
を含有したものであつても良い。これらのEA化
合物及びED化合物以外の化合物自身もまた、EL
機能を有するものであつても良い。 EA化合物あるいはED化合物との電気化学的相
互作用によりEA化合物の電界励起効率を高める
ことのできるものとしては、EA化合物に対して
電子受容体または電子供与体となり得る化合物、
ED化合物に体して電子受容体または電子供与体
となり得る化合物等を挙げることができる。 このような、化合物としては前記した励起錯体
の形成に基づくEL機能を有する（主に発光を行
なう）化合物、該化合物に対して電子供与体若し
くは電子受容体となり得る化合物、励起エネルギ
ーの移動により、発光体となり得る化合物及びこ
れら化合物分子を機能性部分として少なくとも１
つ有する化合物等を挙げることができ、第１の層
及び第２の層を形成する際には、これらの化合物
の１種以上を、第１の層及び第２の層の主成分と
して用いられる化合物（EA化合物及びED化合
物）に応じて適宣選択して用いることができる。 このような化合物を第１の層及び／または第２
の層に含有させる場合の混合量は、第１の層及び
第２の層に用いられる化合物に応じて異なり、一
概には規定できないが、通常、EA化合物に対し
て電子受容体または電子供与体となり得る第１の
層に含まれる化合物については、EA化合物に対
して、10モル％〜0.1モル％、またED化合物に対
して電子受容体または電子供与体となり得る第２
の層に含まれる化合物については、10モル％〜
0.1モル％程度とされる。 第１の層２１−１，２１−２及び第２の層２２
−１，２２−２のうちの少なくとも１つの層を、
該層を構成することのできる化合物の単分子膜ま
たは単分子累積膜として形成する場合には、高秩
序の分子配向と配列を可能とし、超薄膜層を簡易
に形成できる、いわゆる単分子累積法を好適に適
用することができる。 この単分子累積法は、以下のような原理に基づ
くものである。すなわち、例えば分子内に親水性
部分と疎水性部分を有する分子に於いて、両者の
バランス（両親媒性のバランス）が適度に保たれ
ているとき、このような分子の多数が水面上で親
水性部分を下に向けて単分子の層を形成する。こ
の単分子層は二次元系の特徴を有し、これら分子
がまばらに散開しているときは、一分子当たりの
面積Ａと表面圧Πとの間に二次元理想気体の式；
ΠA＝kT（ｋ；ボルツマン定数、Ｔ；絶対温度）
が成り立ち、これら分子は“気体膜”を形成する
が、Ａを十分に小さくすると分子間相互作用が強
まりこれら分子は二次元固体の“凝縮膜（または
固体膜）”を形成する。この凝縮膜はガラス等の
基板の表面に移し取ることができ、基板上に超薄
膜の単分子膜またはその累積膜を形成することが
できる。 この方法によれば、単分子膜を形成する分子の
配列される向きは、例えば構成分子の親水性部分
のほぼ全てが基板側に高秩序で配向されるなど、
１つの単分子膜内で一様とすることができる。従
つて、本発明のEL素子の第１の層及び／または
第２の層を単分子膜また単分子累積膜とすること
によつて、単分子膜または単分子累積膜として形
成された層に含まれる励起錯体形成に直接関与す
る化合物分子からなる機能性部分を第１の層と第
２の層の界面に高密度に配置することが可能とな
る。 この単分子累積法に於ける単分子形成用の溶液
としては、種々の溶液を使用することができ、こ
の使用される溶液に応じて、該溶液に対する親媒
性の異なる部分をバランス良く有する単分子膜形
成用化合物を適宣選択して単分子膜を形成するこ
とができる。このような単分子膜形成用の溶液の
中では、安価であり、取り扱いも容易であり、安
全である等の点から水または水を主成分とした溶
液が好適に用いられている。 以下、水または水を主成分とした溶液を用いた
単分子累積法を適用した場合を一例として、本発
明のEL素子の単分子膜を有する発光層の構成に
ついて説明する。 基本的に、本発明のEL素子の発光層の有する
第１の層及び第２の層を形成することのできる化
合物は、前述した機能性部分を形成することので
きる化合物若しくは該化合物分子を機能性部分と
して少なくとも１つ有する化合物である。これら
の化合物のうち単分子膜あるいは単分子累積膜を
形成できる化合物は、例えば機能性部分を１つ有
する単分子膜形成用化合物を例に取ると、機能性
部分を有する分子内の位置によつて、第３図の分
子構造の模式図に示すように、 (a) 機能性部分３１が親水性部分３２側にある、
−第３図ａ (b) 機能性部分３１が疎水性部分３３側にある、
−第３図ｂ (c) 機能性部分３１が疎水性部分３３と親水性部
分３２とのほぼ中間にある −第３図ｃ の３つのタイプに大きく分類される。 これらの化合物の親水性部分３２の構成要素と
しては、例えばカルボキシル基及びその金属塩、
アミン塩並びにエステル、スルホン酸基及びその
金属塩並びにアミン塩、スルホンアミド基、アミ
ド基、アミノ基、イミノ基、ヒドロキシル基、４
級アミノ基、オキシアミノ基、オキシイミノ基、
ジアゾニウム基、グアニジン基、ヒドラジン基、
リン酸基、ケイ酸基、アルミン酸基等が挙げら
れ、各々が単独でまたは組み合わされて上記化合
物中の親水性部分３２を構成することができる。 また、疎水性部分３３の構成要素としては、直
鎖状のまたは分枝を有するアルキル基、ビニレ
ン、ビニリデン、アセチレン等のオレフイン系炭
化水素、フエニル、ナフチル、アントラニル等の
縮合多環フエニル基、ビフエニル等の鎖状多環フ
エニル基等の疎水性を示す基を挙げることがで
き、これらもまた各々が単独でまたは組み合わさ
れて上記化合物中の疎水性部分３３を構成するこ
とができる。 一方、本発明のEL素子の単分子膜または単分
子累積膜を有する方の発光層の第１の層と第２の
層の界面２４−１，２４−２（主に発光が行なわ
れる部分）に於ける単分子膜の配向及び配列は、
第４図は界面２４−１付近の模式的断面部分図
（この図の場合第１の層及び第２の層がともに機
能性部分を有する化合物のみからなる単分子膜か
ら形成されている）に示すように、 (1) 第１の層２１−１の単分子膜を形成する分子
の機能性部分３１を有する親水性部分３２と、
第２の層３２−１の単分子膜を形成する分子の
機能性部分３１′を有する親水性部分３２′とが
界面２４−１に配向されている。 −第４図ａ (2) 第１の層２１−１の単分子膜を形成する分子
の機能性部分３１を有する疎水性部分３３と、
第２の層２２−１の単分子膜を形成する分子の
機能性部分３１′を有する疎水性部分３３′とが
界面２４−１に配向されている。 −第４図ｂ (3) 第１の層２１−１の単分子膜を形成する分子
の機能性部分３１を有する疎水性部分３３と、
第２の層２２−１の単分子膜を形成する分子の
機能性部分３１′を有する親水性部分３２′とが
界面２４−１に配向されている。 −第４図ｃ (4) 第１の層２１−１の単分子膜を形成する分子
の機能性部分３１を有する親水性部分３２と、
第２の層６−１の単分子膜を形成する分子の機
能性部分３１′を有する疎水性部分３３′とが界
面２４−１に配向されている。 −第４図ｄ の４つのパターンに基本的に分けられる。 なお、第４図に示した例は単分子膜を有する方
の発光層の有する第１の層及び第２の層がともに
単分子膜からなるものであるが、もちろん先に述
べたように第１の層のみが、あるいは第２の層の
みが単分子膜から構成されたものであつても良
く、そのような場合、単分子膜でない層は、蒸着
法、CVD法等の薄膜形成法によつて形成された
薄膜層として設けられる。 第４図に示したような発光層の有する界面のパ
ターンを形成するには、先に挙げた単分子膜形成
用化合物のタイプａ及びｂに属する化合物が好適
に用いられる。また、上記界面のパターン(1)を形
成するには、第１の層及び第２の層に前記タイプ
ａに属する化合物を用いるのが、また上記界面の
パターン(2)を形成するには、第１の層及び第２の
層に前記タイプｂに属する化合物を用いるのが好
適である。更に、上記界面のパターン(3)を形成す
るには、第１の層に前記タイプａを、第２の層に
前記タイプｂに属する化合物をそれぞれ用いるの
が好適であり、上記界面のパターン(4)を形成する
には、第１の層に前記タイプｂを、第２の層に前
記タイプａに属する化合物をそれぞれ用いるのが
好適である。 以上説明した例は、第１の層及び第２の層が単
分子膜から形成されている場合であるが、第１の
層５−１，５−２及び／または第２の層６−１，
６−２が単分子累積膜からなる場合に於いても、
第１の層と第２の層の界面が上記のようなパター
ンを取るように、第１の層と第２の層の界面７−
１，７−２を構成する単分子膜を形成すれば良
い。 なお、第１の層５−１，５−２及び／または第
２の層６−１，６−２が単分子累積膜からなる場
合には、累積膜を構成する各単分子膜は、それぞ
れが同一のものであつても良く、また単分子膜の
１つ以上が他の単分子膜と異なるものであつても
良い。更に、単分子累積膜の各単分子膜を形成す
る分子の配向状態による構造は、いわゆるＹ型
（各膜間に於いて親水性部分と親水性部分または
疎水性部分と疎水性部分とが互いに向きあつた構
造）、Ｘ型（各膜の基板側に疎水性部分が向いた
構造）、Ｚ型（各膜の基板側に親水性部分が向い
た構造）及びこれらの変形構造等の種々の構造と
することができる。更に、本発明のEL素子の有
する発光層の第１の層または第２の層に含まれる
単分子膜は、２種以上の化合物によつて形成され
た多成分系単分子膜でも良い。そのような場合、
先に発光層の構成について説明したように、機能
性部分を有する化合物の２種以上を組み合わせ
て、あるいは機能性部分を有する化合物と、機能
性部分を有するものではないが機能性部分を有す
る化合物との相互作用により発光層の、例えば電
気陰性度等の電気化学的特性を制御できるような
化合物との組み合わせであつても良いし、更には
発光層を構成する単分子層の強度を増したり、各
層間の接着性を良くするための他の成分を加えた
ものであつても良い。 このような単分子膜または単分子累積膜の構造
は、所望とする第１の層または第２の層の電気的
特性に応じて、すなわち第１の層または第２の層
を形成する化合物または化合物の組み合わせに応
じて適宣選択すれば良く、例えば前記単分子膜形
成用化合物のタイプａ、ｂまたはｃに属する化合
物からなる単分子膜を組み合わせて累積して単分
子膜の面方向に垂直な方向でのπ電子のポテンシ
ヤル曲線を制御すること等ができる。 上記の第１の層２１−１，２１−２及び／また
は第２の層２２−１，２２−２を単分子膜若しく
は単分子累積膜として形成するのに用いることの
できる化合物としては、機能性部分を形成するこ
とのできる先に挙げた化合物、若しくは該化合物
の１つ以上を有する化合物の中で、親水性部分と
疎水性部分をバランス良く有している化合物はそ
のまま単分子膜形成用として用いることができ、
そうでないものは、先に挙げたような親水基及
び／または疎水基を新たに分子内に導入し、単分
子膜形成用化合物とすることができる。そのよう
な化合物としては、以下のような構造式で示され
た化合物を挙げることができる。 なお、以下に示す構造式に於いて、Ｘ及びＹ
は、先に挙げたような親水基を表すが、１分子内
にこれらが両方存在する時は、どちらか一方が親
水基であれば良く、そのような場合は他の一方は
水素となる。また、Ｒは炭素数４〜30程度、好ま
しくは10〜25程度の直鎖状若しくは側鎖を有する
アルキル基を表わす。 これらの化合物の中でNo.１〜No.35の構造式の化
合物は、先に挙げた機能性部分を形成できる化合
物のうち励起錯体の形成に基づくEL機能を有す
る化合物を疎水基及び／または親水基によつて修
飾し、単分子膜形成用化合物としたものである。
なお、No.42〜No.54及びNo.85〜No.86の構造式の化合
物は、機能性部分にアルキル鎖が直接結合した構
造を有するものであるが、アルキル鎖の機能性部
分への結合は、例えばエーテル結合、カルボニル
基を介した結合等によるものであつても良い。 本発明のEL素子の有する発光層のもう１つの
層である第３の層２３−１，２３−２，２３−３
は、絶縁性を有する層であり、特に第３の層２３
−１，２３−３は本発明のEL素子のコンデンサ
ー構造の絶縁性を高める機能を有し、第３の層２
３−２は、電子の移動を必要最小限の領域内に閉
じ込め、効率良い電子の授受による発光を行なわ
せる機能を有する。これら第３の層もまた蒸着
法、CVD法等の薄膜形成法あるいは単分子累積
法によつて形成することができる。この第３の層
を単分子累積法によつて形成する場合には、精度
良い均一な絶縁性を有する単分子膜からなる層を
形成することのできる一般式； CH3−（CH2）o−Ｘ、 または （上記式中に於いてｎは、10≦ｎ≦30であり、Ｘ
は−COOH、−CONH2、−COOR、−N+（CH3）3・
Cl-、
【式】
等の基を表わす）で示される化合物等の１種以上
を第３の層形成用材料として用いることができ
る。 また、蒸着法によつて形成する場合には、上記
の化合物またはSiO2等の無機化合物の１種以上
を第３の層形成用材料として用いることができ
る。 第３の層を単分子累積膜として形成した場合に
は、各単分子膜が同一であるものでも、各単分子
膜のうち１つ以上が他の単分子膜と異なるもので
あつても良い。 なお、これまで第２図及び第３図を用いて第１
の層と第２の層によつて形成された界面を２つ有
する本発明のEL素子について説明してきたが、
本発明のEL素子の有する発光層２０の界面の数
は、これに限定されることなく、３つ以上であつ
ても良い。 以上のような構造の本発明のEL素子の発光層
２０を形成する各層の層厚は、EL素子の有する
界面の数や各層自身の構成によつても各々異なる
が、第１の層については、500Å以下、好ましく
は200Å以下、第２の層については、500Å以下、
好ましくは200Å以下、第３の層については、500
Å以下、好ましくは200Å以下、更に発光層全体
の層厚としては、5000μｍ以下、好ましくは3000
Å以下とするのが低電圧駆動に於いても良好な発
光状態を得るために望ましい。 以上、第２図及び第３図を用いて説明した構造
の発光層２０から、本発明EL素子が所望のEL機
能を有するように、同一の機能を有するものを２
つ、あるいは発光色や輝度が異なるような、異な
る機能を有するものを２つ選択し、発光層４及び
発光層５として、本発明のEL素子を形成するこ
とができる。 本発明のEL素子の有する２つの電極層１，２
は、前述したように少なくともどちらか一方が、
光を取り出すための透明電極として設けられる。 透明電極として電極層を形成する場合には、
PMMA、ポリエステル等のフイルムまたはシー
ト、あるいはガラス板等の透明な基板上にInO2、
SnO2、インジユウムテインオキサイド（I.T.O）
等を蒸着法等によつて積層して、あるいはこれら
の材料を発光層に直接積層して形成することがで
きる。 電極層３は、透明電極として、あるいは電極層
の厚さ方向の一方向のみに光を透過する半透明電
極として設けられる。電極層３が透明電極として
設けられる場合には、前記した透明電極形成用材
料を用いて、形成された発光層４または発光層５
上に形成すれば良い。電極層３が半透明電極とし
て設けられる場合には、光の透過方向を考慮し
て、I.T.O、Au、InO2、SnO2等の材料を用いて、
形成された発光層４または発光層５上に形成すれ
ば良い。 また、透明でない電極層は、十分な導電性を有
する通常の電極を形成することのできる材料から
なる薄板や、適当な基板上に若しくは形成された
発光層上に直接Al、Ag、Au等を蒸着法等によつ
て積層して形成することができる。 これら電極層の厚さは、0.01μｍ〜0.3μｍ程度、
好ましくは0.05μｍ〜0.2μｍ程度とされる。 なお、本発明のEL素子の形状及び大きさは、
所望により種々の形状とすることができ、例えば
透明電極を形成するときの基板を発光層形成用基
板とし、この基板として板状、ベルト状、円筒状
のものを用いる等して所望の形状及び大きさとす
ることができる。また、３つの電極層１，２，３
は、所望により、種々の形状にパターンニングさ
れたものであつても良い。 以上のような構成の本発明EL素子に於いては、
例えば、該EL素子の２つの電極１，３間及び電
極２，３間に、例えば発光層４，５のそれぞれに
１×105〜３×106程度の電界がかかるように、直
流または交流、あるいはパルス電圧を印加するこ
とにより、良好な発光を透明電極１を通じて得る
ことができる。また、発光層４と発光層５に発光
色や輝度の異なる２つの発光層用いて、電極１，
３間の電圧と電極２，３間の電圧をそれぞれ独自
に制御して透明電極１からの光の色及び強度を広
範囲にわたつて変化させることもできる。 以下、本発明のEL素子の発光層を有する単分
子膜または単分子累積膜の形成に適用するラング
ミユーア・ブロジエツト法（LB法）に代表され
る単分子累積法の代表的な操作を説明する。 単分子膜を形成させるための水相を水槽中に設
け、該水相内に洗浄な基板を浸漬さておく。次
に、単分子膜形成用化合物の適当な溶剤に溶解ま
たは分散した溶液の所定量を、水相中に展開し、
この化合物を水相表面に膜状に析出させる。この
時、この析出物が水相上を自由に拡散して広がり
すぎないように、仕切り板（または浮子）を設け
て展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御
し、その集合状態に比例した表面圧Πを得る。そ
して、仕切り板を作動させ、展開面積を縮少し、
表面圧Πを徐々に上昇させ、単分子膜の形成に適
した表面圧Πに設定する。ここで、この表面圧Π
を維持させながら静かにすでに浸漬しておいた基
板を、水相面に垂直な方向に上下させると、基板
の上方への移動と下方への移動ごとに単分子膜が
基板上に移し取られ、単分子累積膜が形成され
る。 単分子膜を基板上に移し取るには、上述した垂
直浸漬法の他に、基板を水相面とを平行に保ちな
がら水平に接触させる水平付着法、円筒型の基体
を水面上を回転させて単分子膜を基体表面に移し
取る回転円筒法、あるいは基板ロールから水相中
に基板を押し出してゆく方法などの種々の方法が
適用できる。上記垂直浸漬法では、通常基板の引
上げ工程と浸漬工程とで成膜分子の配向が逆にな
るので、いわゆるＹ型膜が形成される。また、水
平付着法によれば、疎水基が基板側に向いた単分
子膜が形成され、累積膜とした場合、いわゆるＸ
型膜が形成される。しかしながら、このような親
水基や疎水基の向きは、基板の表面処理等によつ
て変化させることも可能である。 更に単分子累積法によつて単分子膜を形成する
際の水相のPH、水相のPH等を調整するための添加
剤の種類及びその量、水相の温度、基板の上げ下
げ速度または表面圧等の操作条件は、使用される
単分子膜形成用化合物の種類、形成しようとする
膜の特性等に応じて適宣選択すれば良い。 以上のような単分子累積法と他の蒸着法等の薄
膜形成法とによつて、例えば以下のようにして本
発明のEL素子を形成することができる。 まず、前述したような透明電極層の設けられて
いる基板上に前記した第３の層形成用材料を用い
て所望の構成のらなる第３の層を形成させ、更に
前記した第１の層、第２の層を形成することので
きる材料を用いて所望の構成を第１の層、第２の
層をこの順に先に形成した第３の層上に積層す
る。つぎにこの第２の層上に第３の層を積層し、
所望とする第１の層と第２の層の界面の数に応じ
て、この第１の層〜第３の層の形成操作を２回以
上繰返して発光層４を形成する。 このように発光層４が形成されたところで、発
光層４の最上部に位置する第３の層上に、Au等
の金属を蒸着法等によつて積層して、半透明の電
極層３を形成する。 更に、電極層３上に、発光層４の形成と同様に
して、発光層４と同一の材料を、あるいは異なる
材料を用いて発光層５を形成し、最後に発光層５
の有する第３の層上に、Al、Ag、Au等の金属を
蒸着法等によつて積層して、本発明のEL素子を
形成することができる。 なお、２つの電極がともに透明である場合に
は、発光層４，５形成用の透明基板に上述の材料
によつて透明電極層を形成し、発光層５の形成が
終了した後に透明電極層を積層すれば良い。 以上のようにして本発明のEL素子を形成する
際に、発光層４及び発光層５の有する第１の層、
第２の層及び第３の層の各層は、これらの層を形
成するための材料と、これら材料に適応した薄膜
形成法によつて形成され、かつ発光層４及び発光
層５のいずれか一方が、単分子累積法によつて形
成された単分子膜または単分子累積膜を有する多
層構造として形成される。その際、上記の操作に
於いて、発光層４及び発光層５のいずれか一方の
有する第１の層、第２の層及び第３の層のうちの
少なくとも１つの層を単分子累積法を用いて形成
すれば良い。 また、本発明のEL素子の発光層を有する複数
の第１の層は、それぞれが同一の構成を有するも
のでも良く、複数の第１の層のうち１つ以上の第
１の層の構成が他の第１の層の構成と異なるもの
であつても良く、これは第２の層及び第３の層に
ついても同様である。また、本発明のEL素子を
構成する各層間には、各層の接着性を高めるため
に、接着層を設けることもできる。更に本発明の
EL素子には、空気中の湿気や酸素による影響か
ら素子を保護するための保護構造を設けることが
望ましい。 以上のような本発明のEL素子は、それぞれ独
立して制御可能な２つの発光層を有し、これら発
光層を個々に制御して、発光色を変化させたり、
色調を微妙に調節したり、発光の強弱を自由に制
御することが可能となつた。 更に、本発明のEL素子の有する発光層は、電
気化学的性質の異なる２つの層の界面で主に発光
を行ない、しかもそのような界面がEL素子の光
の取り出し方向に対して複数設けられた構造を有
し、光の取り出し面の単位あたりの発光量が従来
のEL素子に比べて非常に増大したものとなつた。 また、本発明のEL素子に於いては、主に発光
を行なう複数の界面について、該界面を構成する
２つの層の構成を界面ごとに変え、これらを組合
わせて、発光色等を所望に応じて制御することも
可能となつた。 これらに加えて、本発明のEL素子の有する発
光層は、主に有機化合物材料と、その材料に適し
た薄膜形成とが組み合わせて形成され、上記のよ
うに発光を行なう界面を複数有した多層構造とな
つているにもかかわらず、発光層全体の層厚がよ
り薄く形成されており、低電圧駆動でも効率良い
発光状態が得られ、十分な輝度が得られるものと
なつた。 特に、単分子膜を有する発光層に於いては、発
光層を構成する各層の少なくとも１つの層を単分
子膜または単分子累積膜として形成したことによ
つて発光層全体の層厚を更により薄く形成されて
おり、また、発光層を単分子累積膜として形成し
た場合には発光層の層厚を非常に薄くすることが
でき、上記の効果を更に高めることができた。 しかも、本発明のEL素子の有する発光層に於
いては、単分子膜または単分子累積膜によつて第
１の層及び／または第２の層を形成した場合に
は、発光に直接関与する化合物の機能性部分が、
高い秩序を持つて精度良く、第１の層と第２の層
の界面に向いて配向、配列され、より効率良い電
子の授受に伴なう励起錯体の形成に基づく発光が
更に、本発明のEL素子の発光層の各層は、主に
種々の有機化合物材料によつて精度良い薄膜とし
て簡易に形成可能であり、特に単分子膜または単
分子累積膜として形成された場合の第１の層、第
２の層または第３の層は、ほぼ常温、常圧で形成
することができ、これらの層の形成には、蒸着法
等に使用することのできない熱に弱い材料化合物
をも使用することができ、本発明のEL素子は安
価で量産性のあるEL素子となつた。 また、本発明のEL素子は、大面積のEL素子と
して形成した場合でも、発光層が精度良く形成さ
れたものとなり、大面積のEL素子としても良好
な機能を有するものとなつた。 以下、参考例及び実施例を用いて本発明のEL
素子を更に詳細に説明する。 参考例 １ 〔発光層No.１及びNo.２の形成〕 50mm角のガラス表面上にスパツタリング法によ
り膜厚1500ÅのI.T.O層を形成し、これを発光層
形成用基板とした。この基板をJoyce−Loebel社
製のLangmuir−Trough4内の、４×10-4mol／
のCdCl2を含有することによりPHが6.5に調整さ
れた水相中に浸漬した。 次に、アラキジン酸をクロロホルムに１×
10-3mol／の濃度で溶解した溶液の0.5mlを、前
記水相上に展開させた。クロロホルムを水相表面
から蒸発除去した後、水相表面圧を30dyne／cm
に調整し、膜状のアラキジン酸を水相面に析出さ
せた。 更に、表面圧を一定に保ちながら、基板を水面
を横切る方向に２cm／minの速度で静かに引上
げ、第３の層としてのアラキジン酸分子からなる
単分子膜絶縁層を基板の電極層上に形成し、これ
を水相外へ引上げ、30分以上室温で放置して乾燥
させた。 ここで、水相表面に残つたアラギジン酸を該水
相表面上から完全に取り除き、アラキジン酸から
なる単分子絶縁層の形成された基板を再び水相中
に浸漬させた後、新たに を１×10-3mol／の濃度で含むクロロホルム溶
液の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところで基板を水面を横
切る方向に２cm／minの速度で静かに引上げ、上
記化合物分子からなる単分子膜を第２の層として
絶縁層上に形成した。次に、この基板を水相外に
引出し、再び30分以上室温で放置して乾燥させ
た。 更に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、基板を水相内に浸漬し、新たに を１×10-3mol／の濃度で含むクロロホルム溶
液の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところで基板を水面を横
切る方向に２cm／minの速度で静かに引上げ、上
記化合物分子からなる単分子膜を第１の層として
第２の層上に形成した。 以後、上記した第３の層から第２の層までの形
成操作を16回繰返し、最後に第３の層を積層して
第１の層と第２の層の界面を16個有する発光層No.
１（層厚；約1600Å）を形成した。 更に、第３の層から第２の層までの形成操作を
12回繰返す以外は上記の操作と同様にして第１の
層と第２の層との界面を12個有する発光層No.２
（層厚；約1200Å）を形成した。 参考例 ２ 〔発光層No.３の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、参考例１
で用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸
漬した。 次に、アラキジン酸をクロロホルムに１×
10-3mol／の濃度で溶解した溶液の0.5mlを、前
記水相上に展開させた。クロロホルムを水相表面
から蒸発除去した後、水相表面圧を30dyne／cm
に調整し、膜状のアラキジン酸を水相面に析出さ
せた。 更に、表面圧を一定に保ちながら、基板を水面
を横切る方向に２cm／minの速度で静かに上下方
向に２往復させ、アラキジン酸からなる単分子膜
が４層累積された絶縁層としての第３の層を基板
の電極層上に形成し、これを水相外へ引上げ、30
分以上室温で放置して乾燥させた。 ここで、水相表面に残つたアラキジン酸を該水
相表面上から完全に取り除き、アラキジン酸から
なる単分子絶縁層の形成された基板を再たび水相
中に浸漬させた後、新たに を１×10-3mol／の濃度で含むクロロホルム溶
液の0.5mlを外水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところで基板を水面を横
切る方向に２cm／minの速度で静かに引き上げ、
更に引き下げと引き上げを一回づつ行ない、上記
化合物からなる単分子膜が３層累積した第１の層
を絶縁層上に形成した。次に、この基板を水相外
に引出し、再び30分以上室温で放置して乾燥させ
た。 次に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、基板を水相内に浸漬し、新たに を１×10-3mol／の濃度で含むクロロホルム溶
液の0.5mlを該水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところで基板を水面を横
切る方向に２cm／minの速度で静かに引き上げ、
更に引き下げと引き上げを一回づつ行ない、上記
化合物からなる単分子膜が３層累積した第２層を
先に形成した第１の層上に形成した。 以後、上記した第３の層から第２の層までの形
成操作を４回繰返し、最後に更に第３の層を積層
して第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光
層No.３（層厚；約1100Å）を形成した。 参考例 ３ 〔発光層No.４の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で
用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬
した。 次に、アラキジン酸をクロロホルムに１×
10-3mol／の濃度で溶解した溶液の0.5mlを、前
記水相上に展開させた。クロロホルムを水相表面
から蒸発除去した後、水相表面圧を30dyne／cm
に調整し、膜状のアラキジン酸を水相面に析出さ
せた。 更に、表面圧を一定に保ちながら、基板を水面
を横切る方向に２cm／minの速度で静かに引上
げ、アラキジン酸分子からなる単分子膜を基板の
電極層上に形成し、これを水相外へ引上げ、30分
以上室温で放置して乾燥させた。この操作をもう
一度繰り返して、第３の層としてのアラキジン酸
単分子膜を２層累積した絶縁層を形成した。 ここで、水相表面に残つたアラキジン酸を該水
相表面上から完全に取り除き、新たにクロロホル
ムに と
を第３の層形成用材料として用いることができ
る。 また、蒸着法によつて形成する場合には、上記
の化合物またはSiO2等の無機化合物の１種以上
を第３の層形成用材料として用いることができ
る。 第３の層を単分子累積膜として形成した場合に
は、各単分子膜が同一であるものでも、各単分子
膜のうち１つ以上が他の単分子膜と異なるもので
あつても良い。 なお、これまで第２図及び第３図を用いて第１
の層と第２の層によつて形成された界面を２つ有
する本発明のEL素子について説明してきたが、
本発明のEL素子の有する発光層２０の界面の数
は、これに限定されることなく、３つ以上であつ
ても良い。 以上のような構造の本発明のEL素子の発光層
２０を形成する各層の層厚は、EL素子の有する
界面の数や各層自身の構成によつても各々異なる
が、第１の層については、500Å以下、好ましく
は200Å以下、第２の層については、500Å以下、
好ましくは200Å以下、第３の層については、500
Å以下、好ましくは200Å以下、更に発光層全体
の層厚としては、5000μｍ以下、好ましくは3000
Å以下とするのが低電圧駆動に於いても良好な発
光状態を得るために望ましい。 以上、第２図及び第３図を用いて説明した構造
の発光層２０から、本発明EL素子が所望のEL機
能を有するように、同一の機能を有するものを２
つ、あるいは発光色や輝度が異なるような、異な
る機能を有するものを２つ選択し、発光層４及び
発光層５として、本発明のEL素子を形成するこ
とができる。 本発明のEL素子の有する２つの電極層１，２
は、前述したように少なくともどちらか一方が、
光を取り出すための透明電極として設けられる。 透明電極として電極層を形成する場合には、
PMMA、ポリエステル等のフイルムまたはシー
ト、あるいはガラス板等の透明な基板上にInO2、
SnO2、インジユウムテインオキサイド（I.T.O）
等を蒸着法等によつて積層して、あるいはこれら
の材料を発光層に直接積層して形成することがで
きる。 電極層３は、透明電極として、あるいは電極層
の厚さ方向の一方向のみに光を透過する半透明電
極として設けられる。電極層３が透明電極として
設けられる場合には、前記した透明電極形成用材
料を用いて、形成された発光層４または発光層５
上に形成すれば良い。電極層３が半透明電極とし
て設けられる場合には、光の透過方向を考慮し
て、I.T.O、Au、InO2、SnO2等の材料を用いて、
形成された発光層４または発光層５上に形成すれ
ば良い。 また、透明でない電極層は、十分な導電性を有
する通常の電極を形成することのできる材料から
なる薄板や、適当な基板上に若しくは形成された
発光層上に直接Al、Ag、Au等を蒸着法等によつ
て積層して形成することができる。 これら電極層の厚さは、0.01μｍ〜0.3μｍ程度、
好ましくは0.05μｍ〜0.2μｍ程度とされる。 なお、本発明のEL素子の形状及び大きさは、
所望により種々の形状とすることができ、例えば
透明電極を形成するときの基板を発光層形成用基
板とし、この基板として板状、ベルト状、円筒状
のものを用いる等して所望の形状及び大きさとす
ることができる。また、３つの電極層１，２，３
は、所望により、種々の形状にパターンニングさ
れたものであつても良い。 以上のような構成の本発明EL素子に於いては、
例えば、該EL素子の２つの電極１，３間及び電
極２，３間に、例えば発光層４，５のそれぞれに
１×105〜３×106程度の電界がかかるように、直
流または交流、あるいはパルス電圧を印加するこ
とにより、良好な発光を透明電極１を通じて得る
ことができる。また、発光層４と発光層５に発光
色や輝度の異なる２つの発光層用いて、電極１，
３間の電圧と電極２，３間の電圧をそれぞれ独自
に制御して透明電極１からの光の色及び強度を広
範囲にわたつて変化させることもできる。 以下、本発明のEL素子の発光層を有する単分
子膜または単分子累積膜の形成に適用するラング
ミユーア・ブロジエツト法（LB法）に代表され
る単分子累積法の代表的な操作を説明する。 単分子膜を形成させるための水相を水槽中に設
け、該水相内に洗浄な基板を浸漬さておく。次
に、単分子膜形成用化合物の適当な溶剤に溶解ま
たは分散した溶液の所定量を、水相中に展開し、
この化合物を水相表面に膜状に析出させる。この
時、この析出物が水相上を自由に拡散して広がり
すぎないように、仕切り板（または浮子）を設け
て展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御
し、その集合状態に比例した表面圧Πを得る。そ
して、仕切り板を作動させ、展開面積を縮少し、
表面圧Πを徐々に上昇させ、単分子膜の形成に適
した表面圧Πに設定する。ここで、この表面圧Π
を維持させながら静かにすでに浸漬しておいた基
板を、水相面に垂直な方向に上下させると、基板
の上方への移動と下方への移動ごとに単分子膜が
基板上に移し取られ、単分子累積膜が形成され
る。 単分子膜を基板上に移し取るには、上述した垂
直浸漬法の他に、基板を水相面とを平行に保ちな
がら水平に接触させる水平付着法、円筒型の基体
を水面上を回転させて単分子膜を基体表面に移し
取る回転円筒法、あるいは基板ロールから水相中
に基板を押し出してゆく方法などの種々の方法が
適用できる。上記垂直浸漬法では、通常基板の引
上げ工程と浸漬工程とで成膜分子の配向が逆にな
るので、いわゆるＹ型膜が形成される。また、水
平付着法によれば、疎水基が基板側に向いた単分
子膜が形成され、累積膜とした場合、いわゆるＸ
型膜が形成される。しかしながら、このような親
水基や疎水基の向きは、基板の表面処理等によつ
て変化させることも可能である。 更に単分子累積法によつて単分子膜を形成する
際の水相のPH、水相のPH等を調整するための添加
剤の種類及びその量、水相の温度、基板の上げ下
げ速度または表面圧等の操作条件は、使用される
単分子膜形成用化合物の種類、形成しようとする
膜の特性等に応じて適宣選択すれば良い。 以上のような単分子累積法と他の蒸着法等の薄
膜形成法とによつて、例えば以下のようにして本
発明のEL素子を形成することができる。 まず、前述したような透明電極層の設けられて
いる基板上に前記した第３の層形成用材料を用い
て所望の構成のらなる第３の層を形成させ、更に
前記した第１の層、第２の層を形成することので
きる材料を用いて所望の構成を第１の層、第２の
層をこの順に先に形成した第３の層上に積層す
る。つぎにこの第２の層上に第３の層を積層し、
所望とする第１の層と第２の層の界面の数に応じ
て、この第１の層〜第３の層の形成操作を２回以
上繰返して発光層４を形成する。 このように発光層４が形成されたところで、発
光層４の最上部に位置する第３の層上に、Au等
の金属を蒸着法等によつて積層して、半透明の電
極層３を形成する。 更に、電極層３上に、発光層４の形成と同様に
して、発光層４と同一の材料を、あるいは異なる
材料を用いて発光層５を形成し、最後に発光層５
の有する第３の層上に、Al、Ag、Au等の金属を
蒸着法等によつて積層して、本発明のEL素子を
形成することができる。 なお、２つの電極がともに透明である場合に
は、発光層４，５形成用の透明基板に上述の材料
によつて透明電極層を形成し、発光層５の形成が
終了した後に透明電極層を積層すれば良い。 以上のようにして本発明のEL素子を形成する
際に、発光層４及び発光層５の有する第１の層、
第２の層及び第３の層の各層は、これらの層を形
成するための材料と、これら材料に適応した薄膜
形成法によつて形成され、かつ発光層４及び発光
層５のいずれか一方が、単分子累積法によつて形
成された単分子膜または単分子累積膜を有する多
層構造として形成される。その際、上記の操作に
於いて、発光層４及び発光層５のいずれか一方の
有する第１の層、第２の層及び第３の層のうちの
少なくとも１つの層を単分子累積法を用いて形成
すれば良い。 また、本発明のEL素子の発光層を有する複数
の第１の層は、それぞれが同一の構成を有するも
のでも良く、複数の第１の層のうち１つ以上の第
１の層の構成が他の第１の層の構成と異なるもの
であつても良く、これは第２の層及び第３の層に
ついても同様である。また、本発明のEL素子を
構成する各層間には、各層の接着性を高めるため
に、接着層を設けることもできる。更に本発明の
EL素子には、空気中の湿気や酸素による影響か
ら素子を保護するための保護構造を設けることが
望ましい。 以上のような本発明のEL素子は、それぞれ独
立して制御可能な２つの発光層を有し、これら発
光層を個々に制御して、発光色を変化させたり、
色調を微妙に調節したり、発光の強弱を自由に制
御することが可能となつた。 更に、本発明のEL素子の有する発光層は、電
気化学的性質の異なる２つの層の界面で主に発光
を行ない、しかもそのような界面がEL素子の光
の取り出し方向に対して複数設けられた構造を有
し、光の取り出し面の単位あたりの発光量が従来
のEL素子に比べて非常に増大したものとなつた。 また、本発明のEL素子に於いては、主に発光
を行なう複数の界面について、該界面を構成する
２つの層の構成を界面ごとに変え、これらを組合
わせて、発光色等を所望に応じて制御することも
可能となつた。 これらに加えて、本発明のEL素子の有する発
光層は、主に有機化合物材料と、その材料に適し
た薄膜形成とが組み合わせて形成され、上記のよ
うに発光を行なう界面を複数有した多層構造とな
つているにもかかわらず、発光層全体の層厚がよ
り薄く形成されており、低電圧駆動でも効率良い
発光状態が得られ、十分な輝度が得られるものと
なつた。 特に、単分子膜を有する発光層に於いては、発
光層を構成する各層の少なくとも１つの層を単分
子膜または単分子累積膜として形成したことによ
つて発光層全体の層厚を更により薄く形成されて
おり、また、発光層を単分子累積膜として形成し
た場合には発光層の層厚を非常に薄くすることが
でき、上記の効果を更に高めることができた。 しかも、本発明のEL素子の有する発光層に於
いては、単分子膜または単分子累積膜によつて第
１の層及び／または第２の層を形成した場合に
は、発光に直接関与する化合物の機能性部分が、
高い秩序を持つて精度良く、第１の層と第２の層
の界面に向いて配向、配列され、より効率良い電
子の授受に伴なう励起錯体の形成に基づく発光が
更に、本発明のEL素子の発光層の各層は、主に
種々の有機化合物材料によつて精度良い薄膜とし
て簡易に形成可能であり、特に単分子膜または単
分子累積膜として形成された場合の第１の層、第
２の層または第３の層は、ほぼ常温、常圧で形成
することができ、これらの層の形成には、蒸着法
等に使用することのできない熱に弱い材料化合物
をも使用することができ、本発明のEL素子は安
価で量産性のあるEL素子となつた。 また、本発明のEL素子は、大面積のEL素子と
して形成した場合でも、発光層が精度良く形成さ
れたものとなり、大面積のEL素子としても良好
な機能を有するものとなつた。 以下、参考例及び実施例を用いて本発明のEL
素子を更に詳細に説明する。 参考例 １ 〔発光層No.１及びNo.２の形成〕 50mm角のガラス表面上にスパツタリング法によ
り膜厚1500ÅのI.T.O層を形成し、これを発光層
形成用基板とした。この基板をJoyce−Loebel社
製のLangmuir−Trough4内の、４×10-4mol／
のCdCl2を含有することによりPHが6.5に調整さ
れた水相中に浸漬した。 次に、アラキジン酸をクロロホルムに１×
10-3mol／の濃度で溶解した溶液の0.5mlを、前
記水相上に展開させた。クロロホルムを水相表面
から蒸発除去した後、水相表面圧を30dyne／cm
に調整し、膜状のアラキジン酸を水相面に析出さ
せた。 更に、表面圧を一定に保ちながら、基板を水面
を横切る方向に２cm／minの速度で静かに引上
げ、第３の層としてのアラキジン酸分子からなる
単分子膜絶縁層を基板の電極層上に形成し、これ
を水相外へ引上げ、30分以上室温で放置して乾燥
させた。 ここで、水相表面に残つたアラギジン酸を該水
相表面上から完全に取り除き、アラキジン酸から
なる単分子絶縁層の形成された基板を再び水相中
に浸漬させた後、新たに を１×10-3mol／の濃度で含むクロロホルム溶
液の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところで基板を水面を横
切る方向に２cm／minの速度で静かに引上げ、上
記化合物分子からなる単分子膜を第２の層として
絶縁層上に形成した。次に、この基板を水相外に
引出し、再び30分以上室温で放置して乾燥させ
た。 更に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、基板を水相内に浸漬し、新たに を１×10-3mol／の濃度で含むクロロホルム溶
液の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところで基板を水面を横
切る方向に２cm／minの速度で静かに引上げ、上
記化合物分子からなる単分子膜を第１の層として
第２の層上に形成した。 以後、上記した第３の層から第２の層までの形
成操作を16回繰返し、最後に第３の層を積層して
第１の層と第２の層の界面を16個有する発光層No.
１（層厚；約1600Å）を形成した。 更に、第３の層から第２の層までの形成操作を
12回繰返す以外は上記の操作と同様にして第１の
層と第２の層との界面を12個有する発光層No.２
（層厚；約1200Å）を形成した。 参考例 ２ 〔発光層No.３の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、参考例１
で用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸
漬した。 次に、アラキジン酸をクロロホルムに１×
10-3mol／の濃度で溶解した溶液の0.5mlを、前
記水相上に展開させた。クロロホルムを水相表面
から蒸発除去した後、水相表面圧を30dyne／cm
に調整し、膜状のアラキジン酸を水相面に析出さ
せた。 更に、表面圧を一定に保ちながら、基板を水面
を横切る方向に２cm／minの速度で静かに上下方
向に２往復させ、アラキジン酸からなる単分子膜
が４層累積された絶縁層としての第３の層を基板
の電極層上に形成し、これを水相外へ引上げ、30
分以上室温で放置して乾燥させた。 ここで、水相表面に残つたアラキジン酸を該水
相表面上から完全に取り除き、アラキジン酸から
なる単分子絶縁層の形成された基板を再たび水相
中に浸漬させた後、新たに を１×10-3mol／の濃度で含むクロロホルム溶
液の0.5mlを外水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところで基板を水面を横
切る方向に２cm／minの速度で静かに引き上げ、
更に引き下げと引き上げを一回づつ行ない、上記
化合物からなる単分子膜が３層累積した第１の層
を絶縁層上に形成した。次に、この基板を水相外
に引出し、再び30分以上室温で放置して乾燥させ
た。 次に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、基板を水相内に浸漬し、新たに を１×10-3mol／の濃度で含むクロロホルム溶
液の0.5mlを該水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところで基板を水面を横
切る方向に２cm／minの速度で静かに引き上げ、
更に引き下げと引き上げを一回づつ行ない、上記
化合物からなる単分子膜が３層累積した第２層を
先に形成した第１の層上に形成した。 以後、上記した第３の層から第２の層までの形
成操作を４回繰返し、最後に更に第３の層を積層
して第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光
層No.３（層厚；約1100Å）を形成した。 参考例 ３ 〔発光層No.４の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で
用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬
した。 次に、アラキジン酸をクロロホルムに１×
10-3mol／の濃度で溶解した溶液の0.5mlを、前
記水相上に展開させた。クロロホルムを水相表面
から蒸発除去した後、水相表面圧を30dyne／cm
に調整し、膜状のアラキジン酸を水相面に析出さ
せた。 更に、表面圧を一定に保ちながら、基板を水面
を横切る方向に２cm／minの速度で静かに引上
げ、アラキジン酸分子からなる単分子膜を基板の
電極層上に形成し、これを水相外へ引上げ、30分
以上室温で放置して乾燥させた。この操作をもう
一度繰り返して、第３の層としてのアラキジン酸
単分子膜を２層累積した絶縁層を形成した。 ここで、水相表面に残つたアラキジン酸を該水
相表面上から完全に取り除き、新たにクロロホル
ムに と
【式】
を100mol：1molの割合で、これらの総量が１×
10-3mol／の濃度となるように溶解した溶液の
0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところでアラキジン酸か
らなる絶縁層の形成された基板を再たび水相中
に、該水相の水面を横切る方向に２cm／minの速
度で静かに浸漬させて、上記２種の化合物分子か
らなる単分子膜を第１の層として絶縁層上に形成
した。次に、この基板を水相外に引出し、再び30
分以上室温で放置して乾燥させた。 更に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、新たにクロロホルムに
10-3mol／の濃度となるように溶解した溶液の
0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところでアラキジン酸か
らなる絶縁層の形成された基板を再たび水相中
に、該水相の水面を横切る方向に２cm／minの速
度で静かに浸漬させて、上記２種の化合物分子か
らなる単分子膜を第１の層として絶縁層上に形成
した。次に、この基板を水相外に引出し、再び30
分以上室温で放置して乾燥させた。 更に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、新たにクロロホルムに
【式】と
【式】
を100nol：1molの割合で、これらの総量が１×
10-3mol／の濃度となるように溶解した溶液の
0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところで、前記第１の層
の形成操作を繰り返して、先に形成した第１の層
上に上記の２種の化合物からなる単分子膜を第２
の層として形成した。 以後、上記した第３の層から第２の層までの形
成操作を15回繰返し、最後に第３の層を積層して
第１の層と第２の層の界面を15個有する発光層No.
４（層厚；約1500Å）を形成した。 参考例 ４ 〔発光層No.５の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で
用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬
した。 次に、参考例３に於けるアラキジン酸からなる
単分子膜の形成操作を５回繰返して第３の層とし
ての５層のアラキジン酸単分子累積膜からなる絶
縁層を形成した。 ここで、水相表面に残つたアラキジン酸を該水
相表面上から完全に取り除き、新たにクロロホル
ムに と
10-3mol／の濃度となるように溶解した溶液の
0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところで、前記第１の層
の形成操作を繰り返して、先に形成した第１の層
上に上記の２種の化合物からなる単分子膜を第２
の層として形成した。 以後、上記した第３の層から第２の層までの形
成操作を15回繰返し、最後に第３の層を積層して
第１の層と第２の層の界面を15個有する発光層No.
４（層厚；約1500Å）を形成した。 参考例 ４ 〔発光層No.５の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で
用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬
した。 次に、参考例３に於けるアラキジン酸からなる
単分子膜の形成操作を５回繰返して第３の層とし
ての５層のアラキジン酸単分子累積膜からなる絶
縁層を形成した。 ここで、水相表面に残つたアラキジン酸を該水
相表面上から完全に取り除き、新たにクロロホル
ムに と
【式】
を100モル：１モルの割合で、これらの総量が１
×10-3mol／の濃度となるように溶解した溶液
の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところでアラキジン酸か
らなる単分子累積膜絶縁層の形成された基板を再
たび水相中に、該水相の水面を横切る方向に２
cm／minの速度で静かに浸漬させ、更に上下させ
て上記２種の化合物分子からなる単分子膜を３層
累積した第１の層を先に形成した絶縁層上に形成
した。次に、この基板を水相外に引出し、再び30
分以上室温で放置して乾燥させた。 更に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、新たにクロロホルムに と
×10-3mol／の濃度となるように溶解した溶液
の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところでアラキジン酸か
らなる単分子累積膜絶縁層の形成された基板を再
たび水相中に、該水相の水面を横切る方向に２
cm／minの速度で静かに浸漬させ、更に上下させ
て上記２種の化合物分子からなる単分子膜を３層
累積した第１の層を先に形成した絶縁層上に形成
した。次に、この基板を水相外に引出し、再び30
分以上室温で放置して乾燥させた。 更に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、新たにクロロホルムに と
【式】
を10モル：１モルの割合で、これらの総量が１×
10-3mol／の濃度となるように溶解した溶液の
0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところで、前記第１の層
の形成操作と同様にして、先に形成した第１の層
上に上記の２種の化合物からなる単分子膜が３層
累積された単分子累積膜を第２の層として形成し
た。 次に、参考例３に於けるアラキジン酸からなる
単分子膜の形成操作を４回繰返して第３の層とし
ての４層のアラキジン酸単分子累積膜からなる絶
縁膜を先に形成した第２の層上に形成し、以後上
記した第１の層から第３の層（４層のアラキジン
酸単分子累積膜）までの形成操作を４回繰返し、
第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層No.
５（層厚；約1100Å）を形成した。 参考例 ５ 〔発光層No.６の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、参考例１
で用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸
漬し、参考例３に於けるアラキジン酸からなる単
分子膜の形成操作を２回繰返して第３の層として
のアラキジン酸単分子膜を２層累積した絶縁層を
前記基板の電極層上に形成した。 ここで、水相表面に残つたアラキジン酸を該水
相表面上から完全に取り除き、新たにクロロホル
ムに と を10mol：1molの割合で、これらの総量が１×
10-3mol／の濃度となるように溶解した溶液の
0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところでアラキジン酸か
らなる絶縁層の形成された基板を再たび水相中
に、該水相の水面を横切る方向に２cm／minの速
度で静かに浸漬させて、上記２種の化合物分子か
らなる単分子膜を第１の層として絶縁層上に形成
した。次に、この基板を水相外に引出し、再び30
分以上室温で放置して乾燥させた。 更に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、新たにクロロホルムに
10-3mol／の濃度となるように溶解した溶液の
0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところで、前記第１の層
の形成操作と同様にして、先に形成した第１の層
上に上記の２種の化合物からなる単分子膜が３層
累積された単分子累積膜を第２の層として形成し
た。 次に、参考例３に於けるアラキジン酸からなる
単分子膜の形成操作を４回繰返して第３の層とし
ての４層のアラキジン酸単分子累積膜からなる絶
縁膜を先に形成した第２の層上に形成し、以後上
記した第１の層から第３の層（４層のアラキジン
酸単分子累積膜）までの形成操作を４回繰返し、
第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層No.
５（層厚；約1100Å）を形成した。 参考例 ５ 〔発光層No.６の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、参考例１
で用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸
漬し、参考例３に於けるアラキジン酸からなる単
分子膜の形成操作を２回繰返して第３の層として
のアラキジン酸単分子膜を２層累積した絶縁層を
前記基板の電極層上に形成した。 ここで、水相表面に残つたアラキジン酸を該水
相表面上から完全に取り除き、新たにクロロホル
ムに と を10mol：1molの割合で、これらの総量が１×
10-3mol／の濃度となるように溶解した溶液の
0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところでアラキジン酸か
らなる絶縁層の形成された基板を再たび水相中
に、該水相の水面を横切る方向に２cm／minの速
度で静かに浸漬させて、上記２種の化合物分子か
らなる単分子膜を第１の層として絶縁層上に形成
した。次に、この基板を水相外に引出し、再び30
分以上室温で放置して乾燥させた。 更に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、新たにクロロホルムに
【式】と
【式】
を10mol：1molの割合で、これらの総量が１×
10-3mol／の濃度となるように溶解した溶液の
0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところで、前記第１の層
の形成操作を繰り返して、先に形成した第１の層
上に上記の２種の化合物からなる単分子膜を第２
の層として形成した。 以後、上記した第３の層から第２の層までの形
成操作を15回繰返し、最後に第３の層を積層して
第１の層と第２の層の界面を15個有する発光層No.
６（層厚；約1500Å）を形成した。 参考例 ６ 〔発光層No.７の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、参考例１
で用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸
漬した。 次に、参考例３に於けるアラキジン酸からなる
単分子膜の形成操作を５回繰返して、第３の層と
しての５層のアラキジン酸単分子累積膜からなる
絶縁層を形成した。 ここで、水相表面に残つたアラキジン酸を該水
相表面上から完全に取り除き、新たにクロロホル
ムに
10-3mol／の濃度となるように溶解した溶液の
0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整したところで、前記第１の層
の形成操作を繰り返して、先に形成した第１の層
上に上記の２種の化合物からなる単分子膜を第２
の層として形成した。 以後、上記した第３の層から第２の層までの形
成操作を15回繰返し、最後に第３の層を積層して
第１の層と第２の層の界面を15個有する発光層No.
６（層厚；約1500Å）を形成した。 参考例 ６ 〔発光層No.７の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、参考例１
で用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸
漬した。 次に、参考例３に於けるアラキジン酸からなる
単分子膜の形成操作を５回繰返して、第３の層と
しての５層のアラキジン酸単分子累積膜からなる
絶縁層を形成した。 ここで、水相表面に残つたアラキジン酸を該水
相表面上から完全に取り除き、新たにクロロホル
ムに
【式】と
【式】をを10モル：１モルの割
合で、これらの総量が１×10-3mol／の濃度と
なるように溶解した溶液の0.5mlをこの水相上に
展開させ、表面圧を30dyne／cmに調整したとこ
ろでアラキジン酸からなる単分子累積膜絶縁層の
形成された基板を再たび水相中に、該水相の水面
を横切る方向に２cm／minの速度で静かに浸漬さ
せ、更に上下させて上記２種の化合物分子からな
る単分子膜を３層累積した第１の層を先に形成し
た絶縁層上に形成した。次に、この基板を水相外
に引出し、再び30分以上室温で放置して乾燥させ
た。 更に、これまで使用した水相とは別に、［Eu
（BFA）4］Ｋを飽和させた水相を用意し、この水
相表面にクロロホルムに と
なるように溶解した溶液の0.5mlをこの水相上に
展開させ、表面圧を30dyne／cmに調整したとこ
ろでアラキジン酸からなる単分子累積膜絶縁層の
形成された基板を再たび水相中に、該水相の水面
を横切る方向に２cm／minの速度で静かに浸漬さ
せ、更に上下させて上記２種の化合物分子からな
る単分子膜を３層累積した第１の層を先に形成し
た絶縁層上に形成した。次に、この基板を水相外
に引出し、再び30分以上室温で放置して乾燥させ
た。 更に、これまで使用した水相とは別に、［Eu
（BFA）4］Ｋを飽和させた水相を用意し、この水
相表面にクロロホルムに と
【式】
を10モル：１モルの割合で、これらの総量が１×
10-3mol／の濃度となるように溶解した溶液の
0.5mlを展開させ、表面圧を30dyne／cmに調整し
たところで、前記第１の層の形成操作と同様にし
て、先に形成した第１の層上に上記の２種の化合
物からなる単分子膜が３層累積された単分子累積
膜を第２の層として形成した。 次に、参考例３に於けるアラキジン酸からなる
単分子膜の形成操作を４回繰返して第３の層とし
ての４層のアラキジン酸単分子累積膜からなる絶
縁膜を先に形成した第２の層上に形成し、以後上
記した第１の層から第３の層（４層のアラキジン
酸単分子累積膜）までの形成操作を４回繰返し、
第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層No.
７（層厚；約1100Å）を形成した。 参考例 ７ 〔発光層No.８の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、抵抗加熱
蒸着装置の蒸着槽内の所定の位置にセツトし、更
に抵抗加熱ボート内にステアリン酸メチル
（mp.38℃）を入れ、該槽内をまず10-6Torrの真
空度まで減圧した後、蒸着速度が２Å／secとな
るようにボートに流れる電流を調整し、200Åの
ステアリン酸メチル層からなる蒸着層を第３の層
として前記基板の透明電極層上に形成した。な
お、蒸着時の槽内の真空度を９×10-6Torrに維
持し、基板ホルダーの温度は20℃とした。 更に、この基板を、参考例１で用いたのと同様
の単分子膜形成用の水相中に浸漬した。 次に、
10-3mol／の濃度となるように溶解した溶液の
0.5mlを展開させ、表面圧を30dyne／cmに調整し
たところで、前記第１の層の形成操作と同様にし
て、先に形成した第１の層上に上記の２種の化合
物からなる単分子膜が３層累積された単分子累積
膜を第２の層として形成した。 次に、参考例３に於けるアラキジン酸からなる
単分子膜の形成操作を４回繰返して第３の層とし
ての４層のアラキジン酸単分子累積膜からなる絶
縁膜を先に形成した第２の層上に形成し、以後上
記した第１の層から第３の層（４層のアラキジン
酸単分子累積膜）までの形成操作を４回繰返し、
第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層No.
７（層厚；約1100Å）を形成した。 参考例 ７ 〔発光層No.８の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、抵抗加熱
蒸着装置の蒸着槽内の所定の位置にセツトし、更
に抵抗加熱ボート内にステアリン酸メチル
（mp.38℃）を入れ、該槽内をまず10-6Torrの真
空度まで減圧した後、蒸着速度が２Å／secとな
るようにボートに流れる電流を調整し、200Åの
ステアリン酸メチル層からなる蒸着層を第３の層
として前記基板の透明電極層上に形成した。な
お、蒸着時の槽内の真空度を９×10-6Torrに維
持し、基板ホルダーの温度は20℃とした。 更に、この基板を、参考例１で用いたのと同様
の単分子膜形成用の水相中に浸漬した。 次に、
【式】と
【式】
を1mol：1molの割合で、これらの総量が１×
10-3mol／となるようにクロロホルムに溶解し
た溶液0.5mlを前記水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整し、上記の２つ化合物からな
る多成分系単分子膜を該水相表面に析出させたと
ころで基板を水面を横切る方向に２cm／minの速
度で静かに上下に２往復させ、上記化合物の混合
物からなる単分子膜を４層累積した第１の層とし
ての単分子累積膜を先に形成した第３の層上に形
成した。ここで、この基板を水相外に引出し、30
分以上室温で放置して乾燥させた。 更に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、基板を水相内に浸漬し、新たに を１×10-3mol／の濃度で含むクロロホルム溶
液の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整し、この化合物からなる単分
子膜を該水相上に析出させ、基板を水面に横切る
方向に２cm／minの速度で静かに引上げ、更に浸
漬と引上げを一度づつ行ない上記化合物分子から
なる単分子膜を３層累積した単分子累積膜を第２
の層として先に形成した第１の層上に形成した。 以後、上記した第３の層から第２の層までの形
成操作を４回繰返し、最後に第３の層を積層して
第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層No.
８（層厚；約1800Å）を形成した。 参考例 ８ 〔発光層No.９の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、参考例１
で用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸
漬した。 次に、ステアリン酸をクロロホルム溶液に１×
10-3mol／の濃度で溶解した溶液の0.5mlを、前
記水相上に展開させた。クロロホルムを水相表面
から蒸発除去した後、水相表面圧を30dyne／cm
に調整し、膜状のステアリン酸を水相面に析出さ
せた。 更に、表面圧を一定に保ちながら、基板を水面
を横切る方向に２cm／minの速度で静かに引上
げ、第３の層としてのステアリン酸分子からなる
単分子膜を基板の前記電極層上に形成し、これを
水相外へ引上げ、30分以上室温で放置して乾燥さ
せた。更に、この操作をもう二度繰返して、前記
基板の電極層上にステアリン酸分子からなる単分
子膜が３層に積層された単分子累積膜を第３の層
として形成させた。なお、水相表面に残つたステ
アリン酸は、該水相表面から完全に取り除いた。 次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内
の所定の位置にセツトし、更に抵抗加熱ボート内
にアントラセン（mp.216℃）を入れ、該槽内を
まず10-6Torrの真空度まで減圧した後、蒸着速
度が２Å／secとなるようにボートに流れる電流
を調整し、200Åのアントラセンからなる蒸着層
を第１の層として先に形成した第３の層としての
絶縁層上に形成した。なお、蒸着時に於ける槽内
の真空度を９×10-6Torrに維持し、基板ホルダ
ーの温度は、20℃とした。 このようにして第１の層を形成した後、電極基
板を、再び残つたステアリン酸が完全に取り除か
れた先に第３の層の形成に使用した水相中に浸漬
させた後、新たに を１×10-3mol／の濃度で含むクロロホルム溶
液の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整し、上記化合物の単分子膜を
水相上に形成させたところで基板を水面を横切る
方向に２cm／minの速度で静かに引上げ、更に浸
漬と引上げを１回づつ行ない上記化合物分子から
なる単分子膜が３層累積された単分子累積膜を第
２の層として先に形成した第１の層上に形成し
た。次に、この基板を水相外に引出し、再び30分
以上室温で放置して乾燥させた。 以後、このように形成された第２層上に、前記
したステアリン酸からなる単分子膜の形成操作を
２回繰返してステアリン酸からなる単分子膜が２
層累積した第３の層を形成し、更にこれまでの第
１の層から第３の層までの形成操作を４回繰返し
て第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層
No.９（層厚；約1500Å）を形成した。 参考例 ９ 〔発光層No.10の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で
用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬
した。 次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる
単分子膜の形成操作を３回繰返して前記基板の電
極層上にステアリン酸分子からなる単分子膜が３
層に積層された単分子累積膜を第３の層として形
成させた。なお、水相表面に残つたステアリン酸
は、該水相表面から完全に取り除いた。 次に、このようにして第３の層が形成された基
板を、残つたステアリン酸が完全に取り除かれた
水相中に再び浸漬された後、新たに
10-3mol／となるようにクロロホルムに溶解し
た溶液0.5mlを前記水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整し、上記の２つ化合物からな
る多成分系単分子膜を該水相表面に析出させたと
ころで基板を水面を横切る方向に２cm／minの速
度で静かに上下に２往復させ、上記化合物の混合
物からなる単分子膜を４層累積した第１の層とし
ての単分子累積膜を先に形成した第３の層上に形
成した。ここで、この基板を水相外に引出し、30
分以上室温で放置して乾燥させた。 更に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、基板を水相内に浸漬し、新たに を１×10-3mol／の濃度で含むクロロホルム溶
液の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整し、この化合物からなる単分
子膜を該水相上に析出させ、基板を水面に横切る
方向に２cm／minの速度で静かに引上げ、更に浸
漬と引上げを一度づつ行ない上記化合物分子から
なる単分子膜を３層累積した単分子累積膜を第２
の層として先に形成した第１の層上に形成した。 以後、上記した第３の層から第２の層までの形
成操作を４回繰返し、最後に第３の層を積層して
第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層No.
８（層厚；約1800Å）を形成した。 参考例 ８ 〔発光層No.９の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を、参考例１
で用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸
漬した。 次に、ステアリン酸をクロロホルム溶液に１×
10-3mol／の濃度で溶解した溶液の0.5mlを、前
記水相上に展開させた。クロロホルムを水相表面
から蒸発除去した後、水相表面圧を30dyne／cm
に調整し、膜状のステアリン酸を水相面に析出さ
せた。 更に、表面圧を一定に保ちながら、基板を水面
を横切る方向に２cm／minの速度で静かに引上
げ、第３の層としてのステアリン酸分子からなる
単分子膜を基板の前記電極層上に形成し、これを
水相外へ引上げ、30分以上室温で放置して乾燥さ
せた。更に、この操作をもう二度繰返して、前記
基板の電極層上にステアリン酸分子からなる単分
子膜が３層に積層された単分子累積膜を第３の層
として形成させた。なお、水相表面に残つたステ
アリン酸は、該水相表面から完全に取り除いた。 次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内
の所定の位置にセツトし、更に抵抗加熱ボート内
にアントラセン（mp.216℃）を入れ、該槽内を
まず10-6Torrの真空度まで減圧した後、蒸着速
度が２Å／secとなるようにボートに流れる電流
を調整し、200Åのアントラセンからなる蒸着層
を第１の層として先に形成した第３の層としての
絶縁層上に形成した。なお、蒸着時に於ける槽内
の真空度を９×10-6Torrに維持し、基板ホルダ
ーの温度は、20℃とした。 このようにして第１の層を形成した後、電極基
板を、再び残つたステアリン酸が完全に取り除か
れた先に第３の層の形成に使用した水相中に浸漬
させた後、新たに を１×10-3mol／の濃度で含むクロロホルム溶
液の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整し、上記化合物の単分子膜を
水相上に形成させたところで基板を水面を横切る
方向に２cm／minの速度で静かに引上げ、更に浸
漬と引上げを１回づつ行ない上記化合物分子から
なる単分子膜が３層累積された単分子累積膜を第
２の層として先に形成した第１の層上に形成し
た。次に、この基板を水相外に引出し、再び30分
以上室温で放置して乾燥させた。 以後、このように形成された第２層上に、前記
したステアリン酸からなる単分子膜の形成操作を
２回繰返してステアリン酸からなる単分子膜が２
層累積した第３の層を形成し、更にこれまでの第
１の層から第３の層までの形成操作を４回繰返し
て第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層
No.９（層厚；約1500Å）を形成した。 参考例 ９ 〔発光層No.10の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で
用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬
した。 次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる
単分子膜の形成操作を３回繰返して前記基板の電
極層上にステアリン酸分子からなる単分子膜が３
層に積層された単分子累積膜を第３の層として形
成させた。なお、水相表面に残つたステアリン酸
は、該水相表面から完全に取り除いた。 次に、このようにして第３の層が形成された基
板を、残つたステアリン酸が完全に取り除かれた
水相中に再び浸漬された後、新たに
【式】と
【式】
を1mol：1molの割合で、これらの総量が１×
10-3mol／の濃度となるようにクロロホルムに
溶解した溶液の0.5mlをこの水相上に展開させ、
表面圧を30dyne／cmに調整し、上記化合物の単
分子膜を水相上に形成させたところで基板を水面
を横切る方向に２cm／minの速度で静かに上下に
２往復させ上記化合物分子からなる単分子膜が４
層累積された単分子累積膜を第１の層として先に
形成した第３の層上に形成した。次に、この基板
を水相外に引出し、再び30分以上室温で放置して
乾燥させた。 次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内
の所定の位置にセツトし、更に抵抗加熱ボート内
に２，５−ジフエニルオキサゾールを入れ、該槽
内をまず10-6Torrの真空度まで減圧した後、蒸
着速度が２Å／secとなるように抵抗加熱ボート
に流れる電流を調整し、200Åの２，５−ジフエ
ニルオキサゾールからなる蒸着層を第２の層とし
て先に形成した第１の層上に形成した。なお、蒸
着時に於ける槽内の真空度を９×10-6Torrに維
持し、基板ホルダーの温度は、20℃とした。 以後、このように形成された第２層上に、前記
したステアリン酸からなる単分子膜の形成操作を
２回繰返してステアリン酸からなる単分子膜が２
層累積した第３の層を形成し、更にこれまでの第
１の層から第３の層までの形成操作を４回繰返し
て第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層
No.10（層厚；約2200Å）を形成した。 参考例 10 〔発光層No.11の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板上に、参考例
７に於いて形成したのと同様の200Åのステアリ
ン酸メチル層からなる蒸着層を第３の層として、
参考例７に於ける方法と同様にして形成した。 この第３の層が形成された基板を参考例１で用
いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬し
た。 次に、
10-3mol／の濃度となるようにクロロホルムに
溶解した溶液の0.5mlをこの水相上に展開させ、
表面圧を30dyne／cmに調整し、上記化合物の単
分子膜を水相上に形成させたところで基板を水面
を横切る方向に２cm／minの速度で静かに上下に
２往復させ上記化合物分子からなる単分子膜が４
層累積された単分子累積膜を第１の層として先に
形成した第３の層上に形成した。次に、この基板
を水相外に引出し、再び30分以上室温で放置して
乾燥させた。 次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内
の所定の位置にセツトし、更に抵抗加熱ボート内
に２，５−ジフエニルオキサゾールを入れ、該槽
内をまず10-6Torrの真空度まで減圧した後、蒸
着速度が２Å／secとなるように抵抗加熱ボート
に流れる電流を調整し、200Åの２，５−ジフエ
ニルオキサゾールからなる蒸着層を第２の層とし
て先に形成した第１の層上に形成した。なお、蒸
着時に於ける槽内の真空度を９×10-6Torrに維
持し、基板ホルダーの温度は、20℃とした。 以後、このように形成された第２層上に、前記
したステアリン酸からなる単分子膜の形成操作を
２回繰返してステアリン酸からなる単分子膜が２
層累積した第３の層を形成し、更にこれまでの第
１の層から第３の層までの形成操作を４回繰返し
て第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層
No.10（層厚；約2200Å）を形成した。 参考例 10 〔発光層No.11の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板上に、参考例
７に於いて形成したのと同様の200Åのステアリ
ン酸メチル層からなる蒸着層を第３の層として、
参考例７に於ける方法と同様にして形成した。 この第３の層が形成された基板を参考例１で用
いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬し
た。 次に、
【式】と
【式】
及び
【式】
を50mol：50mol：1molの割合で、これらの総量
が１×10-3mol／となるようにクロロホルムに
溶解した溶液0.5mlを前記水相上に展開させ、表
面圧を30dyne／cmに調整し、上記の２つの化合
物からなる多成分系単分子膜を該水相表面に析出
させたところで基板を水面を横切る方向に２cm／
minの速度で静かに上下に２往復させ、上記化合
物の混合物からなる単分子膜を４層累積した第１
の層としての単分子累積膜を先に形成した第３の
層上に形成した。ここで、この基板を水相外に引
出し、30分以上室温で放置して乾燥させた。 更に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、基板を水相内に浸漬し、新たに
が１×10-3mol／となるようにクロロホルムに
溶解した溶液0.5mlを前記水相上に展開させ、表
面圧を30dyne／cmに調整し、上記の２つの化合
物からなる多成分系単分子膜を該水相表面に析出
させたところで基板を水面を横切る方向に２cm／
minの速度で静かに上下に２往復させ、上記化合
物の混合物からなる単分子膜を４層累積した第１
の層としての単分子累積膜を先に形成した第３の
層上に形成した。ここで、この基板を水相外に引
出し、30分以上室温で放置して乾燥させた。 更に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、基板を水相内に浸漬し、新たに
【式】と
【式】
を100mol：1molの割合で、これらの総量が１×
10-3mol／となるようにクロロホルムに溶解し
た溶液の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧
を30dyne／cmに調整し、上記化合物からなる単
分子膜を該水相上に析出させ、基板を水面を横切
る方向に２cm／minの速度で静かに上下に２往復
させ、上記化合物分子からなる単分子膜を３層累
積した単分子累積膜を第２の層として先に形成し
た第１の層上に形成した。 以後、上記した第３の層から第２の層までの形
成操作を４回繰返し、最後に第３の層を積層して
第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層No.
12（層厚；約1600Å）を形成した。 参考例 11 〔発光層No.12の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で
用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬
した。 次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる
単分子膜の形成操作を３回繰返して、前記基板の
電極層上にステアリン酸分子からなる単分子膜が
３層に積層された単分子累積膜を第３の層として
形成させた。なお、水相表面に残つたステアリン
酸は、該水相表面から完全に取り除いた。 次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内
の所定の位置にセツトし、更に抵抗加熱ボートの
１つにアントラセン（mp.216℃）を入れ、他の
１つにアントラキノン（mp.286℃）を入れ、該
槽内をまず10-6Torrの真空度まで減圧した後、
アントラキノンの蒸着速度が0.1Å／sec程度にな
るようにアントラキノンの入つたボートに流れる
電流を一定とし、かつアントラセンとアントラキ
ノンの混合物からなる蒸着層全体の蒸着速度が２
Å／secとなるようにアントラセンの入つたボー
トに流れる電流を調整し、200Åのアントラセン
とアントラキノンの混合物からなる蒸着層を第１
の層として先に形成した第３の層としての絶縁層
上に形成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真空
度を９×10-6Torrに維持し、基板ホルダーの温
度は、20℃とした。 このようにして第１の層を形成した後、基板
を、残つたステアリン酸が完全に取り除かれた前
記水相中に浸漬させた後、新たに
10-3mol／となるようにクロロホルムに溶解し
た溶液の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧
を30dyne／cmに調整し、上記化合物からなる単
分子膜を該水相上に析出させ、基板を水面を横切
る方向に２cm／minの速度で静かに上下に２往復
させ、上記化合物分子からなる単分子膜を３層累
積した単分子累積膜を第２の層として先に形成し
た第１の層上に形成した。 以後、上記した第３の層から第２の層までの形
成操作を４回繰返し、最後に第３の層を積層して
第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層No.
12（層厚；約1600Å）を形成した。 参考例 11 〔発光層No.12の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で
用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬
した。 次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる
単分子膜の形成操作を３回繰返して、前記基板の
電極層上にステアリン酸分子からなる単分子膜が
３層に積層された単分子累積膜を第３の層として
形成させた。なお、水相表面に残つたステアリン
酸は、該水相表面から完全に取り除いた。 次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内
の所定の位置にセツトし、更に抵抗加熱ボートの
１つにアントラセン（mp.216℃）を入れ、他の
１つにアントラキノン（mp.286℃）を入れ、該
槽内をまず10-6Torrの真空度まで減圧した後、
アントラキノンの蒸着速度が0.1Å／sec程度にな
るようにアントラキノンの入つたボートに流れる
電流を一定とし、かつアントラセンとアントラキ
ノンの混合物からなる蒸着層全体の蒸着速度が２
Å／secとなるようにアントラセンの入つたボー
トに流れる電流を調整し、200Åのアントラセン
とアントラキノンの混合物からなる蒸着層を第１
の層として先に形成した第３の層としての絶縁層
上に形成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真空
度を９×10-6Torrに維持し、基板ホルダーの温
度は、20℃とした。 このようにして第１の層を形成した後、基板
を、残つたステアリン酸が完全に取り除かれた前
記水相中に浸漬させた後、新たに
【式】と
【式】
を100mol：1molの割合で、これらの総量が１×
10-3mol／の濃度でクロロホルムに溶解した溶
液0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整し、上記化合物の単分子膜を
水相上に形成させたところで基板を水面を横切る
方向に２cm／minの速度で静かに上下に２往復さ
せ、上記化合物分子からなる単分子膜が４層累積
された単分子累積膜を第２の層として先に形成し
た第１の層上に形成した。次に、この基板を水相
外に引出し、再び30分以上室温で放置して乾燥さ
せた。 以後、このように形成された第２層上に、前記
したステアリン酸からなる単分子膜の形成操作を
４回繰返してステアリン酸からなる単分子膜が４
層累積した第３の層を形成し、更にこれまでの第
１の層から第３の層までの形成操作を４回繰返し
て第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層
No.12（層厚；約1600Å）を形成した。 参考例 12 〔発光層No.13の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で
用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬
した。 次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる
単分子膜の形成操作を４回繰返して、前記基板の
電極層上にステアリン酸分子からなる単分子膜が
４層に積層された単分子累積膜を第３の層として
形成させた。なお、水相表面に残つたステアリン
酸は、該水相表面から完全に取り除いた。 次に、このようにして第３の層が形成された電
極基板を、残つたステアリン酸が完全に取り除か
れた水相中に再び浸漬させた後、新たに
10-3mol／の濃度でクロロホルムに溶解した溶
液0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整し、上記化合物の単分子膜を
水相上に形成させたところで基板を水面を横切る
方向に２cm／minの速度で静かに上下に２往復さ
せ、上記化合物分子からなる単分子膜が４層累積
された単分子累積膜を第２の層として先に形成し
た第１の層上に形成した。次に、この基板を水相
外に引出し、再び30分以上室温で放置して乾燥さ
せた。 以後、このように形成された第２層上に、前記
したステアリン酸からなる単分子膜の形成操作を
４回繰返してステアリン酸からなる単分子膜が４
層累積した第３の層を形成し、更にこれまでの第
１の層から第３の層までの形成操作を４回繰返し
て第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層
No.12（層厚；約1600Å）を形成した。 参考例 12 〔発光層No.13の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で
用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬
した。 次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる
単分子膜の形成操作を４回繰返して、前記基板の
電極層上にステアリン酸分子からなる単分子膜が
４層に積層された単分子累積膜を第３の層として
形成させた。なお、水相表面に残つたステアリン
酸は、該水相表面から完全に取り除いた。 次に、このようにして第３の層が形成された電
極基板を、残つたステアリン酸が完全に取り除か
れた水相中に再び浸漬させた後、新たに
【式】と
【式】及び
【式】
を50mol：50mol：1molの割合で、これらの総量
が１×10-3mol／の濃度となるようにクロロホ
ルムに溶解した溶液の0.5mlこの水相上に展開さ
せ、表面圧を30dyne／cmに調整し、上記化合物
の単分子膜を水相上に形成させたところで基板を
水面を横切る方向に２cm／minの速度で静かに上
下に２往復させ上記化合物分子からなる単分子膜
が４層累積された単分子累積膜を第１の層として
先に形成した第３の層上に形成した。次に、この
基板を水相外に引出し、再び30分以上室温で放置
して乾燥させた。 次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内
の所定の位置にセツトし、更に抵抗加熱ボートの
１つにカルバゾール（mp.245℃）を入れ、他の
１つに２，５−ジフエニルオキサゾールを入れ、
該槽内をまず10-6Torrの真空度まで減圧した後、
カルバゾールの蒸着速度が0.4Å／sec程度になる
ようにカルバゾールの入つた抵抗加熱ボートに流
れる電流を一定とし、かつカルバゾールと２，５
−ジフエニルオキサゾールの混合物からなる蒸着
層全体の蒸着速度が２Å／secとなるように２，
５−ジフエニルオキサゾールの入つたボートに流
れる電流を調整し、200Åのカルバゾールと２，
５−ジフエニルオキサゾールの混合物からなる蒸
着層を第２の層として先に形成した第１の層上に
形成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真空度を
９×10-6Torrに維持し、基板ホルダーの温度は、
20℃とした。 以後、このように形成された第２層上に、前記
したステアリン酸からなる単分子膜の形成操作を
２回繰返してステアリン酸からなる単分子膜が２
層累積した第３の層を形成し、更にこれまでの第
１の層から第３の層までの形成操作を４回繰返し
て第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層
No.13（層厚；約1600Å）を形成した。 参考例 13 〔発光層No.14の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板の電極層上
に、参考例７に於いて形成したのと同様の200Å
のステアリン酸メチル層からなる蒸着層を第３の
層として、参考例７に於ける方法と同様にして形
成し、この第３の層の形成された基板を、参考例
１で用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に
浸漬した。 次に、
が１×10-3mol／の濃度となるようにクロロホ
ルムに溶解した溶液の0.5mlこの水相上に展開さ
せ、表面圧を30dyne／cmに調整し、上記化合物
の単分子膜を水相上に形成させたところで基板を
水面を横切る方向に２cm／minの速度で静かに上
下に２往復させ上記化合物分子からなる単分子膜
が４層累積された単分子累積膜を第１の層として
先に形成した第３の層上に形成した。次に、この
基板を水相外に引出し、再び30分以上室温で放置
して乾燥させた。 次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内
の所定の位置にセツトし、更に抵抗加熱ボートの
１つにカルバゾール（mp.245℃）を入れ、他の
１つに２，５−ジフエニルオキサゾールを入れ、
該槽内をまず10-6Torrの真空度まで減圧した後、
カルバゾールの蒸着速度が0.4Å／sec程度になる
ようにカルバゾールの入つた抵抗加熱ボートに流
れる電流を一定とし、かつカルバゾールと２，５
−ジフエニルオキサゾールの混合物からなる蒸着
層全体の蒸着速度が２Å／secとなるように２，
５−ジフエニルオキサゾールの入つたボートに流
れる電流を調整し、200Åのカルバゾールと２，
５−ジフエニルオキサゾールの混合物からなる蒸
着層を第２の層として先に形成した第１の層上に
形成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真空度を
９×10-6Torrに維持し、基板ホルダーの温度は、
20℃とした。 以後、このように形成された第２層上に、前記
したステアリン酸からなる単分子膜の形成操作を
２回繰返してステアリン酸からなる単分子膜が２
層累積した第３の層を形成し、更にこれまでの第
１の層から第３の層までの形成操作を４回繰返し
て第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層
No.13（層厚；約1600Å）を形成した。 参考例 13 〔発光層No.14の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板の電極層上
に、参考例７に於いて形成したのと同様の200Å
のステアリン酸メチル層からなる蒸着層を第３の
層として、参考例７に於ける方法と同様にして形
成し、この第３の層の形成された基板を、参考例
１で用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に
浸漬した。 次に、
【式】と
【式】及び
【式】
を50mol：50mol：1molの割合で、これらの総量
が１×10-3mol／となるようにクロロホルムに
溶解した溶液0.5mlを前記水相上に展開させ、表
面圧を30dyne／cmに調整し、上記の２つ化合物
からなる多成分系単分子膜を該水相表面に析出さ
せたところで基板を水面を横切る方向に２cm／
minの速度で静かに上下に２往復させ、上記化合
物の混合物からなる単分子膜を４層累積した第１
の層としての単分子累積膜を先に形成した第３の
層上に形成した。ここで、この基板を水相外に引
出し、30分以上室温で放置して乾燥させた。 更に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、基板を水相内に浸漬し、新たに
が１×10-3mol／となるようにクロロホルムに
溶解した溶液0.5mlを前記水相上に展開させ、表
面圧を30dyne／cmに調整し、上記の２つ化合物
からなる多成分系単分子膜を該水相表面に析出さ
せたところで基板を水面を横切る方向に２cm／
minの速度で静かに上下に２往復させ、上記化合
物の混合物からなる単分子膜を４層累積した第１
の層としての単分子累積膜を先に形成した第３の
層上に形成した。ここで、この基板を水相外に引
出し、30分以上室温で放置して乾燥させた。 更に、水相表面に残された上記化合物を完全に
取り除き、基板を水相内に浸漬し、新たに
【式】と
【式】
を100mol：1molの割合で、これらの総量が１×
10-3mol／となるようにクロロホルムに溶解し
た溶液の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧
を30dyne／cmに調整し、上記化合物からなる単
分子膜を該水相上に析出させ、基板を水面を横切
る方向に２cm／minの速度で静かに上下に２往復
させ、上記化合物分子からなる単分子膜を４層累
積した単分子累積膜を第２の層として先に形成し
た第１の層上に形成した。 以後、上記した第３の層から第２の層までの形
成操作を４回繰返し、最後に第３の層を積層して
第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層No.
14（層厚；約1800Å）を形成した。 参考例 14 〔発光層No.15の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で
用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬
した。 次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる
単分子膜の形成操作を３回繰返して、前記基板の
電極層上にステアリン酸分子からなる単分子膜が
３層に積層された単分子累積膜を第３の層として
形成させた。なお、水相表面に残つたステアリン
酸は、該水相表面から完全に取り除いた。 この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内の所定
の位置にセツトし、更に抵抗加熱ボートの１つに
アントラセン（mp.216℃）を入れ、他の１つに
インダゾール（mp.145℃）を入れ、該槽内をま
ず10-6Torrの真空度まで減圧した後、インダゾ
ールの蒸着速度が0.2Å／sec程度になるようにイ
ンダゾールの入つたボートに流れる電流を一定と
し、かつアントラセンとインダゾールの混合物か
らなる蒸着層全体の蒸着速度が２Å／secとなる
ようにアントラセンの入つたボートに流れる電流
を調整し、200Åのアントラセンとインダゾール
の混合物からなる蒸着層を第１の層として先に形
成した第３の層としての絶縁層上に形成した。な
お、蒸着時に於ける槽内の真空度を９×
10-6Torrに維持し、基板ホルダーの温度は、20
℃とした。 このようにして第１の層を形成した後、電極基
板を、残つたステアリン酸が完全に取り除かれた
前記水相中に浸漬させた後、新たに
10-3mol／となるようにクロロホルムに溶解し
た溶液の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧
を30dyne／cmに調整し、上記化合物からなる単
分子膜を該水相上に析出させ、基板を水面を横切
る方向に２cm／minの速度で静かに上下に２往復
させ、上記化合物分子からなる単分子膜を４層累
積した単分子累積膜を第２の層として先に形成し
た第１の層上に形成した。 以後、上記した第３の層から第２の層までの形
成操作を４回繰返し、最後に第３の層を積層して
第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層No.
14（層厚；約1800Å）を形成した。 参考例 14 〔発光層No.15の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で
用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬
した。 次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる
単分子膜の形成操作を３回繰返して、前記基板の
電極層上にステアリン酸分子からなる単分子膜が
３層に積層された単分子累積膜を第３の層として
形成させた。なお、水相表面に残つたステアリン
酸は、該水相表面から完全に取り除いた。 この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内の所定
の位置にセツトし、更に抵抗加熱ボートの１つに
アントラセン（mp.216℃）を入れ、他の１つに
インダゾール（mp.145℃）を入れ、該槽内をま
ず10-6Torrの真空度まで減圧した後、インダゾ
ールの蒸着速度が0.2Å／sec程度になるようにイ
ンダゾールの入つたボートに流れる電流を一定と
し、かつアントラセンとインダゾールの混合物か
らなる蒸着層全体の蒸着速度が２Å／secとなる
ようにアントラセンの入つたボートに流れる電流
を調整し、200Åのアントラセンとインダゾール
の混合物からなる蒸着層を第１の層として先に形
成した第３の層としての絶縁層上に形成した。な
お、蒸着時に於ける槽内の真空度を９×
10-6Torrに維持し、基板ホルダーの温度は、20
℃とした。 このようにして第１の層を形成した後、電極基
板を、残つたステアリン酸が完全に取り除かれた
前記水相中に浸漬させた後、新たに
【式】と
【式】
を100mol：1molの割合で、これらの総量が１×
10-3mol／の濃度でクロロホルムに溶解した溶
液の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整し、上記化合物の単分子膜を
水相上に形成させたところで基板を水面を横切る
方向に２cm／minの速度で静かに上下に２往復さ
せ、上記化合物分子からなる単分子膜が４層累積
された単分子累積膜を第２の層として先に形成し
た第１の層上に形成した。次に、この基板を水相
外に引出し、再び30分以上室温で放置して乾燥さ
せた。 以後、このように形成された第２層上に、前記
したステアリン酸からなる単分子膜の形成操作を
２回繰返してステアリン酸からなる単分子膜が２
層累積した第３の層を形成し、更にこれまでの第
１の層から第３の層までの形成操作を４回繰返し
て第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層
No.15（層厚；約1500Å）を形成した。 参考例 15 〔発光層No.16の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で
用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬
した。 次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる
単分子膜の形成操作を３回繰返して前記基板の電
極層上にステアリン酸分子からなる単分子膜が３
層に積層された単分子累積膜を第３の層として形
成させた。なお、水相表面に残つたステアリン酸
は、該水相表面から完全に取り除いた。 次に、このようにして第３の層が形成された電
極基板を、残つたステアリン酸が完全に取り除か
れた水相中に再び浸漬させた後、新たに
10-3mol／の濃度でクロロホルムに溶解した溶
液の0.5mlをこの水相上に展開させ、表面圧を
30dyne／cmに調整し、上記化合物の単分子膜を
水相上に形成させたところで基板を水面を横切る
方向に２cm／minの速度で静かに上下に２往復さ
せ、上記化合物分子からなる単分子膜が４層累積
された単分子累積膜を第２の層として先に形成し
た第１の層上に形成した。次に、この基板を水相
外に引出し、再び30分以上室温で放置して乾燥さ
せた。 以後、このように形成された第２層上に、前記
したステアリン酸からなる単分子膜の形成操作を
２回繰返してステアリン酸からなる単分子膜が２
層累積した第３の層を形成し、更にこれまでの第
１の層から第３の層までの形成操作を４回繰返し
て第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層
No.15（層厚；約1500Å）を形成した。 参考例 15 〔発光層No.16の形成〕 参考例１で用いたのと同様の基板を参考例１で
用いたのと同様の単分子膜形成用の水相中に浸漬
した。 次に、参考例８に於けるステアリン酸からなる
単分子膜の形成操作を３回繰返して前記基板の電
極層上にステアリン酸分子からなる単分子膜が３
層に積層された単分子累積膜を第３の層として形
成させた。なお、水相表面に残つたステアリン酸
は、該水相表面から完全に取り除いた。 次に、このようにして第３の層が形成された電
極基板を、残つたステアリン酸が完全に取り除か
れた水相中に再び浸漬させた後、新たに
【式】と
【式】及び
【式】
を50mol：50mol：1molの割合で、これらの総量
が１×10-3mol／の濃度となるようにクロロホ
ルムに溶解した溶液の0.5mlをこの水相上に展開
させ、表面圧を30dyne／cmに調整し、上記化合
物の単分子膜を水相上に形成させたところで基板
を水面を横切る方向に２cm／minの速度で静かに
上下に２往復させ上記化合物分子からなる単分子
膜が４層累積された単分子累積膜を第１の層とし
て先に形成した第３の層上に形成した。次に、こ
の基板を水相外に引出し、再び30分以上室温で放
置して乾燥させた。 次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内
の所定の位置にセツトし、更に抵抗加熱ボートの
１つにカルバゾール（mp.245℃）を入れ、他の
１つにアントラキノン（mp.286℃）を入れ、該
槽内をまず10-6Torrの真空度まで減圧した後、
アントラキノンの蒸着速度が0.1Å／sec程度にな
るようにアントラキノンの入つたボートに流れる
電流を一定とし、かつカルバゾールとアントラキ
ノンの混合物からなる蒸着層全体の蒸着速度が２
Å／secとなるようにカルバゾールの入つたボー
トに流れる電流を調整し、200Åのカルバゾール
とアントラキノンの混合物からなる蒸着層を第２
の層として先に形成した第１の層上に形成した。
なお、蒸着時に於ける槽内の真空度を９×
10-6Torrに維持し、基板ホルダーの温度は、20
℃とした。 以後、このように形成された第２層上に、前記
したステアリン酸からなる単分子膜の形成操作を
２回繰返してステアリン酸からなる単分子膜が２
層累積した第３の層を形成し、更にこれまでの第
１の層から第３の層までの形成操作を４回繰返し
て第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層
No.16（層厚；約1500Å）を形成した。 参考例 16 〔発光層No.17の形成〕 50mm角のガラス表面上にスパツタリング法によ
り膜厚1500ÅのI.T.O層を形成して透明電極層を
有する発光層形成用の基板とし、更に該層上に膜
厚1000ÅのSiO2膜をスパツタリング法により積
層し第３の層としての絶縁層とした。 この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内の所定
の位置にセツトし、更に抵抗加熱ボート内にトリ
フエニルアミン（mp.127℃）を入れ、該槽内を
まず10-6Torrの真空度まで減圧した後、蒸着速
度が２Å／secとなるように抵抗加熱ボートに流
れる電流を調整し、200Åのトリフエニルアミン
からなる蒸着層を第１の層として、先に基板の透
明電極層上に形成した第３の層上に形成した。な
お、蒸着時に於ける槽内の真空度を９×
10-6Torrに維持し、基板ホルダーの温度は、20
℃とした。 次に、トリフエニルアミンの代りに、アントラ
セン（mp.216℃）を使用し、先の第１の層の形
成と同様にして300Åのアントラセンからなる蒸
着層を第２の層として先に形成した第１の層上に
形成した。 更に、アントラセンの代りに、ステアリン酸メ
チル（mp.38℃）を使用し、先の第１の層の形成
と同様にして300Åのステアリン酸メチルからな
る蒸着層を新たな第３の層として先に形成した第
２の層上に形成した。 以後、上記したトリフエニルアミンからなる第
１の層からステアリン酸メチルからなる第３の層
までの形成操作をもう一度繰返し、第１の層と第
２の層の界面を２つ有する発光層No.17（層厚；約
1800Å）を形成した。 参考例 17 〔発光層No.18の形成〕 参考例１に於いて用いたのと同様の基板の電極
層上に、参考例１と同様にして膜厚1000Åの
SiO2膜をスパツタリング法により積層し第３の
層としての絶縁層とした。 このようにして第３の層を形成した後、電極基
板を、蒸着槽内にセツトしておき、更にアントラ
セン（mp.216℃）の入つたものとアントラキノ
ン（mp.286℃）の入つたものの２つの抵抗加熱
ボートを蒸着槽内にセツトし、該槽内をまず
10-6Torrの真空度まで減圧した後、アントラキ
ノンの蒸着速度が0.1Å／sec程度になるように抵
抗加熱ボートの電流を設定し、かつアントラセン
とアントラキンの混合物からなる蒸着層全体の蒸
着速度が２Å／secとなるようにアントラセノン
の入つた抵抗加熱ボートに流れる電流を調整し、
アントラセンとアントラキノンの混合物からなる
蒸着層を第１の層として先に形成した第３の層と
しての絶縁層上に形成した。なお、蒸着時に於け
る槽内の真空度を９×10-6Torrに維持し、基板
ホルダーの温度は、20℃とした。 更に抵抗加熱ボートの１つをトリフエニルアミ
ン（mp.245℃）の入つたものと交換し、他の１
つもインダゾール（mp.145℃）の入つたものと
交換し、該槽内をまず10-6Torrの真空度まで減
圧した後、インダゾールの蒸着速度が0.1Å／sec
程度になるように抵抗加熱ボートの電流を設定
し、かつトリフエニルアミンとインダゾールの混
合物からなる蒸着層全体の蒸着速度が２Å／sec
となるようにトリフエニルアミンの入つたボート
に流れる電流を調整し、200Åのトリフエニルア
ミンとインダゾールの混合物からなる蒸着層を第
２の層として先に形成した第３の層としての絶縁
層上に形成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真
空度を９×10-6Torrに維持し、この場合の基板
ホルダーの温度も20℃とした。 引続き基板を蒸着槽内にセツトしておき、更に
抵抗加熱ボート内にステアリン酸メチル（mp.38
℃）を入れ、該槽内を10-6Torrの真空度まで減
圧した後、蒸着速度が２Å／secとなるように抵
抗加熱ボートに流れる電流を調整し、200Åのス
テアリン酸メチル層からなる蒸着層を第３の層と
して、先に形成した第２の層上に形成した。な
お、蒸着時に於ける槽内の真空度を９×
10-6Torrに維持し、この場合の基板ホルダーの
温度も20℃とした。 以後、上記した第１の層から第３の層までの形
成操作を４回繰返して第１の層と第２の層の界面
を４つ有する発光層No.18（層厚；約2400Å）を形
成した。 参考例 18 〔発光層No.19の形成〕 参考例１に於いて用いたのと同様の基板の電極
層上に、参考例１と同様にして膜厚1000Åの
SiO2膜をスパツタリング法により積層し第３の
層としての絶縁層とした。 このようにして第３の層を形成した後、電極基
板を、抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内にセツトし、
更にトリフエニルアミン（mp.127℃）の入つた
ものと、アントラキノン（mp.286℃）の入つた
ものの２つの抵抗加熱ボートを蒸着槽内にセツト
し、該槽内をまず10-6Torrの真空度まで減圧し
た後、アントラキノンの蒸着速度が0.1Å／sec程
度になるようにアントラキノンの入つたボートに
流れる電流を一定とし、かつトリフエニルアミン
とアントラキノンの混合物からなる蒸着層全体の
蒸着速度が２Å／secとなるようにトリフエニル
アミンの入つたボートに流れる電流を調整し、
200Åのトリフエニルアミンとアントラキノンの
混合物からなる蒸着層を第１の層として先に形成
した第３の層としての絶縁層上に形成した。な
お、蒸着時に於ける槽内の真空度を９×
10-6Torrに維持し、基板ホルダーの温度は、20
℃とした。 更に抵抗加熱ボートの１つをアントラセン
（mp.216℃）の入つたものと交換し、他の１つも
インダゾール（mp.145℃）の入つたものと交換
し、該槽内をまず10-6Torrの真空度まで減圧し
た後、インダゾールの蒸着速度が0.1Å／sec程度
になるようにイダルの入つた抵抗加熱ボートに流
れる電流を一定とし、かつアントラセンとインダ
ゾールの混合物からなる蒸着層全体の蒸着速度が
２Å／secとなるようにアントラセンの入つたボ
ートに流れる電流を調整し、200Åのアントラセ
ンとインダゾールの混合物からなる蒸着層を第２
の層として先に形成した第３の層としての絶縁層
上に形成した。なお、この場合も、蒸着時に於け
る槽内の真空度を９×10-6Torrに維持し、基板
ホルダーの温度も20℃とした。 引続き基板を蒸着槽内にセツトしておき、更に
抵抗加熱ボート内にステアリン酸メチル（mp.38
℃）を入れ、該槽内を10-6Torrの真空度まで減
圧した後、蒸着速度が２Å／secとなるように抵
抗加熱ボートに流れる電流を調整し、200Åのス
テアリン酸メチル層からなる蒸着層を第３の層と
して、先に形成した第２の層上に形成した。な
お、この場合も、蒸着時に於ける槽内の真空度を
９×10-6Torrに維持し、基板ホルダーの温度も
20℃とした。 以後、上記した第１の層から第３の層までの形
成操作を４回繰返して第１の層と第２の層の界面
を４つ有する発光層No.19（層厚；約2400Å）を形
成した。 実施例 第１図に示した構造の本発明のEL素子の形成
を以下のようにして実施した。 50mm角のガラス表面上にスパツタリング法によ
り膜厚1500ÅのI.T.O層を蒸着して透明電極層１
を形成した。 次に、この透明電極層１上に参考例16〜18に於
いて形成した発光層（No.17〜No.19）のいずれか１
つを発光層４として形成した後、この発光層４の
形成された基板を、真空蒸着装置の蒸着槽内の所
定の位置にセツトし、該槽内を一度１×
10-6Torrの真空度まで減圧した後、該槽内の真
空度を９×10-6Torrに調整し、蒸着速度５Å／
secで50Åの膜厚のAu層を発光層４の最上部に位
置する第３の層上に形成し、半透明電極層３とし
た。 更に、半透明電極層３上にに参考例１〜15に於
いて形成した発光層（No.１〜No.16）のいずれか１
つを単分子膜または単分子累積膜を有する発光層
５として形成した後、この発光層５の形成された
基板を、真空蒸着装置の蒸着槽内の所定の位置に
再びセツトし、該槽内を一度１×10-6Torrの真
空度まで減圧した後、今回は該槽内の真空度を１
×10-5Torrに調整し、蒸着速度20Å／secで1500
Åの膜厚のAl層を発光層５の最上部に位置する
第３の層上に形成し、透明でない背面電極層２と
して発光層No.１〜No.16から選ばれた１つと、発光
層No.17〜No.19から選ばれた１つとを、発光層４と
発光層５として組み合わせて本発明のEL素子を
計48個形成した。 これらの本発明のEL素子のそれぞれを第５図
に示すように、シールガラス５１でシールした
後、常法に従つて精製、脱気及び脱水処理された
シリコンオイル５２をシール中に注入して、EL
セル５０を形成した。 このようなELセルのそれぞれについて、電極
層１，３間及び電極層２，３間に、交流電圧
（20V、400Hz）を印加して、発光させ、発光に於
ける輝度及び電流密度を測定したところ、0.08〜
0.13ｍＡ／cm2の範囲の電流密度及び20〜40ft−Ｌ
の範囲の輝度が測定された。
が１×10-3mol／の濃度となるようにクロロホ
ルムに溶解した溶液の0.5mlをこの水相上に展開
させ、表面圧を30dyne／cmに調整し、上記化合
物の単分子膜を水相上に形成させたところで基板
を水面を横切る方向に２cm／minの速度で静かに
上下に２往復させ上記化合物分子からなる単分子
膜が４層累積された単分子累積膜を第１の層とし
て先に形成した第３の層上に形成した。次に、こ
の基板を水相外に引出し、再び30分以上室温で放
置して乾燥させた。 次に、この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内
の所定の位置にセツトし、更に抵抗加熱ボートの
１つにカルバゾール（mp.245℃）を入れ、他の
１つにアントラキノン（mp.286℃）を入れ、該
槽内をまず10-6Torrの真空度まで減圧した後、
アントラキノンの蒸着速度が0.1Å／sec程度にな
るようにアントラキノンの入つたボートに流れる
電流を一定とし、かつカルバゾールとアントラキ
ノンの混合物からなる蒸着層全体の蒸着速度が２
Å／secとなるようにカルバゾールの入つたボー
トに流れる電流を調整し、200Åのカルバゾール
とアントラキノンの混合物からなる蒸着層を第２
の層として先に形成した第１の層上に形成した。
なお、蒸着時に於ける槽内の真空度を９×
10-6Torrに維持し、基板ホルダーの温度は、20
℃とした。 以後、このように形成された第２層上に、前記
したステアリン酸からなる単分子膜の形成操作を
２回繰返してステアリン酸からなる単分子膜が２
層累積した第３の層を形成し、更にこれまでの第
１の層から第３の層までの形成操作を４回繰返し
て第１の層と第２の層の界面を４つ有する発光層
No.16（層厚；約1500Å）を形成した。 参考例 16 〔発光層No.17の形成〕 50mm角のガラス表面上にスパツタリング法によ
り膜厚1500ÅのI.T.O層を形成して透明電極層を
有する発光層形成用の基板とし、更に該層上に膜
厚1000ÅのSiO2膜をスパツタリング法により積
層し第３の層としての絶縁層とした。 この基板を抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内の所定
の位置にセツトし、更に抵抗加熱ボート内にトリ
フエニルアミン（mp.127℃）を入れ、該槽内を
まず10-6Torrの真空度まで減圧した後、蒸着速
度が２Å／secとなるように抵抗加熱ボートに流
れる電流を調整し、200Åのトリフエニルアミン
からなる蒸着層を第１の層として、先に基板の透
明電極層上に形成した第３の層上に形成した。な
お、蒸着時に於ける槽内の真空度を９×
10-6Torrに維持し、基板ホルダーの温度は、20
℃とした。 次に、トリフエニルアミンの代りに、アントラ
セン（mp.216℃）を使用し、先の第１の層の形
成と同様にして300Åのアントラセンからなる蒸
着層を第２の層として先に形成した第１の層上に
形成した。 更に、アントラセンの代りに、ステアリン酸メ
チル（mp.38℃）を使用し、先の第１の層の形成
と同様にして300Åのステアリン酸メチルからな
る蒸着層を新たな第３の層として先に形成した第
２の層上に形成した。 以後、上記したトリフエニルアミンからなる第
１の層からステアリン酸メチルからなる第３の層
までの形成操作をもう一度繰返し、第１の層と第
２の層の界面を２つ有する発光層No.17（層厚；約
1800Å）を形成した。 参考例 17 〔発光層No.18の形成〕 参考例１に於いて用いたのと同様の基板の電極
層上に、参考例１と同様にして膜厚1000Åの
SiO2膜をスパツタリング法により積層し第３の
層としての絶縁層とした。 このようにして第３の層を形成した後、電極基
板を、蒸着槽内にセツトしておき、更にアントラ
セン（mp.216℃）の入つたものとアントラキノ
ン（mp.286℃）の入つたものの２つの抵抗加熱
ボートを蒸着槽内にセツトし、該槽内をまず
10-6Torrの真空度まで減圧した後、アントラキ
ノンの蒸着速度が0.1Å／sec程度になるように抵
抗加熱ボートの電流を設定し、かつアントラセン
とアントラキンの混合物からなる蒸着層全体の蒸
着速度が２Å／secとなるようにアントラセノン
の入つた抵抗加熱ボートに流れる電流を調整し、
アントラセンとアントラキノンの混合物からなる
蒸着層を第１の層として先に形成した第３の層と
しての絶縁層上に形成した。なお、蒸着時に於け
る槽内の真空度を９×10-6Torrに維持し、基板
ホルダーの温度は、20℃とした。 更に抵抗加熱ボートの１つをトリフエニルアミ
ン（mp.245℃）の入つたものと交換し、他の１
つもインダゾール（mp.145℃）の入つたものと
交換し、該槽内をまず10-6Torrの真空度まで減
圧した後、インダゾールの蒸着速度が0.1Å／sec
程度になるように抵抗加熱ボートの電流を設定
し、かつトリフエニルアミンとインダゾールの混
合物からなる蒸着層全体の蒸着速度が２Å／sec
となるようにトリフエニルアミンの入つたボート
に流れる電流を調整し、200Åのトリフエニルア
ミンとインダゾールの混合物からなる蒸着層を第
２の層として先に形成した第３の層としての絶縁
層上に形成した。なお、蒸着時に於ける槽内の真
空度を９×10-6Torrに維持し、この場合の基板
ホルダーの温度も20℃とした。 引続き基板を蒸着槽内にセツトしておき、更に
抵抗加熱ボート内にステアリン酸メチル（mp.38
℃）を入れ、該槽内を10-6Torrの真空度まで減
圧した後、蒸着速度が２Å／secとなるように抵
抗加熱ボートに流れる電流を調整し、200Åのス
テアリン酸メチル層からなる蒸着層を第３の層と
して、先に形成した第２の層上に形成した。な
お、蒸着時に於ける槽内の真空度を９×
10-6Torrに維持し、この場合の基板ホルダーの
温度も20℃とした。 以後、上記した第１の層から第３の層までの形
成操作を４回繰返して第１の層と第２の層の界面
を４つ有する発光層No.18（層厚；約2400Å）を形
成した。 参考例 18 〔発光層No.19の形成〕 参考例１に於いて用いたのと同様の基板の電極
層上に、参考例１と同様にして膜厚1000Åの
SiO2膜をスパツタリング法により積層し第３の
層としての絶縁層とした。 このようにして第３の層を形成した後、電極基
板を、抵抗加熱蒸着装置の蒸着槽内にセツトし、
更にトリフエニルアミン（mp.127℃）の入つた
ものと、アントラキノン（mp.286℃）の入つた
ものの２つの抵抗加熱ボートを蒸着槽内にセツト
し、該槽内をまず10-6Torrの真空度まで減圧し
た後、アントラキノンの蒸着速度が0.1Å／sec程
度になるようにアントラキノンの入つたボートに
流れる電流を一定とし、かつトリフエニルアミン
とアントラキノンの混合物からなる蒸着層全体の
蒸着速度が２Å／secとなるようにトリフエニル
アミンの入つたボートに流れる電流を調整し、
200Åのトリフエニルアミンとアントラキノンの
混合物からなる蒸着層を第１の層として先に形成
した第３の層としての絶縁層上に形成した。な
お、蒸着時に於ける槽内の真空度を９×
10-6Torrに維持し、基板ホルダーの温度は、20
℃とした。 更に抵抗加熱ボートの１つをアントラセン
（mp.216℃）の入つたものと交換し、他の１つも
インダゾール（mp.145℃）の入つたものと交換
し、該槽内をまず10-6Torrの真空度まで減圧し
た後、インダゾールの蒸着速度が0.1Å／sec程度
になるようにイダルの入つた抵抗加熱ボートに流
れる電流を一定とし、かつアントラセンとインダ
ゾールの混合物からなる蒸着層全体の蒸着速度が
２Å／secとなるようにアントラセンの入つたボ
ートに流れる電流を調整し、200Åのアントラセ
ンとインダゾールの混合物からなる蒸着層を第２
の層として先に形成した第３の層としての絶縁層
上に形成した。なお、この場合も、蒸着時に於け
る槽内の真空度を９×10-6Torrに維持し、基板
ホルダーの温度も20℃とした。 引続き基板を蒸着槽内にセツトしておき、更に
抵抗加熱ボート内にステアリン酸メチル（mp.38
℃）を入れ、該槽内を10-6Torrの真空度まで減
圧した後、蒸着速度が２Å／secとなるように抵
抗加熱ボートに流れる電流を調整し、200Åのス
テアリン酸メチル層からなる蒸着層を第３の層と
して、先に形成した第２の層上に形成した。な
お、この場合も、蒸着時に於ける槽内の真空度を
９×10-6Torrに維持し、基板ホルダーの温度も
20℃とした。 以後、上記した第１の層から第３の層までの形
成操作を４回繰返して第１の層と第２の層の界面
を４つ有する発光層No.19（層厚；約2400Å）を形
成した。 実施例 第１図に示した構造の本発明のEL素子の形成
を以下のようにして実施した。 50mm角のガラス表面上にスパツタリング法によ
り膜厚1500ÅのI.T.O層を蒸着して透明電極層１
を形成した。 次に、この透明電極層１上に参考例16〜18に於
いて形成した発光層（No.17〜No.19）のいずれか１
つを発光層４として形成した後、この発光層４の
形成された基板を、真空蒸着装置の蒸着槽内の所
定の位置にセツトし、該槽内を一度１×
10-6Torrの真空度まで減圧した後、該槽内の真
空度を９×10-6Torrに調整し、蒸着速度５Å／
secで50Åの膜厚のAu層を発光層４の最上部に位
置する第３の層上に形成し、半透明電極層３とし
た。 更に、半透明電極層３上にに参考例１〜15に於
いて形成した発光層（No.１〜No.16）のいずれか１
つを単分子膜または単分子累積膜を有する発光層
５として形成した後、この発光層５の形成された
基板を、真空蒸着装置の蒸着槽内の所定の位置に
再びセツトし、該槽内を一度１×10-6Torrの真
空度まで減圧した後、今回は該槽内の真空度を１
×10-5Torrに調整し、蒸着速度20Å／secで1500
Åの膜厚のAl層を発光層５の最上部に位置する
第３の層上に形成し、透明でない背面電極層２と
して発光層No.１〜No.16から選ばれた１つと、発光
層No.17〜No.19から選ばれた１つとを、発光層４と
発光層５として組み合わせて本発明のEL素子を
計48個形成した。 これらの本発明のEL素子のそれぞれを第５図
に示すように、シールガラス５１でシールした
後、常法に従つて精製、脱気及び脱水処理された
シリコンオイル５２をシール中に注入して、EL
セル５０を形成した。 このようなELセルのそれぞれについて、電極
層１，３間及び電極層２，３間に、交流電圧
（20V、400Hz）を印加して、発光させ、発光に於
ける輝度及び電流密度を測定したところ、0.08〜
0.13ｍＡ／cm2の範囲の電流密度及び20〜40ft−Ｌ
の範囲の輝度が測定された。
第１図は本発明のEL素子の模式的断面図、第
２図は本発明のEL素子の有する発光層の一例の
模式的断面図、第３図は単分子膜形成用化合物の
分子構造の模式図、第４図は本発明のEL素子の
有する第１の層と第２の層の界面に於ける分子の
配列の一例を示す模式図、第５図は本発明EL素
子の組み込まれたELセルの模式的断面図である。 １：透明電極層、３：透明または半透明な電極
層、２：電極層、４，５：発光層、２１−１，２
１−２：第１の層、２２−１，２２−２：第２の
層、２３−１，２３−２，２３−３：第３の層、
２４−１，２４−２：界面、３１，３１′：機能
性部分、３２，３２′：親水性部分、３３，３
３′：疎水性部分、５０：EL素子、５１：ガラス
シール、５２：シリコンオイル、５３：ELセル。
２図は本発明のEL素子の有する発光層の一例の
模式的断面図、第３図は単分子膜形成用化合物の
分子構造の模式図、第４図は本発明のEL素子の
有する第１の層と第２の層の界面に於ける分子の
配列の一例を示す模式図、第５図は本発明EL素
子の組み込まれたELセルの模式的断面図である。 １：透明電極層、３：透明または半透明な電極
層、２：電極層、４，５：発光層、２１−１，２
１−２：第１の層、２２−１，２２−２：第２の
層、２３−１，２３−２，２３−３：第３の層、
２４−１，２４−２：界面、３１，３１′：機能
性部分、３２，３２′：親水性部分、３３，３
３′：疎水性部分、５０：EL素子、５１：ガラス
シール、５２：シリコンオイル、５３：ELセル。
Claims (1)
- １ 少なくとも一方が透明である２つの電極層
と、これら２つの電極層間に設けられた、２つの
発光層と、これら２つの発光層間に設けられた透
明または半透明な電極層とを有してなる３端子電
界発光素子であつて、前記発光層の少なくともい
ずれか一方が、相対的に電子受容性を示す有機化
合物を含む第１の層と、相対的に電子供与性を示
す有機化合物を含む第２の層と、電気絶縁性を有
する第３の層とを有し、これらの層が、前記電極
層の一方から他方に向かつて前記第３の層上に前
記第１の層、第２の層及び第３の層がこの順に２
回以上繰り返されて積層されており、更にこれら
第１の層、第２の層及び第３の層の少なくともい
ずれか一層が、単分子膜または単分子累積膜から
なるものであることを特徴とする３端子電界発光
素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59158826A JPS6137883A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 電界発光素子 |
| US07/020,173 US4741976A (en) | 1984-07-31 | 1987-02-27 | Electroluminescent device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59158826A JPS6137883A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 電界発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6137883A JPS6137883A (ja) | 1986-02-22 |
| JPH0446312B2 true JPH0446312B2 (ja) | 1992-07-29 |
Family
ID=15680222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59158826A Granted JPS6137883A (ja) | 1984-07-31 | 1984-07-31 | 電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6137883A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107230494A (zh) * | 2016-03-23 | 2017-10-03 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 在固态环境下调控荧光材料发光性能的方法及全固态电写入光读出存储单元 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4142782B2 (ja) | 1998-06-26 | 2008-09-03 | Ｔｄｋ株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| US6338908B1 (en) | 1998-06-26 | 2002-01-15 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent device |
| JP2000100575A (ja) | 1998-07-24 | 2000-04-07 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子 |
| KR20060126460A (ko) * | 2003-11-03 | 2006-12-07 | 바이엘(스위스) 아게 | 전계발광 시스템 |
| EP1836001A4 (en) * | 2004-12-30 | 2009-08-05 | Du Pont | ORGANIC ELECTRONIC DEVICES AND ASSOCIATED METHODS |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1572181A (en) * | 1975-08-18 | 1980-07-23 | Ici Ltd | Device comprising a thin film of organic materila |
| US4356429A (en) * | 1980-07-17 | 1982-10-26 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent cell |
| JPS589190A (ja) * | 1981-07-10 | 1983-01-19 | 日本電信電話株式会社 | 多色表示薄膜エレクトロルミネセンス素子 |
-
1984
- 1984-07-31 JP JP59158826A patent/JPS6137883A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107230494A (zh) * | 2016-03-23 | 2017-10-03 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 在固态环境下调控荧光材料发光性能的方法及全固态电写入光读出存储单元 |
| CN107230494B (zh) * | 2016-03-23 | 2020-05-08 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 在固态环境下调控荧光材料发光性能的方法及全固态电写入光读出存储单元 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6137883A (ja) | 1986-02-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |