JPH0447511A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0447511A JPH0447511A JP15954690A JP15954690A JPH0447511A JP H0447511 A JPH0447511 A JP H0447511A JP 15954690 A JP15954690 A JP 15954690A JP 15954690 A JP15954690 A JP 15954690A JP H0447511 A JPH0447511 A JP H0447511A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- transformer
- thin film
- film magnetic
- magnetoresistive
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気抵抗効果素子を使用し、磁気記録媒体に
より発生される信号磁界を電気抵抗の変化として検出す
るようにした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関するも
のである。
より発生される信号磁界を電気抵抗の変化として検出す
るようにした磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関するも
のである。
従来、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、磁気記
録媒体により発生される信号磁界は磁気抵抗効果素子（
ＭＲ素子）の抵抗変化として、検出されている。この抵
抗変化は、第４図に示すように、定電流電源１２から定
電流■。をＭＲ素子１１に供給し、抵抗変化を電圧変化
に変換させることにより検出される。このとき、端子電
圧には信号電圧に比して著しく大きな直流電圧成分も含
まれているため、通常、コンデンサ１３で直流成分をカ
ットした後、増幅器１４により増幅し出力する。
録媒体により発生される信号磁界は磁気抵抗効果素子（
ＭＲ素子）の抵抗変化として、検出されている。この抵
抗変化は、第４図に示すように、定電流電源１２から定
電流■。をＭＲ素子１１に供給し、抵抗変化を電圧変化
に変換させることにより検出される。このとき、端子電
圧には信号電圧に比して著しく大きな直流電圧成分も含
まれているため、通常、コンデンサ１３で直流成分をカ
ットした後、増幅器１４により増幅し出力する。
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは磁束応答型のヘッドで
あることから、特に低周波領域において、巻線型の薄膜
磁気ヘッドより有利なものとみなされている。また、磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは巻線型薄膜磁気ヘッドに
比して、トラック当たりの寸法を小さくすることができ
ることから、多トラツク化に適している。
あることから、特に低周波領域において、巻線型の薄膜
磁気ヘッドより有利なものとみなされている。また、磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは巻線型薄膜磁気ヘッドに
比して、トラック当たりの寸法を小さくすることができ
ることから、多トラツク化に適している。
ところが、多トラツク型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドを構成する場合には、比較的低周波領域の信号電圧を
含むため、直流成分カット用のコンデンサ１３が比較的
大きくなる。しかもトラ・ツク数に応した個数のコンデ
ンサ１３が必要なため、通常コンデンサ１３と増幅器１
４は磁気ヘッドのＭＲ素子を含むチップ部分とは別個に
構成され、両者間をフレキシブルプリント配線板（ＦＰ
Ｃ）等で接続することになる。しかしながらこのような
構成では、ＦＰＣ上を非常に微弱な信号電圧が伝達する
ため外乱に対して弱く、飛び込みノイズの影響が著しく
大きくなり、Ｓ／Ｎ比が減少するという問題点を有して
いる。
ドを構成する場合には、比較的低周波領域の信号電圧を
含むため、直流成分カット用のコンデンサ１３が比較的
大きくなる。しかもトラ・ツク数に応した個数のコンデ
ンサ１３が必要なため、通常コンデンサ１３と増幅器１
４は磁気ヘッドのＭＲ素子を含むチップ部分とは別個に
構成され、両者間をフレキシブルプリント配線板（ＦＰ
Ｃ）等で接続することになる。しかしながらこのような
構成では、ＦＰＣ上を非常に微弱な信号電圧が伝達する
ため外乱に対して弱く、飛び込みノイズの影響が著しく
大きくなり、Ｓ／Ｎ比が減少するという問題点を有して
いる。
本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、上記の
課題を解決するために、磁気記録媒体から発生する信号
磁界を抵抗変化として出力する磁気抵抗効果素子と、該
磁気抵抗効果素子から出力される抵抗変化に伴う電流変
化を検出するトランスとを含むことを特徴としている。
課題を解決するために、磁気記録媒体から発生する信号
磁界を抵抗変化として出力する磁気抵抗効果素子と、該
磁気抵抗効果素子から出力される抵抗変化に伴う電流変
化を検出するトランスとを含むことを特徴としている。
上記の構成によれば、磁気記録媒体から発生する信号磁
界は、磁気抵抗効果型薄膜磁気へ、ンドにおいて、磁気
抵抗効果素子により抵抗変化として出力される。そして
、この抵抗変化は、磁気抵抗効果素子に接続されたトラ
ンスにより電流変化に変換され、検出される。
界は、磁気抵抗効果型薄膜磁気へ、ンドにおいて、磁気
抵抗効果素子により抵抗変化として出力される。そして
、この抵抗変化は、磁気抵抗効果素子に接続されたトラ
ンスにより電流変化に変換され、検出される。
このとき、トランスは従来使用されていたコンデンサに
比べてその容積を小さくすることができるため、特に多
トラツク型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの場合は、
磁気抵抗効果素子と増幅器との一体化が可能となる。従
って、磁気抵抗効果素子と増幅器との間に生じるノイズ
が減少する。
比べてその容積を小さくすることができるため、特に多
トラツク型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの場合は、
磁気抵抗効果素子と増幅器との一体化が可能となる。従
って、磁気抵抗効果素子と増幅器との間に生じるノイズ
が減少する。
また、磁気抵抗効果素子を含むヘッドチップを形成する
際に、磁気抵抗効果素子とともにトランスをヘッドチッ
プに組み込んで形成することができる。その結果、さら
にノイズを減少させることができる。
際に、磁気抵抗効果素子とともにトランスをヘッドチッ
プに組み込んで形成することができる。その結果、さら
にノイズを減少させることができる。
〔実施例１〕
本発明の一実施例を第１図及び第２図を用いて説明する
と以下の通りである。
と以下の通りである。
本実施例に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、第１
図（ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ
素子と称する）１と直列にトランス２の一次側巻線が接
続され、このトランス２の二次巻線側に増幅器３が接続
された構成である。
図（ａ）に示すように、磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ
素子と称する）１と直列にトランス２の一次側巻線が接
続され、このトランス２の二次巻線側に増幅器３が接続
された構成である。
上記の構成において、磁気記録媒体からの信号磁界を検
出する際には、ＭＲ素子１及びトランス２の一次巻線側
の両端に定電圧を印加する。そして、ＭＲ素子１に抵抗
変化が生じるとトランス２の一次巻線に流れる電流が変
化し、この電流変化により二次側巻線端子に電圧変化が
生じる。更に、この電圧変化を増幅器３により増幅する
ことでＭＲ素子１の抵抗変化、即ち図示しない磁気記録
媒体からの信号磁界に対応する信号電圧が得られる。
出する際には、ＭＲ素子１及びトランス２の一次巻線側
の両端に定電圧を印加する。そして、ＭＲ素子１に抵抗
変化が生じるとトランス２の一次巻線に流れる電流が変
化し、この電流変化により二次側巻線端子に電圧変化が
生じる。更に、この電圧変化を増幅器３により増幅する
ことでＭＲ素子１の抵抗変化、即ち図示しない磁気記録
媒体からの信号磁界に対応する信号電圧が得られる。
尚、上記の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ素子
１とトランス２との配置を換えて、第１図（ｂ）に示す
ような構成にすることもできる。
１とトランス２との配置を換えて、第１図（ｂ）に示す
ような構成にすることもできる。
ここで、多トラツク型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の製造方法を、第２図を用いて以下に説明する。
の製造方法を、第２図を用いて以下に説明する。
先ず、図示しない複数のＭＲ素子が設けられたウェハー
から、第２図（ａ）に示す、所定のトラック数に対応す
る数のＭＲ素子が設けられたヘッドチップ４が加工され
る。
から、第２図（ａ）に示す、所定のトラック数に対応す
る数のＭＲ素子が設けられたヘッドチップ４が加工され
る。
一方、第２図（ｂ）に示すように、チップ支持台５上に
は上記ＭＲ素子と同じ個数のトランス２・・・と増幅器
となる増幅用１’ Ｃ６が表面実装されている。
は上記ＭＲ素子と同じ個数のトランス２・・・と増幅器
となる増幅用１’ Ｃ６が表面実装されている。
そして、第２図（Ｃ）に示すように、上記のチップ支持
台５にヘッドチップ４とＦＰＣ７とを接着し、各々をワ
イヤーボンディング等で電気的に接続した後、第２図（
ｄ）に示すように、樹脂８を用いて上記トランス２・・
・及び増幅用ＩＣ６等をモールドすることによって、磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを得る。尚、トランス２・
・・は１個ずつ支持台上に実装する例を示したが、それ
以外にトラック数に対応する個数のトランス２・・・が
一体化されたものを使用することもできる。
台５にヘッドチップ４とＦＰＣ７とを接着し、各々をワ
イヤーボンディング等で電気的に接続した後、第２図（
ｄ）に示すように、樹脂８を用いて上記トランス２・・
・及び増幅用ＩＣ６等をモールドすることによって、磁
気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドを得る。尚、トランス２・
・・は１個ずつ支持台上に実装する例を示したが、それ
以外にトラック数に対応する個数のトランス２・・・が
一体化されたものを使用することもできる。
〔実施例２〕
本発明の他の実施例を、第１図及び第３図を用いて説明
すると以下の通りである。尚、説明の便室上、前記実施
例の図面に示した部材と同一の機能を有する部材には同
一の符号を付記し、その説明を省略する。
すると以下の通りである。尚、説明の便室上、前記実施
例の図面に示した部材と同一の機能を有する部材には同
一の符号を付記し、その説明を省略する。
本実施例の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは基本的に、
第１図に示す前記の実施例と同様の構成である。この磁
気ヘッドの製造方法を第３図を用いて以下に説明する。
第１図に示す前記の実施例と同様の構成である。この磁
気ヘッドの製造方法を第３図を用いて以下に説明する。
先ず、複数のＭＲ素子及びこのＭＲ素子の数に対応する
個数のトランス２・・・が一体的に形成されたウェハー
から、第３図（ａ）に示す、所定のトラック数に対応す
る個数のＭＲ素子及びトランス２・・・が設けられたヘ
ッドチップ９が加工される。
個数のトランス２・・・が一体的に形成されたウェハー
から、第３図（ａ）に示す、所定のトラック数に対応す
る個数のＭＲ素子及びトランス２・・・が設けられたヘ
ッドチップ９が加工される。
一方、第３図（ｂ）に示すように、チップ支持台１０上
には増幅用ＩＣ６が表面実装されている。
には増幅用ＩＣ６が表面実装されている。
そして、第３図（Ｃ）に示すように、上記のチップ支持
台１０にヘッドチップ９とＦＰＣ７とを接着し、各々を
ワイヤーボンディング等で電気的に接続した後、第３図
（ｄ）に示すように、樹脂８を用いて上記トランス２及
び増幅用ＩＣ等をモールドすることによって、磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドを得る。
台１０にヘッドチップ９とＦＰＣ７とを接着し、各々を
ワイヤーボンディング等で電気的に接続した後、第３図
（ｄ）に示すように、樹脂８を用いて上記トランス２及
び増幅用ＩＣ等をモールドすることによって、磁気抵抗
効果型薄膜磁気ヘッドを得る。
尚、上記実施例１及び実施例２において、トランス２の
１次側巻線数よりも２次側巻線数を多（することにより
電圧増幅の機能を持たせることも可能となる。さらに、
チップ支持台５・１０上にはそれぞれ増幅用ＩＣ６まで
しか実装されていないが、並列処理を時系列処理に変換
するためのマルチプレクサ一部までチップ支持台５・１
０上に実装することも可能である。この場合、チップ支
持台５・１０に接続される各々のＦＰＣ７・７の線数を
著しく少なくできるという利点がある。
１次側巻線数よりも２次側巻線数を多（することにより
電圧増幅の機能を持たせることも可能となる。さらに、
チップ支持台５・１０上にはそれぞれ増幅用ＩＣ６まで
しか実装されていないが、並列処理を時系列処理に変換
するためのマルチプレクサ一部までチップ支持台５・１
０上に実装することも可能である。この場合、チップ支
持台５・１０に接続される各々のＦＰＣ７・７の線数を
著しく少なくできるという利点がある。
〔発明の効果］
本発明に係る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドは、以上の
ように、磁気記録媒体から発生する信号磁界を抵抗変化
として出力する磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素
子から出力される抵抗変化に伴う電流変化を検出するト
ランスとを含む構成である。
ように、磁気記録媒体から発生する信号磁界を抵抗変化
として出力する磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素
子から出力される抵抗変化に伴う電流変化を検出するト
ランスとを含む構成である。
このとき、トランスは従来使用されていたコンデンサに
比べてその容積を小さくすることができるため、特に多
トラツク型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの場合は、
磁気抵抗効果素子と増幅器との一体化が可能となる。従
って、磁気抵抗効果素子と増幅器との間に生じるノイズ
が著しく減少するという効果を奏する。
比べてその容積を小さくすることができるため、特に多
トラツク型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの場合は、
磁気抵抗効果素子と増幅器との一体化が可能となる。従
って、磁気抵抗効果素子と増幅器との間に生じるノイズ
が著しく減少するという効果を奏する。
また、磁気抵抗効果素子を含むヘッドチップを形成する
際に、磁気抵抗効果素子とともにトランスをヘッドチッ
プに組み込んで形成することができる。その結果、さら
にノイズを減少させることができ、磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドのＳ／Ｎ比を向上させ、高品質の磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドを得ることができるという効果も奏
する。
際に、磁気抵抗効果素子とともにトランスをヘッドチッ
プに組み込んで形成することができる。その結果、さら
にノイズを減少させることができ、磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッドのＳ／Ｎ比を向上させ、高品質の磁気抵抗効
果型薄膜磁気ヘッドを得ることができるという効果も奏
する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示すものである
。 第１図（ａ）（ｂ）は、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の構成を示す回路図である。 第２図（ａ）〜（ｄ）は、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す斜視図である。 第３図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の他の実施例を示すも
のであって、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造工程
を示す斜視図である。 第゛４図は、従来例を示すものであって、磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドの構成を示す回路図である。 １は磁気抵抗効果素子、２はトランスである。 特許出願人 シャープ 株式会社第 図（ａ） 第 図（ｂ） 第 １！！（Ｃ） 第 図（ｄ） 第 図（ａ） 第 図（ｂ） ］○ 第 ｆ！！（Ｃ） 第 図（ｄ） 第 図 ｃ
。 第１図（ａ）（ｂ）は、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
の構成を示す回路図である。 第２図（ａ）〜（ｄ）は、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示す斜視図である。 第３図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の他の実施例を示すも
のであって、磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造工程
を示す斜視図である。 第゛４図は、従来例を示すものであって、磁気抵抗効果
型薄膜磁気ヘッドの構成を示す回路図である。 １は磁気抵抗効果素子、２はトランスである。 特許出願人 シャープ 株式会社第 図（ａ） 第 図（ｂ） 第 １！！（Ｃ） 第 図（ｄ） 第 図（ａ） 第 図（ｂ） ］○ 第 ｆ！！（Ｃ） 第 図（ｄ） 第 図 ｃ
Claims (1)
- １、磁気記録媒体から発生する信号磁界を抵抗変化とし
て出力する磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子か
ら出力される抵抗変化に伴う電流変化を検出するトラン
スとを含む磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15954690A JPH0447511A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15954690A JPH0447511A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0447511A true JPH0447511A (ja) | 1992-02-17 |
Family
ID=15696115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15954690A Pending JPH0447511A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0447511A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0789352A1 (en) * | 1996-01-11 | 1997-08-13 | Quantum Corporation | Flex circuit head module within a tape drive |
| US6400529B1 (en) | 1999-07-02 | 2002-06-04 | Fujitsu Limited | Integrated circuit chip supporting and electrically connecting a head slider |
| US6714383B2 (en) * | 1999-12-24 | 2004-03-30 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk apparatus |
| US6885522B1 (en) * | 1999-05-28 | 2005-04-26 | Fujitsu Limited | Head assembly having integrated circuit chip covered by layer which prevents foreign particle generation |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP15954690A patent/JPH0447511A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0789352A1 (en) * | 1996-01-11 | 1997-08-13 | Quantum Corporation | Flex circuit head module within a tape drive |
| US6885522B1 (en) * | 1999-05-28 | 2005-04-26 | Fujitsu Limited | Head assembly having integrated circuit chip covered by layer which prevents foreign particle generation |
| US7347347B2 (en) | 1999-05-28 | 2008-03-25 | Fujitsu Limited | Head assembly, disk unit, and bonding method and apparatus |
| US6400529B1 (en) | 1999-07-02 | 2002-06-04 | Fujitsu Limited | Integrated circuit chip supporting and electrically connecting a head slider |
| US6714383B2 (en) * | 1999-12-24 | 2004-03-30 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disk apparatus |
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