JPH0447538A - 情報記録媒体 - Google Patents
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- JPH0447538A JPH0447538A JP2155235A JP15523590A JPH0447538A JP H0447538 A JPH0447538 A JP H0447538A JP 2155235 A JP2155235 A JP 2155235A JP 15523590 A JP15523590 A JP 15523590A JP H0447538 A JPH0447538 A JP H0447538A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明はレーザ光等の記録用光エネルギービームによっ
て、たとえば映像や音声などのアナコグ信号をＦＭ変調
したものや、たとえば電子計算機のデータや、ファクシ
ミリ信号やディジタルオーディオ信号などのディジタル
情報を、リアルタイムで記録することが可能な情報記録
媒体に関するものである。
て、たとえば映像や音声などのアナコグ信号をＦＭ変調
したものや、たとえば電子計算機のデータや、ファクシ
ミリ信号やディジタルオーディオ信号などのディジタル
情報を、リアルタイムで記録することが可能な情報記録
媒体に関するものである。
レーザ光等の光エネルギービームを照射し、記録層に凹
部または孔部を形成して記録を行なう情報記録媒体では
、従来は、記録層を１層のみ有している。上記従来構造
の情報記録媒体は、基板、下地層、１層の記録層から成
っている。基板には、フォトボリメリゼーション′法（
２Ｐ法）でトラッキング用の案内溝を有する紫外線硬化
樹脂層を形成したガラス円板または、アクリル樹脂等の
プラスチック円板及び射出成形で案内溝を形成したポリ
カーボネート、アクリル樹脂、ポリオレフィン等のプラ
スチック円板を用いている。下地層にはニトロセルロー
ス、アセチルセルロース、銅フタロシアニン等の溶媒可
溶性樹脂、及びフッ素樹脂等のスパッタリグ可能な樹脂
を用いている。記録層には、Ｔｅを主成分とする薄膜を
用いている。 下地層に関しては特開昭５７−５５５４４号に、また、
記録層組成に関しては、特開昭５７−６６９９６号に説
明されている。 また、従来１層であった記録膜を多層化した情報記録媒
体に、波長の異なるレーザ光や焦点深度の異なるレーザ
光を照射して、多重記録を行い高密度化することが知ら
れている。波長の異なるレーザ光を用いる情報記録媒体
に関しては、「化学と工業、第４２巻（１９８９）２０
２６Ｊに説明されており、焦点深度の異なるレーザ光を
用いる情報記録媒体に関しては特開昭５９−２１０５４
３号に説明されている。
部または孔部を形成して記録を行なう情報記録媒体では
、従来は、記録層を１層のみ有している。上記従来構造
の情報記録媒体は、基板、下地層、１層の記録層から成
っている。基板には、フォトボリメリゼーション′法（
２Ｐ法）でトラッキング用の案内溝を有する紫外線硬化
樹脂層を形成したガラス円板または、アクリル樹脂等の
プラスチック円板及び射出成形で案内溝を形成したポリ
カーボネート、アクリル樹脂、ポリオレフィン等のプラ
スチック円板を用いている。下地層にはニトロセルロー
ス、アセチルセルロース、銅フタロシアニン等の溶媒可
溶性樹脂、及びフッ素樹脂等のスパッタリグ可能な樹脂
を用いている。記録層には、Ｔｅを主成分とする薄膜を
用いている。 下地層に関しては特開昭５７−５５５４４号に、また、
記録層組成に関しては、特開昭５７−６６９９６号に説
明されている。 また、従来１層であった記録膜を多層化した情報記録媒
体に、波長の異なるレーザ光や焦点深度の異なるレーザ
光を照射して、多重記録を行い高密度化することが知ら
れている。波長の異なるレーザ光を用いる情報記録媒体
に関しては、「化学と工業、第４２巻（１９８９）２０
２６Ｊに説明されており、焦点深度の異なるレーザ光を
用いる情報記録媒体に関しては特開昭５９−２１０５４
３号に説明されている。
しかしながら、上記従来技術に示された情報記録媒体で
は、１つの波長のレーザ光に対して“０″“１″の２値
記録となっている。そこで、高密度記録として、３値以
上の多値記録、２重以上の多重記録を行なうためには、
８３０ｎｍ、７８０ｍｎ等の波長の異なる２個以上のレ
ーザ光や、焦点深度の異なるレーザ光が必要であった。 従って、上記従来技術の情報記録媒体を用いた場合、多
値記録を行なうための情報記録媒体駆動装置のコストが
高くなでしまうという欠点があった。 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を無くし、１個の
レーザ光源を持つ安価な情報記録媒体駆動装置で多値記
録が行なえ、かつ、記録・再生特性が良好で、安定性の
良い、高密度記録に適した情報記録媒体を提供すること
にある。 ［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、本発明の情報記録媒体に
おいては、光エネルギービームの照射を受けて情報が記
録される、少なくとも２層の記録層で構成し、上記記録
層の間に隣接して、透明有機物層を設けた。上記記録層
は光エネルギービームの照射を受けて孔、凹部または凸
部を形成するものまたは、光学定数が変化するもので構
成した。 孔、凹部または凸部を形成する記録層としては、Ｔｅ系
、Ｓｅ系、Ｂｉ系等の無機物を用いてもよいし、色素系
の有機物を用いてもよい。光学定数が変化する記録層と
しては、結晶、非晶質間の相変化を利用したものでもよ
いし、合金形成を利用したものでもよい。 本発明の情報記録媒体において構成された２層以上の記
録層のうち、基板と反対側の記録層が光エネルギービー
ムの照射を受けて孔を形成するものからなることが好ま
しい。上記孔形成型記録層の組成としては、Ｔｅを含有
しているＴｅ−３ｅ系、Ｔｅ−Ｃ系等が好ましい。上記
透明有機物層は上記基板と反対側の孔形成記録層の融点
以下の温度で融解、蒸発、分解または昇華等の熱的変形
を生ずる化合物または上記化合物と有機物樹脂との混合
物からなることが好ましい。上記熱的変形を生ずる化合
物の成分としては、ニトロセルロース、ポリビニルアル
コール、ニトロ化ポリビニルアルコール、ポリビニルア
ルコールとアジ化バリウムの混合物、ポリメチルペンテ
ンスルホン（ＰＭＰＳ） 、ポリテトラフルオロエチレ
ン、グアニン、炭化水素のプラズマ重合体から選ばれた
少なくとも１種類の化合物を用いることが好ましい。 本発明の情報記録媒体はディスク状としてばかりでなく
、テープ状、カード状等の他の形態でも使用可能である
。
は、１つの波長のレーザ光に対して“０″“１″の２値
記録となっている。そこで、高密度記録として、３値以
上の多値記録、２重以上の多重記録を行なうためには、
８３０ｎｍ、７８０ｍｎ等の波長の異なる２個以上のレ
ーザ光や、焦点深度の異なるレーザ光が必要であった。 従って、上記従来技術の情報記録媒体を用いた場合、多
値記録を行なうための情報記録媒体駆動装置のコストが
高くなでしまうという欠点があった。 本発明の目的は、上記従来技術の欠点を無くし、１個の
レーザ光源を持つ安価な情報記録媒体駆動装置で多値記
録が行なえ、かつ、記録・再生特性が良好で、安定性の
良い、高密度記録に適した情報記録媒体を提供すること
にある。 ［課題を解決するための手段］ 上記の目的を達成するために、本発明の情報記録媒体に
おいては、光エネルギービームの照射を受けて情報が記
録される、少なくとも２層の記録層で構成し、上記記録
層の間に隣接して、透明有機物層を設けた。上記記録層
は光エネルギービームの照射を受けて孔、凹部または凸
部を形成するものまたは、光学定数が変化するもので構
成した。 孔、凹部または凸部を形成する記録層としては、Ｔｅ系
、Ｓｅ系、Ｂｉ系等の無機物を用いてもよいし、色素系
の有機物を用いてもよい。光学定数が変化する記録層と
しては、結晶、非晶質間の相変化を利用したものでもよ
いし、合金形成を利用したものでもよい。 本発明の情報記録媒体において構成された２層以上の記
録層のうち、基板と反対側の記録層が光エネルギービー
ムの照射を受けて孔を形成するものからなることが好ま
しい。上記孔形成型記録層の組成としては、Ｔｅを含有
しているＴｅ−３ｅ系、Ｔｅ−Ｃ系等が好ましい。上記
透明有機物層は上記基板と反対側の孔形成記録層の融点
以下の温度で融解、蒸発、分解または昇華等の熱的変形
を生ずる化合物または上記化合物と有機物樹脂との混合
物からなることが好ましい。上記熱的変形を生ずる化合
物の成分としては、ニトロセルロース、ポリビニルアル
コール、ニトロ化ポリビニルアルコール、ポリビニルア
ルコールとアジ化バリウムの混合物、ポリメチルペンテ
ンスルホン（ＰＭＰＳ） 、ポリテトラフルオロエチレ
ン、グアニン、炭化水素のプラズマ重合体から選ばれた
少なくとも１種類の化合物を用いることが好ましい。 本発明の情報記録媒体はディスク状としてばかりでなく
、テープ状、カード状等の他の形態でも使用可能である
。
本発明の情報記録媒体を用いると、例えば、低パワーの
記録光照射時には基板と反対側の記録層のみに記録孔が
形成され、高パワーの記録光照射時には基板側の記録層
から記録孔が形成されるか、基板側の記録層で合金形成
により記録点が形成されるか、または基板側の記録層で
相変化により記録点が形成される。また、例えば、低パ
ワーの記録光照射時に基板側の記録層で合金形成により
記録点が形成されるか、または基板側の記録層で粁変化
により記録点が形成され、高パワーの記録光照射時に基
板と反対側の記録層に記録孔が形成される。 従って、本発明の情報記録媒体を用いると、多値記録を
行なう場合に、１個のレーザ光源で記録用レーザ光のパ
ワー変調をするだけで済む。そこで、波長の異なる２個
以上のレーザ光源が必要な従来の情報記録媒体に比べて
、装置コストを低く押ささえることができる。
記録光照射時には基板と反対側の記録層のみに記録孔が
形成され、高パワーの記録光照射時には基板側の記録層
から記録孔が形成されるか、基板側の記録層で合金形成
により記録点が形成されるか、または基板側の記録層で
相変化により記録点が形成される。また、例えば、低パ
ワーの記録光照射時に基板側の記録層で合金形成により
記録点が形成されるか、または基板側の記録層で粁変化
により記録点が形成され、高パワーの記録光照射時に基
板と反対側の記録層に記録孔が形成される。 従って、本発明の情報記録媒体を用いると、多値記録を
行なう場合に、１個のレーザ光源で記録用レーザ光のパ
ワー変調をするだけで済む。そこで、波長の異なる２個
以上のレーザ光源が必要な従来の情報記録媒体に比べて
、装置コストを低く押ささえることができる。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例−１
第１図は本発明の一実施例の記録媒体の概略構造を示す
。本実施例は、記録層を２層有する３値記録が可能な情
報記録媒体において、基板側の記録層（以下、第１記録
層という）、基板と反対側の記録層（以下、第２記録層
という）を共に孔形成型としたものである。本実施例の
情報記録媒体は以下に示す方法で作製した。 直径３００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのディスク状化学強化
ガラス板１の表面にフォトポリメリゼーション法（２Ｐ
法）によって、１．６μｍピッチのトラッキング用の案
内溝とアドレスを示すプリピットを有する有機物下地層
３および紫外線硬化樹脂層２を形成し、レプリカ基板と
した。すなわち、２Ｐ法の初めに、Ｎｉスタンパ（図示
せず）上に予めニトロセルロースの酢酸ｎ−ブチル溶液
を回転塗布し、乾燥して有機物下地層とし、その上に紫
外線硬化樹脂を滴下する方法で上記レプリカ基板を形成
した。 次に、レプリカ基板上に通電加熱蒸着法で、組成Ｐ Ｊ
Ｔ ｅ、。Ｓ ｅ、、、厚さ１３ｎｍの孔形成型の第１
記録層４を形成した。その上に、ニトロセルロースの酢
酸ｎ−ブチル溶液を回転塗布した後乾燥して、膜厚２７
０ｎｍの有機物透明層５を形成した。さらに、通電加熱
蒸着法で１組成ｐｂ。 Ｔｅａ。Ｓｅよ５、厚さ２０ｎｍの孔形成型の第２記録
層６を形成し、ディスクＡを作製した。 また比較のため、組成Ｐ ｂ Ｓ Ｔ ｅ ＩｌＯＳ
ｅ １５、厚さ３０ｎｍの孔形成型の記録層４を１層の
み有する、従来と同じ構造のディスクＢを作製した。上
記ディスクＢの断面模式図を第２図に示す。 上記Ｐｂ、Ｔｅ５ｏＳｅ工、記録層及びニトロセルロー
ス有機物透明層の波長８３０ｎｍでの複素屈折率（ｎ−
）はそれぞれ、４．７−２．０ｉ及び１．５−０．０ｉ
であった。そこで、上記複素屈折率の値をもとに、ディ
スクＡ及びＢに波長８３０ｎｍの光を照射した場合のデ
ィスク中の各層における光吸収の膜厚方向での変化を計
算した結果を第３図に示す。 上記ディスクＡ及びＢの記録・再生特性の測定を次のよ
うにして行なった。ディスクを９０Ｏｒｐｍで回転させ
、波長８３０ｎｍの半導体レーザ光を開口数（ＮＡ）０
．５３のレンズで集光し、トラッキング用の案内溝（グ
ループ）とグループの間の平坦部に記録した。読出し光
は、記録層に変形を起こさないように１ｍＷの連続光と
した。 記録は、半径１４０ｍｍの位置（外周部）に行ない、記
録密度を高くして記録ピット間隔が１．４μｍとなるよ
うに９．４ＭＨｚの信号を記録した。 ここでは、記録パルス幅を４２ｎｓとした。ディスクＡ
及び已について、記録パワーを変えて記録した時の再生
信号変調度の記録パワー依存性を第４図に示す。ここで
、再生信号変調度は次式で定義する。 再生信号変調度 記録点の再生信号振幅強度 プリピットの再生信号振幅強度 ここで３値記録を行うためのスライスレベルを、／／
１ ｔｐに対して変調度が０．２〜０．３、ＩＩ ２
＋１に対して変調度が０．４以上とした時のパワーマー
ジン（再生信号変調度がスライスレベル内ニ収まる記録
パワー領域）を調べた。ＩＩ ２ ＩＩに対しては、デ
ィスクＡでは１０．７〜１３．２ｍＷの間で、２．５ｍ
Ｗであり、ディスクＢでは８．２〜１０．６ｍＷの間で
、２．４ｍＷであった。一方、ｔｚ １ ｎ ニ対シテ
ハ、ディスクＡでは８．０−１０゜２ ｍ Ｗの間で、
２．２ｍＷであるのに対し、ディスクＢでは７．４〜７
．７ｍＷの間で、０．３Ｗであった。従って、従来構造
のディスクＢでは、“１”に対するパワーマージンが０
．３ｍＷ、と極めて小さく３値記録が困難であるのに対
し、本発明のディスクＡでは、１′″に対するパワーマ
ージンが２．２ｍＷ、ＩＩ ２ ＩＩに対するパワーマ
ージンが２．５ｍＷ、と十分に大きいので、３値記録が
可能であった。 基板材料には、上記ガラス基板の代わりに、ポリカーボ
ネイト、ＰＭＭＡ、ポリオレフィン等のプラスチック基
板を用いても同様な結果が得られた。 有機物下地層及び有機物透明層としては、上記ニトロセ
ルロースの他に、アセチルセルロース、グアニン、フッ
素樹脂、ポリアミド、ポリイミド等を用いても同様な結
果が得られた。 上記第１及び第２記録層として、上記Ｐｂ−Ｔｅ−５ｅ
系孔形成型記録層の代わりに、Ｔｅ−Ｃ系、Ｔｅ−３ｂ
系、Ｔｅ−Ｃ系等の他のカルコゲナイド系孔形成型記録
層を用いても同様な結果が得られた。 実施例−２ 実施例−１におけるディスク穴中の孔形成型の第１記録
層４として、上記Ｐｂ−Ｔｅ−３ｅ系記録層の代わりに
シアニン系色素をスピン塗布法で厚さ２６ｎｍ形成した
ディスクＣを作製した。 ディスクＣ中の第１記録層のシアニン系色素の波長８３
０ｎｍでの複素屈折率（ｎ−）は２．７−１．７ｉであ
った。そこで、上記複素屈折率の値をもとに、ディスク
Ｃに波長８３０ｎｍの光を照射した場合のディスク中の
各層における光吸収の膜厚方向での変化を計算した結果
を第５図に示す。 上記ディスクＣの記録・再生特性の測定を実施例１と同
様にして行なった。記録パワーを変えて記録した時の再
生信号変調度の記録パワー依存性を第６図に示す。 ディスクＣにおいて、３値記録を行うためのスライスレ
ベルを、“１″に対して変調度が０．２〜０．３．６２
″に対して変調度が０．４以上とした時のパワーマージ
ン（再生信号変調度がスライスレベル内に収まる記録パ
ワー領域）を調へた。 ｉｉ １ ＋＋に対しては、７．５−９．５ｍＷの間で
、２、ＯｍＷであった。また、ＩＩ ２１１に対しては
、１０．１−１２．２ｍＷの間で、２．１ｍＷであった
。従って、本発明のディスクＣでは、Ｌｒ Ｉ ＋＋に
対するパワーマージン、６２″に対するパワーマージン
共に２ｍＷ以上と十分大きく、３値記録が可能であった
。 基板材料には、上記ガラス基板の代わりに、ポリカーボ
ネイト、ＰＭＭＡ、ポリオレフィン等のプラスチック基
板を用いても同様な結果が得られた。 有機物下地層及び有機物透明層としては、上記ニトロセ
ルロースの他に、アセチルセルロース、グアニン、フッ
素樹脂、ポリアミド、ポリイミド等を用いても同様な結
果が得られた。 第１記録層として、上記シアニン系色素の代わりに、ナ
フタロシアニン系色素等、他の色素系記録層を用いても
同様な結果が得られた。 第２記録層として、上記Ｐ ｂ −Ｔ ｅ −Ｓ ｅ糸
孔形成型記録層の代わりに、Ｔ ｅ −Ｃ系、Ｔｅ−５
ｂ系、Ｔｅ−Ｃ系等の他のカルコゲナイド系孔形成型記
録層を用いても同様な結果が得られた。 実施例−３ また、実施例−１におけるディスク穴中の第１記録層４
として、Ｐｂ−Ｔｅ−８ｅ系孔形成型記録層の代わりに
合金形成型記録層を形成したディスク、すなわち、第１
記録層４が合金形成型で、第２記録層６が孔形成型の場
合の本発明の情報記録媒体を以下に示す方法で作製した
。 射出成型法によって、直径３００ｍｍ、厚さ１゜２ｍｍ
のディスク状ポリカーボネート板の表面に１．６μｍピ
ッチのトラッキング用の案内溝とアドレスを示すプリピ
ットを有するレプリカ基板を作製した。次に、レプリカ
基板上に５ｂ２Ｓ ｅ、、Ｂ１．５ｂ２Ｓｅ、をそれぞ
れ、１５ｎｍ、１４ｎｍ、５０ｎｍの厚さに順次通電加
熱蒸着し、合金形成型の第１記録層４を形成した。その
上に、ニトロセルロースの酢酸ｎ−ブチル溶液を回転塗
布した後乾燥して、膜厚２７０ｎｍの有機物透明層５を
形成した。さらに２通電加熱蓋着法で１組成Ｐ ｂ ｓ
Ｔ ｅ ｓ。Ｓ ｅｌｓ、厚さ２０ｎｍの孔形成型の第
２記録層６を形成し、ディスクＤを作製した。 また、ディスクＤの構造のうち、第１記録層の５ｂ２Ｓ
ｅ１、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｓｅ、の膜厚をそれぞれ、６０ｎｍ
、１０ｎｍ、９０ｎｍとして、通電加熱蒸着で順次形成
したディスクＥを作製した。 上記第１記録層のＳｂ２Ｓｅ３層及びＢｉ層の波長８３
０ｎｍでの複素屈折率（ｎ拳）はそれぞれ、２．７−０
．０６ｉ及び２．３−４．９ｉであった。そこで、上記
複素屈折率の値をもとに、ディスクＤ及びＥに波長８３
０ｎｍの光を照射した場合のディスク中の各層における
光吸収の膜厚方向での変化を計算した結果を第７図に示
す。 上記ディスクＤ及びＥの記録・再生特性の測定を実施例
１と同様にして行なった。記録パワーを変えて記録した
時の再生信号変調度の記録パワー依存性を第８図に示す
。 ディスクＤ及びＥに関して、３値記録を行うためのスラ
イスレベルを、ｉｔ １ ＋１に対して変調度が０．２
〜０．３、２”に対して変調度が０．４以上とした時の
パワーマージン（再生信号変調度がスライスレベル内に
収まる記録パワー領域）を調べた。７１″に対しては、
ディスクＤでは９゜０〜１１．１ｍＷの間で、２．１ｍ
Ｗ、ディスクＥでは１１．７〜１４．０ｍＷの間で、２
．３ｍＷであった。また、ｕ ２ ｕに対しては、ディ
スクＤでは６．０〜８．２ｍＷの間で、２．２ｍＷ、デ
ィスクＥでは８．８〜１０．９ｍＷの間で、２゜ＩＷで
あった。従って、本発明のディスクＤ、Ｅ共に、１”に
対するパワーマージン、′２”に対するパワーマージン
共に２ｍＷ以上と十分大きく、３値記録が可能であった
。 基板材料には、上記ポリカーボネート基板の代わりに、
ＰＭＭＡ、ポリオレフィン等の他のプラスチック基板を
用いても同様な結果が得られた。 また、実施例１と同様にガラス基板を用いても、同様な
結果が得られた。 有機物下地層及び有機物透明層としては、上記ニトロセ
ルロースの他に、アセチルセルロース、グアニン、フッ
素樹脂、ポリアミド、ポリイミド等を用いても同様な結
果が得られた。 第１記録層４として、上記合金形成型記録層の代わりに
、Ｇｅ−Ｔｅ−８ｂ系、Ｉｎ−５ｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−８
ｂ系、及びＩｎ−３ｅ系等の相変化型記録層を用いても
同様な結果が得られた。 第２記録層６として、上記Ｐｂ−Ｔｅ−８ｅ系孔形成型
記録層の代わりに、Ｔｅ−Ｃ系、Ｔｅ−５ｂ系、Ｔｅ−
０系等の他のカルコゲナイド系孔形成型記録層を用いて
も同様な結果が得ら九た。 【発明の効果］ 以上説明したように、本発明による情報記録媒体を用い
れば、１つのレーザ光を有する情報記録媒体駆動装置で
３値記録が可能となるので１、安価な情報記録媒体駆動
装置で、高密度記録が可能となる。
。本実施例は、記録層を２層有する３値記録が可能な情
報記録媒体において、基板側の記録層（以下、第１記録
層という）、基板と反対側の記録層（以下、第２記録層
という）を共に孔形成型としたものである。本実施例の
情報記録媒体は以下に示す方法で作製した。 直径３００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍのディスク状化学強化
ガラス板１の表面にフォトポリメリゼーション法（２Ｐ
法）によって、１．６μｍピッチのトラッキング用の案
内溝とアドレスを示すプリピットを有する有機物下地層
３および紫外線硬化樹脂層２を形成し、レプリカ基板と
した。すなわち、２Ｐ法の初めに、Ｎｉスタンパ（図示
せず）上に予めニトロセルロースの酢酸ｎ−ブチル溶液
を回転塗布し、乾燥して有機物下地層とし、その上に紫
外線硬化樹脂を滴下する方法で上記レプリカ基板を形成
した。 次に、レプリカ基板上に通電加熱蒸着法で、組成Ｐ Ｊ
Ｔ ｅ、。Ｓ ｅ、、、厚さ１３ｎｍの孔形成型の第１
記録層４を形成した。その上に、ニトロセルロースの酢
酸ｎ−ブチル溶液を回転塗布した後乾燥して、膜厚２７
０ｎｍの有機物透明層５を形成した。さらに、通電加熱
蒸着法で１組成ｐｂ。 Ｔｅａ。Ｓｅよ５、厚さ２０ｎｍの孔形成型の第２記録
層６を形成し、ディスクＡを作製した。 また比較のため、組成Ｐ ｂ Ｓ Ｔ ｅ ＩｌＯＳ
ｅ １５、厚さ３０ｎｍの孔形成型の記録層４を１層の
み有する、従来と同じ構造のディスクＢを作製した。上
記ディスクＢの断面模式図を第２図に示す。 上記Ｐｂ、Ｔｅ５ｏＳｅ工、記録層及びニトロセルロー
ス有機物透明層の波長８３０ｎｍでの複素屈折率（ｎ−
）はそれぞれ、４．７−２．０ｉ及び１．５−０．０ｉ
であった。そこで、上記複素屈折率の値をもとに、ディ
スクＡ及びＢに波長８３０ｎｍの光を照射した場合のデ
ィスク中の各層における光吸収の膜厚方向での変化を計
算した結果を第３図に示す。 上記ディスクＡ及びＢの記録・再生特性の測定を次のよ
うにして行なった。ディスクを９０Ｏｒｐｍで回転させ
、波長８３０ｎｍの半導体レーザ光を開口数（ＮＡ）０
．５３のレンズで集光し、トラッキング用の案内溝（グ
ループ）とグループの間の平坦部に記録した。読出し光
は、記録層に変形を起こさないように１ｍＷの連続光と
した。 記録は、半径１４０ｍｍの位置（外周部）に行ない、記
録密度を高くして記録ピット間隔が１．４μｍとなるよ
うに９．４ＭＨｚの信号を記録した。 ここでは、記録パルス幅を４２ｎｓとした。ディスクＡ
及び已について、記録パワーを変えて記録した時の再生
信号変調度の記録パワー依存性を第４図に示す。ここで
、再生信号変調度は次式で定義する。 再生信号変調度 記録点の再生信号振幅強度 プリピットの再生信号振幅強度 ここで３値記録を行うためのスライスレベルを、／／
１ ｔｐに対して変調度が０．２〜０．３、ＩＩ ２
＋１に対して変調度が０．４以上とした時のパワーマー
ジン（再生信号変調度がスライスレベル内ニ収まる記録
パワー領域）を調べた。ＩＩ ２ ＩＩに対しては、デ
ィスクＡでは１０．７〜１３．２ｍＷの間で、２．５ｍ
Ｗであり、ディスクＢでは８．２〜１０．６ｍＷの間で
、２．４ｍＷであった。一方、ｔｚ １ ｎ ニ対シテ
ハ、ディスクＡでは８．０−１０゜２ ｍ Ｗの間で、
２．２ｍＷであるのに対し、ディスクＢでは７．４〜７
．７ｍＷの間で、０．３Ｗであった。従って、従来構造
のディスクＢでは、“１”に対するパワーマージンが０
．３ｍＷ、と極めて小さく３値記録が困難であるのに対
し、本発明のディスクＡでは、１′″に対するパワーマ
ージンが２．２ｍＷ、ＩＩ ２ ＩＩに対するパワーマ
ージンが２．５ｍＷ、と十分に大きいので、３値記録が
可能であった。 基板材料には、上記ガラス基板の代わりに、ポリカーボ
ネイト、ＰＭＭＡ、ポリオレフィン等のプラスチック基
板を用いても同様な結果が得られた。 有機物下地層及び有機物透明層としては、上記ニトロセ
ルロースの他に、アセチルセルロース、グアニン、フッ
素樹脂、ポリアミド、ポリイミド等を用いても同様な結
果が得られた。 上記第１及び第２記録層として、上記Ｐｂ−Ｔｅ−５ｅ
系孔形成型記録層の代わりに、Ｔｅ−Ｃ系、Ｔｅ−３ｂ
系、Ｔｅ−Ｃ系等の他のカルコゲナイド系孔形成型記録
層を用いても同様な結果が得られた。 実施例−２ 実施例−１におけるディスク穴中の孔形成型の第１記録
層４として、上記Ｐｂ−Ｔｅ−３ｅ系記録層の代わりに
シアニン系色素をスピン塗布法で厚さ２６ｎｍ形成した
ディスクＣを作製した。 ディスクＣ中の第１記録層のシアニン系色素の波長８３
０ｎｍでの複素屈折率（ｎ−）は２．７−１．７ｉであ
った。そこで、上記複素屈折率の値をもとに、ディスク
Ｃに波長８３０ｎｍの光を照射した場合のディスク中の
各層における光吸収の膜厚方向での変化を計算した結果
を第５図に示す。 上記ディスクＣの記録・再生特性の測定を実施例１と同
様にして行なった。記録パワーを変えて記録した時の再
生信号変調度の記録パワー依存性を第６図に示す。 ディスクＣにおいて、３値記録を行うためのスライスレ
ベルを、“１″に対して変調度が０．２〜０．３．６２
″に対して変調度が０．４以上とした時のパワーマージ
ン（再生信号変調度がスライスレベル内に収まる記録パ
ワー領域）を調へた。 ｉｉ １ ＋＋に対しては、７．５−９．５ｍＷの間で
、２、ＯｍＷであった。また、ＩＩ ２１１に対しては
、１０．１−１２．２ｍＷの間で、２．１ｍＷであった
。従って、本発明のディスクＣでは、Ｌｒ Ｉ ＋＋に
対するパワーマージン、６２″に対するパワーマージン
共に２ｍＷ以上と十分大きく、３値記録が可能であった
。 基板材料には、上記ガラス基板の代わりに、ポリカーボ
ネイト、ＰＭＭＡ、ポリオレフィン等のプラスチック基
板を用いても同様な結果が得られた。 有機物下地層及び有機物透明層としては、上記ニトロセ
ルロースの他に、アセチルセルロース、グアニン、フッ
素樹脂、ポリアミド、ポリイミド等を用いても同様な結
果が得られた。 第１記録層として、上記シアニン系色素の代わりに、ナ
フタロシアニン系色素等、他の色素系記録層を用いても
同様な結果が得られた。 第２記録層として、上記Ｐ ｂ −Ｔ ｅ −Ｓ ｅ糸
孔形成型記録層の代わりに、Ｔ ｅ −Ｃ系、Ｔｅ−５
ｂ系、Ｔｅ−Ｃ系等の他のカルコゲナイド系孔形成型記
録層を用いても同様な結果が得られた。 実施例−３ また、実施例−１におけるディスク穴中の第１記録層４
として、Ｐｂ−Ｔｅ−８ｅ系孔形成型記録層の代わりに
合金形成型記録層を形成したディスク、すなわち、第１
記録層４が合金形成型で、第２記録層６が孔形成型の場
合の本発明の情報記録媒体を以下に示す方法で作製した
。 射出成型法によって、直径３００ｍｍ、厚さ１゜２ｍｍ
のディスク状ポリカーボネート板の表面に１．６μｍピ
ッチのトラッキング用の案内溝とアドレスを示すプリピ
ットを有するレプリカ基板を作製した。次に、レプリカ
基板上に５ｂ２Ｓ ｅ、、Ｂ１．５ｂ２Ｓｅ、をそれぞ
れ、１５ｎｍ、１４ｎｍ、５０ｎｍの厚さに順次通電加
熱蒸着し、合金形成型の第１記録層４を形成した。その
上に、ニトロセルロースの酢酸ｎ−ブチル溶液を回転塗
布した後乾燥して、膜厚２７０ｎｍの有機物透明層５を
形成した。さらに２通電加熱蓋着法で１組成Ｐ ｂ ｓ
Ｔ ｅ ｓ。Ｓ ｅｌｓ、厚さ２０ｎｍの孔形成型の第
２記録層６を形成し、ディスクＤを作製した。 また、ディスクＤの構造のうち、第１記録層の５ｂ２Ｓ
ｅ１、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｓｅ、の膜厚をそれぞれ、６０ｎｍ
、１０ｎｍ、９０ｎｍとして、通電加熱蒸着で順次形成
したディスクＥを作製した。 上記第１記録層のＳｂ２Ｓｅ３層及びＢｉ層の波長８３
０ｎｍでの複素屈折率（ｎ拳）はそれぞれ、２．７−０
．０６ｉ及び２．３−４．９ｉであった。そこで、上記
複素屈折率の値をもとに、ディスクＤ及びＥに波長８３
０ｎｍの光を照射した場合のディスク中の各層における
光吸収の膜厚方向での変化を計算した結果を第７図に示
す。 上記ディスクＤ及びＥの記録・再生特性の測定を実施例
１と同様にして行なった。記録パワーを変えて記録した
時の再生信号変調度の記録パワー依存性を第８図に示す
。 ディスクＤ及びＥに関して、３値記録を行うためのスラ
イスレベルを、ｉｔ １ ＋１に対して変調度が０．２
〜０．３、２”に対して変調度が０．４以上とした時の
パワーマージン（再生信号変調度がスライスレベル内に
収まる記録パワー領域）を調べた。７１″に対しては、
ディスクＤでは９゜０〜１１．１ｍＷの間で、２．１ｍ
Ｗ、ディスクＥでは１１．７〜１４．０ｍＷの間で、２
．３ｍＷであった。また、ｕ ２ ｕに対しては、ディ
スクＤでは６．０〜８．２ｍＷの間で、２．２ｍＷ、デ
ィスクＥでは８．８〜１０．９ｍＷの間で、２゜ＩＷで
あった。従って、本発明のディスクＤ、Ｅ共に、１”に
対するパワーマージン、′２”に対するパワーマージン
共に２ｍＷ以上と十分大きく、３値記録が可能であった
。 基板材料には、上記ポリカーボネート基板の代わりに、
ＰＭＭＡ、ポリオレフィン等の他のプラスチック基板を
用いても同様な結果が得られた。 また、実施例１と同様にガラス基板を用いても、同様な
結果が得られた。 有機物下地層及び有機物透明層としては、上記ニトロセ
ルロースの他に、アセチルセルロース、グアニン、フッ
素樹脂、ポリアミド、ポリイミド等を用いても同様な結
果が得られた。 第１記録層４として、上記合金形成型記録層の代わりに
、Ｇｅ−Ｔｅ−８ｂ系、Ｉｎ−５ｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−８
ｂ系、及びＩｎ−３ｅ系等の相変化型記録層を用いても
同様な結果が得られた。 第２記録層６として、上記Ｐｂ−Ｔｅ−８ｅ系孔形成型
記録層の代わりに、Ｔｅ−Ｃ系、Ｔｅ−５ｂ系、Ｔｅ−
０系等の他のカルコゲナイド系孔形成型記録層を用いて
も同様な結果が得ら九た。 【発明の効果］ 以上説明したように、本発明による情報記録媒体を用い
れば、１つのレーザ光を有する情報記録媒体駆動装置で
３値記録が可能となるので１、安価な情報記録媒体駆動
装置で、高密度記録が可能となる。
第１図は本発明の情報記録媒体の構造を示す断面模式図
、第２図は従来構造の情報記録媒体の構造を示す断面模
式図、第３図は本発明の実施例のディスクＣ中における
光エネルギー量の膜厚方向での変化の計算結果を示す図
、第４図は本発明の実施例のディスクＡにおける再生信
号変調度の記録パワー依存性を示す図、第５図は本発明
の実施例のディスクＣ中における光エネルギー量の膜厚
方向での変化の計算結果を示す図、第６図は本発明の実
施例のディスクＣにおける再生信号変調度の記録パワー
依存性を示す図、第７図は本発明の実施例のディスクＤ
及びＥ中における光エネルギー量の膜厚方向での変化の
計算結果を示す図、第８図は本発明の実施例のディスク
Ｄ及びＥにおける再生信号変調度の記録パワー依存性を
示す図である。 符号の説明 １・・・化学強化ガラス円板 ２・・紫外線硬化樹脂層
、第２図は従来構造の情報記録媒体の構造を示す断面模
式図、第３図は本発明の実施例のディスクＣ中における
光エネルギー量の膜厚方向での変化の計算結果を示す図
、第４図は本発明の実施例のディスクＡにおける再生信
号変調度の記録パワー依存性を示す図、第５図は本発明
の実施例のディスクＣ中における光エネルギー量の膜厚
方向での変化の計算結果を示す図、第６図は本発明の実
施例のディスクＣにおける再生信号変調度の記録パワー
依存性を示す図、第７図は本発明の実施例のディスクＤ
及びＥ中における光エネルギー量の膜厚方向での変化の
計算結果を示す図、第８図は本発明の実施例のディスク
Ｄ及びＥにおける再生信号変調度の記録パワー依存性を
示す図である。 符号の説明 １・・・化学強化ガラス円板 ２・・紫外線硬化樹脂層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光エネルギービームの照射を受けて情報が記録され
る情報記録媒体において、少なくとも２層の記録層を有
し、上記記録層の間に隣接して、透明有機物層を設けた
ことを特徴とする情報記録媒体。 ２、上記記録層は光エネルギービームの照射を受けて孔
、凹部または凸部を形成するものかまたは、光学定数が
変化するものから成ることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の情報記録媒体。 ３、上記記録層のうち、基板と反対側の記録層が光エネ
ルギービームの照射を受けて孔を形成するものからなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項及び第２項記載
の情報記録媒体。 ４、上記透明有機物層が上記基板と反対側の孔形成記録
層の融点以下の温度で融解、蒸発、分解または昇華等の
熱的変形を生ずる化合物または上記化合物と有機物樹脂
との混合物からなることを特徴とする特許請求の範囲第
１項、第２項及び第３項記載の情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155235A JPH0447538A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155235A JPH0447538A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0447538A true JPH0447538A (ja) | 1992-02-17 |
Family
ID=15601492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2155235A Pending JPH0447538A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0447538A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008522865A (ja) * | 2004-12-10 | 2008-07-03 | イェプセン，ラース | インクファウンテンライナー |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2155235A patent/JPH0447538A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008522865A (ja) * | 2004-12-10 | 2008-07-03 | イェプセン，ラース | インクファウンテンライナー |
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