JPH0447891B2 - - Google Patents
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- JPH0447891B2 JPH0447891B2 JP60221860A JP22186085A JPH0447891B2 JP H0447891 B2 JPH0447891 B2 JP H0447891B2 JP 60221860 A JP60221860 A JP 60221860A JP 22186085 A JP22186085 A JP 22186085A JP H0447891 B2 JPH0447891 B2 JP H0447891B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- substrate
- base film
- magnetic disk
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
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- Y10T428/265—1 mil or less
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気デイスクの製造法に関するもの
である。
である。
従来より、例えば環状マグネトロンスパツタ法
を用いて金属薄膜型の磁気デイスクを製造するこ
とが試みられている。
を用いて金属薄膜型の磁気デイスクを製造するこ
とが試みられている。
しかし、これまでの環状マグネトロンスパツタ
法を用いて製造された磁気デイスク（下地膜であ
る非磁性のCrの膜厚は3000〜4000〓、磁性膜で
あるCo−Niの膜厚は700〜800Å）は、Hcが795
エルステツド、Rsが0.71，S*が0.74、分解能が
91.9％、孤立再生波形の半値巾W50が1.96μm、密
度特性D50が16.82KBPIであるといつたように、
その静磁気特性及び電磁変換特性が充分満足でき
るものでもない。
法を用いて製造された磁気デイスク（下地膜であ
る非磁性のCrの膜厚は3000〜4000〓、磁性膜で
あるCo−Niの膜厚は700〜800Å）は、Hcが795
エルステツド、Rsが0.71，S*が0.74、分解能が
91.9％、孤立再生波形の半値巾W50が1.96μm、密
度特性D50が16.82KBPIであるといつたように、
その静磁気特性及び電磁変換特性が充分満足でき
るものでもない。
本発明者は、環状マグネトロンスパツタ法によ
つて磁気デイスクを製造する実験において、ふと
した手違いからこれまでの環状マグネトロンスパ
ツタ法と多少異なる条件が施されたことに気付か
ずにそのまま実験が行なわれ、そしてこのように
して得られた磁気デイスク（下地膜であるCrの
膜厚は3000〜4000Å、磁性膜であるCo−Niの膜
厚は700〜800Å）は、Hcが1400エルステツド、
Rsが0.74，S*が0.84、分解能が95.7％、W50が
1.62μm、D50が23.0KBPIといつたように、その
静磁気特性及び電磁変換特性共に大巾に向上した
ものであることに遭遇した。
つて磁気デイスクを製造する実験において、ふと
した手違いからこれまでの環状マグネトロンスパ
ツタ法と多少異なる条件が施されたことに気付か
ずにそのまま実験が行なわれ、そしてこのように
して得られた磁気デイスク（下地膜であるCrの
膜厚は3000〜4000Å、磁性膜であるCo−Niの膜
厚は700〜800Å）は、Hcが1400エルステツド、
Rsが0.74，S*が0.84、分解能が95.7％、W50が
1.62μm、D50が23.0KBPIといつたように、その
静磁気特性及び電磁変換特性共に大巾に向上した
ものであることに遭遇した。
そこで、本発明者は、静磁気特性及び電磁変換
特性が大巾に向上した上記の磁気デイスクの研究
を行なつた結果、この磁気デイスクは、その下地
膜及び磁性膜の結晶粒が円周方向に配向してお
り、このような配向性によつて静磁気特性及び電
磁変換特性が、これまでの配向していない磁気デ
イスクのものより大巾に向上するものであること
を究明した。
特性が大巾に向上した上記の磁気デイスクの研究
を行なつた結果、この磁気デイスクは、その下地
膜及び磁性膜の結晶粒が円周方向に配向してお
り、このような配向性によつて静磁気特性及び電
磁変換特性が、これまでの配向していない磁気デ
イスクのものより大巾に向上するものであること
を究明した。
そして、さらに研究を続け、下地膜及び磁性膜
の結晶粒が今回に限つて何故円周方向に配向して
いたのかを追究した結果、環状マグネトロンスパ
ツタ法の実施に際してのマスクがこれまでのもの
と異なつていたことを見い出したのである。
の結晶粒が今回に限つて何故円周方向に配向して
いたのかを追究した結果、環状マグネトロンスパ
ツタ法の実施に際してのマスクがこれまでのもの
と異なつていたことを見い出したのである。
そこで、このような知見を基にして同様な実験
を繰り返した結果、環状マグネトロンスパツタ法
際してのマスクによつて下地膜及び磁性膜の結晶
粒が大きく左右されることを究明したのである。
を繰り返した結果、環状マグネトロンスパツタ法
際してのマスクによつて下地膜及び磁性膜の結晶
粒が大きく左右されることを究明したのである。
すなわち、第１図及び第２図に示すように、磁
気デイスクの基板１とターゲツト２との間にマス
ク３を配して環状マグネトロンスパツタを行なつ
た場合に、ターゲツト２のエロージヨンエリア４
から飛来して基板１に被着する粒子が実線矢印で
示す領域内のものであれば、換言すれば一点鎖線
の矢印Ａで示すように飛来した粒子は基板１に被
着しないのであれば、エロージヨンエリア４から
飛来して被着した粒子によつて形成された下地膜
及び磁性膜の結晶粒は円周方向に配向したもので
あることを究明したのである。
気デイスクの基板１とターゲツト２との間にマス
ク３を配して環状マグネトロンスパツタを行なつ
た場合に、ターゲツト２のエロージヨンエリア４
から飛来して基板１に被着する粒子が実線矢印で
示す領域内のものであれば、換言すれば一点鎖線
の矢印Ａで示すように飛来した粒子は基板１に被
着しないのであれば、エロージヨンエリア４から
飛来して被着した粒子によつて形成された下地膜
及び磁性膜の結晶粒は円周方向に配向したもので
あることを究明したのである。
つまり、中心部に円孔３ａを設けたマスク３の
円孔３ａ端が、図面中斜線Ｂで示す領域中に存在
するようマスク３を基板１とターゲツト２との間
に配置して環状マグネトロンスパツタを行ない、
下地膜及び磁性膜を形成すれば、この下地膜及び
磁性膜の結晶粒は円周方向に配向したものとなる
ことを確認したのである。
円孔３ａ端が、図面中斜線Ｂで示す領域中に存在
するようマスク３を基板１とターゲツト２との間
に配置して環状マグネトロンスパツタを行ない、
下地膜及び磁性膜を形成すれば、この下地膜及び
磁性膜の結晶粒は円周方向に配向したものとなる
ことを確認したのである。
尚、これまでにおいては、下地膜及び磁性膜の
形成に際しては共に同じように行なうことしか述
べなかつたが、下地膜の形成に際して第１図及び
第２図に示すような手法で行なつて下地膜が円周
方向に配向するようにしておけば、この下地膜上
に形成される磁性膜の形成に際しては、第１図及
び第２図に示すような手法を採用せず、これまで
の環状マグネトロンスパツタ法と同様な手法で行
なつても、下地膜の影響を受けて磁性膜の結晶粒
は円周方向に配向する。
形成に際しては共に同じように行なうことしか述
べなかつたが、下地膜の形成に際して第１図及び
第２図に示すような手法で行なつて下地膜が円周
方向に配向するようにしておけば、この下地膜上
に形成される磁性膜の形成に際しては、第１図及
び第２図に示すような手法を採用せず、これまで
の環状マグネトロンスパツタ法と同様な手法で行
なつても、下地膜の影響を受けて磁性膜の結晶粒
は円周方向に配向する。
又、言うまでもないことであるが、磁性膜の結
晶粒が円周方向に配向していれば、この磁気デイ
スクの静磁気特性及び電磁変換特性は向上するも
のであるから、下地膜の形成に際しては第１図及
び第２図に示すような手法を採用せず、磁性膜の
形成に際してのみ図面に示すような手法を採用し
ても良いものである。
晶粒が円周方向に配向していれば、この磁気デイ
スクの静磁気特性及び電磁変換特性は向上するも
のであるから、下地膜の形成に際しては第１図及
び第２図に示すような手法を採用せず、磁性膜の
形成に際してのみ図面に示すような手法を採用し
ても良いものである。
以上のような知見を基にして本発明は為し遂げ
られたものであり、すなわち基板上に下地膜及
び／又は磁性膜をスパツタ法によつて形成して磁
気デイスクを製造するに際して、前記下地膜及
び／又は磁性膜を構成する蒸発粒子の飛来した軌
跡が前記基板の中心位置を垂直に通る仮想線に対
して側方からみて交差する如くに飛来した前記蒸
発粒子みが基板上に被着して下地膜及び／又は磁
性膜を形成するようにしたことを特徴とする磁気
デイスクの製造法を提供するものである。
られたものであり、すなわち基板上に下地膜及
び／又は磁性膜をスパツタ法によつて形成して磁
気デイスクを製造するに際して、前記下地膜及
び／又は磁性膜を構成する蒸発粒子の飛来した軌
跡が前記基板の中心位置を垂直に通る仮想線に対
して側方からみて交差する如くに飛来した前記蒸
発粒子みが基板上に被着して下地膜及び／又は磁
性膜を形成するようにしたことを特徴とする磁気
デイスクの製造法を提供するものである。
磁気デイスク用のアルミニウム製の基板１、タ
ーゲツト２及びマスク３を第１図及び第２図に示
すような関係に配置し、そしてアルゴンガス圧５
ミリTorrの条件下で環状マグネトロンスパツタ
を行ない、エロージヨンエリア４から飛来する
Cr粒子のうち、基板１の中心軸仮想線５を越え
るように飛来するCr粒子のみが基板１の面上に
被着して下地膜となるCr膜６を約3000〜4000Å
厚形成するようにし、次いでエロージヨンエリア
４から飛来するCo−Ni粒子のうち、基板１の中
心軸仮想線５を越えるように飛来するCo−Ni粒
子のみがCr膜６の面上に被着して磁性膜となる
Co−Ni磁性膜７を約700〜800Å厚形成するよう
にして磁気デイスクを得る。
ーゲツト２及びマスク３を第１図及び第２図に示
すような関係に配置し、そしてアルゴンガス圧５
ミリTorrの条件下で環状マグネトロンスパツタ
を行ない、エロージヨンエリア４から飛来する
Cr粒子のうち、基板１の中心軸仮想線５を越え
るように飛来するCr粒子のみが基板１の面上に
被着して下地膜となるCr膜６を約3000〜4000Å
厚形成するようにし、次いでエロージヨンエリア
４から飛来するCo−Ni粒子のうち、基板１の中
心軸仮想線５を越えるように飛来するCo−Ni粒
子のみがCr膜６の面上に被着して磁性膜となる
Co−Ni磁性膜７を約700〜800Å厚形成するよう
にして磁気デイスクを得る。
上記のように得られた磁気デイスクの特性を調
べると、Hcが1400エルステツド、Rsが0.74，S*
が0.84、分解能が95.7％、W50が1.62μm，D50が
23.0KBPIであり、その静磁気特性及び電磁変換
特性は極めて良好なものである。
べると、Hcが1400エルステツド、Rsが0.74，S*
が0.84、分解能が95.7％、W50が1.62μm，D50が
23.0KBPIであり、その静磁気特性及び電磁変換
特性は極めて良好なものである。
尚、上記においてはCr膜６及びCo−Ni磁性膜７
が共に、蒸発粒子の飛来した軌跡が基板１の中心
位置を垂直に通る仮想線５に対して側方からみて
交差する如くに飛来した蒸発粒子のみが基板上に
被着するようにした場合で説明したが、Cr膜６
の場合のみ、あるいはCo−Ni磁性膜７の場合の
み、蒸発粒子の飛来した軌跡が基板１の中心位置
を垂直に通る仮想線５に対して側方からみて交差
する如くに飛来した蒸発粒子のみが基板上に被着
するようにしても、そうでない場合に比べると、
前記〔発明の開示〕の項で説明した理由により、
その静磁気特性や電磁変換特性は良好なものであ
つた。
が共に、蒸発粒子の飛来した軌跡が基板１の中心
位置を垂直に通る仮想線５に対して側方からみて
交差する如くに飛来した蒸発粒子のみが基板上に
被着するようにした場合で説明したが、Cr膜６
の場合のみ、あるいはCo−Ni磁性膜７の場合の
み、蒸発粒子の飛来した軌跡が基板１の中心位置
を垂直に通る仮想線５に対して側方からみて交差
する如くに飛来した蒸発粒子のみが基板上に被着
するようにしても、そうでない場合に比べると、
前記〔発明の開示〕の項で説明した理由により、
その静磁気特性や電磁変換特性は良好なものであ
つた。
本発明に係る磁気デイスクの製造法は、基板上
に下地膜及び／又は磁性膜をスパツタ法によつて
形成して磁気デイスクを製造するに際して、前記
下地膜及び／又は磁性膜を構成する蒸発粒子の飛
来した軌跡が前記基板の中心位置を垂直に通る仮
想線に対して側方からみて交差する如くに飛来し
た前記蒸発粒子みが基板上に被着して下地膜及
び／又は磁性膜を形成するようにしたので、この
ようにして得られた磁気デイスクの磁性膜は円周
方向に配向したものとなり、従つて保磁力Hc、
角型比Rs，S*、分解能、孤立再生波形の半値巾
W50、密度特性D50等の静磁気特性及び電磁変換
特性が向上し、高性能な磁気デイスクが得られる
ようになり、そしてこのような磁気デイスクは製
造に際して例えばマスクを考慮するのみで良いか
ら低コストで得られる等の特長を有する。
に下地膜及び／又は磁性膜をスパツタ法によつて
形成して磁気デイスクを製造するに際して、前記
下地膜及び／又は磁性膜を構成する蒸発粒子の飛
来した軌跡が前記基板の中心位置を垂直に通る仮
想線に対して側方からみて交差する如くに飛来し
た前記蒸発粒子みが基板上に被着して下地膜及
び／又は磁性膜を形成するようにしたので、この
ようにして得られた磁気デイスクの磁性膜は円周
方向に配向したものとなり、従つて保磁力Hc、
角型比Rs，S*、分解能、孤立再生波形の半値巾
W50、密度特性D50等の静磁気特性及び電磁変換
特性が向上し、高性能な磁気デイスクが得られる
ようになり、そしてこのような磁気デイスクは製
造に際して例えばマスクを考慮するのみで良いか
ら低コストで得られる等の特長を有する。
第１図及び第２図は、本発明に係る磁気デイス
クの製造法の実施に際して用いられる環状マグネ
トロンスパツタ装置の要部の概略側面図及び要部
の概略斜視図である。 １……基板、２……ターゲツト、３……マス
ク、４……エロージヨンエリア、５……中心軸仮
想線、６……Cr膜（磁性下地膜）、７……Co−
Ni磁性膜（磁性膜）。
クの製造法の実施に際して用いられる環状マグネ
トロンスパツタ装置の要部の概略側面図及び要部
の概略斜視図である。 １……基板、２……ターゲツト、３……マス
ク、４……エロージヨンエリア、５……中心軸仮
想線、６……Cr膜（磁性下地膜）、７……Co−
Ni磁性膜（磁性膜）。
Claims (1)
- 基板上に下地膜及び／又は磁性膜をスパツタ法
によつて形成して磁気デイスクを製造するに際し
て、前記下地膜及び／又は磁性膜を構成する蒸発
粒子の飛来した軌跡が前記基板の中心位置を垂直
に通る仮想線に対して側方からみて交差する如く
に飛来した前記蒸発粒子みが基板上に被着して下
地膜及び／又は磁性膜を形成するようにしたこと
を特徴とする磁気デイスクの製造法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60221860A JPS6282516A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 磁気デイスクの製造法 |
| US06/913,710 US4776938A (en) | 1985-10-07 | 1986-09-30 | Method of producing magnetic disc |
| KR1019860008267A KR900007484B1 (ko) | 1985-10-07 | 1986-10-02 | 자기디스크의 제조법 |
| US07/106,141 US4808489A (en) | 1985-10-07 | 1987-10-08 | Method of producing magnetic disc |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60221860A JPS6282516A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 磁気デイスクの製造法 |
| JP22186185A JPS6282517A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 磁気デイスクの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6282516A JPS6282516A (ja) | 1987-04-16 |
| JPH0447891B2 true JPH0447891B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=26524541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60221860A Granted JPS6282516A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | 磁気デイスクの製造法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4776938A (ja) |
| JP (1) | JPS6282516A (ja) |
| KR (1) | KR900007484B1 (ja) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3800449A1 (de) * | 1988-01-09 | 1989-07-20 | Leybold Ag | Verfahren und einrichtung zur herstellung magnetooptischer, speicher- und loeschfaehiger datentraeger |
| US5063120A (en) * | 1988-02-25 | 1991-11-05 | International Business Machines Corporation | Thin film magentic media |
| EP0435159B1 (en) * | 1989-12-27 | 1994-03-09 | Mitsubishi Kasei Corporation | Longitudinal magnetic recording medium |
| US5198090A (en) * | 1990-08-31 | 1993-03-30 | International Business Machines Corporation | Sputtering apparatus for producing thin films of material |
| JPH04205916A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
| US5693198A (en) * | 1992-06-30 | 1997-12-02 | Hmt Technology Corporation | Method of producing a magnetic recording medium |
| US5616218A (en) * | 1994-09-12 | 1997-04-01 | Matereials Research Corporation | Modification and selection of the magnetic properties of magnetic recording media through selective control of the crystal texture of the recording layer |
| DE19734633C2 (de) * | 1997-08-11 | 1999-08-26 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Hochdruck-Magnetron-Kathode |
| US7294242B1 (en) * | 1998-08-24 | 2007-11-13 | Applied Materials, Inc. | Collimated and long throw magnetron sputtering of nickel/iron films for magnetic recording head applications |
| DE10004824B4 (de) * | 2000-02-04 | 2009-06-25 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Verfahren zur Herstellung von Substraten, Magnetronquelle, Sputterbeschichtungskammer und Verwendung des Verfahrens |
| US6914749B2 (en) * | 2000-07-25 | 2005-07-05 | Seagate Technology Llc | Magnetic anisotropy of soft-underlayer induced by magnetron field |
| JP4502160B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2010-07-14 | キヤノンアネルバ株式会社 | 磁性膜作成方法及び磁性膜作成装置並びに磁気記録ディスク製造方法 |
| US6761982B2 (en) | 2000-12-28 | 2004-07-13 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Magnetic recording medium, production process and apparatus thereof, and magnetic recording and reproducing apparatus |
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