JPH0447923B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0447923B2 JPH0447923B2 JP11550284A JP11550284A JPH0447923B2 JP H0447923 B2 JPH0447923 B2 JP H0447923B2 JP 11550284 A JP11550284 A JP 11550284A JP 11550284 A JP11550284 A JP 11550284A JP H0447923 B2 JPH0447923 B2 JP H0447923B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- liquid crystal
- crystal display
- nickel
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示装置に係り、とくに透明導電
膜上の所要部分に金属被膜を形成した液晶表示装
置に関する。
膜上の所要部分に金属被膜を形成した液晶表示装
置に関する。
酸化イソジウムや酸化スズ等を主成分とする透
明導電膜が、液晶やエレクトロクロミイ等の表示
素子の電極や、太陽電池の電極等として広く用い
られている。この透明導電膜上に半田付けを行つ
たりソケツト類の接続端子として用いる際の、強
度の補強や抵抗値の低減等の目的で、該透明導電
膜上の所要部分に金属被膜を形成することがいし
ばしば行われる。
明導電膜が、液晶やエレクトロクロミイ等の表示
素子の電極や、太陽電池の電極等として広く用い
られている。この透明導電膜上に半田付けを行つ
たりソケツト類の接続端子として用いる際の、強
度の補強や抵抗値の低減等の目的で、該透明導電
膜上の所要部分に金属被膜を形成することがいし
ばしば行われる。
この金属被膜の形成方法として、Ni陽イオン
の原料として硫酸ニツケル又は塩化ニツケルを含
み、次亜リン酸塩を還元剤として含むメツキ液に
て無電解メツキ法により透明電極上にNi−Ｐメ
ツキ被膜を施す方法が一般的に行われている。し
かるに、、次亜リン酸塩によるNi−Ｐメツキ被膜
は、内部応力が大きいため膜厚2500Å近傍に透明
導電膜との密着強度のピークが存在し、それ以上
膜厚を厚くすると密着強度が急に低下するという
欠点を有していた。このため、内部応力を少くす
る目的でメツキ液にサツカリン等の添加剤を加え
る方法も行われているが、この方法ではメツキ後
のNi−Ｐメツキ被膜の経時変化が起り信頼性に
乏しいという欠点があつた。また、密着強度を保
つためにNi−Ｐメツキ被膜の膜厚を2500Å程度
に保つと、メツキ被膜の膜厚が薄いため、半田付
けを施す際に透明導電膜が溶融するいわゆる「半
田喰れ」現象により該メツキ被膜の膜厚が現象
し、ついにはメツキ被膜が消失してしまう場合が
ある。このためメツキ被膜の膜厚はある程度以上
の厚さを確保しなければならない。更に、Ni−
Ｐメツキ被膜は半田に対する濡れ性も悪く半田付
の作業能率が悪いという欠点も有していた。
の原料として硫酸ニツケル又は塩化ニツケルを含
み、次亜リン酸塩を還元剤として含むメツキ液に
て無電解メツキ法により透明電極上にNi−Ｐメ
ツキ被膜を施す方法が一般的に行われている。し
かるに、、次亜リン酸塩によるNi−Ｐメツキ被膜
は、内部応力が大きいため膜厚2500Å近傍に透明
導電膜との密着強度のピークが存在し、それ以上
膜厚を厚くすると密着強度が急に低下するという
欠点を有していた。このため、内部応力を少くす
る目的でメツキ液にサツカリン等の添加剤を加え
る方法も行われているが、この方法ではメツキ後
のNi−Ｐメツキ被膜の経時変化が起り信頼性に
乏しいという欠点があつた。また、密着強度を保
つためにNi−Ｐメツキ被膜の膜厚を2500Å程度
に保つと、メツキ被膜の膜厚が薄いため、半田付
けを施す際に透明導電膜が溶融するいわゆる「半
田喰れ」現象により該メツキ被膜の膜厚が現象
し、ついにはメツキ被膜が消失してしまう場合が
ある。このためメツキ被膜の膜厚はある程度以上
の厚さを確保しなければならない。更に、Ni−
Ｐメツキ被膜は半田に対する濡れ性も悪く半田付
の作業能率が悪いという欠点も有していた。
一方、還元剤として水素化ホウ素ナトリウムを
含むメツキ液を用い、無電解メツキ法で透明導電
膜上にNi−Ｂメツキ被膜を形成する方法も用い
られている。Ni−Ｂメツキ被膜は、Ni−Ｐメツ
キ被膜に比べ内部応力が1/3ないし1/4と低く、抵
抗値も約1/2であり、また、高温でアニーリング
処理を施しても良好な半田濡れ性を示す利点を有
している。しかるに、透明導電膜上にNi−Ｂメ
ツキ被膜を単層で形成した場合には、Ni−Ｐメ
ツキ被膜に比して透明導電膜との間に十分な密着
強度が得られないため、上述の利点にもかかわら
ず実用化されにくかつた。
含むメツキ液を用い、無電解メツキ法で透明導電
膜上にNi−Ｂメツキ被膜を形成する方法も用い
られている。Ni−Ｂメツキ被膜は、Ni−Ｐメツ
キ被膜に比べ内部応力が1/3ないし1/4と低く、抵
抗値も約1/2であり、また、高温でアニーリング
処理を施しても良好な半田濡れ性を示す利点を有
している。しかるに、透明導電膜上にNi−Ｂメ
ツキ被膜を単層で形成した場合には、Ni−Ｐメ
ツキ被膜に比して透明導電膜との間に十分な密着
強度が得られないため、上述の利点にもかかわら
ず実用化されにくかつた。
本発明は、この様な透明導電膜上の所要部分に
金属被膜を形成した従来の導電体の欠点を解消
し、信頼性の高い液晶表示装置を得るためになさ
れたものである。即ち、本発明は、半田喰れ現象
に対しても十分な耐性を有し、透明導電膜に対す
る密着強度も強く、抵抗値が小さく、半田濡れ性
の良い金属被膜を透明導電膜上の所要部分に形成
した導電体を用いた液晶表示装置を提供すること
を目的とする。
金属被膜を形成した従来の導電体の欠点を解消
し、信頼性の高い液晶表示装置を得るためになさ
れたものである。即ち、本発明は、半田喰れ現象
に対しても十分な耐性を有し、透明導電膜に対す
る密着強度も強く、抵抗値が小さく、半田濡れ性
の良い金属被膜を透明導電膜上の所要部分に形成
した導電体を用いた液晶表示装置を提供すること
を目的とする。
本発明は、液晶表示装置の基板上の、該液晶表
示装置と駆動回路とを接続する端子部分の上に、
駆動用ICを搭載してなる液晶表示装置において、
該端子部分は、透明導電膜と、該透明導電膜上の
所要部分に形成されたニツケル元素にリン元素が
融合し膜状となつたニツケルリン金属被膜と、該
ニツケルリン金属被膜上に形成されたニツケル元
素にホウ素元素が融合し膜状となつたニツケルホ
ウ素金属被膜とを有する導電体からなることを特
徴とする液晶表示装置である。
示装置と駆動回路とを接続する端子部分の上に、
駆動用ICを搭載してなる液晶表示装置において、
該端子部分は、透明導電膜と、該透明導電膜上の
所要部分に形成されたニツケル元素にリン元素が
融合し膜状となつたニツケルリン金属被膜と、該
ニツケルリン金属被膜上に形成されたニツケル元
素にホウ素元素が融合し膜状となつたニツケルホ
ウ素金属被膜とを有する導電体からなることを特
徴とする液晶表示装置である。
本発明の導電体をさらに詳しく説明する。
透明導電膜としては酸化インジウムまたは酸化
スズを主成分とする公知の物質を用い、一例とし
ては、インジウムチンオキサイドを用いる。
スズを主成分とする公知の物質を用い、一例とし
ては、インジウムチンオキサイドを用いる。
透明導電膜上にNi−Ｐ金属被膜またはNi−Ｂ
金属被膜を形成する方法としては、メツキ法、蒸
着法、スパツタ法、印刷法、エツチング法等のい
ずれの方法を用いてもよいが、形成方法の容易
さ、形成された被膜の密着強度等の特性上無電解
メツキ法が望ましい。
金属被膜を形成する方法としては、メツキ法、蒸
着法、スパツタ法、印刷法、エツチング法等のい
ずれの方法を用いてもよいが、形成方法の容易
さ、形成された被膜の密着強度等の特性上無電解
メツキ法が望ましい。
Ni−Ｐ金属被膜およびNi−Ｂ金属被膜の膜厚
は、内部応力による密着強度特性、半田喰れ現
象、抵抗値等を考慮し、各膜厚を500Åないし
5000Åに形成するのが望ましい。特に、Ni−Ｐ
金属被膜は透明導電膜に対する密着強度が膜厚
2500Å近傍で最大となるため、Ni−Ｐ金属被膜
の膜厚を2500Åとし、該Ni−Ｐ金属被膜の上面
に形成するNi−Ｂ金属被膜の膜厚を、耐半田付
性を考慮し、500Åないし5000Åの範囲内で所望
の膜厚に形成した場合良好な特性が得られる。即
ち、この様な形成した複層被膜はNi−Ｐ単層被
膜を同じ膜厚で形成したものに比べ、半田濡れ性
も良く、密着強度も30％ないし40％高い値が得ら
れる。
は、内部応力による密着強度特性、半田喰れ現
象、抵抗値等を考慮し、各膜厚を500Åないし
5000Åに形成するのが望ましい。特に、Ni−Ｐ
金属被膜は透明導電膜に対する密着強度が膜厚
2500Å近傍で最大となるため、Ni−Ｐ金属被膜
の膜厚を2500Åとし、該Ni−Ｐ金属被膜の上面
に形成するNi−Ｂ金属被膜の膜厚を、耐半田付
性を考慮し、500Åないし5000Åの範囲内で所望
の膜厚に形成した場合良好な特性が得られる。即
ち、この様な形成した複層被膜はNi−Ｐ単層被
膜を同じ膜厚で形成したものに比べ、半田濡れ性
も良く、密着強度も30％ないし40％高い値が得ら
れる。
被膜の抵抗値を特に小さくしたい場合や、IC
等を半田付けする際に該IC等の保護のため半田
付けの際用いるフラツクスにハロゲン物質が定量
しか含まれない弱活性ロジン系のものを使用する
場合には、Ni−Ｂ金属被膜は半田の乗りが悪く
なるため、弱活性ロジン系のフラツクスを用いて
も半田乗りが良く、また抵抗値の小さい金属被膜
をNi−Ｂ金属被膜上に形成するのが望ましい。
この様な金属被膜としては、Cu若しくはAuまた
はAl若しくはIn若しくは錫等の金属をメツキ法、
蒸着法等の被膜形成方法により形成したものを用
いると好ましい結果が得られる。Cu又はAu被膜
をメツキ法で形成する場合には、膜厚を1μｍ以
下として、Ni−Ｂ金属被膜の半田付けを行う部
分上に被膜を形成すれば良い。
等を半田付けする際に該IC等の保護のため半田
付けの際用いるフラツクスにハロゲン物質が定量
しか含まれない弱活性ロジン系のものを使用する
場合には、Ni−Ｂ金属被膜は半田の乗りが悪く
なるため、弱活性ロジン系のフラツクスを用いて
も半田乗りが良く、また抵抗値の小さい金属被膜
をNi−Ｂ金属被膜上に形成するのが望ましい。
この様な金属被膜としては、Cu若しくはAuまた
はAl若しくはIn若しくは錫等の金属をメツキ法、
蒸着法等の被膜形成方法により形成したものを用
いると好ましい結果が得られる。Cu又はAu被膜
をメツキ法で形成する場合には、膜厚を1μｍ以
下として、Ni−Ｂ金属被膜の半田付けを行う部
分上に被膜を形成すれば良い。
以下、本発明を実施例に基づき更に詳細に説明
する。
する。
実施例
第１図の断面図に示すように、ソーダガラス１
上にインジウムチンオキサイド（ITO）からなる
透明導電膜２を膜厚400Åに形成し、基板３を構
成した。この基板３を前処理としてヘモゾール、
アルカリ洗浄をし、次に触媒処理、活性化処理を
施した後に次亜リン酸塩を還元剤として含む硫酸
ニツケルメツキ溶液を温度80℃に温め、前記基板
３を60秒間該メツキ溶液に浸漬しNi−Ｐメツキ
被膜４を該基板３上の所定位置に2500Åの膜厚で
形成した。その後該基板３を室温乾燥し、更に
200℃で１時間大気中でアニーリング処理を行つ
た。次に第２層目のメツキを施す前処理として該
基板３上のNi−Ｐメツキ被膜４を酸で洗浄し、
還元剤としてホウ素酸ナトリウムを含む硫酸ニツ
ケルメツキ溶液を60℃に温め、該メツキ溶液に前
記基板３を６秒間浸漬し前記Ni−Ｐメツキ被膜
４上に2500Åの膜厚のNi−Ｂメツキ被膜５を形
成した。その後塩化第２鉄溶液で透明導電膜及び
各メツキ被膜を所定のパターンにエツチングし導
電体を形成した。
上にインジウムチンオキサイド（ITO）からなる
透明導電膜２を膜厚400Åに形成し、基板３を構
成した。この基板３を前処理としてヘモゾール、
アルカリ洗浄をし、次に触媒処理、活性化処理を
施した後に次亜リン酸塩を還元剤として含む硫酸
ニツケルメツキ溶液を温度80℃に温め、前記基板
３を60秒間該メツキ溶液に浸漬しNi−Ｐメツキ
被膜４を該基板３上の所定位置に2500Åの膜厚で
形成した。その後該基板３を室温乾燥し、更に
200℃で１時間大気中でアニーリング処理を行つ
た。次に第２層目のメツキを施す前処理として該
基板３上のNi−Ｐメツキ被膜４を酸で洗浄し、
還元剤としてホウ素酸ナトリウムを含む硫酸ニツ
ケルメツキ溶液を60℃に温め、該メツキ溶液に前
記基板３を６秒間浸漬し前記Ni−Ｐメツキ被膜
４上に2500Åの膜厚のNi−Ｂメツキ被膜５を形
成した。その後塩化第２鉄溶液で透明導電膜及び
各メツキ被膜を所定のパターンにエツチングし導
電体を形成した。
このようにして、Ni−Ｐ、Ni−Ｂ各メツキ被
膜を各々2500Å、総厚5000Åの膜厚で透明導電膜
２上に形成した本実施例の導電体を、本実施例の
Ni−Ｐメツキ被膜を形成したのと同一の方法で
透明導電上に単層のNi−Ｐメツキ被膜を形成し
た導電体と比較すると、半田濡れ性、密着強度と
もに本実施例の導電体のメツキ被膜の方が優れた
特性を示した。特に密着強度については、90°ピ
ール法で本実施例のメツキ被膜が平均で1.0Kg／
２×２mmであつたに比べNi−Ｐ単層被膜は0.5
Kg／２×２mmと1/2の密着強度しか得られなかつ
た。
膜を各々2500Å、総厚5000Åの膜厚で透明導電膜
２上に形成した本実施例の導電体を、本実施例の
Ni−Ｐメツキ被膜を形成したのと同一の方法で
透明導電上に単層のNi−Ｐメツキ被膜を形成し
た導電体と比較すると、半田濡れ性、密着強度と
もに本実施例の導電体のメツキ被膜の方が優れた
特性を示した。特に密着強度については、90°ピ
ール法で本実施例のメツキ被膜が平均で1.0Kg／
２×２mmであつたに比べNi−Ｐ単層被膜は0.5
Kg／２×２mmと1/2の密着強度しか得られなかつ
た。
本発明では、液晶表示素子の基板上の、その液
晶表示素子と駆動回路とを接続する端子部分に、
上記の本実施例の導電体を用い、かつその上に駆
動用ICを搭載する。
晶表示素子と駆動回路とを接続する端子部分に、
上記の本実施例の導電体を用い、かつその上に駆
動用ICを搭載する。
以上述べたように、本発明の液晶表示装置の導
電体は透明導電膜上にNi−Ｐ金属被膜とNi−Ｂ
金属被膜とを複層に形成したので、半田喰れ現象
に対して十分な耐性を有し、金属被膜を透明導電
膜に対する密着強度も強く、抵抗値も小さく半田
濡れ性も良く半田付作業の能率も良く、かつ、経
時的にも変化が少ないという効果を有する。従つ
て、同一基板上に例えば液晶表示素子とその駆動
用ICを搭載して透明導電膜を表示用電極と回路
パターン用リードとして共用する場合のように、
透明導電膜上に直接ICのリードやその他の素子
を半田付けし、また透明導電膜を他の機器との接
続用リードとして用いる場合など透明導電膜上に
金属被膜を形成した導電体に半田付性や機械強度
が要求される場合であつても、十分な半田付性や
機械的強度を有する液晶表示装置が得られる。
電体は透明導電膜上にNi−Ｐ金属被膜とNi−Ｂ
金属被膜とを複層に形成したので、半田喰れ現象
に対して十分な耐性を有し、金属被膜を透明導電
膜に対する密着強度も強く、抵抗値も小さく半田
濡れ性も良く半田付作業の能率も良く、かつ、経
時的にも変化が少ないという効果を有する。従つ
て、同一基板上に例えば液晶表示素子とその駆動
用ICを搭載して透明導電膜を表示用電極と回路
パターン用リードとして共用する場合のように、
透明導電膜上に直接ICのリードやその他の素子
を半田付けし、また透明導電膜を他の機器との接
続用リードとして用いる場合など透明導電膜上に
金属被膜を形成した導電体に半田付性や機械強度
が要求される場合であつても、十分な半田付性や
機械的強度を有する液晶表示装置が得られる。
第１図は本発明の一実施例の液晶表示装置に用
いる導電体の断面図である。 １……ソーダガラス、２……透明導電被膜、４
……Ni−Ｐメツキ被膜、５……Ni−Ｂメツキ被
膜
いる導電体の断面図である。 １……ソーダガラス、２……透明導電被膜、４
……Ni−Ｐメツキ被膜、５……Ni−Ｂメツキ被
膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 液晶表示素子の基板上の、該液晶表示素子と
駆動回路とを接続する端子部分の上に、駆動用
ICを搭載してなる液晶表示装置において、該端
子部分は、透明導電膜と、該透明導電膜上の所要
部分に形成されたニツケル元素にリン元素が融合
し膜状となつたニツケルリン金属被膜と、該ニツ
ケルリン金属被膜上に形成されたニツケル元素に
ホウ素元素が融合し膜状となつたニツケルホウ素
金属被膜とを有する導電体からなることを特徴と
する液晶表示装置。 ２ ニツケルリン金属被膜はニツケルリンメツキ
被膜である特許請求の範囲第１項記載の液晶表示
装置。 ３ ニツケルホウ素金属被膜はニツケルホウ素メ
ツキ被膜である特許請求の範囲第１項記載の液晶
表示装置。 ４ ニツケルリン金属被膜またはニツケルホウ素
金属被膜のいずれか一方あるいは双方の膜厚は
500Åないし5000Åである特許請求の範囲第１項
〜第３項のいずれか１項記載の液晶表示装置。 ５ 導電体はニツケルホウ素金属被膜上の所要部
分に第３の金属被膜を形成した導電体である特許
請求の範囲第１項記載の液晶表示装置。 ６ 第３の金属被膜は、銅メツキ被膜または金メ
ツキ被膜である特許請求の範囲第５項記載の液晶
表示装置。 ７ 第３の金属被膜は、アルミニウム被膜若しく
はインジウム被膜又は錫被膜である特許請求の範
囲第５項記載の液晶表示装置。 ８ 第３の金属被膜は膜厚が1μｍ以下である特
許請求の範囲第５項〜第７項のいずれか１項記載
の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11550284A JPS60262304A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11550284A JPS60262304A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60262304A JPS60262304A (ja) | 1985-12-25 |
| JPH0447923B2 true JPH0447923B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=14664102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11550284A Granted JPS60262304A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60262304A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2520398B2 (ja) * | 1986-08-12 | 1996-07-31 | シチズン時計株式会社 | カラ−液晶パネル |
| JP2520399B2 (ja) * | 1986-08-12 | 1996-07-31 | シチズン時計株式会社 | カラ−液晶パネルの製造方法 |
| US6569517B1 (en) * | 2000-11-17 | 2003-05-27 | 3M Innovative Properties Company | Color tailorable pigmented optical bodies with surface metalization |
| TWI234885B (en) * | 2002-03-26 | 2005-06-21 | Fujikura Ltd | Electroconductive glass and photovoltaic cell using the same |
| JP4954855B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2012-06-20 | 株式会社フジクラ | 色素増感太陽電池の製法 |
-
1984
- 1984-06-07 JP JP11550284A patent/JPS60262304A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60262304A (ja) | 1985-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4372809A (en) | Method for manufacturing solderable, temperable, thin film tracks which do not contain precious metal | |
| EP0083458B1 (en) | Method of partially metallising electrically conductive non-metallic patterns | |
| US4666078A (en) | Electroless plated terminals of display panel | |
| US5795619A (en) | Solder bump fabricated method incorporate with electroless deposit and dip solder | |
| JPH0447923B2 (ja) | ||
| US4824693A (en) | Method for depositing a solderable metal layer by an electroless method | |
| JPH05343259A (ja) | セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| US4806725A (en) | Circuit substrate and thermal printing head using the same | |
| JPH081770B2 (ja) | 電気接点構造 | |
| JPS6294887A (ja) | 透明導電路のメタライズ方法 | |
| JPH04144190A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
| JPS6358708A (ja) | 異方性導電膜 | |
| JPH0137876B2 (ja) | ||
| JPS59149326A (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
| JPS5850421B2 (ja) | 薄膜回路 | |
| JP3244102B2 (ja) | Ｉｃパッケージ | |
| JPH0158489B2 (ja) | ||
| JP3265968B2 (ja) | ガラスセラミックス基板の電極及びその形成方法 | |
| JPH068053B2 (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS63249666A (ja) | サ−マルヘツド | |
| JPS62242324A (ja) | チツプコンデンサ− | |
| JPH02244530A (ja) | 基板型温度ヒューズ及びその製造方法 | |
| JPH04318935A (ja) | 電極およびその製造方法およびその接続方法 | |
| JP2003147573A (ja) | 電子部品の製造方法、及び電子部品 | |
| JPS60245782A (ja) | 透明導電膜パタ−ン上へのめつき方法 |