JPH0447989B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0447989B2 JPH0447989B2 JP60164579A JP16457985A JPH0447989B2 JP H0447989 B2 JPH0447989 B2 JP H0447989B2 JP 60164579 A JP60164579 A JP 60164579A JP 16457985 A JP16457985 A JP 16457985A JP H0447989 B2 JPH0447989 B2 JP H0447989B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- protective film
- electrode
- compound semiconductor
- mask
- anodic oxidation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Radiation Pyrometers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光導電現象を利用した赤外線検知
素子の製造方法に関するものである。
素子の製造方法に関するものである。
第４図は従来の光導電型の赤外線検知素子の構
造を示す断面図、第５図はその平面図である。こ
れらの図において、１は高抵抗の基板、２は例え
ばHgCdTeなどの化合物半導体、３は受光面、４
は前記化合物半導体２の陽極酸化膜により形成さ
れる受光面３の第１の保護膜、５は例えばZnSか
ら成る受光面３の第２の保護膜、６は電極であ
る。
造を示す断面図、第５図はその平面図である。こ
れらの図において、１は高抵抗の基板、２は例え
ばHgCdTeなどの化合物半導体、３は受光面、４
は前記化合物半導体２の陽極酸化膜により形成さ
れる受光面３の第１の保護膜、５は例えばZnSか
ら成る受光面３の第２の保護膜、６は電極であ
る。
次に第４図、第５図を用いて従来の光導電型の
赤外線検知素子の製造方法について説明する。
赤外線検知素子の製造方法について説明する。
まず、高抵抗の基板１上に、HgCdTeなどを化
合物半導体２をエピタキシヤル成長などの方法に
より所定の厚さに形成してウエハを製作する。
合物半導体２をエピタキシヤル成長などの方法に
より所定の厚さに形成してウエハを製作する。
次に、前記ウエハを、作製する素子の寸法に合
わてダイシングソーなどを用いて切断し、続いて
Br2−メタノール溶液でウエハ表面を軽くエツチ
ングし、表面を清浄する。
わてダイシングソーなどを用いて切断し、続いて
Br2−メタノール溶液でウエハ表面を軽くエツチ
ングし、表面を清浄する。
次に前記ウエハを水酸化カリウム（KOH）電
解液中に浸し、ウエハ上の化合物半導体２を陽
極、炭素を陰極とし、両極間に電圧を印加し、陽
極酸化膜を形成した後、写真製版法で所定の形状
にパターニングし、第１の保護膜４を形成する。
解液中に浸し、ウエハ上の化合物半導体２を陽
極、炭素を陰極とし、両極間に電圧を印加し、陽
極酸化膜を形成した後、写真製版法で所定の形状
にパターニングし、第１の保護膜４を形成する。
続いて第２の保護膜５を構成する物質、例えば
ZnSをウエハ表面全面にスパツタした後、写真製
版法により所定の形状にパターニングし、第２の
保護膜５を形成する。
ZnSをウエハ表面全面にスパツタした後、写真製
版法により所定の形状にパターニングし、第２の
保護膜５を形成する。
その後、蒸着用マスクを用いて受光面３を除い
た部分に、例えばInを蒸着し、電極６を形成し、
赤外線検知素子を製造する。
た部分に、例えばInを蒸着し、電極６を形成し、
赤外線検知素子を製造する。
上記のような従来の赤外線検知素子の製造方法
では、第１の保護膜４となる陽極酸化膜を所定の
形状にパターニングする際に使用するフオトレジ
スト等により陽極酸化膜が汚染され、第２の保護
膜５が付着しにくかつたり、付着した場合でも素
子の特性が劣化するという問題点があつた。
では、第１の保護膜４となる陽極酸化膜を所定の
形状にパターニングする際に使用するフオトレジ
スト等により陽極酸化膜が汚染され、第２の保護
膜５が付着しにくかつたり、付着した場合でも素
子の特性が劣化するという問題点があつた。
この発明は、上記のような問題点を解消するた
めなされたもので、第１の保護膜である陽極酸化
膜が以後の工程で汚染されない赤外線検知素子の
製造方法を提供するものである。
めなされたもので、第１の保護膜である陽極酸化
膜が以後の工程で汚染されない赤外線検知素子の
製造方法を提供するものである。
この発明に係る赤外線検知素子の製造方法は、
高抵抗の基板上に赤外線検知素子が形成される化
合物半導体層を形成する工程と、この化合物半導
体層表面の受光部領域以外の領域に、片面が絶縁
物、他の片面の一部または全部が金属でできた所
要形状の陽極酸化電極兼マスクの前記他の片面を
圧接し、前記化合物半導体層の受光部領域の表面
をプラズマ陽極酸化して第１の保護膜を形成する
工程と、前記第１の保護膜上にこれを覆うように
第２の保護膜を形成する工程と、前記第２の保護
膜上の前記第１の保護膜に対応する部分を除いて
電極を形成する工程とを含むものである。
高抵抗の基板上に赤外線検知素子が形成される化
合物半導体層を形成する工程と、この化合物半導
体層表面の受光部領域以外の領域に、片面が絶縁
物、他の片面の一部または全部が金属でできた所
要形状の陽極酸化電極兼マスクの前記他の片面を
圧接し、前記化合物半導体層の受光部領域の表面
をプラズマ陽極酸化して第１の保護膜を形成する
工程と、前記第１の保護膜上にこれを覆うように
第２の保護膜を形成する工程と、前記第２の保護
膜上の前記第１の保護膜に対応する部分を除いて
電極を形成する工程とを含むものである。
この発明においては、陽極酸化膜の形成とパタ
ーニングが同時におこなわれるので、第１の保護
膜の形成直後に第２の保護膜を形成することがで
き、第１の保護膜が後の工程で汚染されることが
ない。
ーニングが同時におこなわれるので、第１の保護
膜の形成直後に第２の保護膜を形成することがで
き、第１の保護膜が後の工程で汚染されることが
ない。
第１図〜第３図はこの発明における第１の保護
膜となる陽極酸化膜の製造方法を説明する図で、
従来例におけるKOH電解液中での陽極酸化膜の
形成と写真製版法の工程のかわりに用いる方法で
ある。
膜となる陽極酸化膜の製造方法を説明する図で、
従来例におけるKOH電解液中での陽極酸化膜の
形成と写真製版法の工程のかわりに用いる方法で
ある。
第１図〜第３図において、７は陽極酸化電極兼
マスクで、例えば石英ガラスの薄板８の一面に、
例えば金などの金属蒸着膜９を蒸着して形成され
る。１，２は従来例と同じダイシングソー等で切
断した後とウエハを構成する高抵抗の基板、およ
び化合物半導体である。
マスクで、例えば石英ガラスの薄板８の一面に、
例えば金などの金属蒸着膜９を蒸着して形成され
る。１，２は従来例と同じダイシングソー等で切
断した後とウエハを構成する高抵抗の基板、およ
び化合物半導体である。
第３図は市販されているプラズマ陽極酸化装置
の構造図で、１０は真空容器、１１は下部電極、
１２は上部電極、１３は高周波源、１４はガス導
入管、１５は石英カバーである。１６は前記した
この発明の陽極酸化電極兼マスク７と、プラズマ
陽極酸化装置の下部電極１１とを電気的に接続す
るための配線である。
の構造図で、１０は真空容器、１１は下部電極、
１２は上部電極、１３は高周波源、１４はガス導
入管、１５は石英カバーである。１６は前記した
この発明の陽極酸化電極兼マスク７と、プラズマ
陽極酸化装置の下部電極１１とを電気的に接続す
るための配線である。
プラズマ陽極酸化は、高周波放電によつて発生
させた酸素プラズマ中に試料を挿入し、プラズマ
内の他の電極に対し試料に正の電圧を印加して陽
極酸化をおこなう方法である。第３図の装置を用
いGaAsなどの化合物半導体を陽極酸化する場
合、試料を下部電極１１上に置き、真空容器１０
内を真空に排気した後酸素ガスを導入し、高周波
放電によつて酸素プラズマを発生させ、下部電極
１１と上部電極１２の間に電圧を印加すれば良
い。この場合、試料に導電性があるので試料を下
部電極１１上に置くだけで試料と上部電極１２間
に電圧を印加できることになり、他に特別な電極
等を必要としない。
させた酸素プラズマ中に試料を挿入し、プラズマ
内の他の電極に対し試料に正の電圧を印加して陽
極酸化をおこなう方法である。第３図の装置を用
いGaAsなどの化合物半導体を陽極酸化する場
合、試料を下部電極１１上に置き、真空容器１０
内を真空に排気した後酸素ガスを導入し、高周波
放電によつて酸素プラズマを発生させ、下部電極
１１と上部電極１２の間に電圧を印加すれば良
い。この場合、試料に導電性があるので試料を下
部電極１１上に置くだけで試料と上部電極１２間
に電圧を印加できることになり、他に特別な電極
等を必要としない。
ところが、この発明における化合物半導体２は
高抵抗の基板１上に形成されているので、上記の
ように下部電極１１上に置いただけでは陽極酸化
することができない。
高抵抗の基板１上に形成されているので、上記の
ように下部電極１１上に置いただけでは陽極酸化
することができない。
そこで、この発明では第１図〜第３図のように
金属蒸着膜９側が化合物半導体２の表面に接触す
るように陽極酸化電極兼マスク７をかぶせ、金属
蒸着膜９と下部電極１１間を電気的に接続した。
このようにすれば化合物半導体２と上部電極１２
の間に電圧を印加することができる。なお、陽極
酸化電極兼マスク７の表面が導体であると、この
部分に電流が流れ化合物半導体の陽極酸化を妨げ
られるので、表面を絶縁物である石英ガラスで製
作した。
金属蒸着膜９側が化合物半導体２の表面に接触す
るように陽極酸化電極兼マスク７をかぶせ、金属
蒸着膜９と下部電極１１間を電気的に接続した。
このようにすれば化合物半導体２と上部電極１２
の間に電圧を印加することができる。なお、陽極
酸化電極兼マスク７の表面が導体であると、この
部分に電流が流れ化合物半導体の陽極酸化を妨げ
られるので、表面を絶縁物である石英ガラスで製
作した。
上記の方法により、GaAsの例のように化合物
半導体の表面から裏面にかけて陽極酸化電流が流
れる場合と同様に、高抵抗の基板１上の化合物半
導体２を陽極酸化することができる。
半導体の表面から裏面にかけて陽極酸化電流が流
れる場合と同様に、高抵抗の基板１上の化合物半
導体２を陽極酸化することができる。
さらにこの発明では陽極酸化膜の形成とパター
ニングが同時におこなわれるため、第１図、第２
図のように第１の保護膜４の形成予定領域のみが
露出するように、例えばコ字状に陽極酸化電極兼
マスク７を加工した。このようにしてプラズマ陽
極酸化をおこなえば、陽極酸化電極兼マスク７の
下になつた部分は陽極酸化されず、陽極酸化電極
兼マスク７の外側に露出している部分のみ陽極酸
化されるので、写真製版法を用いずに従来例と同
様の形状をした第１の保護膜４を形成することが
できる。ここで第１の保護膜４の形成後には、陽
極酸化電極兼マスク７は取り除かれる。
ニングが同時におこなわれるため、第１図、第２
図のように第１の保護膜４の形成予定領域のみが
露出するように、例えばコ字状に陽極酸化電極兼
マスク７を加工した。このようにしてプラズマ陽
極酸化をおこなえば、陽極酸化電極兼マスク７の
下になつた部分は陽極酸化されず、陽極酸化電極
兼マスク７の外側に露出している部分のみ陽極酸
化されるので、写真製版法を用いずに従来例と同
様の形状をした第１の保護膜４を形成することが
できる。ここで第１の保護膜４の形成後には、陽
極酸化電極兼マスク７は取り除かれる。
そして第２の保護膜５、電極６の形成は従来例
と全く同様におこない、赤外線検知素子を製造す
ることができる。
と全く同様におこない、赤外線検知素子を製造す
ることができる。
なお、上記実施例では第１図に示すようにコ字
状の陽極酸化電極兼マスク７を用い長方形の陽極
酸化膜を形成しているが、石英ガラスの薄板８の
形状をかえることにより任意の形の陽極酸化膜を
形成することができる。またコ字状の先を長くす
るか、櫛形の陽極酸化電極兼マスク７を用いて、
複数個のウエハを陽極酸化電極兼マスク７と下部
電極１１の間に挾み込めば、一度に複数個のウエ
ハを陽極酸化することができる。
状の陽極酸化電極兼マスク７を用い長方形の陽極
酸化膜を形成しているが、石英ガラスの薄板８の
形状をかえることにより任意の形の陽極酸化膜を
形成することができる。またコ字状の先を長くす
るか、櫛形の陽極酸化電極兼マスク７を用いて、
複数個のウエハを陽極酸化電極兼マスク７と下部
電極１１の間に挾み込めば、一度に複数個のウエ
ハを陽極酸化することができる。
この発明は以上説明したとおり、陽極酸化電極
兼マスクを使用して第１の保護膜を形成するの
で、レジスト等による保護膜の汚染がなく素子の
歩留りおよび特性が向上するという優れた効果を
有する。
兼マスクを使用して第１の保護膜を形成するの
で、レジスト等による保護膜の汚染がなく素子の
歩留りおよび特性が向上するという優れた効果を
有する。
第１図はこの発明の一実施例を示す陽極酸化電
極兼マスクを説明する平面図、第２図は第１図の
−断面図、第３図はこの発明の第１の保護膜
の形成方法を説明するプラズマ陽極酸化装置の構
成図、第４図は従来の赤外線検知素子の断面図、
第５図は第４図の平面図である。 図において、１は高抵抗の基板、２は化合物半
導体、３は受光面、４は第１の保護膜、５は第２
の保護膜、６は電極、７は陽極酸化電極兼マス
ク、８は石英ガラスの薄板、９は金属蒸着膜であ
る。なお、各図中の同一符号は同一または相当部
分を示す。
極兼マスクを説明する平面図、第２図は第１図の
−断面図、第３図はこの発明の第１の保護膜
の形成方法を説明するプラズマ陽極酸化装置の構
成図、第４図は従来の赤外線検知素子の断面図、
第５図は第４図の平面図である。 図において、１は高抵抗の基板、２は化合物半
導体、３は受光面、４は第１の保護膜、５は第２
の保護膜、６は電極、７は陽極酸化電極兼マス
ク、８は石英ガラスの薄板、９は金属蒸着膜であ
る。なお、各図中の同一符号は同一または相当部
分を示す。
Claims (1)
- １ 高抵抗の基板上に赤外線検知素子が形成され
る化合物半導体層を形成する工程と、この化合物
半導体層表面の受光部領域以外の領域に、片面が
絶縁物、他の片面の一部または全部が金属ででき
た所要形状の陽極酸化電極兼マスクの前記他の片
面を圧接し、前記化合物半導体層の受光部領域の
表面をプラズマ陽極酸化して第１の保護膜を形成
する工程と、前記第１の保護膜上にこれを覆うよ
うに第２の保護膜を形成する工程と、前記第２の
保護膜上の前記第１の保護膜に対応する部分を除
いて電極を形成する工程とを含むことを特徴とす
る赤外線検知素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60164579A JPS6223179A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60164579A JPS6223179A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6223179A JPS6223179A (ja) | 1987-01-31 |
| JPH0447989B2 true JPH0447989B2 (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=15795849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60164579A Granted JPS6223179A (ja) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | 赤外線検知素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6223179A (ja) |
-
1985
- 1985-07-23 JP JP60164579A patent/JPS6223179A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6223179A (ja) | 1987-01-31 |
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