JPH0447989Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は高周波信号の通る信号パターンである
マイクロ波ストリツプラインの高周波接地部を有
する高周波接地回路に関する。

〔従来の技術〕

従来、通信装置等において高周波回路及びバイ
アス回路は、お互いに独立した基板構成（あるい
は高周波回路部と同一の基板にはごく単純なDC
回路のみが搭載された基板構成）となつていた。
従来の高周波接地回路部は、表面に高周波回路を
設けたテフロン（登録商標）基板等の裏面全面を
導体面にして、接地された金属板に密着させるな
どの方法を用い、高周波基板の裏面全体に高周波
接地面を構成してきた。

〔考案が解決しようとする問題点〕

上述した従来の高周波接地回路では、基板の裏
面が全面導体（あるいは全面剥離）で使用するた
め、裏面には回路パターンを構成することができ
ず、複雑な回路を基板の表面に形成することがで
きない。

また、高周波回路と単純なDC回路を同一基板
上に形成すると表面にしか部品を取り付けられな
いこともあつて高周波部の容積が大きくなるた
め、高い周波数においては共振を起こしたり、直
流回路に高周波信号が乗つてしまつたりする等の
欠点がある。共振等の問題を解決するために高周
波回路とバイアス回路とを分割して別の基板に構
成すると、高周波回路とバイアス回路を接続する
ために、貫通コンデンサ等の部品が必要となり、
また組み立てに時間がかかり、複雑な構造になる
という欠点がある。

〔問題点を解決するための手段〕

本考案の高周波接地回路は、基板の表面に設け
られた高周波信号を通す導体パターンと、この導
体パターンを囲むように並べて前記基板に設けら
れた複数のスルーホールと、このスルーホールに
接続され前記基板の裏面の前記複数のスルーホー
ルに囲まれる部分を覆う導体部と、前記基板の表
面に前記導体パターンを囲むように取り付けられ
前記複数のスルーホールに接触される接地された
金属ケースとを含んで構成される。

〔実施例〕

次に、本考案について図面を参照して説明す
る。

第１図は本考案の一実施例の裏面側から見た斜
視図、第２図は第１図に示す実施例の表面側から
見た分解斜視図である。基板１５の裏面には１個
のハイブリツドIC４と高周波用同軸コネクタ１
９（２個のうち１個は図示を省略）が取り付けら
れている。基板１５の表面には高周波用同軸コネ
クタ１９とハイブリツドIC４を接続するマイク
ロ波ストリツプラインの高周波信号を通す導体パ
ターン１０が設けられている。高周波コネクタ１
３の中心導体１４は基板１５に設けた高周波取り
出し部６を通過し、導体パターン１０の高周波取
り出し部１８に半田付け等で接続される。同様に
ハイブリツドIC４の高周波信号用の端子も基板
１５に設けた穴を通過し、導体パターン１０の高
周波信号通過部１７に半田付け等で接続される。
またハイブリツドIC４のバイアス供給ライン用
の端子が基板１５の表面に設けられたバイアス供
給ラインに接続されている。

導体パターン１０を囲むように基板１５には多
数のスルーホール７が並べて設けられ、基板１５
の裏面のスルーホール７を設けた側は、バイアス
供給ライン９を避けるように設けた切り欠き部
分、および高周波信号取り出し部６およびハイブ
リツドIC４の高周波信号用の端子が通る穴の周
囲を除いて全面が導体部２で覆われている。スル
ーホール７は裏面の導体部２で互いが接続されて
いると供に、表面でも導体パターン３により互い
が接続されている。また基板１５の表面には導体
パターン１０に対応する高周波回路部１２とバイ
アス供給ラインを避けるための切欠き２０が設け
られ、接地された金属ケース１６が取り付けら
れ、すべてのスルーホール７は金属ケース１６に
接触して接地されている。

従つて、導体部２が高周波回路部の接地面とし
て確保される。また、ハイブリツドIC４と高周
波用同軸コネクタ１３の外周部を確実に接地する
ためにハイブリツドICおよび高周波用同軸コネ
クタ１３を導体部２に半田付け、あるいはねじ止
めする等の処理を行う。

なお、基板１５の導体部２が設けられていな側
はバイアス供給回路１１（具体的な回路は図示
略）として使用され、本実施例では１枚の基板に
高周波回路部とバイアス供給回路部が分割されて
設けられている。

〔考案の効果〕

以上説明したように本考案は、高周波信号を通
す導体パターンの回りに接地された金属ケースに
接するスルーホールを形成することにより、基板
の裏面の一部分のみに高周波接地面となる導体部
を設けることができ、基板の他の部分では両面に
パターンを形成することができ、高周波回路とバ
イアス供給、しかも複雑なバイアス供給回路とを
一枚の基板上に形成できる効果がある。

また、高周波回路とバイアス供給回路を一体化
しても、高周波回路部の容積を小さくすることが
可能であるのでケース共振等の問題はなく、高周
波回路とバイアス供給回路が一体化されているた
めに貫通コンデンサ等の部品も不要であり、簡単
な構造となり、非常に簡単に組み立てることがで
きる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本考案の一実施例の斜視
図でそれぞれ裏面の斜視図、および表面の分解斜
視図である。 ２……導体部、４……ハイブリツドIC、６…
…高周波信号取り出し部、７……スルーホール、
９……バイアス供給ライン、１０……マイクロ波
ストリツプライン、１１……バイアス供給回路
部、１２……高周波回路部、１３……高周波用同
軸コネクタ、１４……コネクタの中心導体、１５
……基板、１６……金属ケース、１７……高周波
信号通過部、１８……高周波信号取り出し部、１
９……高周波用同軸コネクタ。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 基板の表面に設けられた高周波信号を通す導体
   パターンと、この導体パターンを囲むように並べ
   て前記基板に設けられた複数のスルーホールと、
   このスルーホールに接続され前記基板の裏面の前
   記複数のスルーホールに囲まれる部分を覆う導体
   部と、前記基板の表面に前記導体パターンを囲む
   ように取り付けられ前記複数のスルーホールに接
   触する接地された金属ケースとを含むことを特徴
   とする高周波接地回路。