JPH0448703A - 電圧非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗体の製造方法Info
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- JPH0448703A JPH0448703A JP2157268A JP15726890A JPH0448703A JP H0448703 A JPH0448703 A JP H0448703A JP 2157268 A JP2157268 A JP 2157268A JP 15726890 A JP15726890 A JP 15726890A JP H0448703 A JPH0448703 A JP H0448703A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本願発明は、酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体の製造方法
に関し、特に、耐サージ性を改善した電圧非直線抵抗体
の製造方法に関する。
に関し、特に、耐サージ性を改善した電圧非直線抵抗体
の製造方法に関する。
電気機器あるいは回路を、スイッチ開閉やソレノイド遮
断、あるいは雷等に伴って発生する衝撃電流から保護す
るサージ保護素子として用いる電圧非直線抵抗体には、
基本特性として、所定電圧において瞬間的にこのような
小電流から大電流に渡る電流を吸収できる電流−電圧特
性が必要であり、従って衝撃電流耐量が大きく、繰返し
衝撃電流の負荷即ち繰返しサージに対する変化量が少な
く、定格電流即ち常時課電電圧に対して漏洩電流が少な
い、即ち、電圧非直線抵抗体の負担が少なく、寿命の長
いことが必要とされている。
断、あるいは雷等に伴って発生する衝撃電流から保護す
るサージ保護素子として用いる電圧非直線抵抗体には、
基本特性として、所定電圧において瞬間的にこのような
小電流から大電流に渡る電流を吸収できる電流−電圧特
性が必要であり、従って衝撃電流耐量が大きく、繰返し
衝撃電流の負荷即ち繰返しサージに対する変化量が少な
く、定格電流即ち常時課電電圧に対して漏洩電流が少な
い、即ち、電圧非直線抵抗体の負担が少なく、寿命の長
いことが必要とされている。
このような電圧非直線抵抗体としては、従来SiC系バ
リスタ、Se系バリスタ″等が使用されてきたが、近年
、前記のように瞬間的に大電流を流すことのできる2、
畦立上がり特性を有し、衝撃電流耐量が大きい等バリス
タ特性に優れた酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体が開発さ
れ、広範に使用されるようになってきている。
リスタ、Se系バリスタ″等が使用されてきたが、近年
、前記のように瞬間的に大電流を流すことのできる2、
畦立上がり特性を有し、衝撃電流耐量が大きい等バリス
タ特性に優れた酸化亜鉛系の電圧非直線抵抗体が開発さ
れ、広範に使用されるようになってきている。
このような電圧非直線抵抗体は、酸化亜鉛(ZnO)を
成形し、1000℃以上の温度で焼成してつくることが
できるが、この焼結体をなすZnOは、ウルツ鉱型の結
晶構造をなし、通常、この亜鉛と酸素とは化学f論的な
組成比からは僅かにずれて亜鉛が過剰に含まれている。
成形し、1000℃以上の温度で焼成してつくることが
できるが、この焼結体をなすZnOは、ウルツ鉱型の結
晶構造をなし、通常、この亜鉛と酸素とは化学f論的な
組成比からは僅かにずれて亜鉛が過剰に含まれている。
この過剰亜鉛原子は、結晶格子間に侵入しており、結晶
粒子内は半導体特性を示しているが、結晶粒界は焼成時
に、雰囲気酸素による選択酸化により、亜鉛と酸素との
組成比が略1となり、絶縁層を形成している。しかし、
このような雰囲気酸素のみによって亜鉛結晶粒界におけ
る十分な酸化絶縁層を形成させるのは実質的に困難であ
って、原料を成形焼結する過程で必要なバリスタ特性を
確保するために、さらに、ZnO微結晶の周囲を取り囲
む酸化ビスマス(B i z 03)または酸化プラセ
オジム(P r。
粒子内は半導体特性を示しているが、結晶粒界は焼成時
に、雰囲気酸素による選択酸化により、亜鉛と酸素との
組成比が略1となり、絶縁層を形成している。しかし、
このような雰囲気酸素のみによって亜鉛結晶粒界におけ
る十分な酸化絶縁層を形成させるのは実質的に困難であ
って、原料を成形焼結する過程で必要なバリスタ特性を
確保するために、さらに、ZnO微結晶の周囲を取り囲
む酸化ビスマス(B i z 03)または酸化プラセ
オジム(P r。
0II)などの副成分を主体とした網目状の粒界層とそ
の付近の粒界域に存在するスピネル相とからなる高抵抗
層を形成させる方法がとられている。
の付近の粒界域に存在するスピネル相とからなる高抵抗
層を形成させる方法がとられている。
即ち、ZnO系の電圧非直線抵抗体はZnOとBi、O
,あるいはPr1O++ とによって焼結体の基本構
造を構成し、バリスタ特性を保持するものであって、さ
らに酸化コバルト(Coo)。
,あるいはPr1O++ とによって焼結体の基本構
造を構成し、バリスタ特性を保持するものであって、さ
らに酸化コバルト(Coo)。
酸化マンガン(MnO)酸化アルミニウム(AltOj
)等の添加によってバリスタ特性を改善し、酸化アンチ
モン(Sb、O,)、酸化クロム(Cr20、)、酸化
ホウ素(BZ○、)等の添加で前記バリスタ特性の安定
化を図り、またさらに、酸化ニッケル(Nip)、酸化
タングステン(WOs)。
)等の添加によってバリスタ特性を改善し、酸化アンチ
モン(Sb、O,)、酸化クロム(Cr20、)、酸化
ホウ素(BZ○、)等の添加で前記バリスタ特性の安定
化を図り、またさらに、酸化ニッケル(Nip)、酸化
タングステン(WOs)。
酸化珪素(Sing) 等の添加によって粒界層の安
定化を図っている。
定化を図っている。
このような電圧非直線抵抗体は、ZnOに対して、前記
添加成分を、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、有機塩等加熱
によって分解する塩のうちの何れかの形で所定量添加し
た上で混合後、造粒し、そして円板状のバリスタ本体の
形状に成形してから1100°〜1400℃好ましくは
1200〜1350°Cで1〜5時間焼成するという方
法でつくることができる。
添加成分を、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩、有機塩等加熱
によって分解する塩のうちの何れかの形で所定量添加し
た上で混合後、造粒し、そして円板状のバリスタ本体の
形状に成形してから1100°〜1400℃好ましくは
1200〜1350°Cで1〜5時間焼成するという方
法でつくることができる。
しかしながら、前記の雰囲気酸素による選択酸化に依存
し、B iz Os 、Pri ol1等添加成分によ
ってバリスタ特性の保持改善を行う従来方法で得られる
ZnO系電圧非直線抵抗体は、優れたバリスタ特性を有
するとしても、なお、常時課電電圧に対する漏洩電流の
増加は比較的に大きく、また衝撃電流負荷による電圧陣
下が大きく、必ずしも十分に満足し得るものではながっ
た。このため、さらに、焼結体の成分組成を変えたり、
焼成温度を加減する等のいろいろな改善策が講じられて
きたが、例えばt流漏洩を防止するために添加成分によ
って粒界層を厚くすると、繰返し衝撃電流負荷による衝
%l!電流耐量の隨下が大きくなる、というような問題
もあり、ZnO系の電圧非直線抵抗体のバリスタ特性は
ある程度制限された妥協的なものにならざるを得ないと
いう状況にあった。
し、B iz Os 、Pri ol1等添加成分によ
ってバリスタ特性の保持改善を行う従来方法で得られる
ZnO系電圧非直線抵抗体は、優れたバリスタ特性を有
するとしても、なお、常時課電電圧に対する漏洩電流の
増加は比較的に大きく、また衝撃電流負荷による電圧陣
下が大きく、必ずしも十分に満足し得るものではながっ
た。このため、さらに、焼結体の成分組成を変えたり、
焼成温度を加減する等のいろいろな改善策が講じられて
きたが、例えばt流漏洩を防止するために添加成分によ
って粒界層を厚くすると、繰返し衝撃電流負荷による衝
%l!電流耐量の隨下が大きくなる、というような問題
もあり、ZnO系の電圧非直線抵抗体のバリスタ特性は
ある程度制限された妥協的なものにならざるを得ないと
いう状況にあった。
従って、本発明の目的は、従来のZnO系の電圧非直線
抵抗体、特にZnOBirdsの電圧非直線抵抗体につ
いて、その製造時において、焼結体の主成分ZnOその
ものによるバリスタ特性の強化を図り、衝撃電流負荷に
よる非直線性の劣化を抑制して安定化させ、且つ漏洩電
流が少な(て従来以上に寿命特性に優れた電圧非直線抵
抗体が得られる方法の提供にある。
抵抗体、特にZnOBirdsの電圧非直線抵抗体につ
いて、その製造時において、焼結体の主成分ZnOその
ものによるバリスタ特性の強化を図り、衝撃電流負荷に
よる非直線性の劣化を抑制して安定化させ、且つ漏洩電
流が少な(て従来以上に寿命特性に優れた電圧非直線抵
抗体が得られる方法の提供にある。
前記の目的を達成するため、本発明は、酸化亜鉛(Zn
O)に、酸化ビスマス(B 1 z Ox )酸化コバ
ルト(Coo)、 酸化マンガン(MnO)酸化アン
チモン(Sbz Ox )、 vi化ツクロムcrzo
s)、酸化ホウ素(B、os )及び酸化ニッケル(N
ip)を塩の形で添加して混合した原料粉を用い、成形
して焼結する酸化亜鉛系電圧非直線抵抗体の製造方法に
おいて、前記原料粉に、酸化剤として過酸化亜鉛(Zn
Ot)を外配で 0.5〜10モル%含有させる電圧非
直線抵抗体の製造方法を提案するものである。
O)に、酸化ビスマス(B 1 z Ox )酸化コバ
ルト(Coo)、 酸化マンガン(MnO)酸化アン
チモン(Sbz Ox )、 vi化ツクロムcrzo
s)、酸化ホウ素(B、os )及び酸化ニッケル(N
ip)を塩の形で添加して混合した原料粉を用い、成形
して焼結する酸化亜鉛系電圧非直線抵抗体の製造方法に
おいて、前記原料粉に、酸化剤として過酸化亜鉛(Zn
Ot)を外配で 0.5〜10モル%含有させる電圧非
直線抵抗体の製造方法を提案するものである。
前記製造法における焼成により、主体となるZnO結晶
の周囲に添加酸化物による高抵抗層が形成されると共に
、ZnO結晶そのものの粒界の選択酸化が行われ、サー
ジに対して安定的な抵抗性を示す絶縁層が形成される。
の周囲に添加酸化物による高抵抗層が形成されると共に
、ZnO結晶そのものの粒界の選択酸化が行われ、サー
ジに対して安定的な抵抗性を示す絶縁層が形成される。
即ち、添加したZnO□は原料粉による成形体内に、略
均等に混合された状態で強力な酸化剤として作用し、焼
成時に酸素を放出し、焼結体内のZnOの粒界において
未酸化金属亜鉛や還元性物質を酸化し、結晶粒界におい
て十分な酸化絶縁層を形成するので、サージに対して安
定なバリスタ素子を形成できる。
均等に混合された状態で強力な酸化剤として作用し、焼
成時に酸素を放出し、焼結体内のZnOの粒界において
未酸化金属亜鉛や還元性物質を酸化し、結晶粒界におい
て十分な酸化絶縁層を形成するので、サージに対して安
定なバリスタ素子を形成できる。
しかし、Zn0tの添加が0.5モル%未満では効果が
薄く、10モル%を超えた状態では、過剰な酸素が多量
に発生して素子内に欠陥を斉らし、バリスタ特性を損な
う。
薄く、10モル%を超えた状態では、過剰な酸素が多量
に発生して素子内に欠陥を斉らし、バリスタ特性を損な
う。
ZnOに、自記で、BizOsを0.5モル%。
Cooを1.0モル%、MnOを0.5モル%、5bx
O1を1.0モル%、Cr= Oxを0.5モル%+B
ffi03を0.1モル%、NiOを1.0モル%をそ
れぞれ塩の形で加えた原料粉に、ZnO□を外配で0.
5〜10.0モル%の間で変化させて加えたものを、そ
れぞれ湿式メディアミルで混合し、バインダを加えた後
、スプレードライヤーで造粒した。この素材粉を粉末成
形用プレスで直径241.及び厚さ31.の円板に成形
し、1300°Cで1時間焼成して直径20.、及び厚
さ2.5 、、のバリスタ素子を得た。
O1を1.0モル%、Cr= Oxを0.5モル%+B
ffi03を0.1モル%、NiOを1.0モル%をそ
れぞれ塩の形で加えた原料粉に、ZnO□を外配で0.
5〜10.0モル%の間で変化させて加えたものを、そ
れぞれ湿式メディアミルで混合し、バインダを加えた後
、スプレードライヤーで造粒した。この素材粉を粉末成
形用プレスで直径241.及び厚さ31.の円板に成形
し、1300°Cで1時間焼成して直径20.、及び厚
さ2.5 、、のバリスタ素子を得た。
また、比較試料として、同様の方法でZn0zを加えな
いバリスタ素子及び0.1.0.3.12及び15モル
%含む本発明範囲外のバリスタ素子をつくった。何れも
その両面に銀電極を塗布して700°Cで焼き付けた後
、リード線を付けてバリスタとした。
いバリスタ素子及び0.1.0.3.12及び15モル
%含む本発明範囲外のバリスタ素子をつくった。何れも
その両面に銀電極を塗布して700°Cで焼き付けた後
、リード線を付けてバリスタとした。
これらのバリスタについて、直流電流1mAを流したと
きの電圧即ちバリスタ電圧V、mAを測定した後、電流
波形8×20マイクロ秒で10.000Aの衝撃電流を
かけた。その後再びバリスタ電圧■1■Aを測定した。
きの電圧即ちバリスタ電圧V、mAを測定した後、電流
波形8×20マイクロ秒で10.000Aの衝撃電流を
かけた。その後再びバリスタ電圧■1■Aを測定した。
以上のバリスタ素子試料について、衝撃電流負荷前後即
ちサージ前後におけるバリスタ電圧及びその変化率を第
1表に示した。
ちサージ前後におけるバリスタ電圧及びその変化率を第
1表に示した。
第1表
以上のように、本発明の実施試料としてZnO□を本発
明の範囲内で加えた素材粉を用いてつくったバリスタ素
子は、10,0OOAという大きい衝撃電流を加えても
、バリスタ電圧の変化率が 1.7%以下と小さく安定
しており、長期使用においても漏洩電流が少なく、信転
できることを示している。
明の範囲内で加えた素材粉を用いてつくったバリスタ素
子は、10,0OOAという大きい衝撃電流を加えても
、バリスタ電圧の変化率が 1.7%以下と小さく安定
しており、長期使用においても漏洩電流が少なく、信転
できることを示している。
一方、本発明の範囲外の方法でつくった比較試料につい
ては10,0OOAの衝撃電流を加えることにより、素
子内に斉らされる欠陥が比較的大きくなり、サージ電圧
の変化率が約2%以上に大きく、不安定になることを示
している。
ては10,0OOAの衝撃電流を加えることにより、素
子内に斉らされる欠陥が比較的大きくなり、サージ電圧
の変化率が約2%以上に大きく、不安定になることを示
している。
〔発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、バリ
スタ素子主成分のZnOの結晶粒界における選択酸化を
均−且つ十分に行うことができるので、安定した電圧非
直線性を示し、常時課tt圧に対して漏洩電流が少なく
、寿命特性に優れた電圧非直線抵抗体の製造方法が提供
できる。
スタ素子主成分のZnOの結晶粒界における選択酸化を
均−且つ十分に行うことができるので、安定した電圧非
直線性を示し、常時課tt圧に対して漏洩電流が少なく
、寿命特性に優れた電圧非直線抵抗体の製造方法が提供
できる。
Claims (1)
- 酸化亜鉛に、酸化ビスマス、酸化コバルト、酸化マン
ガン、酸化アンチモン、酸化クロム、酸化ホウ素及び酸
化ニッケルを塩の形で添加して混合した原料粉を用い、
成形して焼結する酸化亜鉛系電圧非直線抵抗体の製造方
法において、前記原料粉に、酸化剤として過酸化亜鉛を
外配で0.5〜10モル%含有させることを特徴とする
電圧非直線抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157268A JPH0448703A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157268A JPH0448703A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448703A true JPH0448703A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15645945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2157268A Pending JPH0448703A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448703A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2900768A1 (fr) * | 2006-05-05 | 2007-11-09 | Areva T & D Sa | Utilisation du b2o3 dans une ceramique semiconductrice pour en diminuer le courant de fuite et eventuellement pour en stabiliser les proprietes electriques |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2157268A patent/JPH0448703A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2900768A1 (fr) * | 2006-05-05 | 2007-11-09 | Areva T & D Sa | Utilisation du b2o3 dans une ceramique semiconductrice pour en diminuer le courant de fuite et eventuellement pour en stabiliser les proprietes electriques |
| WO2007128785A1 (fr) * | 2006-05-05 | 2007-11-15 | Areva T&D Sa | Utilisation de b2o3 dans une ceramique semiconductrice a base d'oxyde d'etain pour en diminuer le courant de fuite et eventuellement pour en stabiliser les proprietes electriques |
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