JPH0448755A - パッケージ型半導体装置の製造方法 - Google Patents
パッケージ型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0448755A JPH0448755A JP2157307A JP15730790A JPH0448755A JP H0448755 A JPH0448755 A JP H0448755A JP 2157307 A JP2157307 A JP 2157307A JP 15730790 A JP15730790 A JP 15730790A JP H0448755 A JPH0448755 A JP H0448755A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cap
- stem
- pressure
- resin
- space
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00269—Bonding of solid lids or wafers to the substrate
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封着セラミックパッケージ型半導体装置の
製造方法に関し、特にキャップをセラミック製ステムに
仮付けしてこれを強固に固着する製造方法に関する。
製造方法に関し、特にキャップをセラミック製ステムに
仮付けしてこれを強固に固着する製造方法に関する。
従来、熱硬化性樹脂を用いて、セラミック製ステムにセ
ラミック製等のキャップを封止する半導体装置の製造方
法は、４２材のリードフレームに複数取り付けたセラミ
ック製ステム上に公知の方法で半導体素子をダイボンデ
ィング及びワイヤーボンディングした後、キャップ取り
付は装置を用い、このセラミック製ステムをキャップに
予め塗布しであるエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が溶融
するに充分な温度に上げる第１の加熱処理を施し、セラ
ミック製ステムの所望の位置にキャップを押っけ、熱硬
化性樹脂を一度溶融し、セラミック製ステムにキャップ
を取り付ける。
ラミック製等のキャップを封止する半導体装置の製造方
法は、４２材のリードフレームに複数取り付けたセラミ
ック製ステム上に公知の方法で半導体素子をダイボンデ
ィング及びワイヤーボンディングした後、キャップ取り
付は装置を用い、このセラミック製ステムをキャップに
予め塗布しであるエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が溶融
するに充分な温度に上げる第１の加熱処理を施し、セラ
ミック製ステムの所望の位置にキャップを押っけ、熱硬
化性樹脂を一度溶融し、セラミック製ステムにキャップ
を取り付ける。
熱硬化性樹脂の溶融及びキャップ取り付けは数秒ででき
るが、その後、熱硬化性樹脂の反応を進め強固な状態に
するためには１〜２時間の加熱処理が必要であるため、
量産では、キャップ取り付は後、直ちに冷却し、溶融状
態の熱硬化性樹脂を固化せしめ、キャップ取り付は装置
から、セラミック製ステムが取り付けであるリードフレ
ームを取り出す。
るが、その後、熱硬化性樹脂の反応を進め強固な状態に
するためには１〜２時間の加熱処理が必要であるため、
量産では、キャップ取り付は後、直ちに冷却し、溶融状
態の熱硬化性樹脂を固化せしめ、キャップ取り付は装置
から、セラミック製ステムが取り付けであるリードフレ
ームを取り出す。
その後、多数のリードフレームを１〜２時間バッチ処理
で第２の加熱処理を施し、熱硬化性樹脂の反応を進めて
強固な樹脂に変質させる。
で第２の加熱処理を施し、熱硬化性樹脂の反応を進めて
強固な樹脂に変質させる。
このとき、熱硬化性樹脂は、再度溶融し、ステムとキャ
ップとの間に形成される空間に留っている空気が膨張し
、溶融状態熱硬化性樹脂を押し拡げ、完成した半導体装
置の気密性を損う。
ップとの間に形成される空間に留っている空気が膨張し
、溶融状態熱硬化性樹脂を押し拡げ、完成した半導体装
置の気密性を損う。
このため、第２の加熱処理は、リードフレームを治具に
取り付はステムとキャップを強固に押え込んで行う。
取り付はステムとキャップを強固に押え込んで行う。
〔発明が解決しようとする課題〕
この従来のキャップ取り付は方法では、第２の加熱処理
の際に治具を使用するため、 ■リードフレームを治具に取り付は取り外し工数が多大
に必要なこと、 ■リードフレームの材質と治具の材質が異なるため、キ
ャップとステムがズレ易いこと、ズレな場合は気密性が
損われること、 ■リードフレームの材質と治具の材質を同じ４２材にす
ると、治具の製作価格が非常に高価になること、 等の問題点があった。
の際に治具を使用するため、 ■リードフレームを治具に取り付は取り外し工数が多大
に必要なこと、 ■リードフレームの材質と治具の材質が異なるため、キ
ャップとステムがズレ易いこと、ズレな場合は気密性が
損われること、 ■リードフレームの材質と治具の材質を同じ４２材にす
ると、治具の製作価格が非常に高価になること、 等の問題点があった。
本発明目的は、大気圧を利用して子ヤップ封着を行うこ
とにより、従来の問題点を解決したパッケージ型半導体
装置の製造方法を提供することにある。
とにより、従来の問題点を解決したパッケージ型半導体
装置の製造方法を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係るパッケージ型半
導体装置の製造方法においては、仮付は工程と、本付は
工程とを有し、ステム上に搭載された半導体チップをキ
ャップにより気密封止するパッケージ型半導体装置の製
造方法であって、仮付は工程は、減圧下でキャップとス
テムとの間に形成される半導体チップの収納用空間を減
圧して、熱硬化性樹脂を溶融させ該樹脂によりキャップ
とステムとを仮付けするものであり、本付は工程は、前
記空間内の圧力と前記キャップに作用する圧力との圧力
差によりキャップをステムに押付け、前記樹脂を溶融さ
せてキャップとステムとを本付けするものである。
導体装置の製造方法においては、仮付は工程と、本付は
工程とを有し、ステム上に搭載された半導体チップをキ
ャップにより気密封止するパッケージ型半導体装置の製
造方法であって、仮付は工程は、減圧下でキャップとス
テムとの間に形成される半導体チップの収納用空間を減
圧して、熱硬化性樹脂を溶融させ該樹脂によりキャップ
とステムとを仮付けするものであり、本付は工程は、前
記空間内の圧力と前記キャップに作用する圧力との圧力
差によりキャップをステムに押付け、前記樹脂を溶融さ
せてキャップとステムとを本付けするものである。
また、本発明においては、前記キャップに作用する圧力
を大気圧としたものである。
を大気圧としたものである。
本発明によれば、キャップとステムとの間に形成される
半導体チップの収納用空間内の圧力と、キャップに作用
する圧力との圧力差をもって、キャップをステムに押付
けることにより、キャップとステムとの本付けを行うも
のである。したがって、従来のようにキャップとステム
との本付けの際にその両者を締結する治具を用いる必要
性がなくなる。
半導体チップの収納用空間内の圧力と、キャップに作用
する圧力との圧力差をもって、キャップをステムに押付
けることにより、キャップとステムとの本付けを行うも
のである。したがって、従来のようにキャップとステム
との本付けの際にその両者を締結する治具を用いる必要
性がなくなる。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例により製造したパッケージ型
半導体装置を示す断面図である。
半導体装置を示す断面図である。
図において、セラミック製ステム６上に半導体チップ１
がダイボンディングにより搭載され、半導体チップ１と
ステム６とのｔ［ｉ相互間がワイヤーボンディングによ
り配線される。その後、キャップ２により半導体チップ
１を気密封止することとなる。
がダイボンディングにより搭載され、半導体チップ１と
ステム６とのｔ［ｉ相互間がワイヤーボンディングによ
り配線される。その後、キャップ２により半導体チップ
１を気密封止することとなる。
本発明においては、まず、キャンプ２の開口縁に熱硬化
性樹脂４を予め塗布し、キャンプ２の開口縁をステム６
上の絶縁層３に位置決めし、この状態でキャンプ２とス
テム６との周面をカップ等を用いて覆い、そのカップ内
を真空ポンプにより真空引きしてその周面を１／３気圧
以下に減圧し、かつ、熱硬化性樹脂４を溶融させてキャ
ップ２をステム６に仮付けする。この場合、キャップ２
及びステム６で形成された半導体チップｌの収納用空間
５内は１／３気圧以下に減圧される。
性樹脂４を予め塗布し、キャンプ２の開口縁をステム６
上の絶縁層３に位置決めし、この状態でキャンプ２とス
テム６との周面をカップ等を用いて覆い、そのカップ内
を真空ポンプにより真空引きしてその周面を１／３気圧
以下に減圧し、かつ、熱硬化性樹脂４を溶融させてキャ
ップ２をステム６に仮付けする。この場合、キャップ２
及びステム６で形成された半導体チップｌの収納用空間
５内は１／３気圧以下に減圧される。
次に、収納用空間５内を略０．６５気圧に減圧して空間
５内の圧力とキャップに作用する大気圧との圧力差をも
ってキャップ２をステム６に押付ける。
５内の圧力とキャップに作用する大気圧との圧力差をも
ってキャップ２をステム６に押付ける。
一方、熱硬化性樹脂４を略１５０℃で加熱して溶融させ
、熱硬化性樹脂４の反応を促進させ、キャップ２をステ
ム６に熱硬化性樹脂４により本付けする。−’ｒキャッ
プとステム６との接着をより強固にする際、熱硬化性樹
脂４は一旦溶融するが、空間５が略０．６５気圧の減圧
になっており、キャップ２とステム６は大気により押え
込まれ、空間５内の空気がキャップ２とステム６を押し
拡げることがなく、キャップ２とステム６の位置ズレ及
び気密不良は発生し難くなり、またキャップ２とステム
６を押え込む治具は不要となる。
、熱硬化性樹脂４の反応を促進させ、キャップ２をステ
ム６に熱硬化性樹脂４により本付けする。−’ｒキャッ
プとステム６との接着をより強固にする際、熱硬化性樹
脂４は一旦溶融するが、空間５が略０．６５気圧の減圧
になっており、キャップ２とステム６は大気により押え
込まれ、空間５内の空気がキャップ２とステム６を押し
拡げることがなく、キャップ２とステム６の位置ズレ及
び気密不良は発生し難くなり、またキャップ２とステム
６を押え込む治具は不要となる。
以上説明したように本発明は、大気圧を利用したキャッ
プ封着を採用したので、治具及びリードフレームの治具
への取り付け、取り外し作業が不要となり、又、完成し
た半導体装置のキャップとステムの位１ズレ寸法の最大
値を略２５％低減できるという効果を有する。
プ封着を採用したので、治具及びリードフレームの治具
への取り付け、取り外し作業が不要となり、又、完成し
た半導体装置のキャップとステムの位１ズレ寸法の最大
値を略２５％低減できるという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例による製造方法で製造したパ
ッケージ型半導体装置を示す断面図である。 １・・・半導体チップ ２・・・キャップ３・・・
ステム上の絶縁層 ４・・・熱硬化性樹脂５・・・ステ
ムとキャップにより形成される半導体チップの収納用空
間 ６・・・ステム 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中。 Ｓ：一
ッケージ型半導体装置を示す断面図である。 １・・・半導体チップ ２・・・キャップ３・・・
ステム上の絶縁層 ４・・・熱硬化性樹脂５・・・ステ
ムとキャップにより形成される半導体チップの収納用空
間 ６・・・ステム 特許出願人 日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中。 Ｓ：一
Claims (2)
- （１）仮付け工程と、本付け工程とを有し、ステム上に
搭載された半導体チップをキャップにより気密封止する
パッケージ型半導体装置の製造方法であって、 仮付け工程は、減圧下でキャップとステムとの間に形成
される半導体チップの収納用空間を減圧して、熱硬化性
樹脂を溶融させ該樹脂によりキャップとステムとを仮付
けするものであり、 本付け工程は、前記空間内の圧力と前記キャップに作用
する圧力との圧力差によりキャップをステムに押付け、
前記樹脂を溶融させてキャップとステムとを本付けする
ものであることを特徴とするパッケージ型半導体装置の
製造方法。 - （２）前記キャップに作用する圧力を大気圧としたこと
を特徴とする請求項第（１）項に記載のパッケージ型半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157307A JP2794908B2 (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | パッケージ型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157307A JP2794908B2 (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | パッケージ型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448755A true JPH0448755A (ja) | 1992-02-18 |
| JP2794908B2 JP2794908B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=15646810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2157307A Expired - Lifetime JP2794908B2 (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | パッケージ型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2794908B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05235189A (ja) * | 1992-02-24 | 1993-09-10 | Nec Corp | 半導体製造方法及びその装置 |
| JP2000036384A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌデバイスの製造方法 |
| JP2020092265A (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 光寶光電（常州）有限公司 | 発光パッケージ構造及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2157307A patent/JP2794908B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05235189A (ja) * | 1992-02-24 | 1993-09-10 | Nec Corp | 半導体製造方法及びその装置 |
| JP2000036384A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Nec Corp | 有機薄膜ｅｌデバイスの製造方法 |
| JP2020092265A (ja) * | 2018-12-05 | 2020-06-11 | 光寶光電（常州）有限公司 | 発光パッケージ構造及びその製造方法 |
| US11522109B2 (en) | 2018-12-05 | 2022-12-06 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | Light emitting package structure and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2794908B2 (ja) | 1998-09-10 |
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