JPH0448801A - Package cage for high frequency band - Google Patents
Package cage for high frequency bandInfo
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- JPH0448801A JPH0448801A JP2157848A JP15784890A JPH0448801A JP H0448801 A JPH0448801 A JP H0448801A JP 2157848 A JP2157848 A JP 2157848A JP 15784890 A JP15784890 A JP 15784890A JP H0448801 A JPH0448801 A JP H0448801A
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- frequency band
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高周波帯パンケージに関し、特に高周波回路
の組立ての簡易化及び価格の低減に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a high frequency band pancage, and particularly to simplifying the assembly and reducing the cost of a high frequency circuit.
第３図は高周波回路を組立て九後の従来の高周波帯用パ
ッケージの平面図で、第４図は第３図のパッケージの等
価回路図である。図に２いて、（１）は高周波帯用パッ
ケージの内壁％（２）は整合回路用誘電体基板、（３）
は整合回路を形成するマイクロストリップ線路、（４）
は各線路又は部品を接続する金ワイヤ、（６）は高周波
帯用パッケージに具備されている高周波帯用の入出力端
子であシ、入出力端子用誘電体基板（５）に形成されて
いる。（７）に高周波帯用のチップコンデンサ＆ （
９ａ）〜（９ｄ）は高周波帯用パッケージ内に具備され
ているバイアス用端子であり、バイアス端子用誘電体基
板（８）に形成されている。ＯＩ）は半導体素子、α４
はマイクロストリップ線路（３）及びチップコンデンサ
（７）で構成されているバイアス回路兼用のショートス
タブ回路である。FIG. 3 is a plan view of a conventional high frequency band package after the high frequency circuit has been assembled, and FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the package of FIG. 3. In Figure 2, (1) is the inner wall percentage of the high frequency band package (2) is the dielectric substrate for the matching circuit, (3)
is a microstrip line forming a matching circuit, (4)
is a gold wire connecting each line or component, (6) is an input/output terminal for the high frequency band provided in the package for the high frequency band, and is formed on the dielectric substrate (5) for the input/output terminal. . (7) Chip capacitor for high frequency band & (
9a) to (9d) are bias terminals provided in the high frequency band package, and are formed on the bias terminal dielectric substrate (8). OI) is a semiconductor element, α4
is a short stub circuit that also serves as a bias circuit and is composed of a microstrip line (3) and a chip capacitor (7).
次に動作について説明する。マイ、クロストリップ線路
（３）及びチップコンデンサ（力で形成されているショ
ートスタブ回路α４は高周ｔＩ！Ｌ回路の整合回路の構
成要素を同時に各半導体素子αυのバイアス供給回路と
しても動作しており、チップコンデンサ（７）とバイア
ス端子ｃｇ＆）〜（９ｄ） を接続することで、バイア
ス回路を形成している。この時、チップコンデンサ（７
）の容量は高周波インピーダンスが使用周波数で０に近
くなる様な値が望ましい。Next, the operation will be explained. The short stub circuit α4 formed by the micro-cross strip line (3) and the chip capacitor (power) acts as a component of the matching circuit of the high-frequency tI!L circuit and also as a bias supply circuit for each semiconductor element αυ. A bias circuit is formed by connecting the chip capacitor (7) and bias terminals cg&) to (9d). At this time, chip capacitor (7
) is desirably set to a value such that the high frequency impedance is close to 0 at the operating frequency.
従来の高周波帯用パッケージは以上のように構成されて
−るのでバイアス用端子とショートスタブ回路の接続に
は必ずチップコンデンサを設ける必要がある几め、組立
部品の増加や価格高を招くなどの問題点があった。Conventional high-frequency packages are configured as described above, so it is necessary to provide a chip capacitor to connect the bias terminal and the short stub circuit, which leads to an increase in the number of assembled parts and higher prices. There was a problem.
この発明は上記のような問題点を解消する几めになされ
たもので、チップコンデンサを使用せずにショートメタ
１回路及びバイアス回路が簡単に形成できる高周波帯用
パッケージを得ることを目的とする。This invention has been made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to obtain a high-frequency band package in which a short metal circuit and a bias circuit can be easily formed without using a chip capacitor. .
この発明に係る高周波帯用パッケージは、高周波回路と
ＩＩ！絖されるバイアス用端子に使用周波数の４分の１
波長の長さのオープンスタブを付加したものである。The high frequency band package according to the present invention includes a high frequency circuit and II! 1/4 of the frequency used for the bias terminal to be wired
An open stub with the length of the wavelength is added.
〔作用〕
この発明における高周波帯用パッケージは、高周波回路
と接続されるバイアス用端子に使用周波数の４分の１波
長の長さのオープンスタブを付加し几ことにより、チッ
プコンデンサを用いることなく、ショートスタブ回路及
びバイアス回路を構成することが可能となる。[Function] The high frequency band package according to the present invention does not use a chip capacitor by adding an open stub with a length of 1/4 wavelength of the operating frequency to the bias terminal connected to the high frequency circuit. It becomes possible to configure a short stub circuit and a bias circuit.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は高周波帯用パッケージを示す平面図。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
The figure is a plan view showing a high frequency band package.
第２図は第１図のパンケージの等価回路因である。FIG. 2 shows the equivalent circuit factor of the pan cage shown in FIG.
図において、（１）〜（８）、０υは第２図の従来例に
示し比ものと同等であるので説明を省略する。（１３ａ
）〜（１３ｄ）は上記パッケージ内に設けられているバ
イアス用端子であシ、こｎに使用周波数の４分の１波長
の長さのオープンスタブ（ＩＯａ）〜（１０ｄ）が付加
されて呵り、バイアス端子用誘電体基板（８）上に形成
されている。（２）はマイクロストリップ線路（３）及
び使用周波数の４分の！波長の長さのオープンスタブか
ら成るショートスタブ回路である。In the figure, (1) to (8) and 0υ are the same as those shown in the conventional example of FIG. 2, so their explanation will be omitted. (13a
) to (13d) are bias terminals provided in the above package, and open stubs (IOa) to (10d) each having a length of a quarter wavelength of the frequency used are added to these terminals. and is formed on a dielectric substrate (8) for bias terminals. (2) is the microstrip line (3) and a quarter of the frequency used! This is a short stub circuit consisting of an open stub with a wavelength length.
次に動作について説明する。高周波帯用パッケージ内に
あるバイアス用端子ｒ１３ａ）〜（１３ｄ）に使用周波
数の４分の１波長のオープンスタブ（１０ａ ）〜（ｌ
ｏｄ）を付加することにエフ、その接続点における高周
波的なインピーダンスはショートとなる。従って。Next, the operation will be explained. Bias terminals r13a) to (13d) in the high frequency band package are connected to open stubs (10a) to (l) with a quarter wavelength of the operating frequency.
od), the high frequency impedance at the connection point becomes a short circuit. Therefore.
ショートスタブ回路ＣＬ６ｔ−ｍ成する必要のあるマイ
クロストリップ線路（３）ヲオープンスタプ（１０ａ）
〜（１０ｄ）が付加さｎ几バイアス用端子りｌ蕊）〜（
１田］に接続することにニジ、ショートスタブ回路（６
）が構成される。Microstrip line (3) required to form short stub circuit CL6t-m Open stub (10a)
~(10d) is added to the terminal for bias)~(
1 field], short stub circuit (6
) is configured.
以上のようにこの発明によれば、バイアス用端子に使用
周波数の４分の１波長の長さのオープンスタブを付加し
７を几め、ショートスタブを構成するマイクロストリッ
プ線路端と、上記バイアス用端子を接続することにエフ
ショートスタブ回路が構成され、従来ショートスタ１回
路を構成するために用いてき九チップコンデンサが不要
となり、作業効率も向上する効果がある。As described above, according to the present invention, an open stub with a length of a quarter wavelength of the frequency used is added to the bias terminal, and the microstrip line end constituting the short stub and the bias terminal are connected to each other. A F-short stub circuit is constructed by connecting the terminals, eliminating the need for the nine-chip capacitor conventionally used to construct one short star circuit, and improving work efficiency.
第１図はこの発明の一実施例による高周波帯用パッケー
ジを示す平面図％＠２図ｒｍｌｌ１図のパッケージ等価
回路図、第３図は従来の高周波帯用パッケージを示す平
面図、第４図に第３図のパッケージの等価回路図である
。
図において、ｔｔ）ｒｉ高周波帯用パッケージの内壁、
（２）は整合回路用誘電体基板、（３）はマイクロスト
リップ線路、（４）は金ワイヤ、（５）ｒｉ入出力端子
用誘電体基板、（６）は入出力端子、１７）ｔ：ｔチッ
プコンデンサ。
（８）ハバイアス端子用誘電体基板＝ （１０ａ）〜
（１０ｄ）はオープンスタブ、０υは半導体素子、０２
はショートスタブ回路、 （１３ａ）−（１３ｄ）は
バイアス端子である。
なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。Fig. 1 is a plan view showing a high frequency band package according to an embodiment of the present invention, and the package equivalent circuit diagram shown in Fig. 2 is a package equivalent circuit diagram of Fig. 3, and Fig. 3 is a plan view showing a conventional high frequency band package. 4 is an equivalent circuit diagram of the package of FIG. 3. FIG. In the figure, the inner wall of the tt)ri high frequency band package,
(2) is a dielectric substrate for matching circuits, (3) is a microstrip line, (4) is a gold wire, (5) is a dielectric substrate for RI input/output terminals, (6) is an input/output terminal, 17) t: t-chip capacitor. (8) Dielectric substrate for habias terminal = (10a) ~
(10d) is an open stub, 0υ is a semiconductor element, 02
is a short stub circuit, and (13a) to (13d) are bias terminals. In Figure 1, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.
Claims (1)
を供給するための誘電体基板上に設けられたマイクロス
トリツプ線路端子において、上記高周波帯回路からの電
気的接続箇所に使用周波数の４分の１波長の長さのォー
プンスタブを付加したことを特徴とする高周波帯用パツ
ケージ。In a microstrip line terminal provided on a dielectric substrate for supplying a bias inside the package that can be applied to a high frequency band circuit, the electrical connection point from the high frequency band circuit has a wavelength of 1/4 of the frequency used. A high frequency band package characterized by the addition of an open stub with a length of .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157848A JPH0448801A (en) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | Package cage for high frequency band |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157848A JPH0448801A (en) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | Package cage for high frequency band |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448801A true JPH0448801A (en) | 1992-02-18 |
Family
ID=15658686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2157848A Pending JPH0448801A (en) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | Package cage for high frequency band |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448801A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0983203A (en) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Nec Corp | High frequency circuit |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2157848A patent/JPH0448801A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0983203A (en) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Nec Corp | High frequency circuit |
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