JPH0448801A - 高周波帯用パツケージ - Google Patents
高周波帯用パツケージInfo
- Publication number
- JPH0448801A JPH0448801A JP2157848A JP15784890A JPH0448801A JP H0448801 A JPH0448801 A JP H0448801A JP 2157848 A JP2157848 A JP 2157848A JP 15784890 A JP15784890 A JP 15784890A JP H0448801 A JPH0448801 A JP H0448801A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- high frequency
- frequency band
- circuit
- package
- bias
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高周波帯パンケージに関し、特に高周波回路
の組立ての簡易化及び価格の低減に関するものである。
の組立ての簡易化及び価格の低減に関するものである。
第３図は高周波回路を組立て九後の従来の高周波帯用パ
ッケージの平面図で、第４図は第３図のパッケージの等
価回路図である。図に２いて、（１）は高周波帯用パッ
ケージの内壁％（２）は整合回路用誘電体基板、（３）
は整合回路を形成するマイクロストリップ線路、（４）
は各線路又は部品を接続する金ワイヤ、（６）は高周波
帯用パッケージに具備されている高周波帯用の入出力端
子であシ、入出力端子用誘電体基板（５）に形成されて
いる。（７）に高周波帯用のチップコンデンサ＆ （
９ａ）〜（９ｄ）は高周波帯用パッケージ内に具備され
ているバイアス用端子であり、バイアス端子用誘電体基
板（８）に形成されている。ＯＩ）は半導体素子、α４
はマイクロストリップ線路（３）及びチップコンデンサ
（７）で構成されているバイアス回路兼用のショートス
タブ回路である。
ッケージの平面図で、第４図は第３図のパッケージの等
価回路図である。図に２いて、（１）は高周波帯用パッ
ケージの内壁％（２）は整合回路用誘電体基板、（３）
は整合回路を形成するマイクロストリップ線路、（４）
は各線路又は部品を接続する金ワイヤ、（６）は高周波
帯用パッケージに具備されている高周波帯用の入出力端
子であシ、入出力端子用誘電体基板（５）に形成されて
いる。（７）に高周波帯用のチップコンデンサ＆ （
９ａ）〜（９ｄ）は高周波帯用パッケージ内に具備され
ているバイアス用端子であり、バイアス端子用誘電体基
板（８）に形成されている。ＯＩ）は半導体素子、α４
はマイクロストリップ線路（３）及びチップコンデンサ
（７）で構成されているバイアス回路兼用のショートス
タブ回路である。
次に動作について説明する。マイ、クロストリップ線路
（３）及びチップコンデンサ（力で形成されているショ
ートスタブ回路α４は高周ｔＩ！Ｌ回路の整合回路の構
成要素を同時に各半導体素子αυのバイアス供給回路と
しても動作しており、チップコンデンサ（７）とバイア
ス端子ｃｇ＆）〜（９ｄ） を接続することで、バイア
ス回路を形成している。この時、チップコンデンサ（７
）の容量は高周波インピーダンスが使用周波数で０に近
くなる様な値が望ましい。
（３）及びチップコンデンサ（力で形成されているショ
ートスタブ回路α４は高周ｔＩ！Ｌ回路の整合回路の構
成要素を同時に各半導体素子αυのバイアス供給回路と
しても動作しており、チップコンデンサ（７）とバイア
ス端子ｃｇ＆）〜（９ｄ） を接続することで、バイア
ス回路を形成している。この時、チップコンデンサ（７
）の容量は高周波インピーダンスが使用周波数で０に近
くなる様な値が望ましい。
従来の高周波帯用パッケージは以上のように構成されて
−るのでバイアス用端子とショートスタブ回路の接続に
は必ずチップコンデンサを設ける必要がある几め、組立
部品の増加や価格高を招くなどの問題点があった。
−るのでバイアス用端子とショートスタブ回路の接続に
は必ずチップコンデンサを設ける必要がある几め、組立
部品の増加や価格高を招くなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消する几めになされ
たもので、チップコンデンサを使用せずにショートメタ
１回路及びバイアス回路が簡単に形成できる高周波帯用
パッケージを得ることを目的とする。
たもので、チップコンデンサを使用せずにショートメタ
１回路及びバイアス回路が簡単に形成できる高周波帯用
パッケージを得ることを目的とする。
この発明に係る高周波帯用パッケージは、高周波回路と
ＩＩ！絖されるバイアス用端子に使用周波数の４分の１
波長の長さのオープンスタブを付加したものである。
ＩＩ！絖されるバイアス用端子に使用周波数の４分の１
波長の長さのオープンスタブを付加したものである。
〔作用〕
この発明における高周波帯用パッケージは、高周波回路
と接続されるバイアス用端子に使用周波数の４分の１波
長の長さのオープンスタブを付加し几ことにより、チッ
プコンデンサを用いることなく、ショートスタブ回路及
びバイアス回路を構成することが可能となる。
と接続されるバイアス用端子に使用周波数の４分の１波
長の長さのオープンスタブを付加し几ことにより、チッ
プコンデンサを用いることなく、ショートスタブ回路及
びバイアス回路を構成することが可能となる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は高周波帯用パッケージを示す平面図。
図は高周波帯用パッケージを示す平面図。
第２図は第１図のパンケージの等価回路因である。
図において、（１）〜（８）、０υは第２図の従来例に
示し比ものと同等であるので説明を省略する。（１３ａ
）〜（１３ｄ）は上記パッケージ内に設けられているバ
イアス用端子であシ、こｎに使用周波数の４分の１波長
の長さのオープンスタブ（ＩＯａ）〜（１０ｄ）が付加
されて呵り、バイアス端子用誘電体基板（８）上に形成
されている。（２）はマイクロストリップ線路（３）及
び使用周波数の４分の！波長の長さのオープンスタブか
ら成るショートスタブ回路である。
示し比ものと同等であるので説明を省略する。（１３ａ
）〜（１３ｄ）は上記パッケージ内に設けられているバ
イアス用端子であシ、こｎに使用周波数の４分の１波長
の長さのオープンスタブ（ＩＯａ）〜（１０ｄ）が付加
されて呵り、バイアス端子用誘電体基板（８）上に形成
されている。（２）はマイクロストリップ線路（３）及
び使用周波数の４分の！波長の長さのオープンスタブか
ら成るショートスタブ回路である。
次に動作について説明する。高周波帯用パッケージ内に
あるバイアス用端子ｒ１３ａ）〜（１３ｄ）に使用周波
数の４分の１波長のオープンスタブ（１０ａ ）〜（ｌ
ｏｄ）を付加することにエフ、その接続点における高周
波的なインピーダンスはショートとなる。従って。
あるバイアス用端子ｒ１３ａ）〜（１３ｄ）に使用周波
数の４分の１波長のオープンスタブ（１０ａ ）〜（ｌ
ｏｄ）を付加することにエフ、その接続点における高周
波的なインピーダンスはショートとなる。従って。
ショートスタブ回路ＣＬ６ｔ−ｍ成する必要のあるマイ
クロストリップ線路（３）ヲオープンスタプ（１０ａ）
〜（１０ｄ）が付加さｎ几バイアス用端子りｌ蕊）〜（
１田］に接続することにニジ、ショートスタブ回路（６
）が構成される。
クロストリップ線路（３）ヲオープンスタプ（１０ａ）
〜（１０ｄ）が付加さｎ几バイアス用端子りｌ蕊）〜（
１田］に接続することにニジ、ショートスタブ回路（６
）が構成される。
以上のようにこの発明によれば、バイアス用端子に使用
周波数の４分の１波長の長さのオープンスタブを付加し
７を几め、ショートスタブを構成するマイクロストリッ
プ線路端と、上記バイアス用端子を接続することにエフ
ショートスタブ回路が構成され、従来ショートスタ１回
路を構成するために用いてき九チップコンデンサが不要
となり、作業効率も向上する効果がある。
周波数の４分の１波長の長さのオープンスタブを付加し
７を几め、ショートスタブを構成するマイクロストリッ
プ線路端と、上記バイアス用端子を接続することにエフ
ショートスタブ回路が構成され、従来ショートスタ１回
路を構成するために用いてき九チップコンデンサが不要
となり、作業効率も向上する効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による高周波帯用パッケー
ジを示す平面図％＠２図ｒｍｌｌ１図のパッケージ等価
回路図、第３図は従来の高周波帯用パッケージを示す平
面図、第４図に第３図のパッケージの等価回路図である
。 図において、ｔｔ）ｒｉ高周波帯用パッケージの内壁、
（２）は整合回路用誘電体基板、（３）はマイクロスト
リップ線路、（４）は金ワイヤ、（５）ｒｉ入出力端子
用誘電体基板、（６）は入出力端子、１７）ｔ：ｔチッ
プコンデンサ。 （８）ハバイアス端子用誘電体基板＝ （１０ａ）〜
（１０ｄ）はオープンスタブ、０υは半導体素子、０２
はショートスタブ回路、 （１３ａ）−（１３ｄ）は
バイアス端子である。 なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
ジを示す平面図％＠２図ｒｍｌｌ１図のパッケージ等価
回路図、第３図は従来の高周波帯用パッケージを示す平
面図、第４図に第３図のパッケージの等価回路図である
。 図において、ｔｔ）ｒｉ高周波帯用パッケージの内壁、
（２）は整合回路用誘電体基板、（３）はマイクロスト
リップ線路、（４）は金ワイヤ、（５）ｒｉ入出力端子
用誘電体基板、（６）は入出力端子、１７）ｔ：ｔチッ
プコンデンサ。 （８）ハバイアス端子用誘電体基板＝ （１０ａ）〜
（１０ｄ）はオープンスタブ、０υは半導体素子、０２
はショートスタブ回路、 （１３ａ）−（１３ｄ）は
バイアス端子である。 なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 高周波帯回路に適用できるパッケージ内部のバイアス
を供給するための誘電体基板上に設けられたマイクロス
トリツプ線路端子において、上記高周波帯回路からの電
気的接続箇所に使用周波数の４分の１波長の長さのォー
プンスタブを付加したことを特徴とする高周波帯用パツ
ケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157848A JPH0448801A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 高周波帯用パツケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2157848A JPH0448801A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 高周波帯用パツケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0448801A true JPH0448801A (ja) | 1992-02-18 |
Family
ID=15658686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2157848A Pending JPH0448801A (ja) | 1990-06-15 | 1990-06-15 | 高周波帯用パツケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0448801A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0983203A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Nec Corp | 高周波回路 |
-
1990
- 1990-06-15 JP JP2157848A patent/JPH0448801A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0983203A (ja) * | 1995-09-14 | 1997-03-28 | Nec Corp | 高周波回路 |
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