JPH0448859B2 - - Google Patents
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- JPH0448859B2 JPH0448859B2 JP58054009A JP5400983A JPH0448859B2 JP H0448859 B2 JPH0448859 B2 JP H0448859B2 JP 58054009 A JP58054009 A JP 58054009A JP 5400983 A JP5400983 A JP 5400983A JP H0448859 B2 JPH0448859 B2 JP H0448859B2
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- substrate
- film
- acid method
- film layer
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C21/00—Alloys based on aluminium
- C22C21/06—Alloys based on aluminium with magnesium as the next major constituent
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73917—Metallic substrates, i.e. elemental metal or metal alloy substrates
- G11B5/73919—Aluminium or titanium elemental or alloy substrates
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/053—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12535—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.] with additional, spatially distinct nonmetal component
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- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は磁気デイスク等の磁気記録媒体基板と
して用いられるアルマイト基板に関する。 高記録密度用の磁気デイスク基板等磁気記録媒
体基板にはアルミニウム合金材表面にアルマイト
皮膜層を形成させたいわゆるアルマイト基板が用
いられる。 このように高記録密度の磁気記録材用としてア
ルマイト基板が用いられる理由はアルマイト皮膜
は硬質で耐摩耗性に富み、また研摩性が良好で、
高精度の平滑面が得られ易く、従つてその表面に
容易に薄膜の磁性膜を形成することができるから
である。 ところで、このようなアルマイト基板には一般
にアルミニウムに２〜６％程度のマグネシウムを
含有せしめた合金材の表面に硫酸法アルマイト皮
膜層を形成したものが使用されているが、従来の
アルマイト基板には次のような欠点があつて、磁
気記録材の高記録密度化の妨げになつていた。 即ち、その一つは黒点欠陥といわれる微小ピツ
ト状の皮膜欠陥であつて、皮膜層にこの種の欠陥
があるとこれが磁性膜形成に際して磁性膜の陥没
部となつて、使用時の信号エラーの原因となるの
で、可及的にその数を少なく、しかもその大きさ
を少くとも3μｍ以下に抑えることが望まれる。
また、もう一つの欠点は高密度磁気記録材を得る
場合にアルマイト基板上にα−Fe3O4をスパツタ
その他適宜の方法により被着させて300〜400℃の
温度に加熱してγ−Fe2O3化する方法が採られる
が、このような高温の加熱を行つた場合、アルマ
イト皮膜に亀裂を生じ製品不良となることであつ
て、このような亀裂発生を避けるためにはアルマ
イト皮膜層を3μｍ以下の薄膜にしなければなら
ないが、このように極端に薄肉の皮膜を形成した
アルマイト基板を磁気デイスク基板として使用し
た場合、皮膜の耐圧強度が劣化するために耐ヘツ
ドラツシユ性が低下するという問題を生ずる。 発明者らは磁気記録材用アルマイト基板につい
ての上記した問題点を解決すべく鋭意研究を重ね
た結果次の知見を得た。 即ち、基板上に形成されるアルマイト皮膜層に
生じる黒点欠陥はアルミニウム合金中に含まれる
鉄、珪素、マンガン、クロムその他の不純物に基
づいて晶出する金属間化合物、例えば、
FeAl3MnAl6、NiAl3、β−（Al−Fe−Si）等が
合金材表面に介在すると、その部分がこれらの介
在物粒子の粒径に応じた大きさの皮膜欠落部とな
つてピツト状欠陥を生ずるので、可及的に介在物
の数を減少させ、またその粒径を減少させる必要
があること。 また、基板上に形成したアルマイト皮膜層を従
来の一般的な硫酸法アルマイト皮膜に変えてクロ
ム酸法アルマイト皮膜とするときは皮膜層におけ
るピツト状欠陥の発生が大巾に抑制され、しかも
磁性膜形成のための熱処理によつて亀裂発生がな
いこと。 などである。 本発明は上記の如き知見に基づいてなされたも
のであつて、 重量でマグネシウム２〜６％を含み、残部アル
ミニウムおよび不純物からなり、不純物含有許容
限界量が鉄0.003％、珪素0.005％、銅0.25％、亜
鉛0.5％、マンガン0.0005％、クロム0.0005％、ニ
ツケル0.0005％、チタン0.0005％、その他の不純
物元素の合計0.001％であるアルミニウム合金材
であつて、その表面に厚さ3μｍ以上のクロム酸
法アルマイト皮膜層を有する磁気記録材用アルマ
イト基板である。 本発明のアルマイト基板は黒点欠陥や磁性膜形
成のための熱処理による皮膜の亀裂発生が全く、
あるいは殆んど見られず、またアルマイト皮膜層
の厚さを3μｍ以上に採ることによつて耐ヘツド
クラツシユ性を改善することができるので高記録
密度用の磁気記録材基板として秀れた性能を有す
る。 本発明のアルマイト基板においてアルミニウム
材として重量で２〜６％のマグネシウムを含む合
金材を用いる理由は、この合金が磁気デイスク等
の磁気記録材基板として要求される強度、平滑度
を得やすい上にアルマイト性が良好であるからで
ある。 マグネシウム量が２％以下では基板材として十
分な強度が得られず、また６％以上では合金鋳造
に際して組織中にβ−Al2Mg3を晶出し、合金材
を基板に加工した場合に粗大な介在物となつて基
板の切削性を損なつたり、またアルマイト皮膜層
の形成に際して黒点欠陥の原因となり易い。 合金中の不純物元素の許容限界量を鉄0.003％、
珪素0.005％、マンガン0.0005％、クロム0.0005
％、ニツケル0.0005％、チタン0.0005％と定めた
理由は、これらの不純物元素はアルミニウム地金
中に比較的普通に存在する元素であつて、しかも
これらの不純物元素の存在によつて鋳造時に晶出
する金属間化合物の多くがアルマイト皮膜形成に
際して皮膜欠落部生成の原因となり易い元素であ
るが、それぞれの限界量以下の存在では鋳造時に
生成する金属間化合物の粒径は極めて微小であつ
て、従来の硫酸法アルマイト皮膜においては兎に
角として、本発明のクロム酸法アルマイト皮膜に
おいてはアルマイト皮膜層における皮膜欠落によ
る3μｍ以上のピツト状欠陥を生ずることがない
し、またそれ以下の大きさの欠陥を生ずるとして
も極く僅少であつて、健全な磁性膜形成に影響を
与えることがないからである。 なお、不純物元素中銅および亜鉛のようにアル
ミニウム中に大きな固溶限界を有する元素は比較
的多量に存在しても余り問題にならず、銅0.25
％、亜鉛0.5％までの含有が許容される。 本発明のアルマイト基板は常法によつて展伸加
工された合金材の表面をダイヤモンドバイト等に
より精密旋削仕上げを施して鏡面とした後クロム
酸電解浴を用いて直流電解を施してアルマイト皮
膜層を形成せしめて得られる。 アルマイト処理に際しては通常のクロム酸法に
おいて行われるベンゴウースチユアート法でも、
定電圧法でもよいが、十分な膜厚のアルマイト皮
膜層を得るためには定電圧法の採用が望ましく、
また定電圧法採用に当つては一般に行われる40V
程度の電圧よりも高い電圧で処理する方が好結果
を得やすい。 次に本発明の実施例を示す。 実施例 １
して用いられるアルマイト基板に関する。 高記録密度用の磁気デイスク基板等磁気記録媒
体基板にはアルミニウム合金材表面にアルマイト
皮膜層を形成させたいわゆるアルマイト基板が用
いられる。 このように高記録密度の磁気記録材用としてア
ルマイト基板が用いられる理由はアルマイト皮膜
は硬質で耐摩耗性に富み、また研摩性が良好で、
高精度の平滑面が得られ易く、従つてその表面に
容易に薄膜の磁性膜を形成することができるから
である。 ところで、このようなアルマイト基板には一般
にアルミニウムに２〜６％程度のマグネシウムを
含有せしめた合金材の表面に硫酸法アルマイト皮
膜層を形成したものが使用されているが、従来の
アルマイト基板には次のような欠点があつて、磁
気記録材の高記録密度化の妨げになつていた。 即ち、その一つは黒点欠陥といわれる微小ピツ
ト状の皮膜欠陥であつて、皮膜層にこの種の欠陥
があるとこれが磁性膜形成に際して磁性膜の陥没
部となつて、使用時の信号エラーの原因となるの
で、可及的にその数を少なく、しかもその大きさ
を少くとも3μｍ以下に抑えることが望まれる。
また、もう一つの欠点は高密度磁気記録材を得る
場合にアルマイト基板上にα−Fe3O4をスパツタ
その他適宜の方法により被着させて300〜400℃の
温度に加熱してγ−Fe2O3化する方法が採られる
が、このような高温の加熱を行つた場合、アルマ
イト皮膜に亀裂を生じ製品不良となることであつ
て、このような亀裂発生を避けるためにはアルマ
イト皮膜層を3μｍ以下の薄膜にしなければなら
ないが、このように極端に薄肉の皮膜を形成した
アルマイト基板を磁気デイスク基板として使用し
た場合、皮膜の耐圧強度が劣化するために耐ヘツ
ドラツシユ性が低下するという問題を生ずる。 発明者らは磁気記録材用アルマイト基板につい
ての上記した問題点を解決すべく鋭意研究を重ね
た結果次の知見を得た。 即ち、基板上に形成されるアルマイト皮膜層に
生じる黒点欠陥はアルミニウム合金中に含まれる
鉄、珪素、マンガン、クロムその他の不純物に基
づいて晶出する金属間化合物、例えば、
FeAl3MnAl6、NiAl3、β−（Al−Fe−Si）等が
合金材表面に介在すると、その部分がこれらの介
在物粒子の粒径に応じた大きさの皮膜欠落部とな
つてピツト状欠陥を生ずるので、可及的に介在物
の数を減少させ、またその粒径を減少させる必要
があること。 また、基板上に形成したアルマイト皮膜層を従
来の一般的な硫酸法アルマイト皮膜に変えてクロ
ム酸法アルマイト皮膜とするときは皮膜層におけ
るピツト状欠陥の発生が大巾に抑制され、しかも
磁性膜形成のための熱処理によつて亀裂発生がな
いこと。 などである。 本発明は上記の如き知見に基づいてなされたも
のであつて、 重量でマグネシウム２〜６％を含み、残部アル
ミニウムおよび不純物からなり、不純物含有許容
限界量が鉄0.003％、珪素0.005％、銅0.25％、亜
鉛0.5％、マンガン0.0005％、クロム0.0005％、ニ
ツケル0.0005％、チタン0.0005％、その他の不純
物元素の合計0.001％であるアルミニウム合金材
であつて、その表面に厚さ3μｍ以上のクロム酸
法アルマイト皮膜層を有する磁気記録材用アルマ
イト基板である。 本発明のアルマイト基板は黒点欠陥や磁性膜形
成のための熱処理による皮膜の亀裂発生が全く、
あるいは殆んど見られず、またアルマイト皮膜層
の厚さを3μｍ以上に採ることによつて耐ヘツド
クラツシユ性を改善することができるので高記録
密度用の磁気記録材基板として秀れた性能を有す
る。 本発明のアルマイト基板においてアルミニウム
材として重量で２〜６％のマグネシウムを含む合
金材を用いる理由は、この合金が磁気デイスク等
の磁気記録材基板として要求される強度、平滑度
を得やすい上にアルマイト性が良好であるからで
ある。 マグネシウム量が２％以下では基板材として十
分な強度が得られず、また６％以上では合金鋳造
に際して組織中にβ−Al2Mg3を晶出し、合金材
を基板に加工した場合に粗大な介在物となつて基
板の切削性を損なつたり、またアルマイト皮膜層
の形成に際して黒点欠陥の原因となり易い。 合金中の不純物元素の許容限界量を鉄0.003％、
珪素0.005％、マンガン0.0005％、クロム0.0005
％、ニツケル0.0005％、チタン0.0005％と定めた
理由は、これらの不純物元素はアルミニウム地金
中に比較的普通に存在する元素であつて、しかも
これらの不純物元素の存在によつて鋳造時に晶出
する金属間化合物の多くがアルマイト皮膜形成に
際して皮膜欠落部生成の原因となり易い元素であ
るが、それぞれの限界量以下の存在では鋳造時に
生成する金属間化合物の粒径は極めて微小であつ
て、従来の硫酸法アルマイト皮膜においては兎に
角として、本発明のクロム酸法アルマイト皮膜に
おいてはアルマイト皮膜層における皮膜欠落によ
る3μｍ以上のピツト状欠陥を生ずることがない
し、またそれ以下の大きさの欠陥を生ずるとして
も極く僅少であつて、健全な磁性膜形成に影響を
与えることがないからである。 なお、不純物元素中銅および亜鉛のようにアル
ミニウム中に大きな固溶限界を有する元素は比較
的多量に存在しても余り問題にならず、銅0.25
％、亜鉛0.5％までの含有が許容される。 本発明のアルマイト基板は常法によつて展伸加
工された合金材の表面をダイヤモンドバイト等に
より精密旋削仕上げを施して鏡面とした後クロム
酸電解浴を用いて直流電解を施してアルマイト皮
膜層を形成せしめて得られる。 アルマイト処理に際しては通常のクロム酸法に
おいて行われるベンゴウースチユアート法でも、
定電圧法でもよいが、十分な膜厚のアルマイト皮
膜層を得るためには定電圧法の採用が望ましく、
また定電圧法採用に当つては一般に行われる40V
程度の電圧よりも高い電圧で処理する方が好結果
を得やすい。 次に本発明の実施例を示す。 実施例 １
【表】
第１表に示す組成Ａ（本発明合金）およびＢ（比
較合金）の２種類のアルミニウム−マグネシウム
合金溶湯を常法に従つてセラミツク質フイルター
で過し、非金属介在物を除去した後、水冷式半
連続鋳造法によつて断面255mm×910mmの鋳塊を作
り、これを490℃で３時間加熱して均質化処理を
施して８mm厚さまで熱間圧延し、さらに２mm厚さ
まで冷間圧延して、420℃で４時間の仕上げ焼鈍
を施して基板用アルミニウム合金材を得た。 次いで、上記Ａ、B2種類のアルミニウム合金
材を粗切削後、ダイヤモンド・バイトによる精密
旋削を行ない、更に研摩して所定の鏡面に仕上げ
た後クロム酸法によるアルマイト皮膜形成を行つ
た。 また、比較のため合金材Ａについては従来の硫
酸法によるアルマイト処理を施した。（記号A′）。 各基板におけるアルマイト皮膜層の膜厚は6μ
ｍに揃えた。 アルマイト条件は次の通りである。 クロム酸法アルマイト条件 クロム酸濃度 10wt％ 電圧（定電圧法） 65V 浴 温 40℃ 電流密度 0.3A／ｄm2 硫酸法アルマイト条件 硫酸濃度 15wt％ 電 圧 10V 浴 温 20℃ 電流密度 1.5A／ｄm2 上記のようにして得られたアルマイト基板につ
いて顕微鏡視野（0.355mm2）内における黒点欠陥
の大きさ、数を画像解析装置（LUZEX−500）
を用いて測定した結果を第２表に示す。
較合金）の２種類のアルミニウム−マグネシウム
合金溶湯を常法に従つてセラミツク質フイルター
で過し、非金属介在物を除去した後、水冷式半
連続鋳造法によつて断面255mm×910mmの鋳塊を作
り、これを490℃で３時間加熱して均質化処理を
施して８mm厚さまで熱間圧延し、さらに２mm厚さ
まで冷間圧延して、420℃で４時間の仕上げ焼鈍
を施して基板用アルミニウム合金材を得た。 次いで、上記Ａ、B2種類のアルミニウム合金
材を粗切削後、ダイヤモンド・バイトによる精密
旋削を行ない、更に研摩して所定の鏡面に仕上げ
た後クロム酸法によるアルマイト皮膜形成を行つ
た。 また、比較のため合金材Ａについては従来の硫
酸法によるアルマイト処理を施した。（記号A′）。 各基板におけるアルマイト皮膜層の膜厚は6μ
ｍに揃えた。 アルマイト条件は次の通りである。 クロム酸法アルマイト条件 クロム酸濃度 10wt％ 電圧（定電圧法） 65V 浴 温 40℃ 電流密度 0.3A／ｄm2 硫酸法アルマイト条件 硫酸濃度 15wt％ 電 圧 10V 浴 温 20℃ 電流密度 1.5A／ｄm2 上記のようにして得られたアルマイト基板につ
いて顕微鏡視野（0.355mm2）内における黒点欠陥
の大きさ、数を画像解析装置（LUZEX−500）
を用いて測定した結果を第２表に示す。
【表】
第２表の結果より、本発明のアルマイト基板、
即ち、２〜６％のマグネシウムを含み、不純物元
素を所定の許容値以下に規制したアルミニウム合
金材Ａの表面にクロム酸法アルマイト皮膜を被着
させたアルマイト基板は、不純物元素を所定の許
容値以上に含む合金材Ｂに同様条件でクロム酸法
アルマイト皮膜を被着させた基板に比べて黒点発
生数が遥かに少なく、就中磁性膜形成に際し悪影
響を及ぼすといわれる3μｍ以上の大きさの黒点
が皆無であることが判る。 また、本発明による合金材を使用した場合で
も、従来の硫酸法アルマイト皮膜層を表面に形成
したアルマイト基板A′に至つては黒点欠陥の数
は本発明のアルマイト基板の60倍にも達し、磁性
膜形成に悪影響のある3μｍ以上の黒点欠陥も多
数あり、本発明のアルマイト基板が高記録密度用
磁気記録基板として如何に優れたものであるかが
判る。 また第３表は第１表の組成の合金Ａについて上
記と同様のアルマイト条件でクロム酸法アルマイ
ト皮膜層各3μｍ、4.5μｍ、6μｍの厚さで形成させ
たアルマイト基板Ａおよび同様にして硫酸法アル
マイト被膜層を形成させたアルマイト基板A′に
ついて300℃、350℃、400℃に各２時間加熱保持
した場合の基板における割れ発生の程度を顕微鏡
観察したものである。表中０は亀裂が全くないも
の、△は部分的に亀裂を生じたもの、×は全面的
に亀裂を生じたものを示す。
即ち、２〜６％のマグネシウムを含み、不純物元
素を所定の許容値以下に規制したアルミニウム合
金材Ａの表面にクロム酸法アルマイト皮膜を被着
させたアルマイト基板は、不純物元素を所定の許
容値以上に含む合金材Ｂに同様条件でクロム酸法
アルマイト皮膜を被着させた基板に比べて黒点発
生数が遥かに少なく、就中磁性膜形成に際し悪影
響を及ぼすといわれる3μｍ以上の大きさの黒点
が皆無であることが判る。 また、本発明による合金材を使用した場合で
も、従来の硫酸法アルマイト皮膜層を表面に形成
したアルマイト基板A′に至つては黒点欠陥の数
は本発明のアルマイト基板の60倍にも達し、磁性
膜形成に悪影響のある3μｍ以上の黒点欠陥も多
数あり、本発明のアルマイト基板が高記録密度用
磁気記録基板として如何に優れたものであるかが
判る。 また第３表は第１表の組成の合金Ａについて上
記と同様のアルマイト条件でクロム酸法アルマイ
ト皮膜層各3μｍ、4.5μｍ、6μｍの厚さで形成させ
たアルマイト基板Ａおよび同様にして硫酸法アル
マイト被膜層を形成させたアルマイト基板A′に
ついて300℃、350℃、400℃に各２時間加熱保持
した場合の基板における割れ発生の程度を顕微鏡
観察したものである。表中０は亀裂が全くないも
の、△は部分的に亀裂を生じたもの、×は全面的
に亀裂を生じたものを示す。
【表】
【表】
第３表より本発明のアルマイト基板、即ち含有
不純物元素について所定の許容限界量に規制した
アルミニウム−マグネシウム合金材表面にクロム
酸法アルマイト皮膜を3μｍ以上の膜厚で形成せ
しめた基板は磁性膜形成のために必要とされる
300℃乃至400℃の範囲の如何なる温度に加熱保持
しても全く亀裂の発生を見ないのに対し、従来の
硫酸法アルマイト皮膜を形成した基板において
は、亀裂発生を防止するためには膜厚を3μｍよ
り薄くせざるを得ないことが判る。 実施例 ２
不純物元素について所定の許容限界量に規制した
アルミニウム−マグネシウム合金材表面にクロム
酸法アルマイト皮膜を3μｍ以上の膜厚で形成せ
しめた基板は磁性膜形成のために必要とされる
300℃乃至400℃の範囲の如何なる温度に加熱保持
しても全く亀裂の発生を見ないのに対し、従来の
硫酸法アルマイト皮膜を形成した基板において
は、亀裂発生を防止するためには膜厚を3μｍよ
り薄くせざるを得ないことが判る。 実施例 ２
【表】
【表】
第４表に示す組成ＡおよびA′（本発明組成合
金）６種類およびＢ（比較組成合金）４種類につ
いて実施例と同様の条件で得られた基板用アルミ
ニウム合金材について、実施例１と同様のアルマ
イト条件にてクロム酸法皮膜を形成させたアルマ
イト基板（たゞし、A′−６のみは従来法による
硫酸皮膜形成）について、機械的特性値、黒点発
生状況および350℃に２時間保持後の亀裂発生の
有無を測定した結果を第５表に示す。皮膜層の膜
厚は5μｍであり、また黒点亀裂の測定は顕微鏡
視野（0.355mm2）内のものである。
金）６種類およびＢ（比較組成合金）４種類につ
いて実施例と同様の条件で得られた基板用アルミ
ニウム合金材について、実施例１と同様のアルマ
イト条件にてクロム酸法皮膜を形成させたアルマ
イト基板（たゞし、A′−６のみは従来法による
硫酸皮膜形成）について、機械的特性値、黒点発
生状況および350℃に２時間保持後の亀裂発生の
有無を測定した結果を第５表に示す。皮膜層の膜
厚は5μｍであり、また黒点亀裂の測定は顕微鏡
視野（0.355mm2）内のものである。
【表】
第５表の結果より本発明の合金組成のアルミニ
ウム合金材表面にクロム酸法アルマイト皮膜層を
形成した本発明のアルマイト基板（Ａ−１乃至Ａ
−５）は黒点の発生少く、しかも亀裂発生は皆無
であるのに対し、本発明の合金組成であつても硫
酸法アルマイト皮膜を形成した基板（A′−６）
やクロム酸法アルマイト皮膜を形成したものであ
つても本発明の合金組成のアルミニウム合金材で
ないアルマイト基板（Ｂ−７乃至Ｂ−10）におい
ては黒点欠陥、殊に3μｍ以上の大きさの黒点欠
陥が多数存在し、また特に硫酸法アルマイト皮膜
を有する基板（A′−６）にあつては基板材とし
て致命的である加熱処理時の亀裂発生があること
が判る。 以上述べたように本発明のアルマイト基板は黒
点欠陥の発生は皆無であり、しかも3μｍ以上の
膜厚のアルマイト皮膜層が形成されているのにか
かわらず、磁性膜形成のために必要な300℃以上
の温度での加熱処理によつて何等亀裂を発生する
ことがないので、耐ヘツドクラツシユ性のすぐれ
た高記録密度磁気記録材用アルマイト基板として
抜群の性能を有するものであるといえる。
ウム合金材表面にクロム酸法アルマイト皮膜層を
形成した本発明のアルマイト基板（Ａ−１乃至Ａ
−５）は黒点の発生少く、しかも亀裂発生は皆無
であるのに対し、本発明の合金組成であつても硫
酸法アルマイト皮膜を形成した基板（A′−６）
やクロム酸法アルマイト皮膜を形成したものであ
つても本発明の合金組成のアルミニウム合金材で
ないアルマイト基板（Ｂ−７乃至Ｂ−10）におい
ては黒点欠陥、殊に3μｍ以上の大きさの黒点欠
陥が多数存在し、また特に硫酸法アルマイト皮膜
を有する基板（A′−６）にあつては基板材とし
て致命的である加熱処理時の亀裂発生があること
が判る。 以上述べたように本発明のアルマイト基板は黒
点欠陥の発生は皆無であり、しかも3μｍ以上の
膜厚のアルマイト皮膜層が形成されているのにか
かわらず、磁性膜形成のために必要な300℃以上
の温度での加熱処理によつて何等亀裂を発生する
ことがないので、耐ヘツドクラツシユ性のすぐれ
た高記録密度磁気記録材用アルマイト基板として
抜群の性能を有するものであるといえる。
Claims (1)
- １ 重量でマグネシウム２〜６％を含み、残部ア
ルミニウムおよび不純物からなり、不純物の含有
許容限界量が鉄0.003％、珪素0.005％、銅0.25％、
亜鉛0.5％、マンガン0.0005％、クロム0.0005％、
ニツケル0.0005％、チタン0.0005％、その他の不
純物元素の合計0.001％であるアルミニウム合金
材であつて、その表面に厚さ3μｍ以上のクロム
酸法アルマイト皮膜層を有する磁気記録材用アル
マイト基板。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58054009A JPS59180832A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 磁気記録材用アルマイト基板 |
| US06/584,996 US4540449A (en) | 1983-03-31 | 1984-03-01 | Aluminum substrate for magnetic recording media |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58054009A JPS59180832A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 磁気記録材用アルマイト基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59180832A JPS59180832A (ja) | 1984-10-15 |
| JPH0448859B2 true JPH0448859B2 (ja) | 1992-08-07 |
Family
ID=12958576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58054009A Granted JPS59180832A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 磁気記録材用アルマイト基板 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4540449A (ja) |
| JP (1) | JPS59180832A (ja) |
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-
1983
- 1983-03-31 JP JP58054009A patent/JPS59180832A/ja active Granted
-
1984
- 1984-03-01 US US06/584,996 patent/US4540449A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4540449A (en) | 1985-09-10 |
| JPS59180832A (ja) | 1984-10-15 |
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