JPS6090852A - 光ファイバの処理方法 - Google Patents
光ファイバの処理方法Info
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- JPS6090852A JPS6090852A JP58197945A JP19794583A JPS6090852A JP S6090852 A JPS6090852 A JP S6090852A JP 58197945 A JP58197945 A JP 58197945A JP 19794583 A JP19794583 A JP 19794583A JP S6090852 A JPS6090852 A JP S6090852A
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/02—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor
- C03B37/025—Manufacture of glass fibres or filaments by drawing or extruding, e.g. direct drawing of molten glass from nozzles; Cooling fins therefor from reheated softened tubes, rods, fibres or filaments, e.g. drawing fibres from preforms
- C03B37/027—Fibres composed of different sorts of glass, e.g. glass optical fibres
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01446—Thermal after-treatment of preforms, e.g. dehydrating, consolidating, sintering
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C13/00—Fibre or filament compositions
- C03C13/04—Fibre optics, e.g. core and clad fibre compositions
- C03C13/045—Silica-containing oxide glass compositions
- C03C13/047—Silica-containing oxide glass compositions containing deuterium
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C25/00—Surface treatment of fibres or filaments made from glass, minerals or slags
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- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/20—Doped silica-based glasses doped with non-metals other than boron or fluorine
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- Surface Treatment Of Glass Fibres Or Filaments (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は通信、画像伝送、エネルギ伝送などに用いられ
る光ファイバの製造技術に関し、特に長波長域での長期
信頼性が高く、耐放射線性に優れた光ファイバが得られ
るガラス処理方法に関する。
る光ファイバの製造技術に関し、特に長波長域での長期
信頼性が高く、耐放射線性に優れた光ファイバが得られ
るガラス処理方法に関する。
石英ガラスをファとする光ファイバが適用される分野の
１つとして、原子力発電所内のような放射線環境下での
用途が急増しつつある。
１つとして、原子力発電所内のような放射線環境下での
用途が急増しつつある。
これの理由として、通信用の場合は光ファイバの軽量、
細径、無誘導性が、イメージガイドやライトガイドの場
合はその優れた低損失性が大きなメリットとなるためで
ある。
細径、無誘導性が、イメージガイドやライトガイドの場
合はその優れた低損失性が大きなメリットとなるためで
ある。
特にイメージガイドの場合、従来多用されていた多成分
系ガラスに比べ、石英系光ファイバは放射線照射による
損失増がきわめて小さい利点を有しており、これの実用
化が急速に拡がりつつある。
系ガラスに比べ、石英系光ファイバは放射線照射による
損失増がきわめて小さい利点を有しており、これの実用
化が急速に拡がりつつある。
しかしながら、γ線、中性子線、Ｘ線、電子線など、高
エネルギの放射線環境下では石英系光ファイバといえど
も放射線にともなう伝送損失増を免かれることができな
い。
エネルギの放射線環境下では石英系光ファイバといえど
も放射線にともなう伝送損失増を免かれることができな
い。
この伝送損失の増加を少しでも抑制するため種々の検討
がなされており、例えばコア中のＯＨ基が多いものは上
記損失増が比較的小さいとか、光ファイバの紡糸条件が
上記損失の増加量に大きな影響をおよぼすことなどが既
知の事項となっている。
がなされており、例えばコア中のＯＨ基が多いものは上
記損失増が比較的小さいとか、光ファイバの紡糸条件が
上記損失の増加量に大きな影響をおよぼすことなどが既
知の事項となっている。
このような検討結果から、例えば、コア中にＯＨ基を数
１００ ｐｐｒ１程度含有する、しかも最適の条件で紡
糸された光ファイバが原子力分野での使用に耐え得ると
考えられたが、放射線照射による損失増は依然として大
きく、更なる特殊に高濃度のＯＨ基を含有した石英系ガ
ラスをコアとする光ファイバの場合、ＯＨ基に起因した
波長０．９５μｍ、１．３９μｍでの吸収損失があり、
波長０．８μｍでの光伝送はもちろん、波長１．３０μ
ｍでの光伝送は不可能に近し１と！／）われている。
１００ ｐｐｒ１程度含有する、しかも最適の条件で紡
糸された光ファイバが原子力分野での使用に耐え得ると
考えられたが、放射線照射による損失増は依然として大
きく、更なる特殊に高濃度のＯＨ基を含有した石英系ガ
ラスをコアとする光ファイバの場合、ＯＨ基に起因した
波長０．９５μｍ、１．３９μｍでの吸収損失があり、
波長０．８μｍでの光伝送はもちろん、波長１．３０μ
ｍでの光伝送は不可能に近し１と！／）われている。
このため、耐放射線性に関してＯＨ基と同等の効果をも
つが、吸収損失が長波長帯にシフトしているＯＤ基含有
の石英系ガラスが注目されている。
つが、吸収損失が長波長帯にシフトしているＯＤ基含有
の石英系ガラスが注目されている。
ＯＤ基を含有する石英系ガラスの場合、波長ｘ、２８μ
ｍ（ＯＨ基での１．９５ ｆｉｍに対応）、波長１．６
８μｍ（同１．２４μｍに対応）、波長１．８７μｍ
（ｊ：Ｉｔ、 ３９ ｐｍに対応）などにおいて吸収が
みられる。
ｍ（ＯＨ基での１．９５ ｆｉｍに対応）、波長１．６
８μｍ（同１．２４μｍに対応）、波長１．８７μｍ
（ｊ：Ｉｔ、 ３９ ｐｍに対応）などにおいて吸収が
みられる。
さらにＯＤ基を含有する石英系ガラスの場合、波長０．
８μｍでの低損失化が期待されている。
８μｍでの低損失化が期待されている。
かかるＯＤ基含有の石英系光ファイバを製造する手段と
しては、特開昭４９−９５１４号のように、火炎加水分
解反応によるスート合成中にり、を用いる方法やゾルゲ
ル法でつくられたドライゲル（ｄｒｙｇｅｔ）を、まず
Ｃム処理し、つぎにＤＩＯ雰囲気中でＣｔ→ＯＤ交換す
る方法などが知られているが、これらの方法は高価なり
＊、ＤｔＯなどを大量に使用するため工業的に好ましく
なく、特にＤｔＯ雰曲気中でスートを処理する方法では
、ガラスの失透を招きやすく、良質の光フアイバ母材が
得がたい。
しては、特開昭４９−９５１４号のように、火炎加水分
解反応によるスート合成中にり、を用いる方法やゾルゲ
ル法でつくられたドライゲル（ｄｒｙｇｅｔ）を、まず
Ｃム処理し、つぎにＤＩＯ雰囲気中でＣｔ→ＯＤ交換す
る方法などが知られているが、これらの方法は高価なり
＊、ＤｔＯなどを大量に使用するため工業的に好ましく
なく、特にＤｔＯ雰曲気中でスートを処理する方法では
、ガラスの失透を招きやすく、良質の光フアイバ母材が
得がたい。
本発明はＯＤ基を含有する石英系の光フアイバガラスに
つき、より耐放射鈷の優れたものが得られる処理方法を
新規に提供しようとするものである。
つき、より耐放射鈷の優れたものが得られる処理方法を
新規に提供しようとするものである。
本発明の処理方法は、石英系の光フフイ／くガラスをＤ
２またはＤ！化合物含有雰囲気中にさらして該ガラス中
にＯＤ基を含有させることを特徴としている。
２またはＤ！化合物含有雰囲気中にさらして該ガラス中
にＯＤ基を含有させることを特徴としている。
以下、本発明方法の具体的実施例について説明する。
↓ｆｉ ｏ＋＋ ＋ｒ ｋ） １．−） Ｘ ｍマツノ
、：ｙラズシ１号、をファイバ用の多孔質ガラス母材を
構成してしする石英系のガラスス−一ト成形体、光コア
イノく用の透明ガラス母材を構成している石英系のガラ
ス成形体、光ファイバを構成しているガラス成形体など
を含む総称であり、気相あるいは液相のガラス原料など
は含まない。
、：ｙラズシ１号、をファイバ用の多孔質ガラス母材を
構成してしする石英系のガラスス−一ト成形体、光コア
イノく用の透明ガラス母材を構成している石英系のガラ
ス成形体、光ファイバを構成しているガラス成形体など
を含む総称であり、気相あるいは液相のガラス原料など
は含まない。
上記光フアイバガラスに関して、これが多孔質ガラス母
材であるとき、公知のＶＡＤ法、ＯＶＤ法、ゾルゲル法
などにより、つくられ、透明ガラス母材は、これら各法
によりつくられた多孔質ガラス母材を透明ガラス化する
ことにより、または公知のＭＣＶＤ法、ＰＣＶＤ法によ
り得られ、さらに光ファイバは透明ガラス母材を加熱延
伸することにより得られる。
材であるとき、公知のＶＡＤ法、ＯＶＤ法、ゾルゲル法
などにより、つくられ、透明ガラス母材は、これら各法
によりつくられた多孔質ガラス母材を透明ガラス化する
ことにより、または公知のＭＣＶＤ法、ＰＣＶＤ法によ
り得られ、さらに光ファイバは透明ガラス母材を加熱延
伸することにより得られる。
また、光フアイバガラスが上記母材段階にあるとき、ガ
ラスバイブが必要に応じてジャケットされることがある
。
ラスバイブが必要に応じてジャケットされることがある
。
最終製品としての光フアイバガラスは上記光ファイバで
あり、これにはモノコアをもつ単心型、マルチコアをも
つ多心型などがある。
あり、これにはモノコアをもつ単心型、マルチコアをも
つ多心型などがある。
光ファイバのコアを構成するガラスは石英系であるが、
そのクラッドに関しては石英系のほか、シリコーンゴム
や弗素系樹脂のごとき低屈折率プラスチック材料からな
るときもある。
そのクラッドに関しては石英系のほか、シリコーンゴム
や弗素系樹脂のごとき低屈折率プラスチック材料からな
るときもある。
用途別にいうと、上記光ファイバは通信用、イメージガ
イド用、ライトガイド用としてつくられる。
イド用、ライトガイド用としてつくられる。
光ファイバのコアは純粋なＳｔｏｗであると、放射線照
射による損失増が小さく、好ましい。
射による損失増が小さく、好ましい。
コア中のＯＨ基含有量は、１．３μｍや１．５５μｍな
どの長波長域で用いる場合、少ないことが好ましいが、
０．８５μｍのごとき短波長域、あるいはイメージガイ
ドのごとき可視光領域で用いるとき、コアがあらかじめ
、ある程度のＯＨ基を含有していると、耐放射線特性上
、好結果を得ることが多い。
どの長波長域で用いる場合、少ないことが好ましいが、
０．８５μｍのごとき短波長域、あるいはイメージガイ
ドのごとき可視光領域で用いるとき、コアがあらかじめ
、ある程度のＯＨ基を含有していると、耐放射線特性上
、好結果を得ることが多い。
通信用光ファイバでは広帯域性を要求されることがあり
、このような場合、コアはＦｔ Ｇｅ５Ｐなどがドープ
されたＧｌ型屈折率分布のドープト石英であってもよい
。
、このような場合、コアはＦｔ Ｇｅ５Ｐなどがドープ
されたＧｌ型屈折率分布のドープト石英であってもよい
。
コアが上記ドープト石英であるとき、石英系クラッドと
しては純５ｉｎｓでもよいが、コアの屈折率が５ｉｎｓ
と同程度もしくはそれ以下であると、クラッドはＦ、Ｂ
などがドープされたドープト石英が用いられる。
しては純５ｉｎｓでもよいが、コアの屈折率が５ｉｎｓ
と同程度もしくはそれ以下であると、クラッドはＦ、Ｂ
などがドープされたドープト石英が用いられる。
もちろん光ファイバはＳＩ型の場合もあり、単一モード
伝送型、多モード伝送型のいずれもがあり得る。
伝送型、多モード伝送型のいずれもがあり得る。
上述の光フアイバガラスは％ Ｉｈ含有雰囲気中、ある
いはり、化合物（ＤｚＯ）含有雰囲気中にさらされ、こ
れにより、そのガラス中にＯＤ基を含有することとなる
。
いはり、化合物（ＤｚＯ）含有雰囲気中にさらされ、こ
れにより、そのガラス中にＯＤ基を含有することとなる
。
この際の処理は、既述の説明から理解できるように、多
孔質ガラス母材の段階、透明ガラス母材の段階、光ファ
イバの段階、光フアイバ紡糸工程と同期する段階など、
任意１の段階で、または任意２以上の段階で、あるいは
すべての段階で行なわれる。
孔質ガラス母材の段階、透明ガラス母材の段階、光ファ
イバの段階、光フアイバ紡糸工程と同期する段階など、
任意１の段階で、または任意２以上の段階で、あるいは
すべての段階で行なわれる。
また、コア用ガラスがクラッド用ガラスよりも先行して
、あるいはクラッド用ガラスと別工程でつくられるよう
な場合とか、クラッドがプラスチック製である場合は、
コア用ガラスのみが上記処理を受けることもある。
、あるいはクラッド用ガラスと別工程でつくられるよう
な場合とか、クラッドがプラスチック製である場合は、
コア用ガラスのみが上記処理を受けることもある。
好ましい処理段階は光フアイバガラスが多孔質ガラス母
材のときであり、その理由はＤｔ（またはり、０）の拡
散が容易となるからである。
材のときであり、その理由はＤｔ（またはり、０）の拡
散が容易となるからである。
イメージガイドの場合は、透明ガラス母材を−たん直径
数１１１１〜０．数−に加熱延伸し、これにより得られ
た細棒を数千〜数万本引きそろえて溶融一体化し、さら
にその一体化物を直径０．数■〜数■のファイバに加熱
延伸する工程をとるのであり、このイメージガイドでは
、上記細棒をつくっているときは、その細棒をつくった
後、これを溶融一体化するまでの間に上記処理を行なう
のも好ましい。
数１１１１〜０．数−に加熱延伸し、これにより得られ
た細棒を数千〜数万本引きそろえて溶融一体化し、さら
にその一体化物を直径０．数■〜数■のファイバに加熱
延伸する工程をとるのであり、このイメージガイドでは
、上記細棒をつくっているときは、その細棒をつくった
後、これを溶融一体化するまでの間に上記処理を行なう
のも好ましい。
Ｄ、（またはり、０）含有雰囲気中での処理温度は５０
℃以上であり、より高温であると処理時間が短縮できる
ので好ましい。
℃以上であり、より高温であると処理時間が短縮できる
ので好ましい。
光ファイバの段階では、１次被覆材料の劣化を防ぐ上で
処理温度を１００〜２５０℃程度とするのがよく、透明
ガラスｌｆＪ ４１’、多孔質ガラス母材の段階では１
００〜１６００℃程度の処理温度が選ばれる。
処理温度を１００〜２５０℃程度とするのがよく、透明
ガラスｌｆＪ ４１’、多孔質ガラス母材の段階では１
００〜１６００℃程度の処理温度が選ばれる。
また、透明ガラス母材の処理時ではこれを延伸し得る温
度（１３１えば２０００〜２１００℃）での処理も可能
であり、多孔質ガラス母材の処理ではこれを焼結し得る
までの処理温度が好ましい。
度（１３１えば２０００〜２１００℃）での処理も可能
であり、多孔質ガラス母材の処理ではこれを焼結し得る
までの処理温度が好ましい。
本発明において、光フアイバガラスをＤＩ（またはＤＩ
Ｏ）含有雰囲気中にさらして処理するとき、例えばその
処理温度が室温であるとＤｔなどが光フアイバガラス中
に入るだけでＯＤ基は生成されがたい。
Ｏ）含有雰囲気中にさらして処理するとき、例えばその
処理温度が室温であるとＤｔなどが光フアイバガラス中
に入るだけでＯＤ基は生成されがたい。
したがってその処理温度を室温よりも高くすることが大
切である。
切である。
比較的低温にて光フアイバガラスＤ２などと接触させ、
これによりそのｌ）１などを光フアイバガラス中に含浸
させた後、該ガラスを高温に加熱することも一有効であ
る。
これによりそのｌ）１などを光フアイバガラス中に含浸
させた後、該ガラスを高温に加熱することも一有効であ
る。
この場合は光フアイバガラスの中心にまでり。
などが一様に含浸できるので、これを加熱して例えばＯ
Ｈ基＋Ｄ、；！ＯＤ基＋ＨＤ交換を行なわせると、コア
中のＯＤ基濃度がＯＨ基濃度よりも多くなるので好まし
い。
Ｈ基＋Ｄ、；！ＯＤ基＋ＨＤ交換を行なわせると、コア
中のＯＤ基濃度がＯＨ基濃度よりも多くなるので好まし
い。
Ｄｔなどの圧力は特に限定しないが高圧であるほど処理
時間を短縮できる利点が得られる。
時間を短縮できる利点が得られる。
Ｄ、含有雰囲気中においてＯＨ基濃度の高い光フアイバ
ガラスを処理するとき、上記交換式の繰り返しによりＯ
Ｈ基の反応が起ると、はじめ光フアイバガラスの外表面
に近いところから内部にわたってＯＤ基１０Ｈ基濃度が
減少していくことになる。
ガラスを処理するとき、上記交換式の繰り返しによりＯ
Ｈ基の反応が起ると、はじめ光フアイバガラスの外表面
に近いところから内部にわたってＯＤ基１０Ｈ基濃度が
減少していくことになる。
多孔質ガラス母材の場合、これをそのままＤ２処理する
とＯＤ基含有率は増加するがＯＨ基も含有することにな
り、ＯＨ基による吸収損失が都合悪いときもある。
とＯＤ基含有率は増加するがＯＨ基も含有することにな
り、ＯＨ基による吸収損失が都合悪いときもある。
このときは多孔質ガラス母材をノ・ロゲン、例えばＣｚ
＋、Ｆｔなどのハロゲンガスあるいはハロゲン化合物ガ
スの存在下で処理して脱水処理した後、Ｄ、（またはＤ
！Ｏ）処理するとよく、これによりＯＨ基はないがＯＤ
基のある光フアイバガラスが得られる。
＋、Ｆｔなどのハロゲンガスあるいはハロゲン化合物ガ
スの存在下で処理して脱水処理した後、Ｄ、（またはＤ
！Ｏ）処理するとよく、これによりＯＨ基はないがＯＤ
基のある光フアイバガラスが得られる。
この脱水処理は〜５ ｖａｔ％以下のｃｔ、または塩素
化合物を含むＨｅ雰囲気が用いられる。
化合物を含むＨｅ雰囲気が用いられる。
逆にＯＨ基が１００ ｐｐｍ以上、好しくハｌｏ００ｐ
ｐｍ程度になると損失が徐々に減少することになる。
ｐｍ程度になると損失が徐々に減少することになる。
このような場合はＤｔ（またはＤｘＯ）処理前の多孔質
ガラス母材にＯＨ基を多針に含有させる。
ガラス母材にＯＨ基を多針に含有させる。
また、光フアイバガラスに分子構造上の欠陥があると都
合のよい場合があり、このような場合はＤｔ（またはＤ
ｔ０）処理前の透明ガラス母材を加熱延伸するとか、放
射線照射するなどして上記欠陥を増加させる。
合のよい場合があり、このような場合はＤｔ（またはＤ
ｔ０）処理前の透明ガラス母材を加熱延伸するとか、放
射線照射するなどして上記欠陥を増加させる。
つぎに本発明の具体例とその比較例について説明する。
具体例１
純粋ＳｉＯ諌らなるコア用多孔質ガラス母材をＶＡＤ法
により作製し、これを常法により透明ガラス化する一方
、ＢおよびＦをドープしたドープト石英をＭＣＶＤ法に
より石英管の外周に堆積させてクラッド用ガラスをつく
り、この石英管を、上記コア用透明ガラス母材の外周に
ジャケットした後、当該母材を紡糸するとともに１次コ
ートしてコア直径５０μｍｓ外径１２５μｍ１シリスー
ンゴムによる被覆外径４００μｍの光ファイバを得た。
により作製し、これを常法により透明ガラス化する一方
、ＢおよびＦをドープしたドープト石英をＭＣＶＤ法に
より石英管の外周に堆積させてクラッド用ガラスをつく
り、この石英管を、上記コア用透明ガラス母材の外周に
ジャケットした後、当該母材を紡糸するとともに１次コ
ートしてコア直径５０μｍｓ外径１２５μｍ１シリスー
ンゴムによる被覆外径４００μｍの光ファイバを得た。
この光ファイバは比屈折率が０．７５％、コア中のＯＨ
基含有量が０．１ ｐｐｍ程度である。
基含有量が０．１ ｐｐｍ程度である。
つぎに上記光ファイバを、２００℃、１ｈ／ｌｒｉのり
、含有雰囲気中にて２４時間処理したところ、その光フ
、アイバガラスは約３０１）Ｐｍ ｆ） ＯＤ基基金含
有た。
、含有雰囲気中にて２４時間処理したところ、その光フ
、アイバガラスは約３０１）Ｐｍ ｆ） ＯＤ基基金含
有た。
その後、上記光ファイバにＴ線（Ｃｏ”、１０’ｒａｄ
／ｈｒ ）を照射したところ、１時間後の損失増は２０
ｄＢ／Ｋｍであった（使用波長０．８５ ｔｔｍ ）
。
／ｈｒ ）を照射したところ、１時間後の損失増は２０
ｄＢ／Ｋｍであった（使用波長０．８５ ｔｔｍ ）
。
比較例１
具体例１と同様の光ファイバをつくり、これをり、処理
することなく上記と同様の放射線照射を行なったところ
、１時間後の損失増が２００ ｄＢ／ｋｍにもなった。
することなく上記と同様の放射線照射を行なったところ
、１時間後の損失増が２００ ｄＢ／ｋｍにもなった。
具体例２
Ｈｅ気流中にて９００℃、３時間の加熱により脱水処理
した後、５００℃のＤ？含有雰囲気（気流）にて３時間
処理した。
した後、５００℃のＤ？含有雰囲気（気流）にて３時間
処理した。
このあと、Ｈｅ雰囲気にかえて上記母材を１３８０℃に
て透明ガラス化した。
て透明ガラス化した。
上記によりＯＤ基を含有したコア用透明ガラス母材の外
周に、具体例と同様のクラッド用ガラス付石英管をジャ
ケットし、以下具体例１と同様にして光ファイバを得た
。
周に、具体例と同様のクラッド用ガラス付石英管をジャ
ケットし、以下具体例１と同様にして光ファイバを得た
。
この光ファイバＯＤ基はｓ ｏ ｏ ｐｐｍに達してい
たが、ＯＨ基は１ ｐｐｍ以下であった。
たが、ＯＨ基は１ ｐｐｍ以下であった。
さらに具体例２の光ファイバにつき、具体例１と同様の
放射線照射を行なったところ、１時間後の損失増は１８
ｄＢ／Ｋｍであった（使用波長０８５μｍ）。
放射線照射を行なったところ、１時間後の損失増は１８
ｄＢ／Ｋｍであった（使用波長０８５μｍ）。
以上の事項は光ファイバを耐放射線性の観点から述べた
ものであるが、本発明方法により処理された光ファイバ
は長期にわたって安定な伝送特性を有するので、この点
についても説明する。
ものであるが、本発明方法により処理された光ファイバ
は長期にわたって安定な伝送特性を有するので、この点
についても説明する。
すなわち、ある特殊環境下では、光ファイバの周辺に水
素の存在することがあり、例えば異種金属があるところ
に水が注入されたり、ある種の被覆材を有するときの加
熱下では光ファイバの周辺にＨｌが発生し、この水素が
光フアイバ中に拡散して損失増を招く。
素の存在することがあり、例えば異種金属があるところ
に水が注入されたり、ある種の被覆材を有するときの加
熱下では光ファイバの周辺にＨｌが発生し、この水素が
光フアイバ中に拡散して損失増を招く。
本発明のごとく処理を受けた光フアイバガラスではＨ７
による損失増がきわめて小さく、その伝送特性につき長
期安定性を有する。
による損失増がきわめて小さく、その伝送特性につき長
期安定性を有する。
これに関する具体例とその比較例を以下に示す。
具体例３ ・
ＭＣＶＤ法により、Ｇｅ０ｔ Ｐｓｉｓ Ｓ １ｏｔ（
６２１％）のＧＩ型屈折率分布をもつコア用ガラスとｓ
Ｐ鵞Ｏｓ−Ｆ Ｓ ｉ Ｏｘからなるノラツド用ガラ
スとをもつ透明ガラス母材をつくり、これを常法により
紡糸してコア直径５０μｍ１ クラッド外径５６μｍ１
外径１２５μｍの光ファイバを得た。
６２１％）のＧＩ型屈折率分布をもつコア用ガラスとｓ
Ｐ鵞Ｏｓ−Ｆ Ｓ ｉ Ｏｘからなるノラツド用ガラ
スとをもつ透明ガラス母材をつくり、これを常法により
紡糸してコア直径５０μｍ１ クラッド外径５６μｍ１
外径１２５μｍの光ファイバを得た。
この光ファイバを１００℃、］ ｈ／ｃｔｔｌのり、含
有雰囲気中（気流中）にて８時間処理したところ、当該
処理後の損失増は】。ＯｄＢ／Ｋｍであった（使用波長
１３μｍ）。
有雰囲気中（気流中）にて８時間処理したところ、当該
処理後の損失増は】。ＯｄＢ／Ｋｍであった（使用波長
１３μｍ）。
つぎに上記処理後の光ファイバをＨ２雰囲気中（１００
℃、Ｉ Ｋｙ／ｃａ ）に２４時間保持し、その伝送特
性の安定性を上記と同じ波長で測定したところ、損失増
はｏ６ｄＢ／Ｋｍであった。
℃、Ｉ Ｋｙ／ｃａ ）に２４時間保持し、その伝送特
性の安定性を上記と同じ波長で測定したところ、損失増
はｏ６ｄＢ／Ｋｍであった。
比較例２
具体例２と同じ光ファイバをつくり、これをＤ２処理す
ることなく上記と同じ測定を行なったところ、損失増が
２．４ ｄＢ／−にもなった。
ることなく上記と同じ測定を行なったところ、損失増が
２．４ ｄＢ／−にもなった。
なお、波長０．９５μｍでの吸収ピークに関して、具体
例３では０．３ ｄＢ／Ｋｍの損失増であったのに対し
、比較例２では１． ａ ｄＢ／に＋ｎの損失増となっ
た。
例３では０．３ ｄＢ／Ｋｍの損失増であったのに対し
、比較例２では１． ａ ｄＢ／に＋ｎの損失増となっ
た。
また、波長１．３μｍにおける具体８１３、比較例２の
伝送特性の安定性はわずがな差であるといえるが、波長
０．８μｍに関しては具体例２の安定性が比較例２を大
きく上回った。
伝送特性の安定性はわずがな差であるといえるが、波長
０．８μｍに関しては具体例２の安定性が比較例２を大
きく上回った。
具体例４
ＶＡＤ法ニヨリ、Ｇｅ０ｔ−Ｆ Ｓ ｉＯ＊（６２１％
）のＧｌ型分布をもつフッ用多孔質ガラスと純Ｓ ｉ
Ｏｘからなるクラッド用多孔質ガラスとをもつ多孔質ガ
ラス母材をつくり、これを常法により透明ガラス化なら
びに紡糸してコア直径５０μｍ１外径１２５μｍの光フ
ァイバを得た。
）のＧｌ型分布をもつフッ用多孔質ガラスと純Ｓ ｉ
Ｏｘからなるクラッド用多孔質ガラスとをもつ多孔質ガ
ラス母材をつくり、これを常法により透明ガラス化なら
びに紡糸してコア直径５０μｍ１外径１２５μｍの光フ
ァイバを得た。
この光ファイバを具体例３と同様にり、処理し、具体例
３と同様に耐水素性のテストを行なったところ、損失増
はＯｄＢ／Ｋｍであった。
３と同様に耐水素性のテストを行なったところ、損失増
はＯｄＢ／Ｋｍであった。
比較例３
具体例４と同様の光ファイバをつくり、これをＤ２処理
することなく既述の耐水素性テストを行なったところ、
損失増が０．２４ ｄＢ／Ｉ［ｍになった。
することなく既述の耐水素性テストを行なったところ、
損失増が０．２４ ｄＢ／Ｉ［ｍになった。
以上説明した通り、本発明の処理方法によるときは、光
フアイバガラス中に充分かつ効果的にＯＤ基を含有させ
ることができ、これにより光７フイパガラスの耐放射線
性、長期にわたる伝送特性の信頼性などが確保できると
ともに処理易度も充分にあるので、光フアイバガラス処
理が簡単に実施できる。
フアイバガラス中に充分かつ効果的にＯＤ基を含有させ
ることができ、これにより光７フイパガラスの耐放射線
性、長期にわたる伝送特性の信頼性などが確保できると
ともに処理易度も充分にあるので、光フアイバガラス処
理が簡単に実施できる。
特許出願人
代理人 弁理士 井 藤 誠
手続補正書（方式）
１．事件の表示 特願昭５８−１９７９４５２ 発明の
名称 光フアイバガラスの処理方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 古河電気工業株式会社 ４、賦理人〒１００ ６ 補正の対象 明細書全文、委任状 ７゜補正の内容 別紙の通シ、委任状、タイプ浄書した明細書全文（内容
に変更なし）を提出します。
名称 光フアイバガラスの処理方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 古河電気工業株式会社 ４、賦理人〒１００ ６ 補正の対象 明細書全文、委任状 ７゜補正の内容 別紙の通シ、委任状、タイプ浄書した明細書全文（内容
に変更なし）を提出します。
以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）石英系の光フアイバガラスをＤｔまたはり、化合
物含有雰囲気中にさらして該ガラスにＯＤ基を含有させ
ることを特徴とする光フアイバガラスの処理方法。 （２） 光フアイバ用の多孔質ガラス母材を構成してい
る光フアイバガラスを所定の雰囲気中にさらす特許請求
の範囲第１項記載の光フアイバガラスの処理方法。 （３）光フアイバ用の透明ガラス母材を構成している光
フアイバガラスを所定の雰囲気中にさらす特許請求の範
囲第１項記載の光フアイバガラスの処理方法。 （４） 光ファイバを構成している光フアイバガラスを
所定の雰囲気中にさらす特許請求の範囲第１項記載の光
フアイバガラスの処理方法。 ｌ唱 ハｃｒｈ’■今倉＋／ズ臂聞摺出で１１か絡め光
フアイバガラスを所定の雰囲気中にさらす特許請求の範
囲第２］ｊ１記載の光フアイバガラスの処理方法。 （６） Ｄｔまたはり、化合物含有雰囲気が室温よりも
高い温度を有して特許請求の範囲第１項ないし第５項い
ずれかに記載の光フアイバガラスの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58197945A JPS6090852A (ja) | 1983-10-22 | 1983-10-22 | 光ファイバの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58197945A JPS6090852A (ja) | 1983-10-22 | 1983-10-22 | 光ファイバの処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6090852A true JPS6090852A (ja) | 1985-05-22 |
| JPH044988B2 JPH044988B2 (ja) | 1992-01-30 |
Family
ID=16382908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58197945A Granted JPS6090852A (ja) | 1983-10-22 | 1983-10-22 | 光ファイバの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6090852A (ja) |
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-
1983
- 1983-10-22 JP JP58197945A patent/JPS6090852A/ja active Granted
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