JPH0449939B2 - - Google Patents

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JPH0449939B2
JPH0449939B2 JP62176958A JP17695887A JPH0449939B2 JP H0449939 B2 JPH0449939 B2 JP H0449939B2 JP 62176958 A JP62176958 A JP 62176958A JP 17695887 A JP17695887 A JP 17695887A JP H0449939 B2 JPH0449939 B2 JP H0449939B2
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Kanhosu Misheru
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Atochem SA
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Description

【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野 本発明は、塩化メチレンを主成分とする組成物お
よびこの組成物を応用した電子工業における印刷
回路用フオトレジストフイルムの除去方法に関す
る。 従来の技術 プリント配線基板の製造には、被エツチング基
板上の重合したドライフイルムを溶媒を用いて除
去する操作が含まれる。このドライフイルム、す
なわち「フオトレジスト」は、紫外線照射により
重合する、重合したフオトレジストは耐水性があ
り、現像液およびエツチング液に対して抵抗力が
ある。これに対してフオトレジストの紫外線を照
射されなかつた部分は現像操作中に溶解する。 フオトレジストフイルムを除去するためのいろ
いろな組成物が既に知られている。例えば、アメ
リカ合衆国特許第3789007号には、塩化メチレン
と、メタノール３〜15重量％との混合物が記載さ
れている。また、アメリカ合衆国特許第3813309
号には、強い有機酸とアミンとケトンを含む複数
の塩素化溶媒の混合物が記載されている。さら
に、アメリカ合衆国特許第4438192号には、メタ
ノールと蟻酸メチルを含み、ささに、場合によつ
てはプロピレンオキシドを含む塩化メチレンが記
載されている。 本発明は、プリント回路基板上のフオトレジス
トフイルムを容易かつ迅速に除去することがで
き、しかも、回収して何回も利用することが可能
な組成物を提供することを目的とする。 問題点を解決するための手段 本発明は、塩化メチレンと、(a)少なくとも１種
のエポキシドと、(b)少なくとも１種のアルコール
と、(c)２〜12個の炭素原子を有するエーテルおよ
び３〜10個の炭素原子を有する脂肪族ケトンによ
つて構成される群の中から選択される水にほとん
ど溶けない少なくとも１種のエーテルおよび／ま
たは脂肪族ケトンとによつて構成されるフオトレ
ジストフイルム除去用組成物を提供する。 使用する(a)エポキシドの全量は、上記組成物の
全量の0.05〜５重量％。特に0.2〜２重量％であ
ることが好ましい。エポキシドとしては、プロピ
レンオキシドとブチレンオキシドを挙げることが
できる。しかし、プロピレンオキシドのほうが好
ましい。 アルコールとしては、炭素原子を１〜５個含む
直鎖状または分枝状のアルコールが最もよく使用
される。例えば、メタノール、エタノール、イソ
プロパノールを挙げることができる。しかし、こ
の中でもメタノールを使用するのが好ましい。 (b)アルコールの全量は、上記の組成物の全量の
0.05〜５重量％、特に２〜４重量％であることが
好ましい。 (c)エーテルとケトンの中から選択した化合物の
全量は、上記の組成物の0.05〜５重量％、特に１
〜３重量％であることが好ましい。 エーテルとしては、炭素原子を２〜12個含むモ
ノ、ジ、またはトリエーテルが最も使用される。 特に、メチル第三ブチルエーテル（MTBE）
とジメトキシメタンが好ましい。 ケトンとしては、炭素原子を３〜10個含む脂肪
族ケトンが最もよく使用される。 その中でもアセトンが最適である。 エーテルまたはケトンを単独で使用すること
や、同一の族または上記の２つの族に属する複数
の化合物を混合物として用いることもできる。特
に、MTBEを単独で使用することが望ましい。
というのは、MTBEは水にわずかしか溶けない
（20℃で1.3重量％）ので、上記の組成物を水蒸気
蒸留して回収する場合にこのMTBEが失われな
いという利点があることからである。 本発明の組成物は、上記の物質と塩化メチレン
を単に混合するだけで製造することができる。こ
の混合操作は、室温、特に５〜30℃で実施する。 本発明はまた、上記の組成物を用いてフオトレ
ジストフイルムを除去する方法にも関する。フオ
トレジストフイルムを除去するには、本発明の組
成物の溶液中にプリント回路基板を浸すだけでよ
い。また、上記の組成物を散布することにより連
続処理することも可能である。プリント回路基板
は、フオトレジストフイルムを除去した後は水を
切り乾燥させる。このプリント回路基板は空気中
で乾燥させることもある。 実施例 以下の実施例により本発明を説明する。ただ
し、本発明がここに例示した実施例に限定される
ことはない。使用するフオトレジストは、ポリメ
タクリレートを主成分とする樹脂である。数値は
すべて重量％を表す。 実施例 １〜３ 以下の第１表に示す３通りの組成の組成物を調
整する。
【表】 まず第１に、上記組成物に対するフオトレジス
トの飽和度を測定する、組成物100gにフオトレ
ジストを数グラム添加する。この混合物を15分間
撹拌した後、再びフオトレジストを添加する。同
様の操作を飽和に達するまで繰返す。この操作は
20℃で実施する。デカンテーシヨンを行つて透明
な溶液を採取し、その中から乾燥生成物を取り出
す。得られた結果を以下の第２表にまとめて示
す。
【表】
【表】 次に、上記の組成物のリサイクルに対する適性
を調べる。まず、溶媒の蒸留装置を備える容積
100mlの丸底フラスコ内に、フオトレジストを３
％含む上記の組成物１を導入する。次に、蒸留に
よりこの組成物を回収する。回収した蒸留物のフ
オトレジスト含有率を３％にしてこのフラスコ内
に「再び導入」し、蒸留する。この操作を６回繰
返す。組成物２と３に対しても同じテストを行
う。得られた結果がやはり第２表にまとめて示さ
れている。 フオトレンジストの除去速度： フオトレンジストで被覆した10×１cmの銅のサ
ンプルを、25℃、撹拌下で、組成の異なる様々な
溶液中に浸す。面積を決めて、銅サンプルから完
全にフオトレジストがはがれるまでの時間を測定
する。 このテストは、新しい組成物と、上記の再生操
作を６回繰返した組成物とに対して実施した。得
られた結果が第２表に示されている。 実施例 ４ 本発明の組成物のリサイクルに対する適性を水
蒸気蒸留を用いて調べる。この実施例では、本発
明の組成物と本発明の組成物ではない組成物とを
比較する。本発明の組成物は、塩化メチレン、メ
タノール、プロピレンオキシド、MTBEを含む
組成物（組成物５）であり、本発明の組成物では
ない組成物は、塩化メチレン、メタノール、プロ
ピレンオキシド、蟻酸メチルを含む組成物（組成
物４）である。 水蒸気蒸留装置内でフオトレジストを３％含む
組成物100mlを蒸留する。蒸留物はフオトレジス
ト含有率を３％にして再び水蒸気蒸留装置に戻
し、新たに蒸留する。この操作を４回繰返す。得
られた結果を以下の第３表にまとめて示す。
MTBEを含む組成物のほうがもう一方の組成物
よりもはるかに変化が少ない。つまり、本発明の
組成物のほうは、メタノールを加えてやりさえす
れば新しい組成物として使用することが可能であ
る。
【表】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 塩化メチレンと、 少なくとも１種のエポキシドと、 少なくとも１種のアルコールと、 ２〜12個の炭素原子を有するエーテルおよび ３〜10個の炭素原子を有する脂肪族ケトンに よつて構成される群の中から選択される水にほ
    とんど溶けない少なくとも１種のエーテル および／または脂肪族ケトンと によつて構成されるフオトレジストフイルム除去
    用組成物。 ２ エポキシドがプロピレンオキシドおよびブチ
    レンオキシドの中から選択される特許請求の範囲
    第１項記載の組成物。 ３ アルコールが炭素原子を１〜５個有する直鎖
    または分枝したアルコールの中から選択される特
    許請求の範囲第１項または２項に記載の組成物。 ４ エーテルがメチル第三ブチルエーテルまたは
    ジメトキシメタンである特許請求の範囲第１〜３
    項のいずか一項に記載の組成物。 ５ エポキシドの量が組成物の全量の0.05〜５重
    量％である特許請求の範囲第１〜４項のいずれか
    一項に記載の組成物。 ６ アルコールの量が組成物の全量の0.05〜５重
    量％である特許請求の範囲第１〜５項のいずれか
    一項に記載の組成物。 ７ エーテルおよび／または脂肪族ケトンの量が
    組成物の全量の0.05〜５重量％である特許請求の
    範囲第１〜６項のいずれか一項に記載の組成物。 ８ エポキシドがプロピレンオキシドであり、ア
    ルコールがメタノールであり、エーテルおよび／
    または脂肪族ケトンがメチル第三ブチルエーテル
    である特許請求の範囲第１〜７項のいずれか一項
    に記載の組成物。 ９ 塩化メチレンと、 少なくとも１種のエポキシドと、 少なくとも１種のアルコールと、 ２〜12個の炭素原子を有するエーテルおよび ６〜10個の炭素原子を有する脂肪族ケトンに よつて構成される群の中から選択される水に ほとんど溶けない少なくとも１種のエーテル および／または脂肪族ケトンと によつて構成されるフオトレジストフイルム除去
    用組成物中にプリント配線基板を浸漬させるか、
    この組成物をプリント配線基板に散布することに
    よつてプリント配線基板と上記組成物を接触させ
    てプリント配線基板上のフオトレジストフイルム
    を除去する方法。
JP62176958A 1986-07-21 1987-07-15 塩化メチレンを主成分とする組成物および該組成物を応用したフォトレジストフィルムの除去方法 Granted JPS6330848A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
FR8610529 1986-07-21
FR8610529A FR2601703B1 (fr) 1986-07-21 1986-07-21 Composition a base de chlorure de methylene - son utilisation pour l'enlevement des films photoresist

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JPS6330848A JPS6330848A (ja) 1988-02-09
JPH0449939B2 true JPH0449939B2 (ja) 1992-08-12

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JP62176958A Granted JPS6330848A (ja) 1986-07-21 1987-07-15 塩化メチレンを主成分とする組成物および該組成物を応用したフォトレジストフィルムの除去方法

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JP (1) JPS6330848A (ja)
AT (1) ATE72679T1 (ja)
CA (1) CA1295205C (ja)
DE (1) DE3776737D1 (ja)
DK (1) DK170076B1 (ja)
ES (1) ES2006203A6 (ja)
FI (1) FI84630C (ja)
FR (1) FR2601703B1 (ja)
GR (1) GR3004213T3 (ja)
IE (1) IE59867B1 (ja)
NO (1) NO173617C (ja)

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Publication number Publication date
FR2601703B1 (fr) 1993-05-07
FR2601703A1 (fr) 1988-01-22
FI873189A0 (fi) 1987-07-20
JPS6330848A (ja) 1988-02-09
CA1295205C (fr) 1992-02-04
IE871958L (en) 1989-01-21
NO173617B (no) 1993-09-27
FI873189L (fi) 1988-01-22
DK170076B1 (da) 1995-05-15
DE3776737D1 (de) 1992-03-26
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ES2006203A6 (es) 1989-04-16
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DK376787A (da) 1988-01-22
NO873030L (no) 1988-01-22
ATE72679T1 (de) 1992-03-15
IE59867B1 (en) 1994-04-20
FI84630C (fi) 1991-12-27
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