JPS6330848A - 塩化メチレンを主成分とする組成物および該組成物を応用したフォトレジストフィルムの除去方法 - Google Patents
塩化メチレンを主成分とする組成物および該組成物を応用したフォトレジストフィルムの除去方法Info
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- JPS6330848A JPS6330848A JP62176958A JP17695887A JPS6330848A JP S6330848 A JPS6330848 A JP S6330848A JP 62176958 A JP62176958 A JP 62176958A JP 17695887 A JP17695887 A JP 17695887A JP S6330848 A JPS6330848 A JP S6330848A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、塩化メチレンを主成分とする組成物およびこ
の組成物を応用した電子工業における印刷回路用フォト
レジストフィルムの除去方法に関する。
の組成物を応用した電子工業における印刷回路用フォト
レジストフィルムの除去方法に関する。
従来の技術
プリント配線基板の製造には、被エツチング基板上の重
合したドライフィルムを溶媒を用いて除去する操作が含
まれる。このドライフィルム、すなわち「フォトレジス
ト」は、紫外線照射により重合する。重合したフォトレ
ジストは耐水性があり、現像液およびエツチング液に対
しても抵抗力がある。これに対してフォトレジストの紫
外線を照射されなかった部分は現像操作中に溶解する。
合したドライフィルムを溶媒を用いて除去する操作が含
まれる。このドライフィルム、すなわち「フォトレジス
ト」は、紫外線照射により重合する。重合したフォトレ
ジストは耐水性があり、現像液およびエツチング液に対
しても抵抗力がある。これに対してフォトレジストの紫
外線を照射されなかった部分は現像操作中に溶解する。
フォトレジストフィルムを除去するためのいろいろな組
成物が既に知られている。例えば、アメリカ合衆国特許
第３．７８９．００７号には、塩化メチレンと、メタノ
ール３〜１５重量％との混合物が記載されている。また
、アメリカ合衆国特許第３．８１３．３０９号には、強
い有機酸とアミンとケトンを含む複数の塩素化溶媒の混
合物が記載されている。さらに、アメリカ合衆国特許第
４．４３８．１９２号には、メタノールと蟻酸メチルを
含み、さらに、場合によってはプロピレンオキシドを含
む塩化メチレンが記載されている。
成物が既に知られている。例えば、アメリカ合衆国特許
第３．７８９．００７号には、塩化メチレンと、メタノ
ール３〜１５重量％との混合物が記載されている。また
、アメリカ合衆国特許第３．８１３．３０９号には、強
い有機酸とアミンとケトンを含む複数の塩素化溶媒の混
合物が記載されている。さらに、アメリカ合衆国特許第
４．４３８．１９２号には、メタノールと蟻酸メチルを
含み、さらに、場合によってはプロピレンオキシドを含
む塩化メチレンが記載されている。
本発明は、プリント回路基板上のフォトレジストフィル
ムを容易かつ迅速に除去することができ、しかも、回収
して何回も利用することが可能な組成物を提供すること
を目的とする。
ムを容易かつ迅速に除去することができ、しかも、回収
して何回も利用することが可能な組成物を提供すること
を目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明の組成物は、
（ａ） 少なくとも１種のエポキシドと、ｂ）少なく
とも１種のアルコールと、 （ｃ） エーテルとケトンの中から選択した少なくと
も１種の生成物と を含むことを特徴する。
とも１種のアルコールと、 （ｃ） エーテルとケトンの中から選択した少なくと
も１種の生成物と を含むことを特徴する。
使用する（ａ）エポキシドの全量は、上記組成物の全量
の０．０５〜５重量％、特に０．２〜２重量％であるこ
とが好ましい。エポキシドとしては、プロピレンオキシ
ドとブチレンオキシドを挙げることができる。しかし、
プロピレンオキシドのほうが好ましい。
の０．０５〜５重量％、特に０．２〜２重量％であるこ
とが好ましい。エポキシドとしては、プロピレンオキシ
ドとブチレンオキシドを挙げることができる。しかし、
プロピレンオキシドのほうが好ましい。
アルコールとしては、炭素原子を１〜５個含む直鎖状ま
たは分岐状のアルコールが最もよく使用される。例えば
、メタノーノベエタノール、イソプロパツールを挙げる
ことができる。しかし、こ■中でもメタノールを使用す
るのが好ましい。
たは分岐状のアルコールが最もよく使用される。例えば
、メタノーノベエタノール、イソプロパツールを挙げる
ことができる。しかし、こ■中でもメタノールを使用す
るのが好ましい。
（ｂ）アルコールの全量は、上記の組成物の全量の０．
０５〜５重量％、特に２〜４重量％であることが好まし
い。
０５〜５重量％、特に２〜４重量％であることが好まし
い。
（ｃ）エーテルとケトンの中から選択した生成物の全量
は、上記の組成物の０．０５〜５重量％、特に１〜３重
量％であることが好ましい。
は、上記の組成物の０．０５〜５重量％、特に１〜３重
量％であることが好ましい。
エーテルとしては、炭素原子を２〜１２個含むモノ、ジ
、またはトリエーテルが最も使用される。
、またはトリエーテルが最も使用される。
特に、メチル第三ブチルエーテル（ＭＴＢＥ）とジメト
キシメタンが好ましい。
キシメタンが好ましい。
ケトンとしては、炭素原子を３〜１０個含む脂肪族ケト
ンが最もよく使用される。
ンが最もよく使用される。
その中でもアセトンが最適である。
エーテルまたはケトンを単独で使用することや、同一の
族または上記の２つの族に属する複数の生成物を混合物
として用いることもできる。特に、ＭＴＢＥを単独で使
用することが望ましい。というのは、ＭＴＢＢは水にわ
ずかしか溶けない（２０℃で１．３重量％）ので、上記
の組成物を水蒸気蒸留して回収する場合にこのＭＴＢＥ
が失われないという利点があるからである。
族または上記の２つの族に属する複数の生成物を混合物
として用いることもできる。特に、ＭＴＢＥを単独で使
用することが望ましい。というのは、ＭＴＢＢは水にわ
ずかしか溶けない（２０℃で１．３重量％）ので、上記
の組成物を水蒸気蒸留して回収する場合にこのＭＴＢＥ
が失われないという利点があるからである。
本発明の組成物は、上記の物質と塩化メチレンを単に混
合するだけで製造することができる。この混合操作は、
室温、特に５〜３０℃で実施する。
合するだけで製造することができる。この混合操作は、
室温、特に５〜３０℃で実施する。
本発明はまた、上記の組成物を用いてフォトレジストフ
ィルムを除去する方法にも関する。フォトレジストフィ
ルムを除去するには、本発明の組成物の溶液中にプリン
ト回路基板を浸すだけでよい。また、上記の組成物を散
布することにより連続処理することも可能である。プリ
ント回路基板は、フォトレジストフィルムを除去した後
は水を切り乾燥させる。このプリント回路基板は空気中
で乾燥させることもある。
ィルムを除去する方法にも関する。フォトレジストフィ
ルムを除去するには、本発明の組成物の溶液中にプリン
ト回路基板を浸すだけでよい。また、上記の組成物を散
布することにより連続処理することも可能である。プリ
ント回路基板は、フォトレジストフィルムを除去した後
は水を切り乾燥させる。このプリント回路基板は空気中
で乾燥させることもある。
実施例
以下の実施例により本発明を説明する。ただし、本発明
がここに例示した実施例に限定されることはない。使用
するフォトレジストは、ポリメタクリレートを主成分と
する樹脂である。数値はすべて重量％を表す。
がここに例示した実施例に限定されることはない。使用
するフォトレジストは、ポリメタクリレートを主成分と
する樹脂である。数値はすべて重量％を表す。
実施例１〜３
以下の第１表に示す３通りの組成の組成物を調製する。
まず第１に、上記組成物に対するフォトレジストの飽和
度を測定する。組成物１００ｇにフォトレジストを数グ
ラム添加する。この混合物を１５分間撹拌した後、再び
フォトレジストを添加する。同様の操作を飽和に達する
まで繰返す。この操作は２０℃で実施する。デカンテー
ションを行って透明な溶液を採取し、その中から乾燥生
成物を取り出す。得られた結果を以下の第２表にまとめ
て示す。
度を測定する。組成物１００ｇにフォトレジストを数グ
ラム添加する。この混合物を１５分間撹拌した後、再び
フォトレジストを添加する。同様の操作を飽和に達する
まで繰返す。この操作は２０℃で実施する。デカンテー
ションを行って透明な溶液を採取し、その中から乾燥生
成物を取り出す。得られた結果を以下の第２表にまとめ
て示す。
次に、上記の組成物のリサイクルに対する適性を調べる
。まず、溶媒の蒸留装置を備える容積１００ｍｆの丸底
フラスコ内に、フォトレジストを３％含む上記の組成物
１を導入する。次に、蒸留によりこの組成物を回収する
。回収した蒸留物のフォトレジスト含有率を３％にして
このフラスコ内に「再び導入」し、蒸留する。この操作
を６回繰返す。組成物２と３に対しても同じテストを行
う。
。まず、溶媒の蒸留装置を備える容積１００ｍｆの丸底
フラスコ内に、フォトレジストを３％含む上記の組成物
１を導入する。次に、蒸留によりこの組成物を回収する
。回収した蒸留物のフォトレジスト含有率を３％にして
このフラスコ内に「再び導入」し、蒸留する。この操作
を６回繰返す。組成物２と３に対しても同じテストを行
う。
得られた結果がやはり第２表にまとめて示されている。
フォトレジストの除去速度：
フォトレジストで被覆したｌＱｘｌｃｍの銅のサンプル
を、２５℃、撹拌下で、組成の異なる様々な溶液中に浸
す。面積を決とて、銅サンプルから完全にフォトレジス
トがはがれるまでの時間を測定する。
を、２５℃、撹拌下で、組成の異なる様々な溶液中に浸
す。面積を決とて、銅サンプルから完全にフォトレジス
トがはがれるまでの時間を測定する。
このテストは、新しい組成物と、上記の再生操作を６回
繰返した組成物とに対して実施した。得られた結果が第
２表に示されている。
繰返した組成物とに対して実施した。得られた結果が第
２表に示されている。
実施例４
本発明の組成物のリサイクルに対する適性を水蒸気蒸留
を用いて調べる。この実施例では、本発明の組成物と本
発明の組成物ではない組成物とを比較する。本発明の組
成物は、塩化メチレン、メタノール、プロピレンオキシ
ド、ＭＴＢＥを含む組成物（組成物５）であり、本発明
の組成物ではない組成物は、塩化メチレン、メタノール
、プロピレンオキシド、蟻酸メチルを含む組成物（組成
物４）である。
を用いて調べる。この実施例では、本発明の組成物と本
発明の組成物ではない組成物とを比較する。本発明の組
成物は、塩化メチレン、メタノール、プロピレンオキシ
ド、ＭＴＢＥを含む組成物（組成物５）であり、本発明
の組成物ではない組成物は、塩化メチレン、メタノール
、プロピレンオキシド、蟻酸メチルを含む組成物（組成
物４）である。
水蒸気蒸留装置内でフォトレジストを３％含む組成物１
００ｍｊｌ！を蒸留する。蒸留物はフォトレジスト含有
率を３％にして再び水蒸気蒸留装置に戻し、新たに蒸留
する。この操作を４回繰返す。得られた結果を以下の第
３表にまとめて示す。Ｍ Ｔ Ｂ Ｅを含む組成物のほ
うがもう一方の組成物よりもはるかに変化が少ない。つ
まり、本発明の組成物のほうは、メタノールを加えてや
りさえすれば新しい組成物として使用することが可能で
ある。
００ｍｊｌ！を蒸留する。蒸留物はフォトレジスト含有
率を３％にして再び水蒸気蒸留装置に戻し、新たに蒸留
する。この操作を４回繰返す。得られた結果を以下の第
３表にまとめて示す。Ｍ Ｔ Ｂ Ｅを含む組成物のほ
うがもう一方の組成物よりもはるかに変化が少ない。つ
まり、本発明の組成物のほうは、メタノールを加えてや
りさえすれば新しい組成物として使用することが可能で
ある。
Claims (10)
- （１）フォトレジストフィルムの除去に有効な、塩化メ
チレンを主成分とする組成物であって、（ａ）少なくと
も１種のエポキシドと、 （ｂ）少なくとも１種のアルコールと、 （ｃ）エーテルとケトンの中から選択した少なくとも１
種の生成物と を含むことを特徴とする組成物。 - （２）上記エポキシドが、プロピレンオキシドとブチレ
ンオキシドの中から選択されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の組成物。 - （３）上記アルコールが、炭素原子を１〜５個含む直鎖
状または分枝状のアルコールの中から選択されるアルコ
ール、好ましくはメタノールであることを特徴とする特
許請求の範囲第１項または第２項に記載の組成物。 - （４）上記エーテルが、炭素原子を２〜１２個含むエー
テル、好ましくはメチル第三ブチルエーテルまたはジメ
トキシメタンであることを特徴とする特許請求の範囲第
１〜３項のいずれか１項に記載の組成物。 - （５）上記ケトンが炭素原子を３〜１０個含む脂肪族ケ
トン、好ましくはアセトンであることを特徴とする特許
請求の範囲第１〜４項のいずれか１項に記載の組成物。 - （６）上記（ａ）少なくとも１種のエポキシドの全量が
、上記組成物の全量の０．０５〜５重量％、好ましくは
０．２〜２重量％であることを特徴とする特許請求の範
囲第１〜５項のいずれか１項に記載の組成物。 - （７）上記（ｂ）少なくとも１種のアルコールの全量が
、上記組成物の全量の０．０５〜５％、好ましくは２〜
４重量％であることを特徴とする特許請求の範囲第１〜
６項のいずれか１項に記載の組成物。 - （８）上記（ｃ）エーテルとケトンの中から選択した少
なくとも１種の生成物の全量が、上記組成物の全量の０
．０５〜５重量％、好ましくは１〜３重量％であること
を特徴とする特許請求の範囲第１〜７項のいずれか１項
に記載の組成物。 - （９）上記（ａ）少なくとも１種のエポキシドがプロピ
レンオキシドであり、上記（ｂ）少なくとも１種のアル
コールがメタノールであり、上記（ｃ）エーテルとケト
ンの中から選択した少なくとも１種の生成物がメチル第
三ブチルエーテルであることを特徴とする特許請求の範
囲第１〜８項のいずれか１項に記載の組成物。 - （１０）プリント配線基板上のフォトレジストフィルム
を除去する方法であって、 （ａ）少なくとも１種のエポキシドと、 （ｂ）少なくとも１種のアルコールと、 （ｃ）エーテルとケトンの中から選択した少なくとも１
種の生成物と を含む組成物中にプリント配線基板を浸漬させ、または
この組成物をプリント配線基板に散布することによりプ
リント配線基板と上記組成物を接触させることを特徴と
する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8610529 | 1986-07-21 | ||
| FR8610529A FR2601703B1 (fr) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | Composition a base de chlorure de methylene - son utilisation pour l'enlevement des films photoresist |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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