JPH0450156A - 低温焼結用誘電体磁器組成物 - Google Patents
低温焼結用誘電体磁器組成物Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は低温焼結用誘電体磁器組成物に関し、特にた
とえばLC複合チップ素子のコンデンサ部分の磁器材料
として用いられる低温焼結用誘電体磁器組成物に関する
。
とえばLC複合チップ素子のコンデンサ部分の磁器材料
として用いられる低温焼結用誘電体磁器組成物に関する
。
(従来技術)
従来、LC複合素子は、別個に製造されたインダクタお
よびコンデンサを組み合わせて構成され、たとえばフィ
ルタなどとして広く使用されている。
よびコンデンサを組み合わせて構成され、たとえばフィ
ルタなどとして広く使用されている。
しかしながら、電子部品の小型化という面では対応が難
しく、LC複合素子をチップ部品として製造するには製
造工程が煩雑となり、製造コストも大きくなっている。
しく、LC複合素子をチップ部品として製造するには製
造工程が煩雑となり、製造コストも大きくなっている。
そこで、インダクタンス材料とコンデンサ材料とを一体
的に成形して焼成することによって、LC成分を形成す
ることが考えられる。このようなLC複合素子のコンデ
ンサ部分を製造するために、1000℃以下の低温で焼
成可能で、しかもその内部電極の材料として安価な材料
を使用することができる低温焼結用誘電体磁器組成物が
必要とされていた。
的に成形して焼成することによって、LC成分を形成す
ることが考えられる。このようなLC複合素子のコンデ
ンサ部分を製造するために、1000℃以下の低温で焼
成可能で、しかもその内部電極の材料として安価な材料
を使用することができる低温焼結用誘電体磁器組成物が
必要とされていた。
従来、低温焼結用誘電体磁器組成物として、たとえばB
aTiOsにホウ素、ビスマス、鉛などの酸化物からな
るガラス成分を添加した材料やPb系複合ペロブスカイ
ト材料などがある。また、一体焼成型LC複合チップ素
子用の誘電体材料として、特公昭62−57042号公
報に開示されているTilt−CuO−Mn0系材料、
あるいは特開昭60〜106120号公報に開示されて
いるT i 0t−CuO−N i 0〜Mn0系材料
などがある。
aTiOsにホウ素、ビスマス、鉛などの酸化物からな
るガラス成分を添加した材料やPb系複合ペロブスカイ
ト材料などがある。また、一体焼成型LC複合チップ素
子用の誘電体材料として、特公昭62−57042号公
報に開示されているTilt−CuO−Mn0系材料、
あるいは特開昭60〜106120号公報に開示されて
いるT i 0t−CuO−N i 0〜Mn0系材料
などがある。
(発明が解決しようとする課題)
BaTiO,にガラス成分を添加した材料は、1000
℃以下の低温ではB a T i O3材の特性を保っ
たまま焼結することができない。
℃以下の低温ではB a T i O3材の特性を保っ
たまま焼結することができない。
Pb系複合ペロブスカイト材料は、1000℃以下で焼
結可能であり、比誘電率が10000〜20000と高
い。このような材料としては、たとえば特開昭61−1
28408号公報や特開昭61−128409号公報に
示されたものがあるが、これらの材料は比誘電率が高す
ぎる。そのため、0.1〜10nFの容量を得るために
は、内部電極の間隔を大きくするか、内部電極の面積を
小さくする必要がある。しかしながら、内部電極の間隔
を大きくすると部品の小型化ができなくなり、内部電極
の面積を小さくすると容量精度を保つことが製造上困難
になる。また、焼成中の磁性体の線収縮曲線と誘電体の
線収縮曲線とが一致していないため、一体焼成中に割れ
や反りが発生し、一体焼結が困難であった。
結可能であり、比誘電率が10000〜20000と高
い。このような材料としては、たとえば特開昭61−1
28408号公報や特開昭61−128409号公報に
示されたものがあるが、これらの材料は比誘電率が高す
ぎる。そのため、0.1〜10nFの容量を得るために
は、内部電極の間隔を大きくするか、内部電極の面積を
小さくする必要がある。しかしながら、内部電極の間隔
を大きくすると部品の小型化ができなくなり、内部電極
の面積を小さくすると容量精度を保つことが製造上困難
になる。また、焼成中の磁性体の線収縮曲線と誘電体の
線収縮曲線とが一致していないため、一体焼成中に割れ
や反りが発生し、一体焼結が困難であった。
Ti0z −CuO−MnO系材料やTie□CuOC
u0〜N1O−系材料は、900℃以下の低温で焼結可
能であるが、材料の比誘電率が低く、そのためLC複合
チップ素子のコンデンサ部分を小型化することができず
、容量の取得範囲も狭かった。
u0〜N1O−系材料は、900℃以下の低温で焼結可
能であるが、材料の比誘電率が低く、そのためLC複合
チップ素子のコンデンサ部分を小型化することができず
、容量の取得範囲も狭かった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、1000℃以下
の低温で磁性体との一体焼結をすることができ、比誘電
率が1000〜4000の誘電体を得ることができる低
温焼結用誘電体磁器組成物を提供することである。
の低温で磁性体との一体焼結をすることができ、比誘電
率が1000〜4000の誘電体を得ることができる低
温焼結用誘電体磁器組成物を提供することである。
(課題を解決するための手段)
この発明は、P b (N i I7x N bzyx
) ChPbTiO,の2成分にP b (Z n
Iit Wt7g )03およびP b (Cu+/s
N bzyz ) Owlのうちの少なくとも1つの
成分を添加した固溶体からなる低温焼結用誘電体磁器組
成物であって、Pb(N i l/3 N b zyz
) 03が75.0〜85.0モル%、PbTfO,
がO〜15.0モル%、Pb(Zn+zz W+7z
)OsおよびP b (Cu l/3 Nbzyz )
Osのうちの少なくとも1つの成分が50〜16.5
モル%の範囲にある、低温焼結用誘電体磁器組成物であ
る。
) ChPbTiO,の2成分にP b (Z n
Iit Wt7g )03およびP b (Cu+/s
N bzyz ) Owlのうちの少なくとも1つの
成分を添加した固溶体からなる低温焼結用誘電体磁器組
成物であって、Pb(N i l/3 N b zyz
) 03が75.0〜85.0モル%、PbTfO,
がO〜15.0モル%、Pb(Zn+zz W+7z
)OsおよびP b (Cu l/3 Nbzyz )
Osのうちの少なくとも1つの成分が50〜16.5
モル%の範囲にある、低温焼結用誘電体磁器組成物であ
る。
さらに、上述の組成物に、Mn、Mg、Caの酸化物の
うちの少なくとも1種類をO〜0.5モル%の範囲で添
加してもよい。
うちの少なくとも1種類をO〜0.5モル%の範囲で添
加してもよい。
(作用)
1000℃以下の低温焼結が可能で、高い比誘電率を有
するP b T i Os系複合酸化物材料に、低いキ
ュリー点温度を有するPb (Ni、Nb)03材が添
加される。それによって、誘電率のキュリー点が一50
℃付近にシフトし、常用温度域における誘電率の温度特
性の緩やかになっている領域が使用される。しかし、P
b (Nt、Nb)03組成を増加させることは、1
000℃以下の低温焼結を困難にするため、低温焼結化
に効果があると確認されているP b (Cu、
N b) Ch 。
するP b T i Os系複合酸化物材料に、低いキ
ュリー点温度を有するPb (Ni、Nb)03材が添
加される。それによって、誘電率のキュリー点が一50
℃付近にシフトし、常用温度域における誘電率の温度特
性の緩やかになっている領域が使用される。しかし、P
b (Nt、Nb)03組成を増加させることは、1
000℃以下の低温焼結を困難にするため、低温焼結化
に効果があると確認されているP b (Cu、
N b) Ch 。
P b (Z n 、 W) 03材を加え、磁性体と
の一体焼結が可能なようにその添加量が調整される。
の一体焼結が可能なようにその添加量が調整される。
また、磁性体との一体焼結では、磁性体部分から誘電体
部分にFe、Cuイオンなどの拡散があり、コンデンサ
部の絶縁抵抗が低下するおそれがある。そこで、Mn、
Ca、Mgの酸化物を加えることにより、絶縁抵抗の低
下が防がれる。
部分にFe、Cuイオンなどの拡散があり、コンデンサ
部の絶縁抵抗が低下するおそれがある。そこで、Mn、
Ca、Mgの酸化物を加えることにより、絶縁抵抗の低
下が防がれる。
(発明の効果)
この発明によれば、1000℃以下の低温で磁性体との
一体焼結が可能で、かつ比誘電率が1000〜4000
である誘電体を得ることができる。
一体焼結が可能で、かつ比誘電率が1000〜4000
である誘電体を得ることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
(実施例)
大施拠土
まず、出発原料として、PbO,Nip、Nbz 03
、Cub、ZnO9WO3,T iOz 、CacO
+ 、MgCO3,MnO,の各粉末を準備した。これ
らの出発原料を表1に示す組成が得られるように秤量し
、ボールミルで混合して混合物を得た。この混合物を乾
燥後、750℃で2時間仮焼し、粉砕して粉砕物を得た
。この粉砕物に有機樹脂バインダを加え、直径10fl
、厚さ1flのタブレット状に成形して成形物を得た。
、Cub、ZnO9WO3,T iOz 、CacO
+ 、MgCO3,MnO,の各粉末を準備した。これ
らの出発原料を表1に示す組成が得られるように秤量し
、ボールミルで混合して混合物を得た。この混合物を乾
燥後、750℃で2時間仮焼し、粉砕して粉砕物を得た
。この粉砕物に有機樹脂バインダを加え、直径10fl
、厚さ1flのタブレット状に成形して成形物を得た。
この成形物を900℃で焼成し、両面に外部電極を形成
してコンデンサを作製した。
してコンデンサを作製した。
作製したコンデンサについて、比誘電率、誘電損失9比
抵抗および焼成したときの収縮率を測定し、その結果を
表2に示した。
抵抗および焼成したときの収縮率を測定し、その結果を
表2に示した。
表1および表2かられかるように、この発明の低温焼結
用誘電体磁器組成物を用いれば、比誘電率が1000〜
4000で、小さい誘電損失を有するコンデンサを得る
ことができる。
用誘電体磁器組成物を用いれば、比誘電率が1000〜
4000で、小さい誘電損失を有するコンデンサを得る
ことができる。
大旌盤I
実施例1と同じ誘電体材料と、磁性体として空気中にお
いて900℃で焼成可能なNi−ZnCuフェライト材
料とを準備した。そして、誘電体材料に6重量%、フェ
ライト材料に8重量%の有機樹脂バインダを混合し、ス
ラリとした。これらのスラリを用いて、ドクターブレー
ド法によりグリーンシートを形成した。
いて900℃で焼成可能なNi−ZnCuフェライト材
料とを準備した。そして、誘電体材料に6重量%、フェ
ライト材料に8重量%の有機樹脂バインダを混合し、ス
ラリとした。これらのスラリを用いて、ドクターブレー
ド法によりグリーンシートを形成した。
次に、コンデンサの内部電極およびインダクタの内部導
体となる、A g / P d = 9 / 1の組成
のパウダーを主成分とするペーストを準備した。そして
、第1図に示すように、誘電体シート10および磁性体
シート12にペーストを印刷した。この場合、誘電体シ
ート10には、その長手方向の一端から他端方向に延び
る第1の印刷層14と、その中央部で幅方向の両端を結
ぶ第2の印刷層16とを形成した。これらの印刷層14
.16を形成した誘電体シート10の両面をペーストが
印刷されていない誘電体シート10で挟んだ。
体となる、A g / P d = 9 / 1の組成
のパウダーを主成分とするペーストを準備した。そして
、第1図に示すように、誘電体シート10および磁性体
シート12にペーストを印刷した。この場合、誘電体シ
ート10には、その長手方向の一端から他端方向に延び
る第1の印刷層14と、その中央部で幅方向の両端を結
ぶ第2の印刷層16とを形成した。これらの印刷層14
.16を形成した誘電体シート10の両面をペーストが
印刷されていない誘電体シート10で挟んだ。
さらに、磁性体シート12には、その長手方向の両端を
結ぶように、第3の印刷層18を形成した。第3の印刷
層18を形成した磁性体シート12を複数枚準備し、こ
れらの磁性体シート12の両面をペーストが印刷されて
いない磁性体シート12で挟んだ。
結ぶように、第3の印刷層18を形成した。第3の印刷
層18を形成した磁性体シート12を複数枚準備し、こ
れらの磁性体シート12の両面をペーストが印刷されて
いない磁性体シート12で挟んだ。
これらの誘電体シート10および磁性体シート12を積
層し、圧力1.8t/cdでプレスし、900℃で一体
焼成して焼結体20を得た。誘電体シート10.磁性体
シート12および印刷層1416.18を一体焼成する
ことによって、第2A図および第2B図に示すように、
焼結体20の内部にコンデンサの内部電極22およびイ
ンダクタの内部導体24が形成される。そして、焼結体
20の両生面に外部電極26および28を形成し、焼結
体20の側面に別の外部電極30を形成した。
層し、圧力1.8t/cdでプレスし、900℃で一体
焼成して焼結体20を得た。誘電体シート10.磁性体
シート12および印刷層1416.18を一体焼成する
ことによって、第2A図および第2B図に示すように、
焼結体20の内部にコンデンサの内部電極22およびイ
ンダクタの内部導体24が形成される。そして、焼結体
20の両生面に外部電極26および28を形成し、焼結
体20の側面に別の外部電極30を形成した。
このようにして、LC複合素子40を形成した。
得られたLC複合素子40の等価回路図を第3図に示す
。このLC複合素子40の周波数特性を測定して、その
結果を第4図に示した。
。このLC複合素子40の周波数特性を測定して、その
結果を第4図に示した。
第4図かられかるように、このLC複合素子40は、ノ
イズフィルタとして使用可能な周波数特性を有している
。このように、この発明の低温焼結用誘電体磁器組成物
を用いれば、小型で高い容量を有するコンデンサと一体
となったLC複合チップ素子を得ることができ、ノイズ
フィルタとしての設計が容易となる。特に、焼成前に誘
電体シートと磁性体シートとを一体化できるため、製造
上の低コスト化が可能である。
イズフィルタとして使用可能な周波数特性を有している
。このように、この発明の低温焼結用誘電体磁器組成物
を用いれば、小型で高い容量を有するコンデンサと一体
となったLC複合チップ素子を得ることができ、ノイズ
フィルタとしての設計が容易となる。特に、焼成前に誘
電体シートと磁性体シートとを一体化できるため、製造
上の低コスト化が可能である。
第1図はこの発明の低温焼結用誘電体磁器組成物を用い
てLC複合素子を形成する過程を示す分解斜視図である
。 第2A図はこの発明の低温焼結用誘電体磁器組成物を用
いて作製したLC複合素子を幅方向で切断した断面図で
あり、第2B図は長手方向で切断した断面図である。 第3図は第2A図および第2B図に示すり、 C複合素
子の等価回路図である。 第4図は第2A図および第2B図に示すLC複合素子の
周波数特性を示すグラフである。 図において、10は誘電体シート、12は磁性体シート
、14は第1の印刷層、16は第2の印刷層、18は第
3の印刷層、20は焼結体、22はコンデンサの内部電
極、24はインダクタの内部導体、26.28および3
0は外部電極、40はLC複合素子を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓 第2A図 第 図 挿入損久
てLC複合素子を形成する過程を示す分解斜視図である
。 第2A図はこの発明の低温焼結用誘電体磁器組成物を用
いて作製したLC複合素子を幅方向で切断した断面図で
あり、第2B図は長手方向で切断した断面図である。 第3図は第2A図および第2B図に示すり、 C複合素
子の等価回路図である。 第4図は第2A図および第2B図に示すLC複合素子の
周波数特性を示すグラフである。 図において、10は誘電体シート、12は磁性体シート
、14は第1の印刷層、16は第2の印刷層、18は第
3の印刷層、20は焼結体、22はコンデンサの内部電
極、24はインダクタの内部導体、26.28および3
0は外部電極、40はLC複合素子を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓 第2A図 第 図 挿入損久
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Pb(Ni_1_/_3Nb_1_/_3)O_3
−PbTiO_3の2成分にPb(Zn_1_/_2W
_1_/_2)O_3およびPb(Cu_1_/_3N
b_2_/_3)O_3のうちの少なくとも1つの成分
を添加した固溶体からなる低温焼結用誘電体磁器組成物
であって、 Pb(Ni_1_/_3Nb_2_/_3)O_3が7
5.0〜85.0モル%、PbTiO_3が0〜15.
0モル%、Pb(Zn_1_/_2W_1_/_2)O
_3およびPb(Cu_1_/_3Nb_2_/_3)
O_3のうちの少なくとも1つの成分が5.0〜16.
5モル%の範囲にある、低温焼結用誘電体磁器組成物。 2 さらに、Mn,Mg,Caの酸化物のうちの少なく
とも1種類を0〜0.5モル%含有した特許請求の範囲
第1項記載の低温焼結用誘電体磁器組成物。
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