JPH04501576A - ハロゲン化ベンゼン誘導体および液晶相 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ハロゲン化ベンゼン誘導体および液晶相本発明は下記の式Ｉで示される、新規な ハロゲン化ベンゼン誘導体およびこれらの化合物を含有する液晶相に関するもの である： 〔式中、ｎは１〜１０であり、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ、トランス−１，４− シクロヘキシレンであり、あるいは環Ａおよび環Ｂのうちの−っは、１．４−フ ェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレンであることができ、Ｘは、Ｆ ＳＣｌ、−ＣＨＦ、、−ＣＦ３、−ＣＮ、　−０ＣＦ３まり１ｉ−ＯＣＩＴＦ、 テあり、ＹおよびＺは、それぞれ相互に独立して、ＨまたはＦであり、ｒ＝１で あり、あるいはまた、ｓ＝１で、Ｂ＝トランス−１，４−シクロヘキシレンで、 同時にＸ＝−ＣＨＦ、、−ＣＦ３、−０ＣＦ、または−〇ＣＩＴＦ！テある場合 ニハ、ｒは０であり、モしてｓ＝１であり、あるいはまた、Ｂ＝１゜４−フェニ レンまたは３−フルオロ−１，４−）ユニレンである場合には、Ｓは０である〕 。

ＥＰ−＾０２０５９９８および同０２９１９４９には、式ＡＩ（式中、Ａは、Ｆ またはＣＮであり、モしてＲは、炭素原子１〜７個を有するアルキルである） で示される液晶が記載されている。

しかしながら、これらの化合物において、Ａ＝Ｆである化合物は、中程度の誘電 異方性を有するだけであり、従って、多くの場合には、混合物に比較的高いしき い電圧が生じることになる。

さらに、かなりの場合には、化合物Ａ１と別種の液晶化合物との混和性が不充分 である。

さらにまた、類似のニトリル化合物が知られている：ＥＰ−＾０２８０９０２に は、式＾２ （式中、Ａは、Ｈ，Ｆ、　Ｃｌ５ＢｒまたはＣＮである）で示される液晶が記載 されている。

ＥＰ−＾０２７２５８０には、弐Ｂ （式中、Ｒ１はｃ、ｎ、またはＣ４Ｈ，である）で示される液晶が記載されてい る。

しかしながら、化合物＾２は、たとえばアクティブマトリックスを含有する表示 体に要求されるような、電気抵抗に係る高度の要件が達成されていないか（Ａ＝ ＣＮの場合）、あるいは化合物＾２は、中程度の誘電異方性を有するだけであり 、従って、多くの場合には、混合物に比較的高いしきい電圧をもたらす（Ａ＝Ｈ ＳＦＳＣ１またはＢｒの場合）。これに対して、化合物Ｂは、極めて高い融点を 有しており、かつまた別種の液晶化合物との混和性は好ましい方ではない。さら にまた、これらの化合物Ｂの誘電異方性は極めて小さい。

類似化合物、たとえば西ドイツ国特許出願公開公報３３１７５９７に記載の化合 物と同様に、式Ｉで示される化合物は、液晶相の成分として、特にねじれセルの 原則に基づく表示体用の液晶相の成分として、使用することができる。

この目的に従来使用されている物質はいずれも、成る種の欠点、たとえば過度に 高い融点、過度に低い透明点、熱、光または電場に対する不充分な安定性、不充 分な電気抵抗、しきい電圧の過度の温度依存性、低温におけるスメクティック相 の誘発、および（または）低温における不充分な溶解性などの欠点を有する。

特に、２２０°よりも相当に大きいねじれ角を有するスーパーツイスト型（ＳＴ Ｎ）の表示体の場合には、あるいはアクティブマトリックスを含有する表示体の 場合には、従来使用されている物質は欠点を有する。

本発明の目的は、液晶相の成分として、特に正の誘電異方性を有するネマティッ ク相用の成分として適しており、かつまた、公知化合物の欠点を有していないか 、あるいは有していても、小さい程度にしか有していない、新規な液晶化合物を 見い出すことにある。この目的が、式■で示される新規化合物を提供することに よって、達成された。

式Ｉで示される化合物は液晶相の成分として格別に適することが見い出された。

これらの化合物を使用し、広いネマティック範囲、高い透明点、低温にまで下げ られている優れたネマティック形成性、優れた化学的安定性、正の誘電異方性を 伴なうきわ立ったε土、しきい電圧の小さい温度依存性および（または）小さい 光学異方性を有する液晶相を得ることができる。これらの新規化合物はまた、こ の種の相中の別種の諸成分に対し、または諸成分中で、良好な溶解性を示し、か つまた大きい正の誘電異方性を示すと同時に、好ましい粘度を示す。

式■で示されるニトリル化合物（Ｘ　＝ＣＮ）　［特に、式Ｉａａで示される化 合物（Ｓは、好ましくは１である）、式Ｉａｃで示される化合物、式Ｉｂで示さ れる化合物、式Ｉｂｄで示される化合物（Ｙは、好ましくはＦである）、式Ｉｂ ｆで示される化合物および式１ｂｇで示される化合物〕は、高温性化合物であり 、かつまた低い粘度および高いネマティック形成性を有すると同時に、多（の標 準的基材混合物中で非常に良好な溶解性を示す。これらの化合物は、好ましい複 屈折値を有することから、ＰＤＬＣ用途（ＰＤＬＣ／　ＮＣＡＰまたはＰＮ）１ ｍ、あるいはＴＮ混合物およびＳＴＮ混合物用の高温性化合物として、特に適し ている。ニトリル化合物（特に、式Ｉａａで示されるニトリル化合物）は可視部 および紫外部の光に対して非常に良好な安定性を有する。式Ｉａａで示されるニ トリル化合物は、広いネマティック範囲を有する混合物に極めて適しており、特 に比較的大きい複屈折を有するネマティック物質と組合せた場合には、低温にお けるスメクティック相形成傾向は低い。このような混合物のしきい電圧の特に小 さい温度依存性はまた、強調されるべきことである。これらの化合物の高級同族 体はＳＡ混合物に特に適している。

式！で示される化合物は、非常に急勾配の電気光学特性曲線を有するＳＴＮ表示 体および優れた長期間安定性を有するアクティブマトリックスを含有する表示体 の両方の形成を容易にする。

式Ｉで示される化合物は、純粋な状態で無色であり、電気光学用途に対して好ま しい位置にある温度範囲で液晶メソフェースを形成する。

従って、本発明は、式Ｉで示される化合物に関するものであり、そしてまた、本 発明は液晶相の成分として、式■で示される化合物を使用すること、式■で示さ れる化合物の中の少なくとも１種を含有する液晶相およびまた、このタイプの相 を含有する電気光学表示体に関するものである。

前記および後記の記載において、ｎ　Ｓｒ　１Ｓ　ｓ　Ａ１ＢｓＸ１ＹおよびＺ は、別設の記載がないかぎり、定義されているとおりであるものとする。

式■で示される化合物において、アルキル基ＣｎＬｎ＋１は、好ましくは直鎖状 である。従って、ｃｎｎｔｎ＋＋は、好ましくはメチル、エチル、ｎ−プロピル 、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシルまたはｎ−へブチルである。

ｎは、好ましくは１〜７、特に２．３．４または５である。

分枝鎖状アルキル基を含有する式■で示される化合物は、これらが慣用の液晶基 材中で良好な溶解性を有することから、場合により重要であることがあるが、特 に、これらの化合物が光学活性である場合には、カイラルドーピング剤として重 要でありうる。この種の分枝鎖状基は一般に、１個よりは多くない鎖分枝を有す る。好適な分枝鎖状アルキル基は、イソプロピル、２−ブチル（＝１−メチルプ ロピル）、イソブチル（＝２−メチルプロピル）、２−メチルブチル、イソペン チル（＝３−メチルブチル）、２−メチルペンチル、３−メチルペンチルまたは ２−へブチル（＝１−メチルヘキシル）である。

Ｘは、好ましくはＦ、　ＣＩ、−ＣＦ３、−０ＣＨＦ、または−〇ＣＦ３である 。

式■において、下記の条件に適合する化合物は特に好ましい化合物としてあげら れる： （ａ）ｒ＝ｓ＝１であり、Ａ＝１．４−フェニレンであり、Ｂ＝トランス−１， ４−シクロヘキシレンであり、そして同時に、Ｘ＝ＦまたはＣＩである場合には 、Ｙおよび（または）Ｚはフッ素である、および （ｂ）ｒ＝１であり、Ａ＝）ランス−１，４−シクロヘキシレンであり、そして 同時にＸ＝Ｆである場合には、Ｂは、３−フルオロ−１，４−フェニレンまたは トランス−１，４−シクロヘキシレンであり、そして（または）ＹおよびＺはそ れぞれ、フッ素である。

特に好ましい化合物としては、下記の付属式で示される化合物があげられる： （式中、ｎは、１〜７であり、Ｓは、０または１であり、ＸはＦ、　ＣＩ、−Ｃ Ｉ’ｌＦ２、−ＣＦ、、−０ＣＦ、または−〇Ｃｆ１Ｆ、であり、そしてＹ、Ｌ およびＺは、それぞれ相互に独立して、ＨまたはＦである、ただしＸ＝Ｆである 場合には、Ｌ＝Ｆ。

Ｌ＝Ｙ＝ＦまたはＹ＝Ｚ＝Ｆである）。

（式中、Ｘ１ｉ（Ｊ、　−ＣＮ、−ＣＦ３、−ＣＩＩＦ、、−０ＣＦ　ｓ　マタ ｌ；！　−０ＣＨＦ　ｚ（式中、ＸはＣＩ、−ＣＦ、、−ＣＩＴＦ、、−０ＣＦ 、または−〇ＣＪＩＦ、である）。

（式中、ＸはＦ　、　ＣＩ、−ＣＦｓ、−ＣＴＩＦ、、−０ＣＦ、または−〇Ｃ ＨＦ。

（式中、ＸはＦ、　ＣＩ、　−ＣＦ３、−ＣＩＩＦ、、−０ＣＦ、または−〇Ｃ ＨＦｔである）。

（式中、ＸはＦ、　ＣＩ、−ＣＦ３、−ＣＩＩＦ、、−０ＣＦ、または−０ＣＨ ｈ（式中ｎは、１〜７であり、ｒは、０または１であり、環Ａは、トランス−１ ，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フエニレンテあり、Ｘは、Ｆ、　ＣＩ、 −ＣＦ３、−ＣＮ、　−０ＣＦ３または一〇ＣＨＦ２であり、モしてＹおよびＺ はそれぞれ相互に独立してＨまたはＦである、ただしｒ＝ｌであり、Ａ＝１．４ −フェニレンであり、そしてＸ＝ＦまたはＣＩである場合には、Ｙおよび（また は）Ｚは、フッ素である）。

（式中、Ｘは−ＣＨＦ２、−ＣＦ８、−０ＣＦ３または一〇ＣＨＦ、であり、モ してＹおよびＺは、それぞれ相互に独立して、ＨまたはＦである）。

〔式中、Ｘ、ＹおよびＺは、請求項８に定義されているとおりであり、好ましく は、 （ａ）Ｘ＝ＣＮＳＹ＝ＦおよびＺ＝Ｈ。

（ｂ）　Ｘ＝Ｆ１Ｃ１，−ＣＦ３、−０ＣＦ、または−〇ＣＩＩＦ、、およびＹ ＝Ｚ＝Ｈ１ （Ｃ）　Ｘ＝Ｆ、　ＣＩ、−ＣＦ３、−０ＣＦ、または−０ＣＨＦ、、特に、Ｘ ＝ＦまたはＣｌ５Ｙ＝ＦおよびＺ＝Ｈ Ｘ＝Ｆ、　ＣＩ、−ＣＦ３、−０ＣＦ、または−０ＣＨＦ、、Ｙ＝ＦおよびＺ＝ Ｈ（Ｘ＝ＦまたはＣＩは、特に好ましい）〕。

（式中Ｘは、好ましくはＦまたはＣＩである）（式中ｘは、好ましく　ｌ；！− ＣＮ、−ＣＩＩＦ、、−ＣＦ３、−ｏｃｐｓまたは一０ＣＨＦ、であり、特に好 ましくは、Ｘは−ＣＦ３、−０ＣＦ、または−０ＣＨＦ、である）。

（式中Ｘは、好ましくは−ＣＮ、−ＣＦ、、−０ＣＦ、またバーＯＣＩ’。

である）。

特に好ましい化合物としては、さらにまた、下記の付属式で示される化合物があ げられる： （式中Ｘは、好ましくは−ＣＦ９、−０ＣＦ３または一０ＣＨＦ　、　テある） 、 （式中Ｘは、好ましくは−ＣＦ３、−０ＣＦ３または一〇ＣＩＴＦ２テある）、 （式中Ｘは、好ましくはＦ、　ＣＩ、−ＣＦ８、−ＣＮ、　−０ＣＦ３または− ０（ＪＩＦ２である）。

さらにまた、式Ｉで示される化合物は文献〔たとえばＨｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌに よるＭｅｔｈｏｄｅｎ　ｄｅｒ　Ｏｒｇａｎｉｓｃｈｅｎ　Ｃｈｅｍｉｅ（有機 化学の方法）　（Ｇｅｏｒｇ−Ｔｈｉｅｍｅ出版社、Ｓｔｕｔｔｇａｒｔ市）の ような標準的学術書〕に記載されているようなそれ自体既知の方法により、特に 、あげられている反応に適する既知の反応条件の下で製造される。それ自体既知 であって、ここでは詳細に説明されていない変法も使用することができる。

所望により、出発物質はまた、これらを反応混合物がら単離することなく、その 代りに、これらを直ちにさらに反応させて、式Ｉで示される化合物を生成させる ように、その場で生成させることもできる。

式■において、ｒ＝１であり、モしてＡがトランス−１，４−シクロヘキシレン である化合物は、たとえば式■で示されるアルデヒド化合物を、ｆｉｔｔｉｇ法 によって、ホスホニウム塩、たとえば相当するｐ−（Ｉ換フェニル）−ベンジル ブロマイドと反応させ、得られるエテン誘導体を、たとえばＰｄ／Ｃ上で接触水 素添加することによって、得ることができる。

上記ベンジルブロマイド化合物の合成に適する前駆化合物は、たとえば次の合成 経路によって、得ることができる・ 合成経路１ 相当するブロモベンゼン誘導体から得られるグリニヤール化合物を、Ｗｏ　８７ １０５５９９の方法によって、クロロトリアルキルオルトチタネートまたは一ジ ルコネートと反応させ、三級シクロヘキサノールを生成させる。水を分離し、脱 水させ次いでベンジルアルコールに還元すると、適当な前駆化合物が得られる。

出発物質として使用されるブロモベンゼン誘導体の中の一部は公知であり、そし て一部は、有機化学の標準的方法によって、刊行物により知られている化合物か ら、困難な（製造することができる。たとえば、０ＣＦ３−化合物または０Ｃｆ ｌＦ、−化合物は、公知方法によって、相当するフェノール化合物から得ること ができ、ｃａｒｔ−化合物は、相当するアルデヒド化合物から得ることができ、 そしてＣＦ３−化合物およびＣＮ−化合物は、相当する安息香酸化合物から得る ことができる。式 で示される化合物、または相当するモノフッ素化化合物は、たとえばＸ＝Ｈであ る公知の前駆化合物から、低温においてリチェート化し、引続いて適当な電子性 化合物と反応させることによって、得ることができる。

式Ｉにおいて、Ｂ＝３−フルオロ−１，４−）ユニレンである化合物は、ブロモ ベンゼン誘導体の代りに、を使用することによって、全（同様に得られる。この ブロモビフェニル化合物は、それ自体公知の方法で、貴金属を触媒として使用す る交さカップリング反応によって製造することができる（Ｅ、Ｐｏｅｔｓｃｈに よるＫｏｎｔａｋｔｅ（Ｄａｒｍｓｔａｄｔ）　１９８８　（２）　１５頁）。

代表的な方法を、以下に示す： その他の種々の合成方法は当業者に知られている。好ましい該方法を、以下の合 成経路に示す。これらの出発物質はいずれも、公知であるか、あるいは公知化合 物と同様に、製造することができるかいずれかである。

合成経路２ 合成経路３ 合成経路４ 合成経路５ 合成経路６ａ 合成経路７ 合成経路８ 式Ｉｂで示される化合物は、たとえば弐ｎｂで示されるアルデヒド化合物を、ｌ ｌｉｔｔｉｇ法によって、相当するトランス−４−（１！換フエニル）−シクロ ヘキシルメチルブロマイドのホスホニウム塩と反応させ、得られるエテン誘導体 を、たとえばＰｄ／Ｃ上において、接触水素添加することによって、得ることが できる。

上記シクロヘキシルメチルブロマイド化合物の合成に適する前駆化合物は、たと えば以下の合成経路によって得ることができる： 合成経路９ １、　ＴｉＣ１（ＯｉＰｒ）、／Ｔ）（Ｆ↓ ↓ ↓ ↓ 相当するブロモベンゼン誘導体から得られるグリニヤール化合物を、ｔｏ　８７ １０５５９９の方法によって、クロロトリアルキルオルトチタネートまたは−ジ ルコネートと反応させ、三級シクロヘキサノールを生成させる。水を分離し、水 素添加し、異性化し、次いでシクロヘキシルメチルアルコールに還元し、適当な 前駆化合物を生成させる。

さらに別の合成方法は当業者に知られている。好ましい諸方法を下記の合成経路 に示す。これらの出発物質はいずれも、公知であるか、あるいは公知化合物と同 様に製造することができるかのどちらかである。合成経路１１に含まれるシクロ へキシルアセチルクロライドは、合成経路９からの相当するシクロヘキサンカル ボン酸の常法による同族体化によって製造することができる。

合成経路１０ ↓ ２、異性化 ↓ 合成経路１１ ↓ １、　ＮａＢＨ，／ＴＨＦ ↓　２．ｐ−トルエンスルホン酸 ↓ Ｐｄ１Ｃ−Ｈ２ ↓ 式Ｉで示される好ましいニトリル化合物を合成することができる。さらに別の方 法を、以下の合成経路１２および１３に示す： ↓ 合成経路１３ ↓　ＺｎＢｒ２ ↓　還元 ↓　臭素化 ↓　Ｃｕ− 特に好ましい化合物のさらに別の合成方法：Ｂ　（ＯＭｅ）ｓ （Ｚ　＝　ＨまたはＦ） 合成経路１５ ↓　ｌ　、ＺｎＣ１ｚ／Ｅｔ２０ ↓　２．４−ブロモ−３−フルオロ−１−ヨードペンゾール／ＴＨＦ／Ｐｄ　テ トラ（トリフェニルホスフィン）合成経路１６ ↓ ↓　２．異性体の分離 ↓ ↓ 本発明によるこれらの液晶相は、本発明に係る化合物の１種または２種以上に加 えて、追加の成分として、好ましくは２〜４０種、特に４〜３０種の成分を含有 する。これらの相は、非常に特に好ましくは、本発明に係る化合物の１種または ２種以上に加えて、７〜２５種の成分を含りまたはネマティック形成性（単変性 または等方性）物質、特にアゾキシベンゼン化合物、ベンジリデンアニリン化合 物、ビフェニル化合物、ターフェニル化合物、フェニルまたはシクロへキシルベ ンゾエート化合物、シクロヘキサンカルボン酸のフェニルまたはシクロヘキシル エステル化合物、シクロヘキシル安息香酸のフェニルまたはシクロヘキシルエス テル化合物、シクロヘキシルシクロヘキサンカルボン酸のフェニルまたはシクロ ヘキシルエステル化合物、安息香酸のシクロへキシルフェニルエステル化合物、 シクロヘキサンカルボン酸のシクロへキシルフェニルエステル化合物、シクロへ キシルシクロヘキサンカルボン酸のシクロへキシルフェニルエステル化合物、フ ェニルシクロヘキサン化合物、シクロへキシルビフェニル化合物、フェニルシク ロへキシルシクロヘキサン化合物、シクロへキシルシクロヘキサン化合物、シク ロへキシルシクロヘキセン化合物、シクロへキシルシクロへキシルシクロヘキセ ン化合物、１．４−ビス−シクロヘキシルベンゼン化合物、４．４’−ビス−シ クロへキシルビフェニル化合物、フェニル−またはシクロヘキシルピリミジン化 合物、フェニル−またはシクロへキシルピリジン化合物、フェニル−またはシク ロへキシルジオキサン化合物、フェニル−またはシクロへキシル−１，３−ジチ アン化合物、１．２−ジフェニルエタン化合物、１，２−ジシクロヘキシルエタ ン化合物、１−フェニル−２−シクロヘキシルエタン化合物、１−シクロへキシ ル−２−（４−フェニルシクロヘキシル）エタン化合物、１−シクロへキシル− ２−ビフェニリルエタン化合物、１−フェニル−２−シクロへキシルフェニルエ タン化合物、場合によりハロゲン化されていてもよいスチルベン化合物、ベンジ ルフェニルエーテル化合物、トラン化合物および置換ケイ皮酸化合物の群からの 物質から選択される。

これらの化合物中に存在する１、４−フェニレン基はまた、フッ素化されていて もよい。

本発明による相の追加の成分として適する最も重要な化合物は次式の１．２．３ ．４および５で示すことができる特徴を有する： Ｒ’　−Ｌ−Ｅ−Ｒ’　Ｉ Ｒ’　−Ｌ−ＣＯＯ−Ｅ−Ｒ’　２ Ｒ’　−Ｌ−００Ｃ−Ｅ−Ｒ’　３ Ｒ’　−Ｌ−ＣＨ＊Ｃｌ、−Ｅ−Ｒ“　４Ｒ’　−ｔ−ｃ＝ｃ−Ｅ−ｇ’　５ 式１、式２、式３、式４および式５において、ＬおよびＥは同一または異なるこ とができ、相互に独立して、それぞれ−Ｐｈｅ−１−Ｃｙｃ−１−Ｐｈｅ−Ｐｈ ｅ−１−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ−１−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−１−Ｐｙｒ−１Ｄｉｏ−１−Ｇ −Ｐｈｅ−および−Ｇ−Ｃｙｃ−ならびにそれらの鏡像基からなる群からの二価 の基であり、Ｐｈｅは１．４−フェニレンであり（この基は非置換であるか、ま たはフッ素で置換されている）　、Ｃｙｃはトランス−１，４−シクロヘキシレ ンまたは１．４−シクロヘキセニレンであり、Ｐｙｒはピリミジン−２，５−ジ イルまたはピリジン−２，５−ジイルであり、Ｄｉｏは１．３−ジオキサン−２ ，５−ジイルであり、モしてＧは２−（トランス−１，４−シクロヘキシル）− エチル、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイルまたは１，３ −ジオキサン−２，５−ジイルである。

好ましくは、基りおよび基Ｅのうちの一つはＣｙｃ、、ＰｈｅまたはＰｙｒであ る。Ｅは好ましくは、Ｃｙｃ、　ＰｈｅまたはＰｈｅ−Ｃｙｃである。本発明に よる相は、好ましくは、式１、式２、式３、式４および式５において、その分子 中に存在する基りおよび基ＥがＣｙｃ、　ＰｈｅおよびＰｙｒからなる群から選 ばれる相当する化合物から選択される成分の一種または二種以上と、同時に、式 １、式２、式３、式４および式５において、その分子中に存在する基りおよび基 Ｅのうちの一つがＣｙｃ、　ＰｈｅおよびＰｙｒからなる群から選ばれ、そして 基りおよび基Ｅのうちの他の一つが−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−１−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ−１ Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−１−Ｇ−Ｐｈｅ−および−Ｇ−Ｃｙｃ−からなる群から選ばれ る相当する化合物から選択される成分の一種または二種以上、および場合により 、式１、式２、式３、式４および式５において、その分子中に存在する基りおよ び基Ｅが−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ−１−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−１−Ｇ−Ｐｈｅ−および−Ｇ −Ｃｙｃ−からなる群から選ばれる相当する化合物から選択される成分の一種ま たは二種以上を含有する。

式１、式２、式３、式４および式５で示される化合物の中の小さいサブグループ において、Ｒ′およびＲ′は相互に独立して、それぞれ、８個までの炭素原子を 有するアルキル、アルケニル、アルコキシ、アルコキシアルキル、アルケニルオ キシまたはアルカノイルオキシである。この小さいサブグループを以下でグルー プＡと称し、これらの化合物を、付属式のｌａ、２ａ、３ａ、４ａおよび５ａで 表わすものとする。これらの化合物の大部分において、Ｒ′およびＲ′は相互に 異なっており、これらの基のうちの一つは、通常、アルキル、アルケニル、アル コキシまたはアルコキシアルキルである。

式１、式２、式３、式４および式５で示される化合物の中のもう一つの小さいサ ブグループ（このグループをグループＢと称する）においては、Ｒ′は、−Ｆ、 　−ＣＩ、　−ＮＣＳまたは−（０）ｌＣＪ−（ｘ＋ａ、ＦｋＣｌｌｌ　（式中 、１ｔｉｏまたは１であり、そしてに＋１は、１．２または３である）である。

Ｒ′がこの意味を有する化合物は、付属式１ｂ、　２ｂ、　３ｂ。

４ｂおよび５ｂで表わされるものとする。付属式の１ｂ１２ｂ、３ｂ、４ｂおよ び５ｂで示される化合物の中では、Ｒ′が−Ｆ、　−＋Ｊ、　−ＮＣ３，−ＣＦ ３、−０ＣＨＦ　ｔまたは一０ＣＦ、である化合物が特に好ましいものとしてあ げられる。

付属式のｌｂ、２ｂ、３ｂ、４ｂおよび５ｂで示される化合物において、Ｒ′は 付属式１ａ〜５ａで示される化合物に゛　ついて前記した意味を有し、好ましく はアルキル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキシアルキルである。

式１、式２、式３、式４および式５で示される化合物の中のもう一つの小さいサ ブグループにおいて、Ｒ′は−ＣＮである。このサブグループを以下でグループ Ｃと記し、このサブグループの化合物は、相当して、付属式のｌｃ、２ｃ、３ｃ 、４ｃおよび５ｃで表わされるものとする。

付属式の１　ｃ　１２　ｃ　ｓ　３　ｃ　ｓ　４　ｃおよび５ｃで示される化合 物において、Ｒ′は、付属式１ａ〜５ａで示される化合物に関して定義されてい るとおりであり、好ましくは、アルキル、アルコキシまたはアルケニルである。

グループＡ１グループＢおよびグループＣの好ましい化合物に加えて、その他の 提案されている種々の置換基を有する、式１、式２、式３、式４および式５で示 される、その他の化合物もまた、慣用である。これらの物質はいずれも、刊行物 から既知の方法により、またはその類似方法により得ることができる。

本発明による相は、本発明に係る式■で示される化合物に加えて、好ましくはグ ループＡおよび（または）グループＢおよび（または）グループＣから選ばれる 化合物の中の１種または２種以上の化合物を含有する。本発明による相中におけ る、これらのグループからの化合物の重量割合は、好ましくは次のとおりである 。

グループＡ：０〜９０％、好ましくは２ｏ〜９０％、特に３０〜９０％ グループＢ：０〜８０％、好ましくは１０〜８０％、特に１０〜６５％ グループＣ：０〜８０％、好ましくは５〜８０％、特に５〜５０％ 本発明による特定の相中に存在するこの、グループＡおよび（または）グループ Ｂおよび（または）グループＣの化合物の重量割合の合計は、好ましくは５％〜 ９０％、特に１０％〜９０％である。

本発明による相は好ましくは、本発明に係る化合物を１〜４０％、特に好ましく は、５〜３０％含有する。本発明に係る化合物を、４０％より多い量、特に４５ 〜９０％の量で含有する相はまた、好ましい。本発明による相は、好ましくは３ 種、４種または５種の本発明に係る化合物を含一般に、諸成分を相互に、好まし くは高められた温度で溶解させる。適当な添加剤を使用することにより、液晶相 は、これらを従来開示されているタイプのあらゆる液晶表示素子において使用す ることができるように、本発明に従い変性することができる。

この種の添加剤は当業者にとって既知であり、文献（Ｈ，ｋｅｌｋｅｒ／　Ｒ， ＨａｔｚによるＨａｎｄｂｏｏｋ　ｏｆ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓ−ｔａｌｓ、 　Ｖｅｒｌａｇ　Ｃｈｅｍｉｅ、　Ｗｅｉｎｈｅｉｍ、　１９８０年）に詳細に 記載されている。たとえば、着色ゲスト−ホスト系を生成するために多色性染料 を添加することができ、あるいは誘電異方性、粘度および（または）ネマティッ ク相の配向を変えるための物質を添加することができる。

次側は本発明を説明するためのものであり本発明を制限するものではない。Ｉｌ ｐ、＝融点であり、ｃｐ、　＝透明点である。前記および後記の記載において、 パーセンテージは重量によるパーセントである。温度はいずれも、摂氏度で示す ものである。

「通常の方法で仕上げ処理する」の用語は次の意味を有するものとする：水を加 え、混合物を塩化メチレンで抽出し、有機相を分離し、乾燥させ、次いで蒸発さ せ、生成物を結晶化および（または）クロマトグラフィにより精製する。

さらにまた：Ｃ：結晶固体状態、Ｓ：スメクティック相（インデックスは相のタ イプの特徴を示す）、Ｎ：ネマティック状態、Ｃｈ：コレステリック相、■＝等 方性相。

２種の記号間の数値は転移温度を摂氏度で示すものである。

本明細書および以下の例の記載において、各液晶化合物の構造を、頭字語で示す 。化学式への変換は、以下の表Ａおよび表Ｂに記載されているとおりに行なわれ る。

基Ｃ１Ｈ２ｎ＋　１および基Ｃ−２□１はいずれも、ｎ個またはｍ個の炭素原子 を含有する直鎖状アルキル基である。表Ｂ中のコードに関しては、さらに説明す る必要までもない。

表Ａには、親構造に係る頭字語だけが示されている。それぞれの場合において、 親構造を示す頭字語からハイフン（−）によって分離されている置換基）ｊｌＳ Ｒ２、ＬＩおよびＬ２に係るコード記号を下記に示す： ｎｍ　ｃｎｎ２ｎ＋ｌ　ＣｎＨ２ｎ＋１　Ｈｌｌｎ０ｍ　ＣＪ２ｎ＋＋　ＯＣｍ ｆ１２１Ｉｌ＋１　１１　ＨｎＯ，ｌ　ＯＣｏ■２ｎ＋＋　ＣｎＨ２ｎ＋１　ｎ 　ＨｎＴ　ｃｎｌ’１２ｎｌ　ＣＮ　ＨＩＩｎＮ、Ｆ　Ｃｒ＋Ｈｚｎ＋＋　ＣＮ 　ＨＦｎＦ　ｃｎｎ２１１１　Ｆ　ＨＨ ｎＯＦ　０ＣＪ２ｙ１＋Ｉ　Ｆ　Ｈ■ ｎｃｌ　ｃｎｎ２ｎ＋Ｉ　ＣＩ　ＨＨ ｎＦ、Ｆ　ＣｎＨ２ｎ＋１　Ｆ　ＨＦ ｎＯｍＦＦ　ＣｒＪＴ２ｎ＋＋　ＯＣｍＨｚｎ＋＋Ｉ　Ｆ　ＦｎｍＦ　ＣｎＨ２ ｎ＋１　ＣＣｍ１ｌＩ２＋１　Ｆ　ＨｎＣＦ３　ＣｎＨ２ｎ＋ｌＣＦ３　ＨＨｎ ＯｃＦ３　ＣｎＨｎ１　０ＣＦ３　ＨＨｎＯｃＦ２　ＣｎＨ２ｎ１　ｏｃｎｐ、 　ＨＨｎＳ　ＣｎＨ２ｎ＋１　ＮＣ３ＨＨ ｒＶｓＮ　ＣｎＨ２ｎ１（−ＣＨ＝ＣＨＣ２Ｎ２ｇ−ＣＮ　ＲＨｒＥｓＮ　Ｃｒ Ｈ１ｙ＋ｌ−０−ＣＪｔｓ−ＣＮ　ｌ［Ｉ　１１ｎＮＦ　ＣＪ２ｎ＋＋　ＣＮ　 Ｆ　Ｈ ｎ＾ｍ　ＣｎＨ２ｎ＋１　ＣＯＯＣ００Ｃ＋＊＋＋　ＨＨ表Ａ ＰＹＰ　ＰＹＲＰ ■下　α℃ ＣＯＩ　コ ＣＰ　ＣＦｒＰ ＣＥＦＴＰ　Ｄ ＥＣＣＰ　ＣＥＣＰ ＥＰＯ（ＨＰ ＭＥ　ＰＣＨ ＰＤＸ　Ｆ’ｒＰ ＢＥＣＨＥＢＣＨ ＰＣ 表Ｂ Ｍ３ｎＢＯ（−ｎ、Ｆｏｎ ｎｎ −ｎｍ Ｃ１５ＣＢ１５ ＣＢＣ−ｎｍＦ ＣＣＢ−ｎ、ＦＸ α］コーｎ、ＦＸ Ｍ Ｑ）Ｊ−ｎｍ Ｏゴ’Ｃ−ｎｏ＋ Ｇ（−ｎｍ Ｄ−ｎｍ ＨＨ−ｎｍ ＯＪ ＮＯ３−ｒｕｎ 銘−ｎｍ　Ｇ（Ｅ ＤユＩｃ−ｎｍ Ｅα１（−ｎｍ　Ｃｏ（−ｎ　ｌ　Ｅｍ−ｎＦｎ ｎＸ　ＹＺｓＬ ＤＡＳＴ　ジエチルアミノサルファートリフルオライドＤＣＣジシクロへキシル カルボジイミドＤＤＱ　ジクロロジシアノベンゾキノンＤＩＲＡＩＪ　水素化ジ イソブチルアルミニウムＤＭＳＯジメチルスルホキシド ＰＯＴ　カリウムｔｅｒｔ−ブタル−トＴＨＦ　テトラヒドロフラン ｐＴｓＯＨｐ−トルエンスルホン酸 例　１ １−〔トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）シクロヘ キシル］−２−（ｐ−ブロモフェニル）エタン０．０５ｍ　（ＤＥ　３３１７５ ９７）およびｐ−１−リフ／ｌｚオロメチルフェニルホウ酸０．０５ｍ　（この 化合物は、ｐ−プロモトリフルオロトルエンからｎ−ＢｕＬｉ／　Ｂ（ＯＣＨ３ ）３およびＨ”／Ｔ（、Ｏとの、順次反応によって製造される）の、トルエン１ ００ｍ１およびエタノール５０ｍ１中の溶液を、Ｐｄ（Ｐｈｓ）ｎＯ，０００１ ｍおよびＮａ２ＣＯ３溶液（２Ｍ　）５０ｍｌの添加後に、４時間還流させる。

通常の抽出を含む仕上げ処理を行ない、引続いて、クロマトグラフィおよび結晶 化により精製し、１−　〔トランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロ ヘキシル）−シクロヘキシル］　−２−（４−トリフルオロメチルビフェニル− ４′−イル）エタンを得る。

例　２〜６２ 例１と同様にして、下記の付属式Ｉａで示される化合物が得られる： ｎＸ　ＹＺｓＬ ｎＸ　ＹＺｓＬ （５１）２ＦＦＦＯＲ （５２１３ＦＦＦＯＲ （５３）４ＦＦＦＯＲ （５４１５ＦＦＦＯＲ ＋５５）　２　ＣＦ、　Ｆ　Ｆ　ＯＨ Ｔ５６）　３ＣＦ、　Ｆ　Ｆ　ＯＨ （５７１４ＣＦ、　Ｆ　Ｆ　ＯＨ （５８）　５　ＣＦ３Ｆ　Ｆ　ＯＨ ｆ５９）　２　０ＣＩ（Ｆ２　Ｆ　ＨＯＨ（６０）　３　０ＣＫＦ２Ｆ　ＨＯＨ （６１）　４　ＣＸ：上Ｆ２ＦＨＯＨ （６２）　５　０ＣＩ（Ｆ２　Ｆ　ＨＯＨ例　６３ ａ）　ジエチルエーテル１００■ｌ中の３．４−ジフルオロブロモベンゼン０． ２ｍの溶液に、−３０″′において、ｎ−ＢｕＬｉ　０．２ｍｓ引続いてＴｉＣ １（ＯｉＰｒ）３０．２ｍのＴＩＩＦ溶液を加える。この温度を次いで、撹拌し ながら、−１０’に到達させ、エチル４−オキソシクロヘキサンカルボキシレー ト０．２ｍを加え、混合物を室温で、さらに２時間撹拌する。抽出を含む仕上げ 処理を行ない、次いで溶剤を除去した後に、残留物をトルエン２００ｍＡ’中に 取り、ｐ−トルエンスルホン酸１ｇを加え、混合物を水分離器の下に、２時間線 とうさせる。抽出を含む仕上げ処理の後に、生成物をクロマトグラフィによって 精製する。

ｂ）得られたシクロヘキセン誘導体を、ＴＩＩＦ１００ｍＡ’中に溶解し、Ｐｄ ／Ｃ５ｇを加え、この混合物を、大気圧において、水素添加する。濾過し、蒸発 させ、塩基性条件の下にエーテル開裂させ、次いで結晶化し、トランス−４−（ ３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキサンカルボン酸を得る。

Ｃ）得られたシクロヘキサンカルボン酸を、塩化チオニル５０ｍ／とともに、室 温で一夜にわたり撹拌する。蒸留により精製した後に、得られた酸クロライドを 、Ｒｏｓｅｎｍｕｎｄの方法によって、Ｐｄ／Ｂａ５Ｏａの存在の下に水素中を 通すことにより、アルデヒドに変換する。

ｄ）生成したアルデヒド０．１ｍおよびトランス−４−（トランス−４−ｎ−プ ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシルメチルホスホニウムヨーダイト０．１ｍ のＴＨＦ　１０（１＋Ａ’中の撹拌溶液に、０°に冷却しながら、ＰＯＴを加え る。この混合物を室温でさらに４時間撹拌し、次いでＨｚｏ　５０ｍ／を添加し た後に、抽出によって仕上げ処理する。

ｅ）この粗生成物を、ＴＨＦ中でＰｄ／Ｃ５ｇを添加した後に大気圧において水 素添加する。濾過し、蒸発させ、次（・で結晶化により精製し、１−〔トランス −４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル）−２− ［トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）−シクロヘキシル〕エタンを 得る。

例　６４〜１２６ 例６３と同様にして、下記の付属式Ｉｂで示される化合物が得られる： ｎ　Ｘ　ＹＺｒＡ （６４）　２　−ＣＦ　ＨＨＯ− （６５）　５　−ＣＦ　ＨＨＯ− （６６）　４　−ＣＦ　ＨＨＯ− （６７）　５　Ｆ　Ｆ　Ｆ　Ｏ− （７１）　２　ＣＩ　Ｆ　Ｆ　Ｏ− （７２）３　ＣＩ　Ｆ　Ｆ　Ｏ− （７３）　５　−α下　ＨＨＯ− （７４）　２　−０ＣＦ　ＨＨＯ− （７５）　３　−０ＣＦ　ＨＨＯ− （７６）　５　−０ＣＨＦ２ＨＨＯ− （７７）　２　−０ＣＨＦ２ＨＨＯ− （７８）　３　−ＱＣ）ＩＦ２Ｗ　ＨＯ−（７９）　２　Ｆ　ＨＨＩ　ＣＭ （８０）　３　Ｆ　ＨＨＩ　ＣＭ （８１）　５　Ｆ　ＨＨＩ　ＣＹ （８２）　２　ＣＩ　ＨＨＩ　ＣＹ （８３）　３　ＣＩ　ＨＨＩ　ＣＹ （８４）　５　ＣＩ　ＨＨＩ　ＣＭ ｎ　Ｘ　ＹＺ　ｒ　Ａ （Ｂ５）　２　Ｆ　Ｆ　ＨＩ　Ｃｙ （８５）　４　Ｆ　Ｆ　ＨＩ　ＣＹ （８７）　Ｓ　Ｆ　Ｆ　ＨＩ　ＣＹ （８８）２　ＣＩ　ＦＨｔｃｙ （８９）　３　ＣＩ　Ｆ　ＨＩ　ＣＹ （９０）　５　ＣＩ　Ｆ　ＨＩ　ＣＭ （９１）　２　−ＣＦ　ＨＨＩ　ＣＹ （９２）　３　−ＣＦ、　ＨＨｌ　ｃｙ（９３）　５−ＣＦ３８　ＨＩ　Ｃｙ （９４）　３−ＣＦ５Ｆ　ＨＩ　ＣＹ （９５）　３−ＣＦ５Ｆ　ＨＩ　ＣＹ （Ｂ６）　５　−ＣＦ、　Ｆ　ＨＩ　Ｃｙ（９７）　２−ＣＮＨＨＩ　ＣＹ （９８）　３　−ＣＮ　ＨＨＩ　ＣＹ （９９）　５　−ＣＮ　ＨＨＩ　ＣＹ （１００）　２　−ＣＮ　Ｆ　ＨＩ　Ｃｙ（１０１）　３　−ＣＮ　Ｆ　ＨＩ　 ＣＹ（＋０２）　５　−ＣＮ　Ｆ　ＨＩ　ＣＹ（＋０３）　２　−ＣＮ　Ｆ　Ｆ 禽１ｃｙ（＋０４）　３　−ＣＮ　Ｆ　Ｆ冑　Ｉ　ＣＹ（＋０５）　５　−ＣＮ 　Ｆ　Ｆ”　Ｉ　ＣＹ（１０６）　２　−０ＣＦ、　ＨＨＩ　ＣＭ（１０７）　 ３−ＯＣＦ３ＨＨＩ　ＣＹ（＋０８）　５−ＯＣＦ３ＨＨＬ　ＣＹ（＋０９）　 ２　−ＱＣ）（Ｆ２ＨＨＩ　Ｃｙ（Ｎｏ）　３　−ＱＣ）（Ｆ２ＨＨＩ　ＣＹ（ ｍ）　５　−ＱＣ）（Ｆ２ＨＨＩ　ＣＹｎ　Ｘ　Ｙ　Ｚ　ｒ　Ａ （１１２）２　Ｆ　Ｆ　ＨＩ　Ｐｈ （１１３）３　Ｆ　Ｆ　ＨＩ　Ｐｈ （１１４）５　Ｆ　Ｆ　ＨＩ　Ｐｈ （１１５）２　ＣＩ　Ｆ　ＨＩ　Ｐｈ （１１６）３　ＣＩ　Ｆ　ＨＩ　Ｐｈ （１１７）５　ＣＩ　Ｆ　ＨＩ　Ｐｈ （１１８）２　−ＣＮ　ＨＨＩ　Ｐｈ （１１９）３　−ＣＮ　ＨＨＩ　Ｐｈ （１２０）５　−ＣＮ　ＨＨＩ　Ｐｈ （＋２１）２　−ＣＦ　ＨＨＩ　Ｐｈ （＋２２）３　−ＣＦ　ＨＨＩ　Ｐｈ （＋２３）５　−ＣＦ　ＨＨＩ　Ｐｈ （１２４）　２　−（Ｘア　ＨＨＩ　Ｐｈ（＋２５）３　−０ＣＦ　ＨＨＩ　Ｐ ｈ（１２６）５　−０ＣＦ　ＨＨｌ　、Ｐｈ★ＺはＸに対してオルト位置に存在 する例　１２７ 上記合成経路１２に従い、１−（トランス、トランス−４−ｎ−プロピルシクロ へキシルシクロヘキシル）−２−（ｐ−ブロモフェニル）エタン３ｇをトルエン ２０ｍ１中のｐ−シアノフェニルホウ酸１．１３９およびテトラキストリフェニ ルホスフィンＰｄ（０）　０．０１９、ならびに２Ｍ炭酸ナトリウム溶液１０＋ ＋４’およびエタノール４ｍｌとともに、反応が完了するまで、還流させる。通 常の方法で仕上げ処理し、１−（トランス、トランス−４−ｎ−プロピルシクロ へキシルシクロヘキシル）−２−（４−シアノビフェニル−４′−イル）エタン を得る、Ｃ１３９Ｎ　＞３００１０同様にして、下記の付属式Ｉａａで示される 化合物が得２　１　０ＣＨＦ。

３　１　０ＣＨＦ。

５　１　０ＣＨＦ　２ 例　１２８ Ｉ　ＩＩ ■ ＴＢＦ／　）ルエン溶媒混合物（１：４容量比）　１５０ｓ＋１中の化合物Ｉ　 ０１１モルに、無水臭化アニン１１．５９を、次いでリチウム顆粒１．４ｇを加 える。この混合物を、０℃〜１０℃で、アルゴン雰囲気の下に、撹拌しながら、 超音波で４時間処理し、化合物■を相当するジアルキルアニン化合物に変換する 。この有機アニン化合物に、化合物■０．１モルおよび１．１′−ビス（ジフェ ニルホスフィノ）フェロセン／パラジウム（ｎ）ジクロライド（ＰｄＣ／ｌ　ｄ ｐｐｆ）１．５９（２モル％）を加え、次いで、超音波浴を取り除き、冷却させ た後に、この混合物を室温で２４時間撹拌する。

飽和ＮＨ４Ｃ４溶液１００ｍ／を使用し、撹拌しながら、この混合回抽出する。

有機抽出液を集め、乾燥し、蒸発させ、次いでヘキサンを用いてシリカゲルでク ロマトグラフィを行い、化合物■を得る。

例　１２９ 上記例と同様に、化合物ｌとの反応によって、化合物１１００ミリモルを化合物 足に変換する。

化合物３４７ミ’）　モＪＬｙ、ＴＭＥＤＡ　７．５＋１（５０ミリモル）およ びＴＨＦ　１５０ｆｆｉ／の混合物に、−６５〜−７０℃でｎ−ＢｕＬｉ（ヘキ サン中１５％）　３１Ｗｌを滴下して加え、この混合物を一７０℃でさらに１時 間撹拌する。次いで、ＴＨＦ　２５ｍＡ’中のヨー素１２、０９（４７ミリモル ）の溶液を−６５〜−７０℃で滴下して加え、混合物を一７０℃で０．５時間撹 拌する。この混合物を＝３０℃まで温め、水１５＋＋／を使用して加水分解し、 次いで重硫酸ナトリウム溶液１５＋＋／の添加によって、過剰のヨー素を還元す る。通常の方法で仕上げ処理し、次いでヘキサンから再結晶させ、化合物まを得 る。化合物４３８ミリモル、ＫＦ　４．４ｇ（フロミリモル）、三フッ化酢酸ナ トリウム２２．８ｇ（１６８ミリモル）およびＮＩＰ　８００菖ｌの混合物から 、７０℃および４ミリバールにおける蒸留によって、ＮＩＩＰ　４００ｍ１を除 去する。この反応混合物に次いで、乾燥ＣｕＩ　１．４ｇ（フロミリモル）を加 え、次いで１６０℃で５時間撹拌する。ＮＭＰ約３０（ｈｌを次いで、蒸留によ り除去する。

この混合物を室温まで冷却させ次いで）ＩＴＢエーテル４００ｍ１を加える。こ の混合物を水で洗浄し、Ｎａ、Ｓ０４で乾燥させ、濾過し、次いで蒸発させ、残 留物を得る。シリカゲル上で、ヘキサンを用いてクロマトグラフィ処理し、化合 物５を得る。

例　１３０ 上記例と同様にして、化合物Ｕとの反応によって、化９およびＴＢＦ　１００ｍ ／の混合物に、−１００℃で、ｎ−ＢｕＬｉ　４０ｍ１を滴下して加え、混合物 を一１００℃で１時間撹拌する。

ＴＨＦ６０ｍｌ中のヨー素１５．９９の溶液を、−８５〜−９０℃で、次いで滴 下して加える。この混合物を一９０℃でさらに０．５時間撹拌し、−３０℃まで 温め、水３０ｍ１を用いて加水分解し、次いで濃塩酸を用いて酸性にし、次に重 硫酸ナトリウム溶液の添加により、過剰のヨー素を還元する。通常の方法で仕上 げ処理し、次いでヘキサンから再結晶させ例　１３１ 化合物足は、上記合成経路に従い、化合物１を有機アニン化合物に変換した後に 、触媒としてＰｄ（ｎ）を用いるカップリング反応によって得られる。このベン ジルエーテルを水素添加分解的に開裂させると、フェノール化合物４が得られる 。

このフェノール化合物０．０１モルのＴＩＰ溶液に、３２％水酸化ナトリウム溶 液３．１ｇおよび重硫酸テトラブチルアンモニウム０．５ｇを加え、この混合物 を５０℃まで温め、次いでドライアイスで冷却されているコンデンサーに凝縮さ れるまで、ここにクロライドフルオロメタンを撹拌しながら通す。冷却後に、こ のＴＨＦ溶液を、沈殿した油状生成物から、デカントし、この溶液を蒸発させ、 得られた化合物５を、エタノールから再結晶させる。

例　１３２ 物は化合物↓のニトロ化および引続（、水素添加によって製造される）およびト リエチルアミン１５ｍＡ’の溶液に、チオホスゲン０．１モルを滴下して加える 。この反応混合物を次いで、−夜にわたり撹拌し、次いで３Ｎ）ＩＣＡ’中に注 ぎ入れる。揮発性成分を蒸発させた後に、残留物を再例Ａ ＰＣＨ−５Ｆ　Ｂ　ｚ ＰＣＨ−６Ｆ　６　ｚ ＰＣＨ−７Ｆ　５　ｙ。

ＣＣＰ−２０ＣＦ、　６９＝ ＣＣＰ−３０ＣＦ３９　Ｘ ＣＣＰ−４０ＣＦ３６　ｔ ＣＣＰ−５０ＣＦ３９　’Ｉ； ＢＣＨ−３Ｆ、Ｆ　９　’Ｉ； ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　８　’３； ＥＣＣＰ−３０ＣＦ、　４　’９； ＥＣＣＰ−５０ＣＦ３４　Ｘ ＣＢＣ−３３Ｆ　２　ｚ ＣＢＣ−５３Ｆ　２　ｚ ＣＢＣ−５５Ｆ　２　ｚ ＣＣＢ−３，ＦαΣ、１０λ ＣＣＢ−３，ＦＦ　Ｌｏｔ Ｃ１，Ｐ　９２°Ｃ ｖｔｈ　２．４Ｖ 例Ｂ ＰＣＨ−５Ｆ　８　”； ＰＣＨ−６Ｆ　６％ ＰＣＨ−７Ｆ　５９＝ ＣＣＰ−２０ＣＦ３６　Ｘ ＣＣＰ−３０ＣＦ３９９； ＣＣＰ−４０ＣＦ、　６　’ｌ； ＣＣＰ−５０ＣＦ３９　”； ＢＣ）（−３Ｆ、Ｆ　９　％ ＢＣＨ−５Ｆ、Ｆ　８　’４ ＥＣＣＰ−３０ＣＦ３４　’Ｉ； ＥＣＣＰ−５０ＣＦ３４χ ＣＢＣ−３３Ｆ　２’ｔ ＣＢＣ−５３Ｆ　２　ｔ ＣＢＣ−５５Ｆ２″Ｉ− ＣＣＥＢ−３Ｃ１，Ｆ　１０　ｚ ＣＣＢ−３Ｃ１，Ｆ　１０　’！； （１，ｐ　ｓｓ　’ｃ ｖｔｈ　２．２　Ｖ 国際調査報告 ｍ”−ＰＣＴ／ＥＰ　９０１０１４３７国際調査報告 国際調査報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．式Ｉ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉ 〔式中、ｎ、は１〜１０であり、環Ａおよび環Ｂはそれぞれ、トランス−１，４ −シクロヘキシレンであり、あるいは環Ａおよび環Ｂのうちの一つはまた、１， ４−フェニレンまたは３−フルオロ−１，４−フェニレンであることができ、Ｘ は、Ｆ、Ｃｌ、−ＣＨＦ２、−ＣＦ３、−ＣＮ、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２ であり、ＹおよびＺは、それぞれ相互に独立して、ＨまたはＦであり、ｒ＝１で あり、あるいはｓ＝１で、Ｂ＝トランス−１，４−シクロヘキシレンで、そして 同時に、Ｘ＝−ＣＨＦ２、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２である場合 には、ｒは０であり、そしてｓ＝１であり、あるいはＢ＝１，４−フェニレンま たは３−フルオロ−１，４−フェニレンである場合には、ｓ＝Ｏである〕 で示されるハロゲン化ベンゼン誘導体。 ２．式Ｉａ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉａ〔式中、ｎは、１〜７であり、ｓはＯま たは１でありＸは、Ｆ、Ｃｌ、−ＣＨＦ２、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣ ＨＦ２であり、そしてＹ、ＬおよびＺは、それぞれ相互に独立して、ＨまたはＦ である、ただしＸ＝Ｆである場合には、Ｌ＝Ｆ、Ｌ＝Ｙ＝ＦまたはＹ＝Ｚ＝Ｆで ある〕で示されることを特徴とする、請求項１に記載のベンゼン誘導体。 ３．式Ｉａａ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉａａ（式中、Ｘは、Ｃｌ、−ＣＮ、−ＣＦ ３、−ＣＨＦ２、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２である） で示されることを特徴とする、請求項２に記載のベンゼン誘導体。 ４．式Ｉａｂ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉａｂ（式中、Ｘは、Ｃｌ、−ＣＦ３、−Ｃ ＨＦ２、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２である） で示されることを特徴とする、請求項２に記載のベンゼン誘導体。 ５．式Ｉａｃ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉａｃ（式中、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、−ＣＦ３、 −ＣＨＦ２または−ＯＣＨＦ２である） で示されることを特徴とする、請求項２に記載のベンゼン誘導体。 ６．式Ｉａｄ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉａｄ（式中、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、−ＣＦ３、 −ＣＨＦ２、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２である） で示されることを特徴とする、請求項２に記載のベンゼン誘導体。 ７．式Ｉａｅ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉａｅ８． （式中、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、−ＣＦ３、−ＣＨＦ２、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ ２である） で示されることを特徴とする、請求項２に記載のベンゼン誘導体。 式Ｉｂ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉｂ〔式中、ｎは、１〜７であり、ｒは、Ｏ または１であり、環Ａは、トランス−１，４−シクロヘキシレンまたは１，４− フェニレンであり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、−ＣＦ３、−ＣＮ、−ＯＣＦ３または−Ｏ ＣＨＦ２であり、そしてＹおよびＺは、それぞれ相互に独立して、ＨまたはＦで ある、ただしｒ＝１で、Ａ＝１，４−フェニレンで、そしてＸ＝ＦまたはＣｌで ある場合には、Ｙおよび（または）Ｚは、フッ素である〕 で示されることを特徴とする、請求項１に記載のハロゲン化ベンゼン誘導体。 ９．式Ｉｂａ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉｂａ（式中、Ｘは、−ＣＨＦ２、−ＣＦ３ 、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２であり、そしてＹおよびＺは、それぞれ相互に 独立して、ＨまたはＦである） で示されることを特徴とする、請求項８に記載のベンゼン誘導体。 １０．式Ｉｂｄ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉｂｄ（式中、Ｘ、ＹおよびＺは、請求項８ に定義されているとおりである） で示されることを特徴とする、請求項８に記載のベンゼン誘導体。 １１．Ｘ＝ＣＮ、Ｙ＝ＦそしてＺ＝Ｈであることを特徴とする、請求項１０に記 載のベンゼン誘導体。 １２．Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２、そしてＹ＝Ｚ ＝Ｈであることを特徴とする、請求項１０に記載のベンゼン誘導体。 １３．Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２、Ｙ＝Ｆそして Ｚ＝Ｈであることを特徴とする、請求項１０に記載のベンゼン誘導体。 １４．Ｘ＝ＦまたはＣｌであることを特徴とする、請求項１３に記載のベンゼン 誘導体。 １５．式Ｉｂｅ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉｂｅ（式中、Ｘは、好ましくはＦまたはＣ ｌである）で示されることを特徴とする、請求項８に記載のベンゼン誘導体。 １６．式Ｉｂｆ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉｂｆ（式中、Ｘは、−ＣＮ、−ＣＨＦ２、 −ＣＦ３、−ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２である） で示されることを特徴とする、請求項８に記載のベンゼン誘導体。 １７．式Ｉｂｇ ▲数式、化学式、表等があります▼Ｉｂｇ（式中、Ｘは、−ＣＮ、−ＣＦ３、− ＯＣＦ３または−ＯＣＨＦ２である） で示されることを特徴とする、請求項８に記載のベンゼン誘導体。 １８．電気光学表示体用の液晶相の成分として、請求項１に記載の式Ｉで示され るベンゼン誘導体を使用すること。 １９．少なくとも２種の液晶成分を含有する電気光学表示体用液晶相であって、 少なくとも１種の成分が請求項１に記載の式Ｉで示されるベンゼン誘導体である ことを特徴とする液晶相。 ２０．液晶セルにもとづく電気光学表示体であって、この液晶セルが、請求項１ ９に記載の相を含有することを特徴とする電気光学表示体。