JPH0451021B2 - - Google Patents
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- JPH0451021B2 JPH0451021B2 JP60047257A JP4725785A JPH0451021B2 JP H0451021 B2 JPH0451021 B2 JP H0451021B2 JP 60047257 A JP60047257 A JP 60047257A JP 4725785 A JP4725785 A JP 4725785A JP H0451021 B2 JPH0451021 B2 JP H0451021B2
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のあるレーザー光用ｑ光受
容部材に関する。 〔従来の技術〕 固体撮像装置、或いは撮形成分野における電子
写真用撮形成部材や原稿読取装置における光受容
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip／暗電流（Id）〕が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性にマツチングした吸
収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無害であること、更には固体撮像
装置においては、残像を所定時間内に容易に処理
することができること等の特性が要求される。殊
に、事務機としてオフイスで使用される電子写真
装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合
には、上記の使用時における無害性は重要な点で
ある。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後Ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材への応用、独国公開第2933411号公報に光電変
換読取装置への応用が記載されている。 しかしながら、従来のＡ−Siで構成された光導
電層を有する光受容部材は、暗抵抗値、光感度、
光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性、及
び耐湿性等の使用環境特性の点、更には経済時安
定性の点において、結合的な特性向上を計る必要
があるという更に改良される可き点が存するのが
実情である。 例えば、Ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於て、また通常使用
されているハロゲンランプや蛍光灯を光源とする
場合、長波長側の光を有効に使用し得ていないと
いう点に於て、夫々改良される余地が残つてい
る。 又、別には、照射される光が光導電層中に於て
充分吸収されずに支持体に到達する光の量が多く
なると、支持体自体が光導電層を透過して来る光
に対する反射率が高い場合には、光導電層内に於
て多重反射による干渉が起つて、画像の「ボケ」
が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に照射スポツト
を小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザを
光源とする場合には大きな問題となつている。 更には、層厚が十数μ以上になると、層形成用
の真空堆積室より取り出した後、空気中での放置
時間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや
剥離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引越し
勝ちであつた。この現象は、殊に支持体が、通常
電子写真分野に於て使用されているドラム状支持
体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於て
解決される可き点がある。 従つて、Ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で、光受容部材を設計する際に上記した
様な問題の総てが解決される様に工夫される必要
がある。 本発明は、上記の諸点に鑑み為されたもので、
Ａ−Siに就いて電子写真用像形成部材や固体撮像
装置、読取装置等に使用される光受容部材として
の適用性とその応用性という観点から総括的に鋭
意研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルフアス材
料、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン
化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水
素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的
表記として「Ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から
構成され、光導電性を示す光受容層を有する光受
容部材の層構成を、以後に説明される様に特定化
して設計されて作成されたレーザー光用の光受容
部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかりで
なく従来の光受容部材と較べてみてもあらゆる点
において凌駕していること、殊に電子写真用の光
受容部材として著しく優れた特性を有しているこ
と、及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性に
優れていることを見出した点に基いている。 〔目的〕 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆ど使用環境に制限を受けない全
環境型であり、長波長側の光感度特性に優れると
共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ど観
測されない光受容部材を提供することを主たる目
的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光受容部材を提供すること
である。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光受容部材を提供することであ
る。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に静電像形成の為の帯
電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多湿雰
囲気中でもその特性の低下が殆ど観測されない優
れた電子写真特性を有する光受容部材を提供する
ことである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光受容部
材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する光受容部材を提供することでもあ
る。 〔開示の概要〕 本発明のレーザー光用の光受容部材は、光受容
部材用の支持体と、該支持体上に設けられ、シリ
コン原子と錫原子とゲルマニウム原子とを含む非
晶質材料で構成された第１の層領域、及びシリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を
示す第２の層領域とが前記支持体側より順に設け
られた層構成の光受容層とを有することを特徴と
する。 このような構成の本発明は以下のような作用効
果を奏する。 すなわち、ゲルマニウム原子とシリコン原子と
を含有させた非晶質材料は、ゲルマニウム原子が
ない場合に較べて長波長光を効率良く吸収するこ
とができ、また、錫原子とシリコン原子とを含有
させた非晶質材料も、錫原子がない場合に較べて
長波長光を効率良く吸収することができる。そし
て、第１の層領域をゲルマニウム原子とシリコン
原子とを含有した場合は、長波長光は第１の層領
域中で吸収され支持体表面で反射された後さらに
第１の層領域で再びその反射光が吸収されること
によつて、レーザー光による干渉の問題を解決す
ることはできる。錫原子とシリコン原子とを含有
させた場合もゲルマニウム原子とシリコン原子と
を含有させた場合と同様に長波長光の吸収効果は
認めらる。しかしながら、錫原子とシリコン原子
とを含有させた場合は光導電性を充分に優れたも
のとすることは極めて難しいかつた。 本発明者は多くの実験結果から、単に光導電性
を有する光受容部材として使用するのでなく、上
記したような種々の優れた効果を得るために錫原
子とシリコン原子とを含有させただけでは充分な
特性を出すことは難しいという事実に基づいてな
されたものである。 そして、本発明者は、多くの実験と検討を重ね
た結果、ゲルマニウム原子よりいわば金属的な錫
原子をゲルマニウム原子に加えてさらに含有させ
ることによつて、単なる長波長光の吸収にとどま
らず、錫原子がさらに含有されたことによるいわ
ゆるクラスター的な構造の効果により画像に悪影
響を与えることがない程度の散乱を生じさせるこ
とができより一層の長波長光の吸収を行うことが
できるということを見出し、本発明を完成した。
つまり、ゲルマニウム原子に加えて錫原子を含有
させることにより第１の層領域に入射した光は直
接的な吸収だけでなく、散乱された光としても吸
収がなされることになり、全体重としてより一層
効率的な光吸収を行うことができ、長波長光の一
層の吸収性能を上げることが可能としたものであ
る。また、その結果錫原子が含有されない場合に
較べてより層厚を厚くしたのと同じ効果を得るこ
とも可能とした。 そのため、支持体側からの反射があつたとして
も第１の層領域の支持体側において効果的に反射
光が吸収されるため、第１の層領域や第２の層領
域へ支持体で反射された照射光が入射されること
で生ずる上記したような干渉の問題は充分に解決
することができるのである。 また、同じ程度の長波長光の吸収で良いのであ
れば第１の層領域をより薄くすることが可能にな
り、より一層鮮映度の高い優れた記録を行うこと
も可能となる。 〔実施態様〕 以下、図面に従つて、本発明の光受容部材に就
いて詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光受容
部材の層構成を説明するための模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光受容部材１００は、光受容部材
用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２
を有し、該光受容層１０２は自由表面１０５を一
方の端面に有している。 光受容層１０２は支持体１０１側より錫原子と
ゲルマニウム原子とを含有するＡ−Si（Ｈ，Ｘ）
（以後「Ａ−SiSnGe（Ｈ，Ｘ）」と略記する）で構
成された第１の層領域（SnG）１０３とＡ−Si
（Ｈ，Ｘ）で構成され光導電性を有する第２の層
領域（Ｓ）１０４とが順に積層された層構造を有
する。 第１の層領域（SnG）１０３中に含有される錫
原子及びゲルマニウム原子とは、該第１の層領域
（SnG）１０３に均一に含有されても良く、又は、
該第１の層領域（SnG １０３の層厚方向には連
続的ではあるが不均一に含有されても良い。例え
ば前記支持体１０１の設けられてある側とは反対
の側（光受容層１０２の表面１０５側）に対し、
前記支持体１０１側の方に多く分布した状態とな
る様に前記第１の層領域（SnG）１０３中に含有
される。 又、本発明の光受容部材１００の好ましい例に
於いては、少なくとも第１の層領域（SnG）１０
３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されて
も良く、該物質（Ｃ）を含有させることで第１の
層領域（SnG）１０３に所望の伝導特性が与えら
れる。 本発明に於いては、第１の層領域（SnG）１０
３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含有させる
場合には、第１の層領域（SnG）１０３の全層領
域に万偏なく均一に含有されても良く、また第１
の層領域（SnG）１０３の一部の層領域に偏在す
る様に含有されても良い。 本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）
を第１の層領域（SnG）の一部の層領域に偏在す
る様に第１の層領域（SnG）中に含有させる場合
には、前記物質（Ｃ）の含有される層領域
（PN）は、第１の層領域（SnG）の端部層領域と
して設けられるのが望ましい。殊に、第１の層領
域（SnG）の支持体側の端部層領域として前記層
領域（PN）が設けられる場合には、該層領域
（PN）中に含有される前記物質（Ｃ）の種類及
びその含有量を所望に応じ適宜選択することによ
つて、支持体から光受容層中への特定の極性の電
荷の注入を効果的に阻止することが出来る。 本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制
御することの出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一
部を構成する第１の層領域（SnG）中に、前記し
た様に該層領域（SnG）の全域に万偏なく、或い
は層厚方向に偏在する様に含有させるものである
が、更には、第１の層領域（SnG）上に設けられ
る第２の層領域（Ｓ）中にも前記物質（Ｃ）を含
有させても良い。 第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有
させる場合には、第１の層領域（SnG）中に含有
される前記物質（Ｃ）の種類やその含有量及びそ
の含有の仕方に応じて、第２の層領域（Ｓ）中に
含有させる物質（Ｃ）の種類やその含有量、及び
その含有の仕方が適宜決められる。 本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）中に前
記物質（Ｃ）を含有させる場合、好ましくは、少
なくとも第１の層領域（SnG）との接触界面を含
む層領域中に前記物質を含有させるのが望まし
い。 本発明に於いては、前記物質（Ｃ）は第２の層
領域（Ｓ）の全層領域に万偏なく含有させても良
いし、或いは、その一部の層領域に均一に含有さ
せても良いものである。 第１の層領域（SnG）と第２の層領域（Ｓ）の
両方に伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含有させ
る場合、第１の層領域（SnG）に於ける前記物質
（Ｃ）が含有されている層領域と、第２の層領域
（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている
層領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ま
しい。また、第１の層領域（SnG）と第２の層領
域（Ｓ）とに含有される前記物質（Ｃ）は、第１
の層領域（SnG）と第２の層領域（Ｓ）とに於い
て同種類でも異種類であても良く、又、その含有
量は各層領域に於いて、同じでも異つていても良
い。 しかしながら、本発明に於いては、各層領域に
含有される前記物質（Ｃ）が両者に於いて同種類
である場合には、第１の層領域（SnG）中に含有
量を充分多くするか、又は、電気的特性の異なる
種類の物質（Ｃ）を、所望の各層領域に夫々含有
させるのが好ましい。 本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成
する第１の層領域（SnG）中に伝導特性を支配す
る物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質
（Ｃ）の含有される層領域〔第１の層領域（SnG）
の一部又は全部の層領域のいずれでも良い〕の伝
導特性を所望に従つて任意に制御するこが出来る
ものであるが、この様な物質としては、所謂、半
導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、
本発明に於いては、形成される光受容層を構成す
るＡ−SiSnGe（Ｈ，Ｘ）及びＡ−Si（Ｈ，Ｘ）に
対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ
型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出
来る。 具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ，Gaである。ｎ型不純物
としては、周期律表第族に属する原子（第族
原子）、例えばＰ（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモ
ン）、Bi（ビスマス）等であり、殊に、好適に用
いられるのはＰ，Asである。 本発明に於いて、伝導特性を制御する物質
（Ｃ）が含有される層領域（PN）に於けるその
含有量は、該層領域（PN）に要求される伝導特
性、或いは該層領域（PN）が支持体に直ちに接
触して設けられる場合には、その支持体との接触
界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於
いて適宜選択することが出来る。 又、前記層領域（PN）に直ちに接触して設け
られる他の層領域や、該他の層領域との接触界面
に於ける特性との関係も考慮されて、伝導特性を
制御する物質（Ｃ）の含有量が適宜選択される。 本発明に於いて、層領域（PN）中に含有され
る伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含有量として
は、好ましくは0.01〜５×104atomic ppm、より
好適には0.5〜１×104atomic ppm、最適には１
〜５×103atomic ppmとされるのが望ましい。 伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有される層
領域（PN）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を好
ましくは30atomic ppm以上、より好適には
50atomic ppm以上、最適には100atomic ppm以
上とすることによつて、例えば該含有させる物質
（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、光受容層
の自由表面が極性に帯電処理を受けた際に、支
持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的
に阻止することが出来、又、前記含有させる物質
（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層
の自由表面が極性に帯電処理を受けた際に、支
持体側から受容層中への正孔の注入を効果的に阻
止することが出来る。 上記の様な場合には、前述した様に、前記層領
域（PN）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層
領域（PN）に含有される伝導特性を支配する物
質（Ｃ）の伝導特性の極性とは別の伝導型の極性
の伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含有させても
良いし、或いは同極性の伝導型を有する伝導特性
を支配する物質（Ｃ）を、層領域（PN）に含有
させる実際の量よりも一段と少ない量にして含有
させても良いものである。 この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有され
る前記伝導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量と
しては、層領域（PN）に含有される前記物質
（Ｃ）の極性や含有量に応じて所望に従つて適宜
決定されるものであるが、好ましくは0.001〜
1000atomic ppm、より好適には0.05〜
500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましい。 本発明に於いて、層領域（PN）及び層領域
（Ｚ）に同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含
有させる場合には、層領域（Ｚ）に於ける含有量
としては、好ましくは30atomic ppm以下とする
のが望ましい。 本発明に於いては、光受容層中に一方の極性の
伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有させ
た層領域と、他方の極性の伝導型を有する伝導性
を支配する物質を含有させた層領域とは、直ちに
接触する様に設けて該接触領域に所謂空乏層を設
けることも出来る。つまり、例えば光受容層中に
前記のｐ型不純物を含有する層領域と前記のｎ型
不純物を含有する層領域とを直ちに接触する様に
設けて、所謂ｐ−ｎ接合を形成して空乏層を設け
ることが出来る。 本発明の光受容部材においては、第１の層領域
（SnG）中に含有される錫原子の分布状態は、層
厚方向においては均一でも不均一でも良いが支持
体の表面と平行な面内方向には均一な分布状態と
されるのが望ましい。 本発明に於いては、第１の層領域（SnG）上に
設けられる第２の層領域（Ｓ）中には、錫原子及
びゲルマニウム原子は含有されておらず、この様
な層構造に光受容層を形成することによつて、可
視光領域を含む比較的短波長から比較的長波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている
光受容部材とし得るものである。 第１の層領域（SnG）中に於ける錫原子及びゲ
ルマニウム原子の分布状態を層厚方向に不均一に
する場合は、例えば全層領域に錫原子及びゲルマ
ニウム原子が連続的に分布し、錫原子及びゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よ
り第２の層領域（Ｓ）に向つて減少する変化が与
えられる様にすることで、第１の層領域（SnG）
と第２の層領域（Ｓ）との間に於ける親和性に優
れ、且つ後述する様に、支持体側端部に於いて錫
原子又は／及びゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを
極端に大きくすることにより、半導体レーザ等を
使用した場合の第２の層領域（Ｓ）では殆ど吸収
し切れない長波長側の光を、第１の層領域
（SnG）に於いて実質的に完全に吸収することが
出来、支持体面からの反射による干渉を防止する
ことが出来る。 又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層
領域（SnG）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する
非晶質材料の夫々がシリコン原子という共通の構
成要素を有しているので、積層界面に於いて化学
的な安定性の確保が充分成されている。 第２図乃至第１０図には、本発明における光受
容部材の第１の層領域（SnG）中に含有される錫
原子及びゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態
が不均一な場合の典型的例が示される。 但し、以後の第２図乃至第１０図の説明に於い
ては、錫原子とゲルマニウム原子は同等に扱われ
ているので、錫原子を代表として説明されるが、
ゲルマニウム原子は錫原子とゲルマニウム原子の
両者の場合も同様に説明される。 第２図乃至第１０図において、横軸は錫原子の
分布濃度Ｃを、縦軸は第１の層領域（SnG）の層
厚を示し、tBは支持体側の第１の層領域（SnG）
の端面の位置を、tTは支持体側とは反対側の第１
の層領域（SnG）の端面の位置を示す。即ち、錫
原子の含有される第１の層領域（SnG）はtB側よ
りtT側に向つて層形成がなされる。 第２図には、第１図の層領域（SnG）中に含有
れされる錫原子の層厚方向の分布状態の第１の典
型例が示される。 第２図に示される例では錫原子の含有される第
１の層領域（SnG）が形成される支持体の表面
と、該第１の層領域（SnG）の表面とが接する界
面位置tBよりt1の位置までは、錫原子の分布濃度
ＣがC1なる一定の値を取り乍ら錫原子が形成さ
れる第１の層領域（SnG）に含有され、位置t1よ
りは濃度C2より界面位置tTに至るまで徐々に連続
的に減少されている。界面位置tTにおいては錫原
子の分布濃度ＣはC3とされる。 第３図に示される例においては、含有される錫
原子の分布濃度Ｃは、位置tBより位置tTに至るま
で濃度C4から徐々に連続的に減少して位置tTにお
いて濃度C5となる様な分布状態を形成している。 第４図の場合には、位置tBより位置t2までは錫
原子の分布濃度Ｃは濃度C6の一定値とされ、位
置t2と位置tTとの間において、徐々に連続的に減
少され、位置tTにおいて、分布濃度Ｃは実質的に
零とされている（ここで実質的に零とは検出限界
量未満の場合である）。 第５図の場合には、錫原子の分布濃度Ｃは、位
置tBより位置tTに至るまで濃度C8より連続的に
徐々に減少され、位置tTにおいて実質的に零とさ
れている。 第６図に示す例においては、錫原子の分布濃度
Ｃは、位置tBと位置t3間においては濃度C9と一定
値であり、位置tTにおいては濃度C10される。位
置t3と位置tTとの間では、分布濃度Ｃは一時関数
的に位置t3より位置tTに至るまで減少されてい
る。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置tBより位置t4までは濃度C11の一定値を取り、
位置t4より位置tTまでは濃度C12より濃度C13まで
一時関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、錫原子の分布濃度Ｃは濃度C14より
実質的に零に至る様に一時関数的に減少してい
る。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
では錫原子の分布濃度Ｃは濃度C15より濃度C16ま
で一時関数的に減少され、位置t5と位置tTとの間
においては、濃度C16の一定値とされた例が示さ
れている。 第１０図に示される例においては、錫原子の分
布濃度Ｃは位置tBにおいて濃度C17であり、位置t6
に至るまではこの濃度C17より初めはゆつくりと
減少され、t6の位置付近においては急激に減少さ
れて位置t6では濃度C18とされる。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は緩かに徐々に減少されて位
置t7で濃度C19となり、位置t7と位置t８との間で
は極めてゆつくりと徐々に減少されて、位置t8に
おいて濃度C20に至る。位置t8と位置tTの間におい
ては濃度C20により実質的に零になる様に図に示
す如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領
域（Ｇ）に含有される錫原子の層厚方向の分布状
態の不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様
に、本発明においては、支持体側において錫原子
の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面tT側におい
ては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り
低くされた部分を有する錫原子の分布状態が第１
の層領域（SnG）に設けられるのが望ましい。 本発明に於ける光受容部材を構成する光受容層
を構成する第１の層領域（SnG）は、好ましくは
上記した様に支持体側の方に錫原子又は／及びゲ
ルマニウム原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。 本発明に於いては、局在領域（Ａ）は、第２図
乃至第１０図に示す記号を用いて説明すれば、界
面位置tBより5μ以内に設けられるのが望ましいも
のである。 本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界
面位置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる
場合もあるし、又、層領域（LT）の一部とされ
る場合もある。 局在領域（Ａ）の層領域（LT）の一部とする
か又は全部とするかは、形成される光受容層に要
求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ａ）は、その中に含有される錫原子
及びゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態とし
て、錫原子及びゲルマニウム原子の分布濃度の最
大値Cmaxがシリコン原子に体して、好ましくは
1000atomic ppm以上、より好適には5000atomic
ppm以上、最適には１×104atomic ppm以上と
される様な分布状態となり得る様に層形成される
のが望ましい。 即ち、本発明においては、錫原子及びゲルマニ
ウム原子の含有される光受容層は、支持体側から
の層厚で5μ以内（tBから5μ厚の層領域）に各分布
濃度の和の最大値Cmaxが存在する様に形成され
るのが好ましいものである。 本発明において、第１の層領域（SnG）中に含
有される錫原子及びゲルマニウム原子の含有量と
しては、本発明の目的が効果的に達成される様に
所望に従つて適宜決められるが、好ましくは１〜
9.5×105atomic ppm、より好ましくは100〜８×
105atomic ppm、最適には500〜７×105atomic
ppmとされるのが望ましい。 又、第１の層領域（SnG）に於ける錫原子とゲ
ルマニウム原子の含有量の割合は、所望に従つて
適宜決められるが、Sn／Geの値が好ましくは
１／1000〜1000、より好ましくは１／500〜500、
最適には１／100〜100とされるのが望ましい。 本発明に於いて第１の層領域（SnG）と第２の
層領域（Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的
に達成させる為の重要な因子の１つであるので、
形成される光受容部材に所望の特性が充分与えら
れる様に、光受容部材の設計の際に充分なる注意
が払われる必要がある。 本発明に於いて、第１の層領域（SnG）の層厚
TBは、好ましくは30Å〜50μ、より好ましくは40
Å〜40μ、最適には50Å〜30μとされるのが望ま
しい。 また、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好まし
くは0.5〜90μ、より好ましくは１〜80μ、最適に
は２〜50μとされるのが望ましい。 第１の層領域（SnG）の層厚TBと第２の層領
域（Ｓ）の層厚Ｔの和（TB＋Ｔ）としては、両
層領域に要求される特性と光受容層全体に要求さ
れる特性との相互間の有機的関連性に基いて、光
受容部材の層設計の際に所望に従つて適宜決定さ
れる。 本発明の光受容部材に於いては、上記の（TB
＋Ｔ）の数値範囲としては好ましくは１〜100μ、
より好適には１〜80μ、最適には２〜50μとされ
るのが望ましい。 本発明のより好ましい実施態様例に於いては、
上記の層厚TB及び層厚Ｔとしては、好ましくは
TB／Ｔ≦１となる関係を満足するように、夫々
に対して適宜適切な数値が選択されるのが望まし
い。 上記の場合に於ける層厚TB及び層厚Ｔの数値
の選択に於いて、より好ましくはTB／Ｔ≦0.9、
最適にはTB／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に
層厚TB及び層厚Ｔの値が決定されるのが望まし
い。 本発明に於いて、第１の層領域（SnG）中に含
有される錫原子及びゲルマニウム原子の含有量の
和が１×105atomic ppm以上の場合には、第１
の層領域（SnG）の層厚TBとしては成可く薄く
されるのが望ましく、好ましくは30μ以下、より
好ましくは25μ以下、最適には20μ以下とされる
のが望ましい。 本発明において、必要に応じて光受容層を構成
する第１の層領域（SnG）及び第２の層領域
（Ｓ）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）として
は、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙
げられ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして挙
げることが出来る。 本発明においてＡ−SiSnGe（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第１の層領域（SnG）を形成するには、例え
ばグロー放電法、スパツタリング法、或いはイオ
ンプレーテイング法等の放電現象を利用する真空
堆積法によつて成される。例えば、グロー放電法
によつて、Ａ−SiSnGe（Ｈ，Ｘ）で構成される第
１の層領域（SnG）を形成するには、基本的には
シリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料
ガスと、錫原子（Sn）及びゲルマニウム原子
（Ge）を供給し得るSn及びGe供給用の各原料ガ
スと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料
ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を
生起させ、予め所定位置に設置されてある所定の
支持体表面上に、含有される錫原子又は／及びゲ
ルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲線に
従つて制御し乍らＡ−SiSn（Ｈ，Ｘ）からなる層
を形成させれば良い。又、スパツタリング法で形
成する場合には、例えばAr，He等の不活性ガス
又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲
気中で、Siで構成されたターゲツトとSnとGeで
構成されたターゲツトの二枚、又はSiとSnとGe
の混合されたターゲツトを使用して、必要に応じ
てHe，Ar等の希釈ガスで希釈されたSn又は／及
びGe供給用の各原料ガスを、必要に応じて水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入の
ガスをスパツタリング用の堆積室に導入し、所望
のガスのプラズマ雰囲気を形成すると共に、前記
Sn供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率
曲線に従つて制御し乍らのターゲツトをスパツタ
リングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと錫とゲルマニ
ウムとを、夫々蒸発源として蒸着ボートに収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロ
ンビーム法（EB法）等によつて加熱蒸発させ、
飛翔蒸発物を所望のガラスプラズマ雰囲気中を通
過させる以外は、スパツタリング法の場合と同様
にする事で行うことが出来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，
Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に層作成作業時の取扱い易さ、Si供給
効率の良さ等の点でSiH4，Si2H6が好ましいもの
として挙げられる。 Sn供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
SnH4，SnCl4，SnBr4等のガス状態の又はガス化
し得る水素化錫又はハロゲン化錫が有効に使用さ
れるものとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
GeH4，Ge2H6，Ge3H8，Ge5H12，Ge6H4，Ge7
H18，Ge9H20等のガス状態の又はガス化し得る水
素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に層作成作業時の取扱い易さ、Ge
供給光路つの良さ等の点でGeH4，Ge2H6，Ge3
H8が好ましいものとして挙げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂ハロゲン
原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的
には、例えばSiF4，S2iF6，SiCl4，BiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましくいのとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光受
容部材を形成する場合には、Sn又は／及びGe供
給用の原料ガスと共にSiを供給し得る原料ガスと
しての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所望の
支持体上にハロゲン原子を含むＡ−SiSnGeから
成る第１の層領域（SnG）を形成する事が出来
る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
１の層領域（SnG）を作成する場合、基本的に
は、例えばSi供給用の原料ガスとなるハロゲン化
硅素とSn及びGe供給用の顔料ガスとなる水素化
錫及び水素化ゲルマニウムをAr，H2，H6等のガ
ス等を、所定の混合比とガス流量になる様にして
第１の層領域（SnG）を形成する堆積室に導入
し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズ
マ雰囲気を形成することによつて、所望の支持体
上に第１の層領域（SnG）を形成し得るものであ
るが、水素原子の導入割合の制御を一層容易にな
る様に計る為に、これ等のガスに更に水素ガス又
は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合
して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を
導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを、堆積室
中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成して
やれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の顔料ガス、例えばH2、或いは前記したシ
ラン類又は／及び水素化錫、水素化ゲルマニウム
等のガス類をスパツタリング用の堆積室中に導入
して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば
良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，SiH2
I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等のハ
ロゲン置換水素化硅素及びGeHF3，GeH2F2，
GeH3Ｆ，GeHCl3，GeH2Cl2，GeH3Cl，
GeHBr3，GeH2Br2，GeH3Br，GeHI3，GeH2
I2，GeH3Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム
等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化
物、GeF4，GeCl4，GeBr4，GeI43，GeF2，
GeCl2，GeBe2，GeI2等のハロゲン化ゲルマニウ
ム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も
有効な第１の層領域（SnG）形成用の出発物質と
して挙げる事が出来る。 これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物
は、第１の層領域（SnG）形成の際に層中にハロ
ゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的特性
の制御に極めて有効な水素原子も導入されるの
で、本発明においては好適なハロゲン導入用の原
料として使用される。 水素原子を第１の層領域（SnG）中に構造的に
導入するには、上記の他にH2或いはSiH4，Si2
H6，Si3H8，Si4H10等の水素化硅素を、Snを供給
する為の錫又は錫化合物と、或いは、SnH4等の
水素化錫と、Geを供給する為のゲルマニウム又
はゲルマニウム化合物と、或いは、GeH4，Ge2
H6，Ge3H8，Ge4H10，Ge5H12，Ge6H14，Ge7
H16，Ge8H18，Ge9H20等の水素化ゲルマニウム
と、Siを供給する為のシリコン又はシリコン化合
物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる
事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される光受
容部材の第１の層領域（SnG）中に含有される水
素原子（Ｈ）の量、またはハロゲン原子（Ｘ）の
量、または水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ
＋Ｘ）は好ましくは0.01〜40atomic％、より好適
には0.05〜30atomic％、最適には0.1〜25atomic
％とされるのが望ましい。 第１の層領域（SnG）中に含有される水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御
するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子
（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為
に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電電力等を制御してやれば良い。 本発明に於いて、Ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した
第１の層領域（SnG）形成用の出発物質（Ｉ）の
中より、Sn及びGeを供給用の各原料ガスとなる
出発物質を除いた出発物質〔第２の層領域（Ｓ）
形成用の出発物質（）〕を使用して、第１の層
領域（SnG）を形成する場合と同様の方法と条件
に従つて行うことが出来る。 即ち、本発明において、Ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層領域（Ｓ）を形成するには、例
えばグロー放電法、スパツタリング法、或いはイ
オンプレーテイング法等の放電現象を利用する真
空堆積法によつて成される。例えば、グロー放電
法によつて、Ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）を形成するには、基本的には前記
したシリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の
原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原
料ガスを内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置されてある所定の支持表面上にＡ−Si
（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、
スパツタリング法で形成する場合には、例えば
Ar，He等の不活性又はこれ等のガスをベースと
した混合ガスの雰囲気中で、Siで構成されたター
ゲツトをスパツタリングする際、水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをス
パツタリング用の堆積室に導入しておけば良い。 本発明に於いて、形成される光受容層を構成す
る第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子
（Ｈ）の量、又はハロゲン原子（Ｘ）の量、又は
水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、
好ましくは１〜40atomic％、より好適には５〜
30atomic％とされるのが望ましい。 光受容層を構成する層領域中に、伝導特性を制
御する物質（Ｃ）、例えば第族原子或いは第
族原子を構造的に導入して前記物質（Ｃ）の含有
された層領域PNを形成するには、層形成の際
に、第族原子導入用の出発物質或いは第族原
子導入用の出発物質をガス状態で、堆積室中に光
受容層を形成する為の他の出発物質と共に導入し
てやれば良い。この様な第族原子導入用の出発
物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状
の、又は少なくとも層形成条件下で容易にガス化
し得るものが採用されるのが望ましい。その様な
第族原子導入用の出発物質として具体的には、
硼素原子導入用としては、B2H6，B4H10，B5
H9，B5H11，B6H10，B6H12，B6H14等の水素化
硼素、BF3，BCl3，BBr3等のハロゲン化硼素等
が挙げられる。この他、AlCl3，GaCl3，Ga
（CH3）3，InCl3，TlCl3等も挙げることが出来る。 第族原子導入用の出発物質として本発明にお
いて有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、PH3，P2H4などの水素化燐、PH4Ｉ，PF3，
PF5，PCl3，PCl5，PBr3，PIr5，PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3，AsCl3，
AsBr3，AsF5，SbH3，SbF3，SbF5，SbCl3，
SbCl5，BiG3，BiCl3，BiBr3等も第族原子導入
用の出発物質の有効なものとして挙げることがで
きる。 本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には、支持体と光受容層との間の
密着性の改良を計る目的の為に、光受容層中に
は、酸素原子、窒素原子及び炭素原子から選択さ
れる少なくとも一種の原子（Ｍ）が含有される。
光受容層中に含有される原子（Ｍ）は、光受容層
の全層領域に万偏なく含有されても良いし、或い
は、光受容層の一部の層領域のみに含有させて偏
在させても良い。 又、原子（Ｍ）の分布状態は、分布濃度Ｃ，Ｍ
が光受容層の層厚方向に於いては、均一であつて
も、また第２図乃至第１０図を用いて説明した錫
原子の分布状態と同様に不均一であつても良い。 つまり、原子（Ｍ）の分布状態Ｃ，Ｍが層厚方
向に不均一である場合の原子（Ｍ）の分布状態
は、第２図乃至第１０図を用いて錫原子の場合と
同様に説明され得る。 本発明に於いて、光受容層に設けられる原子
（Ｍ）の含有されている層領域（Ｍ）は、光感度
と暗抵抗の向上を主たる目的とする場合には、光
受容層の全層領域を占める様に設けられ、支持体
と光受容層との間に密着性の強化を計るのを主た
る目的とする場合には、光受容層の支持体側端部
領域を占める様に設けられる。 前者の場合、層領域（Ｍ）中に含有される原子
（Ｍ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較
的少なくされ、後者の場合には、支持体との密着
性の強化を確実に計る為に比較的多くされるのが
望ましい。 又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の
為には、支持体側に於いて比較的高濃度に分布さ
せ、光受容層の自由表面側に於いて比較的低濃度
に分布させるか、或いは、光受容層の自由表面側
の表面領域には、原子（Ｍ）を積極的には含有さ
せない様な原子（Ｍ）の分布状態を層領域（Ｍ）
中に形成すれば良い。 本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域
（Ｍ）に含有される原子（Ｍ）の含有量は、層領
域（Ｃ）自体に要求される特性、或いは該層領域
（Ｃ）が支持体に直ちに接触して設けられる場合
には、該支持体との接触界面に於ける特性との関
係等、有機的関連性に於いて適宜選択することが
出来る。 又、前記層領域（Ｍ）に直ちに接触して他の層
領域が設けられる場合には、該他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、原子（Ｍ）の含有量が適宜選
択される。 層領域（Ｍ）中に含有される原子（Ｍ）の量
は、形成される光受容部材に要求される特性に応
じて所望に従つて適宜決められるが、好ましく
は、0.001〜50atomic％、より好ましくは0.002〜
40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とされ
るのが望ましい。 本発明に於いて、層領域（Ｍ）が光受容層の全
域を占めるか、或いは、光受容層の全域を占めな
くとも、層領域（Ｍ）の層厚Tcの光受容層の層
厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域
（Ｍ）に含有される原子（Ｍ）の含有量の上限は
前記の値より充分少なくされるのが望ましい。 本発明の場合には、層領域（Ｍ）の層厚Tcが
光受容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２
以上となる様な場合には、層領域（Ｃ）中に含有
される原子（Ｍ）の量の上限としては、好ましく
は30atomic％以下、より好ましくは20atomic％
以下、最適には10atomic％以下とされるのが望
ましい。 本発明において、光受容層を構成する原子
（Ｍ）の含有される層領域（Ｍ）は、上記した様
に支持体側の方に原子（Ｍ）が比較的高濃度で含
有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして
設けられるのが望ましく、この場合には、支持体
と光受容層との間の密着性をより一層向上させる
ことが出来る。 上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に
示す記号を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ
以内に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界
面位置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる
場合もあるし、又、層領域（LT）の一部とされ
る場合もある。 局在領域Ｂを層領域LTの一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される
特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子
（Ｍ）の層厚方向の分布状態として原子（Ｍ）の
分布濃度Ｃ，Ｍの最大値Ｃ，（Ｍ）maxが、好ま
しくは500atomic ppm以上、より好適には
800atomic ppm以上、最適には1000atomic ppm
以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成
されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、原子（Ｍ）の含有さ
れる層領域（Ｍ）は、支持体側からの層厚で5μ
以内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃度Ｃ，Ｍの
最大値Cmaxが存在する様に形成されるのが望ま
しい。 本発明に於いて、光受容層に原子（Ｍ）の含有
された層領域（Ｍ）を設けるには、光受容層の形
成の際に原子（Ｍ）導入量の出発物質を前記した
光受容層形成用の出発物質と共に使用して、形成
される層中にその量を制御し乍ら含有してやれば
良い。 層領域（Ｍ）を形成するのにグロー放電法を用
いる場合には、前記した光受容層形成用の出発物
質の中から所望に従つて選択されたものに原子
（Ｍ）導入用の出発物質が加えられる。その様な
原子（Ｍ）導入用の出発物質としては、少なくと
も原子（Ｍ）を構成原子とするガス状の物質又は
ガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、原子（Ｍ）を構成原子とする原料ガス
と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して使用するか、又は、シリコン
原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、原子
（Ｍ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、
或いは、シリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、シリコン原子（Si）ｍ、炭素原子
（Ｍ）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに原子（Ｍ）
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても
良い。 本発明に於いて、原子（Ｍ）として炭素原子を
選択するのであればＣとＨとを構成原子とするも
のとしては、例えば炭素数１〜５の飽和炭素水
素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭素数
２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としてはエチレン（C2H4）、プ
ロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテン
−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテン
（C5H10）、アセチレン系炭化水素としてはアセチ
レン（C2H2）、メチルアセチレン（C3H4）、ブチ
ン（C4H6）等が挙げられる。 これ等の他にSiとＣとＨとを構成原子とする原
料ガスとして、Si（CH3）4，Si（C2H5）4等のケイ化
アルキルを挙げることが出来る。 酸素原子を層領域（Ｍ）に導入する為の酸素原
子導入用の原料ガスとしては、例えば酸素
（O2）、オゾン（O3）、一酸化窒素（NO）、二酸化
窒素（NO2）、一二酸化窒素（N2Ｏ）、三二酸化
窒素（N2O3）、四三酸化窒素（N2O4）、五二酸化
窒素（N2O5）、三酸化窒素（NO3）、シリコン原
子（Si）と酸素原子（Ｏ）と水素原子（Ｈ）とを
構成原子とする、例えばジシロキサン（H3
SiOSiH3）、トリシロキサン（H3SiOSiH2
OSiH3）等の低級シロキサン、等々を挙げること
が出来る。 窒素原子を層領域（Ｍ）に導入する為の窒素原
子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とす
る或いはＮと（Ｈ）とを構成原子とする例えば窒
素（N2）、アンモニア（NH3）、ヒドラジン（H2
NNH2）、アジ化水素（HN3）、アジ化アンモニ
ウム（NH4N3）等のガス状の又はガス化し得る
窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げ
ることが出来る。この他に、窒素原子（Ｎ）の導
入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行える
という点から、三弗化窒素（F3Ｎ）、四弗化窒素
（F4N2）等のハロゲン化窒素化合物を挙げること
が出来る。 スパツタリング法によつて、原子（Ｍ）を含有
する層領域（Ｍ）を形成するには、単結晶又は多
結晶のSiウエーハー、又は原子（Ｍ）を含むウエ
ーハー、又はSiと原子（Ｍ）が混合されて含有さ
れているウエーハーをターゲツトとして、これ等
を種々のガス雰囲気中でスパツタリングすること
によつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、原子（Ｍ）と必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子を導入する為の原料ガス
を、必要に応じて希釈ガスで希釈して、スパツタ
ー用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガラス
プラズマを形成して前記Siウエーハーをスパツタ
ーリングすれば良い。 又、別には、Siと原子（Ｍ）とは別々のターゲ
ツトとして、又はSiと原子（Ｍ）の混合した一枚
のターゲツトを使用することによつて、スパツタ
ー用のガスとしての希釈ガスの雰囲気中で又は少
なくとも水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子として含有するガス雰囲気中で
スパツタリングすることによつて成される。原子
（Ｍ）導入用の原料ガスとしては、先述したグロ
ー放電の例で示した原料ガスの中の原子（Ｍ）導
入用の顔料ガスが、スパツタリングの場合にも有
効なガスとして使用され得る。 本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子
（Ｍ）の含有される層領域（Ｍ）を設ける場合、
該層領域（Ｍ）に含有される原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃ，Ｍを層厚方向に変化させて所望の層厚方向
の分布状態（depthprofile）を有する層領域
（Ｍ）を形成するには、グロー放電の場合には、
分布濃度Ｃ，Ｍを変化させるべき原子（Ｍ）導入
用の出発物質のガスを、そのガス流量を所望の変
化率曲線に従つて適宜変化させ乍ら、堆積室中に
導入することによつて成される。例えば手動ある
いは外部駆動モータ等の通常用いられている何ら
かの方法により、ガス流路系の途中に設けられた
所定のニードルバルブの開口を漸次変化させる操
作を行えば良い。このとき、流量の変化率は線型
である必要はなく、例えばマイコン等を用いて、
あらかじめ設計された変化率曲線に従つて流量を
制御し、所望の含有率曲線を得ることもできる。 層領域（Ｍ）をスパツターリング法によつて形
成する場合、原子（Ｍ）の層厚方向の分布濃度
Ｃ，Ｍを層厚方向で変化させて原子（Ｍ）の層厚
方向の所望の分布状態（depthprofile）を形成す
るには、第一には、グロー放電法による場合と同
様に、原子（Ｍ）導入用の出発物質をガス状態で
使用し、該ガスを堆積室中へ導入する際のガス流
量を所望に従つて適宜変化させることによつて成
される。 第二には、スパツターリングー用のターゲツト
を、例えばSiと原子（Ｍ）との混合されたターゲ
ツトを使用するのであれば、Siと原子（Ｍ）との
混合比を、ターゲツトの層厚方向に於いて予め変
化させておくことによつて成される。 本発明に於いて、形成される光受容層を構成す
る第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子
（Ｈ）の量、又はハロゲン原子（Ｘ）の量、又は
水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、
好ましくは１〜40atomic％、より好適には５〜
30atomic％、最適には５〜25atomic％とされる
のが望ましい。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えばNiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであればその表面にNiCr、Al、
Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd、
In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等から成る
薄膜を設けることによつて導電性が付与され、或
いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フイルム
であれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、Au、
Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、等の金属
の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタリ
ング等でその表面に設け、又は前記金属でその表
面をラミネート処理して、その表面に導電性が付
与される。支持体の形状としては、円筒状、ベル
ト状、板状等任意の形状とし得、所望によつてそ
の形状は決定されるが、例えば第１図の光受容部
材１００を電子写真用像形成部材として使用する
のであれば、連続高速複写の場合には無端ベルト
状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さ
は、所望通りの光受容部材が形成される様に適宜
決定されるが、光受容部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば可能な限り薄くされる。しか
しながらこの様な場合、支持体の製造上及び取扱
い上、機械的強度等の点から、好ましくは10μ以
上とされる。 次の本発明の光受容部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光受容部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光受容部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２は、Heで希釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で希釈されたSnH4ガス（純度99.999％、以下
SnH4／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで希
釈されたB2H6ガス（純度99.99％、以下B2H6／
Heと略す。）ボンベ、１１０５はGeH4／Heガス
（純度99.999％）ボンベ、１１０６はNOガス（純
度99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先づメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10-6torrになつ
た時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に光受容層を
形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１
０２よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１１０３よ
りSnH4／Heガス、ガスボンベ１１０４よりB2
H6／Heガス、ガスボンベ１１０５よりGeH4／
Heガスをバルブ１１２２〜１１２５を開いて出
口圧ゲージ１１２７〜１１３０の圧を１Kg／cm2に
調整し、流入バルブ１１１２〜１１１５を徐々に
開けてマスフロコントローラ１１０７〜１１１０
内に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ１１
１７〜１１２０、補助バルブ１１３２を徐々に開
いて夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。
このとき必要ならばSiH4／Heガス流量と
SnH4／Heガス流量とB2H6／Heガス流量と
GeH4／Heガス流量とが適宜制御されて所望の値
になるように流出バルブ１１１７〜１１２０を調
整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の値に
なるように真空計１１３６の読みを見ながらメイ
ンバルブ１１３４の開口を調整する、そして基体
１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８により50
〜400℃の範囲内の温度に設定されていることを
確認された後、電源１１４０を所望の電力に設定
して反応室１１０１内にグロー放電を生起させ
る。必要ならば同時にあらかじめ設計された変化
率曲線に従つてSnH4／Heガス又は／及び
GeH4／Heガスの流暢を手動、あるいは外部駆動
モータ等の方法によつてバルブ１１１８の開口を
漸次変化させる操作を行ない、形成される層中に
含有される錫原子又は／及びゲルマニウム原子の
分布濃度を制御することが出来る。 この様にして、基体１１３７上に硼素原子
（Ｂ）と錫原子（Sn）とゲルマニウム原子（Ge）
とが含有され、必要に応じて前記の変化率曲線に
従つて錫原子又は／及びゲルマニウム原子の分布
状態が形成されている、Ａ−SiSnGe（Ｈ，Ｘ）で
構成された層領域（Ｂ，Sn，Ge）が所望の層厚
に形成される。層領域（Ｂ，Sn）が所望層厚に
形成された段階に於いて流出バルブ１１１８，１
１１９，１１２０の夫々を完全に閉じること、及
び必要に応じて放電条件を変えること以外は、同
様な条件と手動に従つて所望時間グロー放電を維
持することで前記層領域（Ｂ，Sn，Ge）上に硼
素原子（Ｂ）、錫原子（Sn）及びゲルマニウム原
子（Ge）が含有されていない、Ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
で構成された層領域（Ｓ）が形成されて光受容層
の形成が終了される。 光受容層の形成の際に、例えば該層形成開始後
所望の時間が経過した段階で、堆積室へのB2
H6／Heガス或いはNOガスの流入を止めること
によつて、硼素原子の含有された層領域（Ｂ）及
び酸素原子の含有された層領域（Ｏ）の各層厚を
任意に制御することが出来る。 また、所望の変化率曲線に従つて、堆積室１１
０１へのNOガスのガス流量を制御することによ
つて、層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の分
布状態を所望通りに形成することが出来る。 層形成を行つている間は層形成の均一化を計る
ため基体１１３７はモータ１１３９により一定速
度で回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第１表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux.secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した処、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 ２ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第２表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つてSnH4＋
GeH4ガスとSiH4ガスのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて層形成を行つて電子写真用
像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例１と同様に画像評価を行
つたところ、実施例１と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 ３ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第３表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例１と同様に画像評価を行
つたところ実施例１と同様の評価を得ることが出
来た。 実施例 ４ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第４表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つてSnH4＋
GeH4ガスとSiH4ガスのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて層形成を行つて電子写真用
像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例１と同様に画像評価を行
つたところ、実施例１と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 ５ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第５表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し6.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux.secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性を現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を
6.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した処、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 ６ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第６表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つてSnH4＋
GeH4ガスとSiH4ガスのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて層形成を行つて電子写真用
像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例５と同様に画像評価を行
つたところ、実施例５と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 ７ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第７表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux.secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した処、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。又、上記の画像形成プロセスを連
続して繰返し行つて、連続使用の耐久テストを行
つたところ、使用回数に応じた転写画像の画質の
低下は何等見受けることが出来なかつた。 実施例 ８ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第８表に示す条件で第１３図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つてC2H4ガ
スと（SnH4＋GeH4＋SiH4）ガスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 ９ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第９表に示す条件で第１３図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて（C2H4
＋SnH4＋GeH4）ガスとSiH4ガスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 10 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第10表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 11 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第11表に示す条件で第１３図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つてO2ガス
と（SnH4＋GeH4＋SiH4）ガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 12 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第12表に示す条件で第１３図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて（O2＋
SnH4＋GeH4）ガスとSiH4ガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 13 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第13表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 14 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第14表に示す条件で第１３図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つてNH3ガ
スと（SnH4＋GeH4＋SiH4）ガスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。こうして得られ
た像形成部材を、帯電露光実験装置に設置して、
実施例７と同様に画像評価を行つたところ、実施
例７と同様の評価を得ることが出来た。 実施例 15 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第15表に示す条件で第１３図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて（NH3
＋SnH4＋GeH4）ガスとSiH4ガスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。こうして得られ
た像形成部材を、帯電露光実験装置に設置して、
実施例７と同様に画像評価を行つたところ、実施
例７と同様の評価を得ることが出来た。 実施例 16 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第16表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 17 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第17表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 18 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第18表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 19 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第19表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux.secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性を現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した処、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。又、上記の画像形成プロセスを連
続して繰返し行つて連続使用の耐久テストを行つ
たところ、使用回数に応じた転写画像の画質の低
下は何等見受けることが出来なかつた。 実施例 20 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第20表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例19と同様に画像評価を行
つたところ、実施例19と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 21 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第21表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例19と同様に画像評価を行
つたところ、実施例19と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 22 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第22表に示す条件で第１４図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つてB2H4ガ
スと（SnH4＋GeH4＋SiH4）ガスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させて層形成形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例１と同様に画像評価した
ところ、解像力に優れ階調再現性の良い鮮明な高
品位の画像が繰返し得られた。 実施例 23 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第23表に示す条件で第１５，
１６，１７図に夫々示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、SnH4＋GeH4ガスとSiH4ガス、B2H6
ガスと（SnH4＋GeH4＋SiH4）ガス、NOガスと
（SnH4＋GeH4＋SiH4）ガスのガス流量比を夫々
層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、1.8lux.secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した処、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 24 第１１図に示した製造装置により、第24表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つてSnH4＋GeH4ガスとSiH4ガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させて、層形成
を行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 25 第１１図に示した製造装置により、第25表に示
す条件で第１９図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つてSnH4＋GeH4ガスとSiH4ガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させて、層形成
を行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 26 第１１図に示した製造装置により、第26表に示
す条件で第２０図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つてSnH4＋GeH4ガスとSiH4ガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させて、層形成
を行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 27 第１１図に示した製造装置により、第27表に示
す条件で第２１図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つてSnH4＋GeH4ガスとSiH4ガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させて、層形成
を行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 28 第１１図に示した製造装置により、第28表に示
す条件で第２２図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つてSnH4＋GeH4ガスとSiH4ガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させて、層形成
を行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 29 第１１図に示した製造装置により、第29表に示
す条件で第２３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つてSnH4ガスとSiH4ガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させて、層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 30 実施例２に於いて、SiH4／Heガスの代りにSi2
H6／Heガスを使用し第30表に示す条件にした以
外は、実施例２と同様の条件にして、層形成を行
つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
２と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 31 実施例２に於いて、SiH4／Heガスの代りに
SiH4／Heガスを使用し第31表に示す条件にした
以外は、実施例２と同様の条件にして、層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 32 実施例２に於いて、SiH4／Heガスの代りに
（SiH4／He＋SiF4／He）ガスを使用し第32表に
示す条件にした以外は、実施例２と同様の条件に
して、層形成を行つて電子写真用像形成部材を得
た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 33 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第33表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、SnH4
＋GeH4ガスとSiH4ガスのガス流量比を層作成経
過時間と共に変化させて、層形成を行つて電子写
真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、1.8lux.secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した処、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 34 実施例33に於いて、B2H6ガスのSiH4ガスに対
する流量を第34表に示す様に変えた以外は、実施
例33と同様の条件で電子写真用像形成部材の夫々
（試料No.3401〜3408）を作成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
33と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第34表に示す結果が得られた。 実施例 35 実施例１〜32に於いて、第２層の作成条件を第
35表及び第37表に示す条件にした以外は、各実施
例に示す条件と同様にして電子写真用像形成部材
の夫々（試料No.3601〜3610，3801〜3810）を作成
した。 こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、
各対応する実施例と同様の条件及び手順で転写紙
上に画像を形成したところ第36表、第37表に夫々
示す結果が得られた。 実施例 36 実施例１〜35に於いて、光源をタングステンラ
ンプの代りに810nmのGaAs系半導体レーザ
（10mW）を用いて、静電像の形成を行い、トナ
ー現像法として殊に現像を採用した以外は、各対
応する実施例と同様の条件で作成した電子写真用
像形成部材に就いてトナー転写画像の画質評価を
行つたところ、解像力に優れ、階調再現性の良い
鮮明な高品位の画像が得られた。 又、各試料に就いて、使用したレーザ光に対す
る光感度を測定したところ、極めて高光感度であ
ることが示され、半導体レーザとの整合性が優れ
ていることが判つた。 以上の実施例はタングステンランプ光源を用い
て基本的な性能評価を行つたが、上記の如くいず
れの例においてもレーザー光による評価も行つて
いるので便宜上実施例として説明した。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のあるレーザー光用ｑ光受
容部材に関する。 〔従来の技術〕 固体撮像装置、或いは撮形成分野における電子
写真用撮形成部材や原稿読取装置における光受容
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip／暗電流（Id）〕が高く、照射
する電磁波のスペクトル特性にマツチングした吸
収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無害であること、更には固体撮像
装置においては、残像を所定時間内に容易に処理
することができること等の特性が要求される。殊
に、事務機としてオフイスで使用される電子写真
装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合
には、上記の使用時における無害性は重要な点で
ある。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後Ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材への応用、独国公開第2933411号公報に光電変
換読取装置への応用が記載されている。 しかしながら、従来のＡ−Siで構成された光導
電層を有する光受容部材は、暗抵抗値、光感度、
光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性、及
び耐湿性等の使用環境特性の点、更には経済時安
定性の点において、結合的な特性向上を計る必要
があるという更に改良される可き点が存するのが
実情である。 例えば、Ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於て、また通常使用
されているハロゲンランプや蛍光灯を光源とする
場合、長波長側の光を有効に使用し得ていないと
いう点に於て、夫々改良される余地が残つてい
る。 又、別には、照射される光が光導電層中に於て
充分吸収されずに支持体に到達する光の量が多く
なると、支持体自体が光導電層を透過して来る光
に対する反射率が高い場合には、光導電層内に於
て多重反射による干渉が起つて、画像の「ボケ」
が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に照射スポツト
を小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザを
光源とする場合には大きな問題となつている。 更には、層厚が十数μ以上になると、層形成用
の真空堆積室より取り出した後、空気中での放置
時間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや
剥離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引越し
勝ちであつた。この現象は、殊に支持体が、通常
電子写真分野に於て使用されているドラム状支持
体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於て
解決される可き点がある。 従つて、Ａ−Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で、光受容部材を設計する際に上記した
様な問題の総てが解決される様に工夫される必要
がある。 本発明は、上記の諸点に鑑み為されたもので、
Ａ−Siに就いて電子写真用像形成部材や固体撮像
装置、読取装置等に使用される光受容部材として
の適用性とその応用性という観点から総括的に鋭
意研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルフアス材
料、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン
化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水
素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的
表記として「Ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から
構成され、光導電性を示す光受容層を有する光受
容部材の層構成を、以後に説明される様に特定化
して設計されて作成されたレーザー光用の光受容
部材は、実用上著しく優れた特性を示すばかりで
なく従来の光受容部材と較べてみてもあらゆる点
において凌駕していること、殊に電子写真用の光
受容部材として著しく優れた特性を有しているこ
と、及び長波長側に於ける吸収スペクトル特性に
優れていることを見出した点に基いている。 〔目的〕 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆ど使用環境に制限を受けない全
環境型であり、長波長側の光感度特性に優れると
共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ど観
測されない光受容部材を提供することを主たる目
的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光受容部材を提供すること
である。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光受容部材を提供することであ
る。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に静電像形成の為の帯
電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多湿雰
囲気中でもその特性の低下が殆ど観測されない優
れた電子写真特性を有する光受容部材を提供する
ことである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光受容部
材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する光受容部材を提供することでもあ
る。 〔開示の概要〕 本発明のレーザー光用の光受容部材は、光受容
部材用の支持体と、該支持体上に設けられ、シリ
コン原子と錫原子とゲルマニウム原子とを含む非
晶質材料で構成された第１の層領域、及びシリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され、光導電性を
示す第２の層領域とが前記支持体側より順に設け
られた層構成の光受容層とを有することを特徴と
する。 このような構成の本発明は以下のような作用効
果を奏する。 すなわち、ゲルマニウム原子とシリコン原子と
を含有させた非晶質材料は、ゲルマニウム原子が
ない場合に較べて長波長光を効率良く吸収するこ
とができ、また、錫原子とシリコン原子とを含有
させた非晶質材料も、錫原子がない場合に較べて
長波長光を効率良く吸収することができる。そし
て、第１の層領域をゲルマニウム原子とシリコン
原子とを含有した場合は、長波長光は第１の層領
域中で吸収され支持体表面で反射された後さらに
第１の層領域で再びその反射光が吸収されること
によつて、レーザー光による干渉の問題を解決す
ることはできる。錫原子とシリコン原子とを含有
させた場合もゲルマニウム原子とシリコン原子と
を含有させた場合と同様に長波長光の吸収効果は
認めらる。しかしながら、錫原子とシリコン原子
とを含有させた場合は光導電性を充分に優れたも
のとすることは極めて難しいかつた。 本発明者は多くの実験結果から、単に光導電性
を有する光受容部材として使用するのでなく、上
記したような種々の優れた効果を得るために錫原
子とシリコン原子とを含有させただけでは充分な
特性を出すことは難しいという事実に基づいてな
されたものである。 そして、本発明者は、多くの実験と検討を重ね
た結果、ゲルマニウム原子よりいわば金属的な錫
原子をゲルマニウム原子に加えてさらに含有させ
ることによつて、単なる長波長光の吸収にとどま
らず、錫原子がさらに含有されたことによるいわ
ゆるクラスター的な構造の効果により画像に悪影
響を与えることがない程度の散乱を生じさせるこ
とができより一層の長波長光の吸収を行うことが
できるということを見出し、本発明を完成した。
つまり、ゲルマニウム原子に加えて錫原子を含有
させることにより第１の層領域に入射した光は直
接的な吸収だけでなく、散乱された光としても吸
収がなされることになり、全体重としてより一層
効率的な光吸収を行うことができ、長波長光の一
層の吸収性能を上げることが可能としたものであ
る。また、その結果錫原子が含有されない場合に
較べてより層厚を厚くしたのと同じ効果を得るこ
とも可能とした。 そのため、支持体側からの反射があつたとして
も第１の層領域の支持体側において効果的に反射
光が吸収されるため、第１の層領域や第２の層領
域へ支持体で反射された照射光が入射されること
で生ずる上記したような干渉の問題は充分に解決
することができるのである。 また、同じ程度の長波長光の吸収で良いのであ
れば第１の層領域をより薄くすることが可能にな
り、より一層鮮映度の高い優れた記録を行うこと
も可能となる。 〔実施態様〕 以下、図面に従つて、本発明の光受容部材に就
いて詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光受容
部材の層構成を説明するための模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光受容部材１００は、光受容部材
用としての支持体１０１の上に、光受容層１０２
を有し、該光受容層１０２は自由表面１０５を一
方の端面に有している。 光受容層１０２は支持体１０１側より錫原子と
ゲルマニウム原子とを含有するＡ−Si（Ｈ，Ｘ）
（以後「Ａ−SiSnGe（Ｈ，Ｘ）」と略記する）で構
成された第１の層領域（SnG）１０３とＡ−Si
（Ｈ，Ｘ）で構成され光導電性を有する第２の層
領域（Ｓ）１０４とが順に積層された層構造を有
する。 第１の層領域（SnG）１０３中に含有される錫
原子及びゲルマニウム原子とは、該第１の層領域
（SnG）１０３に均一に含有されても良く、又は、
該第１の層領域（SnG １０３の層厚方向には連
続的ではあるが不均一に含有されても良い。例え
ば前記支持体１０１の設けられてある側とは反対
の側（光受容層１０２の表面１０５側）に対し、
前記支持体１０１側の方に多く分布した状態とな
る様に前記第１の層領域（SnG）１０３中に含有
される。 又、本発明の光受容部材１００の好ましい例に
於いては、少なくとも第１の層領域（SnG）１０
３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されて
も良く、該物質（Ｃ）を含有させることで第１の
層領域（SnG）１０３に所望の伝導特性が与えら
れる。 本発明に於いては、第１の層領域（SnG）１０
３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含有させる
場合には、第１の層領域（SnG）１０３の全層領
域に万偏なく均一に含有されても良く、また第１
の層領域（SnG）１０３の一部の層領域に偏在す
る様に含有されても良い。 本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）
を第１の層領域（SnG）の一部の層領域に偏在す
る様に第１の層領域（SnG）中に含有させる場合
には、前記物質（Ｃ）の含有される層領域
（PN）は、第１の層領域（SnG）の端部層領域と
して設けられるのが望ましい。殊に、第１の層領
域（SnG）の支持体側の端部層領域として前記層
領域（PN）が設けられる場合には、該層領域
（PN）中に含有される前記物質（Ｃ）の種類及
びその含有量を所望に応じ適宜選択することによ
つて、支持体から光受容層中への特定の極性の電
荷の注入を効果的に阻止することが出来る。 本発明の光受容部材に於いては、伝導特性を制
御することの出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一
部を構成する第１の層領域（SnG）中に、前記し
た様に該層領域（SnG）の全域に万偏なく、或い
は層厚方向に偏在する様に含有させるものである
が、更には、第１の層領域（SnG）上に設けられ
る第２の層領域（Ｓ）中にも前記物質（Ｃ）を含
有させても良い。 第２の層領域（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有
させる場合には、第１の層領域（SnG）中に含有
される前記物質（Ｃ）の種類やその含有量及びそ
の含有の仕方に応じて、第２の層領域（Ｓ）中に
含有させる物質（Ｃ）の種類やその含有量、及び
その含有の仕方が適宜決められる。 本発明に於いては、第２の層領域（Ｓ）中に前
記物質（Ｃ）を含有させる場合、好ましくは、少
なくとも第１の層領域（SnG）との接触界面を含
む層領域中に前記物質を含有させるのが望まし
い。 本発明に於いては、前記物質（Ｃ）は第２の層
領域（Ｓ）の全層領域に万偏なく含有させても良
いし、或いは、その一部の層領域に均一に含有さ
せても良いものである。 第１の層領域（SnG）と第２の層領域（Ｓ）の
両方に伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含有させ
る場合、第１の層領域（SnG）に於ける前記物質
（Ｃ）が含有されている層領域と、第２の層領域
（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている
層領域とが、互いに接触する様に設けるのが望ま
しい。また、第１の層領域（SnG）と第２の層領
域（Ｓ）とに含有される前記物質（Ｃ）は、第１
の層領域（SnG）と第２の層領域（Ｓ）とに於い
て同種類でも異種類であても良く、又、その含有
量は各層領域に於いて、同じでも異つていても良
い。 しかしながら、本発明に於いては、各層領域に
含有される前記物質（Ｃ）が両者に於いて同種類
である場合には、第１の層領域（SnG）中に含有
量を充分多くするか、又は、電気的特性の異なる
種類の物質（Ｃ）を、所望の各層領域に夫々含有
させるのが好ましい。 本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成
する第１の層領域（SnG）中に伝導特性を支配す
る物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質
（Ｃ）の含有される層領域〔第１の層領域（SnG）
の一部又は全部の層領域のいずれでも良い〕の伝
導特性を所望に従つて任意に制御するこが出来る
ものであるが、この様な物質としては、所謂、半
導体分野で云われる不純物を挙げることが出来、
本発明に於いては、形成される光受容層を構成す
るＡ−SiSnGe（Ｈ，Ｘ）及びＡ−Si（Ｈ，Ｘ）に
対して、ｐ型伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ
型伝導特性を与えるｎ型不純物を挙げることが出
来る。 具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ，Gaである。ｎ型不純物
としては、周期律表第族に属する原子（第族
原子）、例えばＰ（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモ
ン）、Bi（ビスマス）等であり、殊に、好適に用
いられるのはＰ，Asである。 本発明に於いて、伝導特性を制御する物質
（Ｃ）が含有される層領域（PN）に於けるその
含有量は、該層領域（PN）に要求される伝導特
性、或いは該層領域（PN）が支持体に直ちに接
触して設けられる場合には、その支持体との接触
界面に於ける特性との関係等、有機的関連性に於
いて適宜選択することが出来る。 又、前記層領域（PN）に直ちに接触して設け
られる他の層領域や、該他の層領域との接触界面
に於ける特性との関係も考慮されて、伝導特性を
制御する物質（Ｃ）の含有量が適宜選択される。 本発明に於いて、層領域（PN）中に含有され
る伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含有量として
は、好ましくは0.01〜５×104atomic ppm、より
好適には0.5〜１×104atomic ppm、最適には１
〜５×103atomic ppmとされるのが望ましい。 伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有される層
領域（PN）に於ける該物質（Ｃ）の含有量を好
ましくは30atomic ppm以上、より好適には
50atomic ppm以上、最適には100atomic ppm以
上とすることによつて、例えば該含有させる物質
（Ｃ）が前記のｐ型不純物の場合には、光受容層
の自由表面が極性に帯電処理を受けた際に、支
持体側からの光受容層中への電子の注入を効果的
に阻止することが出来、又、前記含有させる物質
（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合には、光受容層
の自由表面が極性に帯電処理を受けた際に、支
持体側から受容層中への正孔の注入を効果的に阻
止することが出来る。 上記の様な場合には、前述した様に、前記層領
域（PN）を除いた部分の層領域（Ｚ）には、層
領域（PN）に含有される伝導特性を支配する物
質（Ｃ）の伝導特性の極性とは別の伝導型の極性
の伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含有させても
良いし、或いは同極性の伝導型を有する伝導特性
を支配する物質（Ｃ）を、層領域（PN）に含有
させる実際の量よりも一段と少ない量にして含有
させても良いものである。 この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有され
る前記伝導特性を支配する物質（Ｃ）の含有量と
しては、層領域（PN）に含有される前記物質
（Ｃ）の極性や含有量に応じて所望に従つて適宜
決定されるものであるが、好ましくは0.001〜
1000atomic ppm、より好適には0.05〜
500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic ppm
とされるのが望ましい。 本発明に於いて、層領域（PN）及び層領域
（Ｚ）に同種の伝導性を支配する物質（Ｃ）を含
有させる場合には、層領域（Ｚ）に於ける含有量
としては、好ましくは30atomic ppm以下とする
のが望ましい。 本発明に於いては、光受容層中に一方の極性の
伝導型を有する伝導性を支配する物質を含有させ
た層領域と、他方の極性の伝導型を有する伝導性
を支配する物質を含有させた層領域とは、直ちに
接触する様に設けて該接触領域に所謂空乏層を設
けることも出来る。つまり、例えば光受容層中に
前記のｐ型不純物を含有する層領域と前記のｎ型
不純物を含有する層領域とを直ちに接触する様に
設けて、所謂ｐ−ｎ接合を形成して空乏層を設け
ることが出来る。 本発明の光受容部材においては、第１の層領域
（SnG）中に含有される錫原子の分布状態は、層
厚方向においては均一でも不均一でも良いが支持
体の表面と平行な面内方向には均一な分布状態と
されるのが望ましい。 本発明に於いては、第１の層領域（SnG）上に
設けられる第２の層領域（Ｓ）中には、錫原子及
びゲルマニウム原子は含有されておらず、この様
な層構造に光受容層を形成することによつて、可
視光領域を含む比較的短波長から比較的長波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている
光受容部材とし得るものである。 第１の層領域（SnG）中に於ける錫原子及びゲ
ルマニウム原子の分布状態を層厚方向に不均一に
する場合は、例えば全層領域に錫原子及びゲルマ
ニウム原子が連続的に分布し、錫原子及びゲルマ
ニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側よ
り第２の層領域（Ｓ）に向つて減少する変化が与
えられる様にすることで、第１の層領域（SnG）
と第２の層領域（Ｓ）との間に於ける親和性に優
れ、且つ後述する様に、支持体側端部に於いて錫
原子又は／及びゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを
極端に大きくすることにより、半導体レーザ等を
使用した場合の第２の層領域（Ｓ）では殆ど吸収
し切れない長波長側の光を、第１の層領域
（SnG）に於いて実質的に完全に吸収することが
出来、支持体面からの反射による干渉を防止する
ことが出来る。 又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層
領域（SnG）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する
非晶質材料の夫々がシリコン原子という共通の構
成要素を有しているので、積層界面に於いて化学
的な安定性の確保が充分成されている。 第２図乃至第１０図には、本発明における光受
容部材の第１の層領域（SnG）中に含有される錫
原子及びゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態
が不均一な場合の典型的例が示される。 但し、以後の第２図乃至第１０図の説明に於い
ては、錫原子とゲルマニウム原子は同等に扱われ
ているので、錫原子を代表として説明されるが、
ゲルマニウム原子は錫原子とゲルマニウム原子の
両者の場合も同様に説明される。 第２図乃至第１０図において、横軸は錫原子の
分布濃度Ｃを、縦軸は第１の層領域（SnG）の層
厚を示し、tBは支持体側の第１の層領域（SnG）
の端面の位置を、tTは支持体側とは反対側の第１
の層領域（SnG）の端面の位置を示す。即ち、錫
原子の含有される第１の層領域（SnG）はtB側よ
りtT側に向つて層形成がなされる。 第２図には、第１図の層領域（SnG）中に含有
れされる錫原子の層厚方向の分布状態の第１の典
型例が示される。 第２図に示される例では錫原子の含有される第
１の層領域（SnG）が形成される支持体の表面
と、該第１の層領域（SnG）の表面とが接する界
面位置tBよりt1の位置までは、錫原子の分布濃度
ＣがC1なる一定の値を取り乍ら錫原子が形成さ
れる第１の層領域（SnG）に含有され、位置t1よ
りは濃度C2より界面位置tTに至るまで徐々に連続
的に減少されている。界面位置tTにおいては錫原
子の分布濃度ＣはC3とされる。 第３図に示される例においては、含有される錫
原子の分布濃度Ｃは、位置tBより位置tTに至るま
で濃度C4から徐々に連続的に減少して位置tTにお
いて濃度C5となる様な分布状態を形成している。 第４図の場合には、位置tBより位置t2までは錫
原子の分布濃度Ｃは濃度C6の一定値とされ、位
置t2と位置tTとの間において、徐々に連続的に減
少され、位置tTにおいて、分布濃度Ｃは実質的に
零とされている（ここで実質的に零とは検出限界
量未満の場合である）。 第５図の場合には、錫原子の分布濃度Ｃは、位
置tBより位置tTに至るまで濃度C8より連続的に
徐々に減少され、位置tTにおいて実質的に零とさ
れている。 第６図に示す例においては、錫原子の分布濃度
Ｃは、位置tBと位置t3間においては濃度C9と一定
値であり、位置tTにおいては濃度C10される。位
置t3と位置tTとの間では、分布濃度Ｃは一時関数
的に位置t3より位置tTに至るまで減少されてい
る。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置tBより位置t4までは濃度C11の一定値を取り、
位置t4より位置tTまでは濃度C12より濃度C13まで
一時関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、錫原子の分布濃度Ｃは濃度C14より
実質的に零に至る様に一時関数的に減少してい
る。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
では錫原子の分布濃度Ｃは濃度C15より濃度C16ま
で一時関数的に減少され、位置t5と位置tTとの間
においては、濃度C16の一定値とされた例が示さ
れている。 第１０図に示される例においては、錫原子の分
布濃度Ｃは位置tBにおいて濃度C17であり、位置t6
に至るまではこの濃度C17より初めはゆつくりと
減少され、t6の位置付近においては急激に減少さ
れて位置t6では濃度C18とされる。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は緩かに徐々に減少されて位
置t7で濃度C19となり、位置t7と位置t８との間で
は極めてゆつくりと徐々に減少されて、位置t8に
おいて濃度C20に至る。位置t8と位置tTの間におい
ては濃度C20により実質的に零になる様に図に示
す如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領
域（Ｇ）に含有される錫原子の層厚方向の分布状
態の不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様
に、本発明においては、支持体側において錫原子
の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面tT側におい
ては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り
低くされた部分を有する錫原子の分布状態が第１
の層領域（SnG）に設けられるのが望ましい。 本発明に於ける光受容部材を構成する光受容層
を構成する第１の層領域（SnG）は、好ましくは
上記した様に支持体側の方に錫原子又は／及びゲ
ルマニウム原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域（Ａ）を有するのが望ましい。 本発明に於いては、局在領域（Ａ）は、第２図
乃至第１０図に示す記号を用いて説明すれば、界
面位置tBより5μ以内に設けられるのが望ましいも
のである。 本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界
面位置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる
場合もあるし、又、層領域（LT）の一部とされ
る場合もある。 局在領域（Ａ）の層領域（LT）の一部とする
か又は全部とするかは、形成される光受容層に要
求される特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ａ）は、その中に含有される錫原子
及びゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態とし
て、錫原子及びゲルマニウム原子の分布濃度の最
大値Cmaxがシリコン原子に体して、好ましくは
1000atomic ppm以上、より好適には5000atomic
ppm以上、最適には１×104atomic ppm以上と
される様な分布状態となり得る様に層形成される
のが望ましい。 即ち、本発明においては、錫原子及びゲルマニ
ウム原子の含有される光受容層は、支持体側から
の層厚で5μ以内（tBから5μ厚の層領域）に各分布
濃度の和の最大値Cmaxが存在する様に形成され
るのが好ましいものである。 本発明において、第１の層領域（SnG）中に含
有される錫原子及びゲルマニウム原子の含有量と
しては、本発明の目的が効果的に達成される様に
所望に従つて適宜決められるが、好ましくは１〜
9.5×105atomic ppm、より好ましくは100〜８×
105atomic ppm、最適には500〜７×105atomic
ppmとされるのが望ましい。 又、第１の層領域（SnG）に於ける錫原子とゲ
ルマニウム原子の含有量の割合は、所望に従つて
適宜決められるが、Sn／Geの値が好ましくは
１／1000〜1000、より好ましくは１／500〜500、
最適には１／100〜100とされるのが望ましい。 本発明に於いて第１の層領域（SnG）と第２の
層領域（Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的
に達成させる為の重要な因子の１つであるので、
形成される光受容部材に所望の特性が充分与えら
れる様に、光受容部材の設計の際に充分なる注意
が払われる必要がある。 本発明に於いて、第１の層領域（SnG）の層厚
TBは、好ましくは30Å〜50μ、より好ましくは40
Å〜40μ、最適には50Å〜30μとされるのが望ま
しい。 また、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好まし
くは0.5〜90μ、より好ましくは１〜80μ、最適に
は２〜50μとされるのが望ましい。 第１の層領域（SnG）の層厚TBと第２の層領
域（Ｓ）の層厚Ｔの和（TB＋Ｔ）としては、両
層領域に要求される特性と光受容層全体に要求さ
れる特性との相互間の有機的関連性に基いて、光
受容部材の層設計の際に所望に従つて適宜決定さ
れる。 本発明の光受容部材に於いては、上記の（TB
＋Ｔ）の数値範囲としては好ましくは１〜100μ、
より好適には１〜80μ、最適には２〜50μとされ
るのが望ましい。 本発明のより好ましい実施態様例に於いては、
上記の層厚TB及び層厚Ｔとしては、好ましくは
TB／Ｔ≦１となる関係を満足するように、夫々
に対して適宜適切な数値が選択されるのが望まし
い。 上記の場合に於ける層厚TB及び層厚Ｔの数値
の選択に於いて、より好ましくはTB／Ｔ≦0.9、
最適にはTB／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に
層厚TB及び層厚Ｔの値が決定されるのが望まし
い。 本発明に於いて、第１の層領域（SnG）中に含
有される錫原子及びゲルマニウム原子の含有量の
和が１×105atomic ppm以上の場合には、第１
の層領域（SnG）の層厚TBとしては成可く薄く
されるのが望ましく、好ましくは30μ以下、より
好ましくは25μ以下、最適には20μ以下とされる
のが望ましい。 本発明において、必要に応じて光受容層を構成
する第１の層領域（SnG）及び第２の層領域
（Ｓ）中に含有されるハロゲン原子（Ｘ）として
は、具体的にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙
げられ、殊にフツ素、塩素を好適なものとして挙
げることが出来る。 本発明においてＡ−SiSnGe（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第１の層領域（SnG）を形成するには、例え
ばグロー放電法、スパツタリング法、或いはイオ
ンプレーテイング法等の放電現象を利用する真空
堆積法によつて成される。例えば、グロー放電法
によつて、Ａ−SiSnGe（Ｈ，Ｘ）で構成される第
１の層領域（SnG）を形成するには、基本的には
シリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の原料
ガスと、錫原子（Sn）及びゲルマニウム原子
（Ge）を供給し得るSn及びGe供給用の各原料ガ
スと、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料
ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料
ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望のガ
ス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を
生起させ、予め所定位置に設置されてある所定の
支持体表面上に、含有される錫原子又は／及びゲ
ルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率曲線に
従つて制御し乍らＡ−SiSn（Ｈ，Ｘ）からなる層
を形成させれば良い。又、スパツタリング法で形
成する場合には、例えばAr，He等の不活性ガス
又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲
気中で、Siで構成されたターゲツトとSnとGeで
構成されたターゲツトの二枚、又はSiとSnとGe
の混合されたターゲツトを使用して、必要に応じ
てHe，Ar等の希釈ガスで希釈されたSn又は／及
びGe供給用の各原料ガスを、必要に応じて水素
原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入の
ガスをスパツタリング用の堆積室に導入し、所望
のガスのプラズマ雰囲気を形成すると共に、前記
Sn供給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率
曲線に従つて制御し乍らのターゲツトをスパツタ
リングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと錫とゲルマニ
ウムとを、夫々蒸発源として蒸着ボートに収容
し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレクトロ
ンビーム法（EB法）等によつて加熱蒸発させ、
飛翔蒸発物を所望のガラスプラズマ雰囲気中を通
過させる以外は、スパツタリング法の場合と同様
にする事で行うことが出来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，
Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に層作成作業時の取扱い易さ、Si供給
効率の良さ等の点でSiH4，Si2H6が好ましいもの
として挙げられる。 Sn供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
SnH4，SnCl4，SnBr4等のガス状態の又はガス化
し得る水素化錫又はハロゲン化錫が有効に使用さ
れるものとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
GeH4，Ge2H6，Ge3H8，Ge5H12，Ge6H4，Ge7
H18，Ge9H20等のガス状態の又はガス化し得る水
素化ゲルマニウムが有効に使用されるものとして
挙げられ、殊に層作成作業時の取扱い易さ、Ge
供給光路つの良さ等の点でGeH4，Ge2H6，Ge3
H8が好ましいものとして挙げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF3，
BrF5，BrF3，IF3，IF7，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂ハロゲン
原子で置換されたシラン誘導体としては、具体的
には、例えばSiF4，S2iF6，SiCl4，BiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましくいのとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光受
容部材を形成する場合には、Sn又は／及びGe供
給用の原料ガスと共にSiを供給し得る原料ガスと
しての水素化硅素ガスを使用しなくとも、所望の
支持体上にハロゲン原子を含むＡ−SiSnGeから
成る第１の層領域（SnG）を形成する事が出来
る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
１の層領域（SnG）を作成する場合、基本的に
は、例えばSi供給用の原料ガスとなるハロゲン化
硅素とSn及びGe供給用の顔料ガスとなる水素化
錫及び水素化ゲルマニウムをAr，H2，H6等のガ
ス等を、所定の混合比とガス流量になる様にして
第１の層領域（SnG）を形成する堆積室に導入
し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズ
マ雰囲気を形成することによつて、所望の支持体
上に第１の層領域（SnG）を形成し得るものであ
るが、水素原子の導入割合の制御を一層容易にな
る様に計る為に、これ等のガスに更に水素ガス又
は水素原子を含む硅素化合物のガスも所望量混合
して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を
導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを、堆積室
中に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成して
やれば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の顔料ガス、例えばH2、或いは前記したシ
ラン類又は／及び水素化錫、水素化ゲルマニウム
等のガス類をスパツタリング用の堆積室中に導入
して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば
良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，SiH2
I2，SiH2Cl2，SiHCl3，SiH2Br2，SiHBr3等のハ
ロゲン置換水素化硅素及びGeHF3，GeH2F2，
GeH3Ｆ，GeHCl3，GeH2Cl2，GeH3Cl，
GeHBr3，GeH2Br2，GeH3Br，GeHI3，GeH2
I2，GeH3Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニウム
等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン化
物、GeF4，GeCl4，GeBr4，GeI43，GeF2，
GeCl2，GeBe2，GeI2等のハロゲン化ゲルマニウ
ム、等々のガス状態の或いはガス化し得る物質も
有効な第１の層領域（SnG）形成用の出発物質と
して挙げる事が出来る。 これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物
は、第１の層領域（SnG）形成の際に層中にハロ
ゲン原子の導入と同時に電気的或いは光電的特性
の制御に極めて有効な水素原子も導入されるの
で、本発明においては好適なハロゲン導入用の原
料として使用される。 水素原子を第１の層領域（SnG）中に構造的に
導入するには、上記の他にH2或いはSiH4，Si2
H6，Si3H8，Si4H10等の水素化硅素を、Snを供給
する為の錫又は錫化合物と、或いは、SnH4等の
水素化錫と、Geを供給する為のゲルマニウム又
はゲルマニウム化合物と、或いは、GeH4，Ge2
H6，Ge3H8，Ge4H10，Ge5H12，Ge6H14，Ge7
H16，Ge8H18，Ge9H20等の水素化ゲルマニウム
と、Siを供給する為のシリコン又はシリコン化合
物と、を堆積室中に共存させて放電を生起させる
事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される光受
容部材の第１の層領域（SnG）中に含有される水
素原子（Ｈ）の量、またはハロゲン原子（Ｘ）の
量、または水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ
＋Ｘ）は好ましくは0.01〜40atomic％、より好適
には0.05〜30atomic％、最適には0.1〜25atomic
％とされるのが望ましい。 第１の層領域（SnG）中に含有される水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御
するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子
（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為
に使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電電力等を制御してやれば良い。 本発明に於いて、Ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した
第１の層領域（SnG）形成用の出発物質（Ｉ）の
中より、Sn及びGeを供給用の各原料ガスとなる
出発物質を除いた出発物質〔第２の層領域（Ｓ）
形成用の出発物質（）〕を使用して、第１の層
領域（SnG）を形成する場合と同様の方法と条件
に従つて行うことが出来る。 即ち、本発明において、Ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層領域（Ｓ）を形成するには、例
えばグロー放電法、スパツタリング法、或いはイ
オンプレーテイング法等の放電現象を利用する真
空堆積法によつて成される。例えば、グロー放電
法によつて、Ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）を形成するには、基本的には前記
したシリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の
原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導
入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原
料ガスを内部が減圧にし得る堆積室内に導入して
該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置されてある所定の支持表面上にＡ−Si
（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、
スパツタリング法で形成する場合には、例えば
Ar，He等の不活性又はこれ等のガスをベースと
した混合ガスの雰囲気中で、Siで構成されたター
ゲツトをスパツタリングする際、水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをス
パツタリング用の堆積室に導入しておけば良い。 本発明に於いて、形成される光受容層を構成す
る第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子
（Ｈ）の量、又はハロゲン原子（Ｘ）の量、又は
水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、
好ましくは１〜40atomic％、より好適には５〜
30atomic％とされるのが望ましい。 光受容層を構成する層領域中に、伝導特性を制
御する物質（Ｃ）、例えば第族原子或いは第
族原子を構造的に導入して前記物質（Ｃ）の含有
された層領域PNを形成するには、層形成の際
に、第族原子導入用の出発物質或いは第族原
子導入用の出発物質をガス状態で、堆積室中に光
受容層を形成する為の他の出発物質と共に導入し
てやれば良い。この様な第族原子導入用の出発
物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス状
の、又は少なくとも層形成条件下で容易にガス化
し得るものが採用されるのが望ましい。その様な
第族原子導入用の出発物質として具体的には、
硼素原子導入用としては、B2H6，B4H10，B5
H9，B5H11，B6H10，B6H12，B6H14等の水素化
硼素、BF3，BCl3，BBr3等のハロゲン化硼素等
が挙げられる。この他、AlCl3，GaCl3，Ga
（CH3）3，InCl3，TlCl3等も挙げることが出来る。 第族原子導入用の出発物質として本発明にお
いて有効に使用されるのは、燐原子導入用として
は、PH3，P2H4などの水素化燐、PH4Ｉ，PF3，
PF5，PCl3，PCl5，PBr3，PIr5，PI3等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH3，AsCl3，
AsBr3，AsF5，SbH3，SbF3，SbF5，SbCl3，
SbCl5，BiG3，BiCl3，BiBr3等も第族原子導入
用の出発物質の有効なものとして挙げることがで
きる。 本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には、支持体と光受容層との間の
密着性の改良を計る目的の為に、光受容層中に
は、酸素原子、窒素原子及び炭素原子から選択さ
れる少なくとも一種の原子（Ｍ）が含有される。
光受容層中に含有される原子（Ｍ）は、光受容層
の全層領域に万偏なく含有されても良いし、或い
は、光受容層の一部の層領域のみに含有させて偏
在させても良い。 又、原子（Ｍ）の分布状態は、分布濃度Ｃ，Ｍ
が光受容層の層厚方向に於いては、均一であつて
も、また第２図乃至第１０図を用いて説明した錫
原子の分布状態と同様に不均一であつても良い。 つまり、原子（Ｍ）の分布状態Ｃ，Ｍが層厚方
向に不均一である場合の原子（Ｍ）の分布状態
は、第２図乃至第１０図を用いて錫原子の場合と
同様に説明され得る。 本発明に於いて、光受容層に設けられる原子
（Ｍ）の含有されている層領域（Ｍ）は、光感度
と暗抵抗の向上を主たる目的とする場合には、光
受容層の全層領域を占める様に設けられ、支持体
と光受容層との間に密着性の強化を計るのを主た
る目的とする場合には、光受容層の支持体側端部
領域を占める様に設けられる。 前者の場合、層領域（Ｍ）中に含有される原子
（Ｍ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較
的少なくされ、後者の場合には、支持体との密着
性の強化を確実に計る為に比較的多くされるのが
望ましい。 又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の
為には、支持体側に於いて比較的高濃度に分布さ
せ、光受容層の自由表面側に於いて比較的低濃度
に分布させるか、或いは、光受容層の自由表面側
の表面領域には、原子（Ｍ）を積極的には含有さ
せない様な原子（Ｍ）の分布状態を層領域（Ｍ）
中に形成すれば良い。 本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域
（Ｍ）に含有される原子（Ｍ）の含有量は、層領
域（Ｃ）自体に要求される特性、或いは該層領域
（Ｃ）が支持体に直ちに接触して設けられる場合
には、該支持体との接触界面に於ける特性との関
係等、有機的関連性に於いて適宜選択することが
出来る。 又、前記層領域（Ｍ）に直ちに接触して他の層
領域が設けられる場合には、該他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、原子（Ｍ）の含有量が適宜選
択される。 層領域（Ｍ）中に含有される原子（Ｍ）の量
は、形成される光受容部材に要求される特性に応
じて所望に従つて適宜決められるが、好ましく
は、0.001〜50atomic％、より好ましくは0.002〜
40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とされ
るのが望ましい。 本発明に於いて、層領域（Ｍ）が光受容層の全
域を占めるか、或いは、光受容層の全域を占めな
くとも、層領域（Ｍ）の層厚Tcの光受容層の層
厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域
（Ｍ）に含有される原子（Ｍ）の含有量の上限は
前記の値より充分少なくされるのが望ましい。 本発明の場合には、層領域（Ｍ）の層厚Tcが
光受容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２
以上となる様な場合には、層領域（Ｃ）中に含有
される原子（Ｍ）の量の上限としては、好ましく
は30atomic％以下、より好ましくは20atomic％
以下、最適には10atomic％以下とされるのが望
ましい。 本発明において、光受容層を構成する原子
（Ｍ）の含有される層領域（Ｍ）は、上記した様
に支持体側の方に原子（Ｍ）が比較的高濃度で含
有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして
設けられるのが望ましく、この場合には、支持体
と光受容層との間の密着性をより一層向上させる
ことが出来る。 上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に
示す記号を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ
以内に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界
面位置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる
場合もあるし、又、層領域（LT）の一部とされ
る場合もある。 局在領域Ｂを層領域LTの一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される
特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子
（Ｍ）の層厚方向の分布状態として原子（Ｍ）の
分布濃度Ｃ，Ｍの最大値Ｃ，（Ｍ）maxが、好ま
しくは500atomic ppm以上、より好適には
800atomic ppm以上、最適には1000atomic ppm
以上とされる様な分布状態となり得る様に層形成
されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、原子（Ｍ）の含有さ
れる層領域（Ｍ）は、支持体側からの層厚で5μ
以内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃度Ｃ，Ｍの
最大値Cmaxが存在する様に形成されるのが望ま
しい。 本発明に於いて、光受容層に原子（Ｍ）の含有
された層領域（Ｍ）を設けるには、光受容層の形
成の際に原子（Ｍ）導入量の出発物質を前記した
光受容層形成用の出発物質と共に使用して、形成
される層中にその量を制御し乍ら含有してやれば
良い。 層領域（Ｍ）を形成するのにグロー放電法を用
いる場合には、前記した光受容層形成用の出発物
質の中から所望に従つて選択されたものに原子
（Ｍ）導入用の出発物質が加えられる。その様な
原子（Ｍ）導入用の出発物質としては、少なくと
も原子（Ｍ）を構成原子とするガス状の物質又は
ガス化し得る物質をガス化したものの中の大概の
ものが使用され得る。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、原子（Ｍ）を構成原子とする原料ガス
と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して使用するか、又は、シリコン
原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、原子
（Ｍ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合するか、
或いは、シリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、シリコン原子（Si）ｍ、炭素原子
（Ｍ）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに原子（Ｍ）
を構成原子とする原料ガスを混合して使用しても
良い。 本発明に於いて、原子（Ｍ）として炭素原子を
選択するのであればＣとＨとを構成原子とするも
のとしては、例えば炭素数１〜５の飽和炭素水
素、炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、炭素数
２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙げられる。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としてはエチレン（C2H4）、プ
ロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテン
−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテン
（C5H10）、アセチレン系炭化水素としてはアセチ
レン（C2H2）、メチルアセチレン（C3H4）、ブチ
ン（C4H6）等が挙げられる。 これ等の他にSiとＣとＨとを構成原子とする原
料ガスとして、Si（CH3）4，Si（C2H5）4等のケイ化
アルキルを挙げることが出来る。 酸素原子を層領域（Ｍ）に導入する為の酸素原
子導入用の原料ガスとしては、例えば酸素
（O2）、オゾン（O3）、一酸化窒素（NO）、二酸化
窒素（NO2）、一二酸化窒素（N2Ｏ）、三二酸化
窒素（N2O3）、四三酸化窒素（N2O4）、五二酸化
窒素（N2O5）、三酸化窒素（NO3）、シリコン原
子（Si）と酸素原子（Ｏ）と水素原子（Ｈ）とを
構成原子とする、例えばジシロキサン（H3
SiOSiH3）、トリシロキサン（H3SiOSiH2
OSiH3）等の低級シロキサン、等々を挙げること
が出来る。 窒素原子を層領域（Ｍ）に導入する為の窒素原
子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とす
る或いはＮと（Ｈ）とを構成原子とする例えば窒
素（N2）、アンモニア（NH3）、ヒドラジン（H2
NNH2）、アジ化水素（HN3）、アジ化アンモニ
ウム（NH4N3）等のガス状の又はガス化し得る
窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙げ
ることが出来る。この他に、窒素原子（Ｎ）の導
入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行える
という点から、三弗化窒素（F3Ｎ）、四弗化窒素
（F4N2）等のハロゲン化窒素化合物を挙げること
が出来る。 スパツタリング法によつて、原子（Ｍ）を含有
する層領域（Ｍ）を形成するには、単結晶又は多
結晶のSiウエーハー、又は原子（Ｍ）を含むウエ
ーハー、又はSiと原子（Ｍ）が混合されて含有さ
れているウエーハーをターゲツトとして、これ等
を種々のガス雰囲気中でスパツタリングすること
によつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、原子（Ｍ）と必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子を導入する為の原料ガス
を、必要に応じて希釈ガスで希釈して、スパツタ
ー用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガラス
プラズマを形成して前記Siウエーハーをスパツタ
ーリングすれば良い。 又、別には、Siと原子（Ｍ）とは別々のターゲ
ツトとして、又はSiと原子（Ｍ）の混合した一枚
のターゲツトを使用することによつて、スパツタ
ー用のガスとしての希釈ガスの雰囲気中で又は少
なくとも水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）を構成原子として含有するガス雰囲気中で
スパツタリングすることによつて成される。原子
（Ｍ）導入用の原料ガスとしては、先述したグロ
ー放電の例で示した原料ガスの中の原子（Ｍ）導
入用の顔料ガスが、スパツタリングの場合にも有
効なガスとして使用され得る。 本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子
（Ｍ）の含有される層領域（Ｍ）を設ける場合、
該層領域（Ｍ）に含有される原子（Ｍ）の分布濃
度Ｃ，Ｍを層厚方向に変化させて所望の層厚方向
の分布状態（depthprofile）を有する層領域
（Ｍ）を形成するには、グロー放電の場合には、
分布濃度Ｃ，Ｍを変化させるべき原子（Ｍ）導入
用の出発物質のガスを、そのガス流量を所望の変
化率曲線に従つて適宜変化させ乍ら、堆積室中に
導入することによつて成される。例えば手動ある
いは外部駆動モータ等の通常用いられている何ら
かの方法により、ガス流路系の途中に設けられた
所定のニードルバルブの開口を漸次変化させる操
作を行えば良い。このとき、流量の変化率は線型
である必要はなく、例えばマイコン等を用いて、
あらかじめ設計された変化率曲線に従つて流量を
制御し、所望の含有率曲線を得ることもできる。 層領域（Ｍ）をスパツターリング法によつて形
成する場合、原子（Ｍ）の層厚方向の分布濃度
Ｃ，Ｍを層厚方向で変化させて原子（Ｍ）の層厚
方向の所望の分布状態（depthprofile）を形成す
るには、第一には、グロー放電法による場合と同
様に、原子（Ｍ）導入用の出発物質をガス状態で
使用し、該ガスを堆積室中へ導入する際のガス流
量を所望に従つて適宜変化させることによつて成
される。 第二には、スパツターリングー用のターゲツト
を、例えばSiと原子（Ｍ）との混合されたターゲ
ツトを使用するのであれば、Siと原子（Ｍ）との
混合比を、ターゲツトの層厚方向に於いて予め変
化させておくことによつて成される。 本発明に於いて、形成される光受容層を構成す
る第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子
（Ｈ）の量、又はハロゲン原子（Ｘ）の量、又は
水素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、
好ましくは１〜40atomic％、より好適には５〜
30atomic％、最適には５〜25atomic％とされる
のが望ましい。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えばNiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであればその表面にNiCr、Al、
Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd、
In2O3、SnO2、ITO（In2O3＋SnO2）等から成る
薄膜を設けることによつて導電性が付与され、或
いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フイルム
であれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、Au、
Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、等の金属
の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタリ
ング等でその表面に設け、又は前記金属でその表
面をラミネート処理して、その表面に導電性が付
与される。支持体の形状としては、円筒状、ベル
ト状、板状等任意の形状とし得、所望によつてそ
の形状は決定されるが、例えば第１図の光受容部
材１００を電子写真用像形成部材として使用する
のであれば、連続高速複写の場合には無端ベルト
状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の厚さ
は、所望通りの光受容部材が形成される様に適宜
決定されるが、光受容部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば可能な限り薄くされる。しか
しながらこの様な場合、支持体の製造上及び取扱
い上、機械的強度等の点から、好ましくは10μ以
上とされる。 次の本発明の光受容部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光受容部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光受容部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２は、Heで希釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で希釈されたSnH4ガス（純度99.999％、以下
SnH4／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで希
釈されたB2H6ガス（純度99.99％、以下B2H6／
Heと略す。）ボンベ、１１０５はGeH4／Heガス
（純度99.999％）ボンベ、１１０６はNOガス（純
度99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先づメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10-6torrになつ
た時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に光受容層を
形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１
０２よりSiH4／Heガス、ガスボンベ１１０３よ
りSnH4／Heガス、ガスボンベ１１０４よりB2
H6／Heガス、ガスボンベ１１０５よりGeH4／
Heガスをバルブ１１２２〜１１２５を開いて出
口圧ゲージ１１２７〜１１３０の圧を１Kg／cm2に
調整し、流入バルブ１１１２〜１１１５を徐々に
開けてマスフロコントローラ１１０７〜１１１０
内に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ１１
１７〜１１２０、補助バルブ１１３２を徐々に開
いて夫々のガスを反応室１１０１に流入させる。
このとき必要ならばSiH4／Heガス流量と
SnH4／Heガス流量とB2H6／Heガス流量と
GeH4／Heガス流量とが適宜制御されて所望の値
になるように流出バルブ１１１７〜１１２０を調
整し、又、反応室１１０１内の圧力が所望の値に
なるように真空計１１３６の読みを見ながらメイ
ンバルブ１１３４の開口を調整する、そして基体
１１３７の温度が加熱ヒーター１１３８により50
〜400℃の範囲内の温度に設定されていることを
確認された後、電源１１４０を所望の電力に設定
して反応室１１０１内にグロー放電を生起させ
る。必要ならば同時にあらかじめ設計された変化
率曲線に従つてSnH4／Heガス又は／及び
GeH4／Heガスの流暢を手動、あるいは外部駆動
モータ等の方法によつてバルブ１１１８の開口を
漸次変化させる操作を行ない、形成される層中に
含有される錫原子又は／及びゲルマニウム原子の
分布濃度を制御することが出来る。 この様にして、基体１１３７上に硼素原子
（Ｂ）と錫原子（Sn）とゲルマニウム原子（Ge）
とが含有され、必要に応じて前記の変化率曲線に
従つて錫原子又は／及びゲルマニウム原子の分布
状態が形成されている、Ａ−SiSnGe（Ｈ，Ｘ）で
構成された層領域（Ｂ，Sn，Ge）が所望の層厚
に形成される。層領域（Ｂ，Sn）が所望層厚に
形成された段階に於いて流出バルブ１１１８，１
１１９，１１２０の夫々を完全に閉じること、及
び必要に応じて放電条件を変えること以外は、同
様な条件と手動に従つて所望時間グロー放電を維
持することで前記層領域（Ｂ，Sn，Ge）上に硼
素原子（Ｂ）、錫原子（Sn）及びゲルマニウム原
子（Ge）が含有されていない、Ａ−Si（Ｈ，Ｘ）
で構成された層領域（Ｓ）が形成されて光受容層
の形成が終了される。 光受容層の形成の際に、例えば該層形成開始後
所望の時間が経過した段階で、堆積室へのB2
H6／Heガス或いはNOガスの流入を止めること
によつて、硼素原子の含有された層領域（Ｂ）及
び酸素原子の含有された層領域（Ｏ）の各層厚を
任意に制御することが出来る。 また、所望の変化率曲線に従つて、堆積室１１
０１へのNOガスのガス流量を制御することによ
つて、層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の分
布状態を所望通りに形成することが出来る。 層形成を行つている間は層形成の均一化を計る
ため基体１１３７はモータ１１３９により一定速
度で回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第１表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux.secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した処、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 ２ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第２表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つてSnH4＋
GeH4ガスとSiH4ガスのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて層形成を行つて電子写真用
像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例１と同様に画像評価を行
つたところ、実施例１と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 ３ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第３表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例１と同様に画像評価を行
つたところ実施例１と同様の評価を得ることが出
来た。 実施例 ４ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第４表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つてSnH4＋
GeH4ガスとSiH4ガスのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて層形成を行つて電子写真用
像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例１と同様に画像評価を行
つたところ、実施例１と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 ５ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第５表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し6.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux.secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性を現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を
6.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した処、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 ６ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第６表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つてSnH4＋
GeH4ガスとSiH4ガスのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて層形成を行つて電子写真用
像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例５と同様に画像評価を行
つたところ、実施例５と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 ７ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第７表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux.secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した処、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。又、上記の画像形成プロセスを連
続して繰返し行つて、連続使用の耐久テストを行
つたところ、使用回数に応じた転写画像の画質の
低下は何等見受けることが出来なかつた。 実施例 ８ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第８表に示す条件で第１３図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つてC2H4ガ
スと（SnH4＋GeH4＋SiH4）ガスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 ９ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第９表に示す条件で第１３図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて（C2H4
＋SnH4＋GeH4）ガスとSiH4ガスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 10 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第10表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 11 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第11表に示す条件で第１３図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つてO2ガス
と（SnH4＋GeH4＋SiH4）ガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 12 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第12表に示す条件で第１３図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて（O2＋
SnH4＋GeH4）ガスとSiH4ガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 13 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第13表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 14 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第14表に示す条件で第１３図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つてNH3ガ
スと（SnH4＋GeH4＋SiH4）ガスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。こうして得られ
た像形成部材を、帯電露光実験装置に設置して、
実施例７と同様に画像評価を行つたところ、実施
例７と同様の評価を得ることが出来た。 実施例 15 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第15表に示す条件で第１３図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて（NH3
＋SnH4＋GeH4）ガスとSiH4ガスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。こうして得られ
た像形成部材を、帯電露光実験装置に設置して、
実施例７と同様に画像評価を行つたところ、実施
例７と同様の評価を得ることが出来た。 実施例 16 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第16表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 17 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第17表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 18 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第18表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例７と同様に画像評価を行
つたところ、実施例７と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 19 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第19表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux.secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性を現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した処、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。又、上記の画像形成プロセスを連
続して繰返し行つて連続使用の耐久テストを行つ
たところ、使用回数に応じた転写画像の画質の低
下は何等見受けることが出来なかつた。 実施例 20 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第20表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例19と同様に画像評価を行
つたところ、実施例19と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 21 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第21表に示す条件で層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例19と同様に画像評価を行
つたところ、実施例19と同様の評価を得ることが
出来た。 実施例 22 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第22表に示す条件で第１４図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つてB2H4ガ
スと（SnH4＋GeH4＋SiH4）ガスのガス流量比
を層作成経過時間と共に変化させて層形成形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置して、実施例１と同様に画像評価した
ところ、解像力に優れ階調再現性の良い鮮明な高
品位の画像が繰返し得られた。 実施例 23 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第23表に示す条件で第１５，
１６，１７図に夫々示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、SnH4＋GeH4ガスとSiH4ガス、B2H6
ガスと（SnH4＋GeH4＋SiH4）ガス、NOガスと
（SnH4＋GeH4＋SiH4）ガスのガス流量比を夫々
層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、1.8lux.secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した処、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 24 第１１図に示した製造装置により、第24表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つてSnH4＋GeH4ガスとSiH4ガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させて、層形成
を行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 25 第１１図に示した製造装置により、第25表に示
す条件で第１９図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つてSnH4＋GeH4ガスとSiH4ガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させて、層形成
を行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 26 第１１図に示した製造装置により、第26表に示
す条件で第２０図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つてSnH4＋GeH4ガスとSiH4ガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させて、層形成
を行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 27 第１１図に示した製造装置により、第27表に示
す条件で第２１図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つてSnH4＋GeH4ガスとSiH4ガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させて、層形成
を行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 28 第１１図に示した製造装置により、第28表に示
す条件で第２２図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つてSnH4＋GeH4ガスとSiH4ガスのガス流
量比を層作成経過時間と共に変化させて、層形成
を行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 29 第１１図に示した製造装置により、第29表に示
す条件で第２３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つてSnH4ガスとSiH4ガスのガス流量比を層
作成経過時間と共に変化させて、層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 30 実施例２に於いて、SiH4／Heガスの代りにSi2
H6／Heガスを使用し第30表に示す条件にした以
外は、実施例２と同様の条件にして、層形成を行
つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
２と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 31 実施例２に於いて、SiH4／Heガスの代りに
SiH4／Heガスを使用し第31表に示す条件にした
以外は、実施例２と同様の条件にして、層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 32 実施例２に於いて、SiH4／Heガスの代りに
（SiH4／He＋SiF4／He）ガスを使用し第32表に
示す条件にした以外は、実施例２と同様の条件に
して、層形成を行つて電子写真用像形成部材を得
た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ、極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 33 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第33表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、SnH4
＋GeH4ガスとSiH4ガスのガス流量比を層作成経
過時間と共に変化させて、層形成を行つて電子写
真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、1.8lux.secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアを含む）を像形成部材表面をカスケードす
ることによつて、像形成部材表面上に良好なトナ
ー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した処、解
像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の画
像が得られた。 実施例 34 実施例33に於いて、B2H6ガスのSiH4ガスに対
する流量を第34表に示す様に変えた以外は、実施
例33と同様の条件で電子写真用像形成部材の夫々
（試料No.3401〜3408）を作成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
33と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第34表に示す結果が得られた。 実施例 35 実施例１〜32に於いて、第２層の作成条件を第
35表及び第37表に示す条件にした以外は、各実施
例に示す条件と同様にして電子写真用像形成部材
の夫々（試料No.3601〜3610，3801〜3810）を作成
した。 こうして得られた像形成部材の夫々に就いて、
各対応する実施例と同様の条件及び手順で転写紙
上に画像を形成したところ第36表、第37表に夫々
示す結果が得られた。 実施例 36 実施例１〜35に於いて、光源をタングステンラ
ンプの代りに810nmのGaAs系半導体レーザ
（10mW）を用いて、静電像の形成を行い、トナ
ー現像法として殊に現像を採用した以外は、各対
応する実施例と同様の条件で作成した電子写真用
像形成部材に就いてトナー転写画像の画質評価を
行つたところ、解像力に優れ、階調再現性の良い
鮮明な高品位の画像が得られた。 又、各試料に就いて、使用したレーザ光に対す
る光感度を測定したところ、極めて高光感度であ
ることが示され、半導体レーザとの整合性が優れ
ていることが判つた。 以上の実施例はタングステンランプ光源を用い
て基本的な性能評価を行つたが、上記の如くいず
れの例においてもレーザー光による評価も行つて
いるので便宜上実施例として説明した。
【表】
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【表】
【表】
【表】
◎〓優良 ○〓良好
【表】
【表】
◎：優良 ○：良好
【表】
以上説明した様な層構成を取る様にして設計さ
れた本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総
てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示
す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品位の画像を安
定して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る光受容層が、層自体が強靱であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。
れた本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総
てを解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示
す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品位の画像を安
定して繰返し得ることができる。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る光受容層が、層自体が強靱であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。
第１図は、本発明の光受容部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々光受容層中の錫原子の分布状態を説明する為
の説明図、第１１図は、本発明で使用された装置
の模式的説明図で、第１２図乃至第２３図は夫々
本発明の実施例に於けるガス流量比の変化率曲線
を示す説明図である。 １００……光受容部材、１０１……支持体、１
０２……光受容層、１０３……第１の層領域
（Sn）、１０４……第２の層領域（Ｓ）。
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々光受容層中の錫原子の分布状態を説明する為
の説明図、第１１図は、本発明で使用された装置
の模式的説明図で、第１２図乃至第２３図は夫々
本発明の実施例に於けるガス流量比の変化率曲線
を示す説明図である。 １００……光受容部材、１０１……支持体、１
０２……光受容層、１０３……第１の層領域
（Sn）、１０４……第２の層領域（Ｓ）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光受容部材用の支持体と、該支持体上に設け
られ、シリコン原子と錫原子とゲルマニウム原子
とを含む非晶質材料で構成された第１の層領域、
およびシリコン原子を含む非晶質材料で構成さ
れ、光導電性を示す第２の層領域とが前記支持体
側より順に設けられた層構成の光受容層とを有す
ることを特徴とするレーザー光用の光受容部材。 ２ 前記第１の層領域及び前記第２の層領域の少
なくともいずれか一方に水素原子が含有されてい
る特許請求の範囲第１項に記載のレーザー光用の
光受容部材。 ３ 前記第１の層領域及び前記第２の層領域の少
なくともいずれか一方にハロゲン原子が含有され
ている特許請求の範囲第１項に記載のレーザー光
用の光受容部材。 ４ 前記第１の層領域中における錫原子の分布状
態が層厚方向に均一である特許請求の範囲第１項
に記載のレーザー光用の光受容部材。 ５ 前記第１の層領域中における錫原子の分布状
態が前記支持体の方に多く分布する分布状態であ
る特許請求の範囲第４項に記載のレーザー光用の
光受容部材。 ６ 前記光受容層には周期律表第族に属する原
子が含有されている特許請求の範囲第１項に記載
のレーザー光用の光受容部材。 ７ 前記光受容層には周期律表第族に属する原
子である特許請求の範囲第１項に記載のレーザー
光用の光受容部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60047257A JPS61205948A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | レーザー光用の光受容部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60047257A JPS61205948A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | レーザー光用の光受容部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61205948A JPS61205948A (ja) | 1986-09-12 |
| JPH0451021B2 true JPH0451021B2 (ja) | 1992-08-17 |
Family
ID=12770224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60047257A Granted JPS61205948A (ja) | 1985-03-08 | 1985-03-08 | レーザー光用の光受容部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61205948A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011024443A1 (ja) | 2009-08-26 | 2011-03-03 | 東洋鋼鈑株式会社 | プレス性に優れた電池缶用Ｎｉめっき鋼板 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4653579B2 (ja) * | 2005-07-13 | 2011-03-16 | 株式会社東芝 | Ｘ線平面検出器 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4147667A (en) * | 1978-01-13 | 1979-04-03 | International Business Machines Corporation | Photoconductor for GaAs laser addressed devices |
| JPS58171046A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-07 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS58171044A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-07 | Canon Inc | レーザー光用の光導電部材 |
| JPS58171053A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-07 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
-
1985
- 1985-03-08 JP JP60047257A patent/JPS61205948A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011024443A1 (ja) | 2009-08-26 | 2011-03-03 | 東洋鋼鈑株式会社 | プレス性に優れた電池缶用Ｎｉめっき鋼板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61205948A (ja) | 1986-09-12 |