JPH0211148B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材に関する。 固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無害であること、更には固体撮像
装置においては、残像を所定時間内に容易に処理
することができること等の特性が要求される。殊
に、事務機としてオフイスで使用される電子写真
装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場合
には、上記の使用時における無害性は重要な点で
ある。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材としての応用、独国公開第2933411号公報には
光電変換読取装置への応用が記載されている。 しかし乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電
層を有する電子写真用光導電部材は、暗抵抗値、
光感度、光応答性等の電気的、光学的、光導電的
特性、及び耐湿性等の使用環境特性の点、更には
経時的安定性の点において、総合的な特性向上を
計る必要があるという更に改良される可き点が存
するのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴ
ースト現象を発する様になる、或いは、高速で繰
返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於いて、また、通常
使用されているハロゲンランプや螢光灯を光源と
する場合、長波長側の光を有効に使用し得ないと
いう点に於いて、夫々改良される余地が残つてい
る。 又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されずに、支持体に到達する光の量
が多くなると、支持体自体が光導電層を透過して
来る光に対する反射率が高い場合には、光導電層
内に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。 更に、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を計るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子が、及び電気伝導型の制御のために硼素
原子や燐原子等が、或いはその他の特性改良のた
めに他の原子が、各々構成原子として光導電層中
に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方
如何によつては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性に問題が生ずる場合がある。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において支持体側
よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が生
ずる場合が少なくない。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちであつた。この現象は、殊に支持体が通常、電
子写真分野に於いて使用されているドラム状支持
体の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於い
て解決される可き点である。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮像装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）のいずれ
か一方を少なくとも含有するアモルフアス材料、
所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン化ア
モルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水素化
アモルフアスシリコン〔以後これ等の総括的表記
として「ａ−Si（Ｈ、Ｘ）」を使用する〕から構成
される光導電性を示す光受容層を有する光導電部
材の構成を、以後に説明される様に特定化して設
計され作成された光導電部材は実用上著しく優れ
た特性を示すばかりでなく、従来の光導電部材と
較べてみてもあらゆる点において凌駕しているこ
と、殊に電子写真用の光導電部材として著しく優
れた特性を有していること、及び長波長側に於け
る吸収スペクトル特性に優れていることを見出し
た点に基いている。 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、長波長側の光感度特性に優れる
と共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際し
ても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されない電子写真用光導電部材を提供する
ことを主たる目的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い電子写真用光導電部材を提
供することである。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間および積層される層の各層間に於
ける密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的で
あり、層品質の高い電子写真用光導電部材を提供
することである。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多湿
雰囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されな
い優れた電子写真特性を有する光導電部材を提供
することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する電子写真用光導電部材を提供するこ
とである。 本発明の電子写真用光導電部材は、電子写真用
光導電部材用の支持体と、該支持体上に、ゲルマ
ニウム原子をシリコン原子との和に対して１〜10
×10⁵atomic ppm含有する非晶質材料で構成さ
れた層厚30Å〜50μの第１の層領域(G)とシリコン
原子を含む（ゲルマニウム原子を含まない）非晶
質材料で構成された層厚0.5〜90μの第２の層領域
（Ｓ）とが前記支持体側より順に設けられた層構
成の層厚１〜100μの光導電性を示す光受容層と
から成る電子写真用光導電部材であつて、前記光
受容層中には窒素原子が0.001〜50atomic ％含
有されていることを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の電子写真用光導電部材は、前記した諸問
題の総てを解決し得、極めて優れた電気的、光学
的、光導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特
性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 又、本発明の電子写真用光導電部材は支持体上
に形成される光受容層が、層自体が強靭であつ
て、且つ支持体との密着性に著しく優れており、
高速で長時間連続的に繰返し使用することができ
る。 更に、本発明の電子写真用光導電部材は、全可
視光域に於いて光感度が高く、殊に半導体レーザ
とのマツチングに優れ、且つ光応答が速い。 以下、図面に従つて、本発明の電子写真用光導
電部材に就て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した構
成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１と該支持体１０１の上
に、光受容層１０２を有し、該光受容層１０２は
自由表面１０５を一方の端面に有している。 光受容層１０２は、支持体１０１側よりゲルマ
ニウム原子と、必要に応じてシリコン原子、水素
原子、ハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも１つ
を含有する非晶質材料（以後「ａ−Ge（Si、Ｈ、
Ｘ）」と略記する）で構成された第１の層領域(G)
１０３と、ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成され、光導電
性を有する第２の層領域（Ｓ）１０４とが順に積
層された層構造を有する。 第１の層領域(G)１０３中に他の原子と共に含有
されるゲルマニウム原子が含有される場合は、シ
リコン原子は、該第１の層領域(G)１０３の層厚方
向及び支持体１０１の表面と平行な面内方向に連
続的であつて且つ均一に分布した状態となる様に
前記第１の層領域(G)１０３中に含有される。 本発明に於いては、第１の層領域(G)上に設けら
れる第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウム原
子は含有されておらず、この様な層構造に光受容
層を形成することによつて可視光領域を含む、比
較的短波長から比較的長波長迄の全領域の波長の
光に対して光感度が優れている光導電部材とし得
るものである。 又、第１の層領域(G)中に於けるゲルマニウム原
子の分布状態は、全層領域にゲルマニウム原子が
連続的に分布しているので第１の層領域(G)と第２
の層領域（Ｓ）との間に於ける親和性に優れ、半
導体レーザを使用した場合の、第２の層領域
（Ｓ）では殆んど吸収し切れない長波長側の光を
第１の層領域(G)に於いて、実質的に完全に吸収す
ることが出来、支持体面からの反射による干渉を
防止することが出来る。 又、本発明の電子写真用光導電部材に於いて、
第１の層領域(G)にシリコン原子が含有される場
合、第１の層領域(G)と第２の層領域（Ｓ）とを構
成する光受容材料の夫々がシリコン原子という共
通の構成要素を有しているので、積層界面に於い
て化学的な安定性の確保が充分成されている。 本発明において、第１の層領域(G)中に含有され
るゲルマニウム原子の含有量は、本発明の目的が
効果的に達成される様に所望に従つて適宜決めら
れるが、シリコン原子との和に対して好ましくは
１〜10×10⁵atomic ppm、より好ましくは100〜
9.5×10⁵atomic ppm、最適には500〜８×
10⁵atomic ppmとされるのが望ましい。 本発明に於いて第１の層領域(G)と第２の層領域
（Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に達成
させる為の重要な因子の１つであるので形成され
る光導電部材に所望の特性が充分与えられる様
に、光導電部材の設計の際に充分なる注意が払わ
れる必要がある。 本発明に於いて、第１の層領域(G)の層厚T_Bは、
好ましくは、30Å〜50μ、より好ましくは、40Å
〜40μ、最適には、50Å〜30μとされるのが望ま
しい。 又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましく
は、0.5〜90μ、好ましくは１〜80μ、最適には２
〜50μとされるのが望ましい。 第１の層領域(G)の層厚T_Bと第２の層領域（Ｓ）
の層厚Ｔの和（T_B＋Ｔ）は、両層領域に要求さ
れる特性と光受容層全体に要求される特性との相
互間の有機的関連性に基いて、光導電部材の層設
計の際に所望に従つて、適宜決定される。 本発明の光導電部材に於いては、上記の（T_B
＋Ｔ）の数値範囲は、好ましくは、１〜100μ、
より好適には１〜80μ、最適には２〜50μとされ
るのが望ましい。 本発明のより好ましい実施態様例に於いては、
上記の層厚T_B及び層厚Ｔとしては、好ましくは
T_B／Ｔ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対
して適宜適切な数値が選択されるのが望ましい。 上記の場合に於ける層厚T_B及び層厚Ｔの数値
の選択に於いて、より好ましくは、T_B／Ｔ≦0.9、
最適にはT_B／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に
層厚T_B及び層厚Ｔの値が決定されるのが望まし
い。 本発明において、第１の層領域(G)中に含有され
るゲルマニウム原子の含有量が１×10⁵atomic
ppm以上の場合には、第１の層領域(G)のT_Bは、
成可く薄くされるのが望ましく、好ましくは30μ
以下、より好ましくは25μ以下、最適には20μ以
下とされる。 本発明の電子写真用光導電部材に於いては、高
光感度化と高暗抵抗化、更には支持体と光受容層
との間の密着性の改良を計る目的の為に光受容層
中には、窒素原子が含有される。光受容層中に含
有される窒素原子は、光受容層の全層領域に万偏
なく含有されても良いし、或いは、光受容層の一
部の層領域のみに含有させ偏在させても良い。 又、窒素原子の分布状態は、分布濃度Ｃ（Ｎ）
が光受容層の層厚方向に於いては均一であつても
よいし、層厚方向に不均一であつても良い。 本発明に於いて、光受容層に設けられる窒素原
子の含有されている層領域（Ｎ）は、光感度と暗
抵抗の向上を主たる目的とする場合には、光受容
層の全層領域を占める様に設けられ、支持体と光
受容層との間の密着性の強化を計るのを主たる目
的とする場合には、光受容層の支持体側端部層領
域(E)を占める様に設けらられる。 前者の場合、層領域（Ｎ）中に含有される窒素
原子の含有量は、高光感度を維持する為に比較的
少なくされ、後者の場合には、支持体との密着性
の強化を確実に計る為に比較的多くされるのが望
ましい。 又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の
為には、支持体側に於いて比較的高濃度に分布さ
せ、光受容層の自由表面側に於いて比較的低濃度
に分布させるか或いは、光受容層の自由表面側の
表層領域には、窒素原子を積極的には含有させな
い様な窒素原子の分布状態を層領域（Ｎ）中に形
成すれば良い。 本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域
（Ｎ）に含有される窒素原子の含有量は、層領域
（Ｎ）自体に要求される特性、或いは該層領域
（Ｎ）が支持体に直に接触して設けられる場合に
は、該支持体との接触界面に於ける特性の関係
等、有機的関連性に於いて、適宜選択することが
出来る。 又、前記層領域（Ｎ）に直に接触して他の層領
域が設けられる場合には、該他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、窒素原子の含有量が適宜選択
される。層領域（Ｎ）中に含有される窒素原子の
量は、形成される光導電部材に要求される特性に
応じて所望に従つて適宜決められるが、好ましく
は、0.001〜50atomic ％、より好ましくは0.002
〜40atomic ％、最適には0.003〜30atomic ％
とされるのが望ましい。 本発明に於いて、層領域（Ｎ）が光受容層の全
域を占めるか、或いは、光受容層の全域を占めな
くとも、層領域（Ｎ）の層厚T_Nの光受容層の層
厚Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域
（Ｎ）に含有される窒素原子の含有量の上限は、
前記の値より充分少なくされるのが望ましい。 本発明の場合には、層領域（Ｎ）の層厚T_Nが
光受容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２
以上となる様な場合には、層領域（Ｎ）中に含有
される窒素原子の量の上限は、好ましくは、
30atomic ％以下、より好ましくは、20atomic
％以下、最適には10atomic ％以下とされる
のが望ましい。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の層領域（Ｎ）中に含有される窒素原子の
層厚方向の分布状態の典型的例が示される。 第２図乃至第１０図において、横軸は窒素原子
の分布濃度Ｃ（Ｎ）を、縦軸は、層領域（Ｎ）の
層厚を示し、t_Bは支持体側の層領域（Ｎ）の端面
の位置を、t_Tは支持体側とは反対側の層領域
（Ｎ）の端面の位置を示す。即ち、窒素原子の含
有される層領域（Ｎ）はt_B側よりt_T側に向つて層
形成がなされる。 第２図は、層領域（Ｎ）中に含有される窒素原
子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。 第２図に示される例では、窒素原子の含有され
る層領域（Ｎ）が形成される支持体の表面と該層
領域（Ｎ）の表面とが接する界面位置t_Bよりt₁の
位置までは、窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）がC₁な
る一定の値を取り乍ら窒素原子が形成される層領
域（Ｎ）に含有され、位置t₁より濃度C₂より界面
位置t_Tに至るまで徐々に連続的に減少されてい
る。界面位置t_Tにおいては窒素原子の分布濃度Ｃ
（Ｎ）はC₃とされる。 第３図に示される例においては、含有される窒
素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）は、位置t_Bより位置t_T
に到るまで濃度C₄から徐々に連続的に減少して
位置t_Tにおいて濃度C₅となる様な分布状態を形成
している。 第４図の場合には、位置t_Bより位置t₂までは窒
素原子の分布濃度Ｃは濃度C₆と一定値にされ、
位置t₂と位置t_Tとの間において、徐々に連続的に
減少され、位置t_Tにおいて、分布濃度Ｃ（Ｎ）は
実質的に零とされている（ここで実質的に零とは
検出限界量未満の場合である）。 第５図の場合には、窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）
は位置t_Bより位置t_Tに到るまで、濃度C₈より連続
的に徐々に減少され、位置t_Tにおいて実質的に零
とされている。 第６図に示す例においては、窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）は、位置t_Bと位置t₃間においては、濃
度C₉と一定値であり、位置t_Tにおいては濃度C₁₀
とされる。位置t₃と位置t_Tとの間では、分布濃度
Ｃは一次関数的に位置t₃より位置t_Tに至るまで減
少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃ
（Ｎ）は位置t_Bより位置t₄までは濃度C₁₁の一定値
を取り、位置t₄より位置t_Tまでは濃度C₁₂より濃度
C₁₃まで一次関数的に減少する分布状態とされて
いる。 第８図に示す例においては、位置t_Bより位置t_T
に至るまで、窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）は濃度
C₁₄より実質的に零に至る様に一次関数的に減少
している。 第９図においては、位置t_Bより位置t₅に至るま
では窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）は、濃度C₁₅より
濃度C₁₆まで一次関数的に減少され、位置t₅と位
置t_Tとの間においては、濃度C₁₆の一定値とされ
た例が示されている。 第１０図に示される例においては、窒素原子の
分布濃度Ｃ（Ｎ）は位置t_Bにおいて濃度C₁₇であ
り、位置t₆に至るまではこの濃度C₁₇より初めは
ゆつくりと減少され、t₆の位置付近においては、
急激に減少されて位置t₆では濃度C₁₈とされる。 位置t₆と位置t₇との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t₇で濃度C₁₉となり、位置t₇と位置t₈との間で
は、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t₅に
おいて、濃度C₂₀に至る。位置t₈と位置t_Tの間にお
いては、濃度C₂₀より実質的に零になる様に図に
示す如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、層領域
（Ｎ）中に含有される窒素原子の層厚方向の分布
状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明に
おいては、支持体側において、窒素原子の分布濃
度Ｃ（Ｎ）の高い部分を有し、界面t_T側において
は、前記分布濃度Ｃ（Ｎ）は支持体側に較べて可
成り低くされた部分を有する窒素原子の分布状態
が層領域（Ｎ）に設けられている。 本発明において、光受容層を構成する窒素原子
の含有される層領域（Ｎ）は、上記した様に支持
体側の方に窒素原子が比較的高濃度で含有されて
いる局在領域(B)を有するものとして設けられるの
が望ましく、この場合には、支持体と光受容層と
の間の密着性をより一層向上させることが出来
る。 上記局在領域(B)は、第２図乃至第１０図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置t_Bよりも5μ以
内に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域(B)は、界面位
置t_Bより5μ厚までの全層領域（L_T）とされる場合
もあるし、又、層領域（L_T）の一部とされる場
合もある。 局在領域を全層領域（L_T）の一部とするか又
は全部とするかは、形成される光受容層に要求さ
れる特性に従つて適宜決められる。 局在領域(B)はその中に含有される酸素原子の層
厚方向の分布状態として窒素原子の分布濃度Ｃ
（Ｎ）の最大値C_naxが、好ましくは500atomic
ppm以上、より好適には800atomic ppm以上、
最適には1000atomic ppm以上とされる様な分布
状態となり得る様に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、窒素原子の含有され
る層領域（Ｎ）は、支持体側からの層厚で5μ以
内（T_Bから5μ厚の層領域）に分布濃度Ｃ（Ｎ）の
最大値C_naxが存在する様に形成されるのが望まし
い。 本発明において、光受容層を構成する第１の層
領域(G)及び第２の層領域（Ｓ）中に必要に応じて
含有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的
にはフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊
にフツ素、塩素を好適なものとして挙げることが
出来る。 本発明において、ａ−Ge（Si、Ｈ、Ｘ）で構成
される第１の層領域(G)を形成するには例えばグロ
ー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプレ
ーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積法
によつて成される。グロー放電法によつて、ａ−
Ge（Si、Ｈ、Ｘ）で構成される第１の層領域(G)を
形成するには、例えばゲルマニウム原子（Ge）
を供給し得るGe供給用の原料ガスと、必要に応
じて、シリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用
の原料ガスと水素原子(H)導入用の原料ガス又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で
導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されてある所定の支持体表面
上に層形成すれば良い。第１の層領域(G)にゲルマ
ニウム原子を不均一な濃度分布で含有させる場合
にはゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変化率
曲線に従つて制御し乍らａ−Ge（Si、Ｈ、Ｘ）か
らなる層を形成させれば良い。又、スパツタリン
グ法で形成する場合には、例えばAr、He等の不
活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガ
スの雰囲気中でSiで構成されたターゲツト、或い
は該ターゲツトとGeで構成されたターゲツトの
二枚を使用して又は、SiとGeの混合されたター
ゲツトを使用して必要に応じてHe、Ar等の稀釈
ガスで稀釈されたGe供給用の原料ガスを、必要
に応じて、水素原子(H)又は／及びハロゲン原子
（Ｘ）導入用のガスをスパツタリング用の堆積室
に導入し、所望のガスのプラズマ雰囲気を形成す
ることによつて成される。この際前記Ge供給用
の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従つ
て制御し乍ら前記のターゲツトをスパツタリング
してやれば第１の層領域(G)中のゲルマニウム原子
の分布濃度を任意に制御することが出来る。 イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いは、エレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツ
タリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
となり得る物質としては、SiH₄、Si₂H₆、Si₃H₈、
Si₄H₁₀等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点でSiH₄、Si₂H₆が好ましいも
のとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては
GeH₄、Ge₂H₆、Ge₃H₈、Ge₄H₁₀、Ge₅H₁₂、
Ge₆H₁₄、Ge₇H₁₆、Ge₈H₁₈、Ge₉H₂₀等のガス状
態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効
に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成
作業時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の点
で、GeH₄、Ge₂H₆、Ge₃H₈が好ましいものとし
て挙げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF、ClF、ClF₃、
BrF₅、BrF₃、IF₃、IF₇、ICl、IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF₄、Si₂F₆、SiCl₄、SiBr₄等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含むａ−SiGeから成る第１の層領
域(G)を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
１の層領域(G)を作成する場合、例えばSi供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とGe供給用の原
料ガスとなる水素化ゲルマニウムとAr、H₂、He
等のガス等を所定の混合比とガス流量になる様に
して第１の層領域(G)を形成する堆積室に導入し、
グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズマ雰
囲気を形成することによつて、所望の支持体上に
第１の層領域(G)を形成し得るものであるが、水素
原子の導入割合の制御を一層容易になる様に計る
為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスをも所望量混合して層形成
しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を
導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H₂、或いは前記した
シラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス
類をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF、HCl、
HBr、HI等のハロゲン化水素、SiH₂F₂、
SiH₂I₂、SiH₂Cl₂、SiHCl₃、SiH₂Br₂、SiHBr₃等
のハロゲン置換水素化硅素、及びGeHF₃、
GeH₂F₂、GeH₃F、GeHCl₃、GeH₂Cl₂、
GeH₃Cl、GeHBr₃、GeH₂Br₂、GeH₃Br、
GeHI₃、GeH₂I₂、GeH₃I等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物、GeF₄、GeCl₄、GeBr₄、
GeI₄、GeF₂、GeCl₂、GeBr₂、GeI₂等のハロゲン
化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化
し得る物質も有効な第１の層領域(G)形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。 これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化
物は、第１の層領域(G)形成の際に層中にハロゲン
原子の導入と同時に電気的或いは光電的特性の制
御に極めて有効な水素原子も導入されるので、本
発明においては好適なハロゲン導入用の原料とし
て使用される。 水素原子を第１の層領域(G)中に構造的に導入す
るには、上記の他にH₂、或いはSiH₄、Si₂H₆、
Si₃H₈、Si₄H₁₀等の水素化硅素と、Geを供給する
為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或
いは、GeH₄、Ge₂H₆、Ge₃H₈、Ge₄H₁₀、
Ge₅H₁₂、Ge₆H₁₄、Ge₇H₁₆、Ge₈H₁₈、Ge₉H₂₀等
の水素化ゲルマニウムと、Siを供給する為のシリ
コン又はシリコン化合物とを堆積室中に共存させ
て放電を生起させる事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される光受
容層を構成する第１の層領域(G)中に含有される水
素原子(H)の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水
素原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好
ましくは0.01〜40atmic ％、より好適には0.05
〜30atmic ％、最適には0.1〜25atmic ％とさ
れる。 第１の層領域(G)中に含有される水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するに
は、例えば支持体温度又は／及び水素原子(H)、或
いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使用さ
れる出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電々力等を制御してやれば良い。 本発明に於いて、ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した
第１の層領域(G)形成用の出発物質（）中より、
Ge供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出
発物質〔第２の層領域（Ｓ）形成用の出発物質
（）〕を使用して、第１の層領域(G)を形成する場
合と同様の方法と条件に従つて行うことが出来
る。 即ち、本発明において、ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構
成される第２の層領域（Ｓ）を形成するには、例
えばグロー放電法、スパツタリング法、或いはイ
オンプレーテイング法等の放電現象を利用する真
空堆積法によつて成される。例えば、グロー放電
法によつて、ａ−Si（Ｈ、Ｘ）で構成される第２
の層領域（Ｓ）を形成するには、基本的には前記
したシリコン原子（Si）を供給し得るSi供給用の
原料ガスと共に、必要に応じて水素原子(H)導入用
の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガ
スを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、
該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位
置に設置されてある所定の支持体表面上にａ−Si
（Ｈ、Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、
スパツタリング法で形成する場合には、例えば
Ar、He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベー
スとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成されたタ
ーゲツトをスパツタリングする際、水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパ
ツタリング用の堆積室に導入しておけばよい。 本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム
原子の含有される第１の層領域(G)の上に設けら
れ、ゲルマニウム原子の含有されない第２の層領
域（Ｓ）には、伝導特性を制御する物質を含有さ
せることにより、該層領域（Ｓ）の伝導特性を所
望に従つて任意に制御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される第２の層領域（Ｓ）を構成する
ａ−Si（Ｈ、Ｘ）に対して、ｐ型伝導特性を与え
るｐ型不純物、及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不
純物を挙げることが出来る。 具体的には、ｐ型不純物としては、周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Al（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In（イ
ンジウム）、Tl（タリウム）等があり、殊に好適
に用いられるのは、Ｂ、Gaである。ｎ型不純物
としては、周期律表第族に属する原子（第族
原子）、例えば、Ｐ（燐）、As（砒素）、Sb（アンチ
モン）、Bi（ビスマス）等であり、殊に、好適に
用いられるのは、Ｐ、Asである。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に含有さ
れる伝導特性を制御する物質の含有量は、該層領
域（Ｓ）に要求される伝導特性、或いは該層領域
（Ｓ）に直に接触して設けられる他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択する
ことが出来る。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有
される伝導特性を制御する物質の含有量は、好ま
しくは、0.001〜1000atomic ppm、より好適には
0.05〜500atomic ppm、最適には0.1〜200atomic
ppmとされるのが望ましい。 第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する物
質、例えば第族原子、或いは、第族原子を構
造的に導入するには、層形成の際に第族原子導
入用の出発物質、或いは、第族原子導入用の出
発物質をガス状態で堆積室中に、第２の層領域を
形成する為の他の出発物質と共に導入してやれば
良い。この様な第族原子導入用の出発物質とな
り得るものとしては、常温常圧でガス状の又は、
少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得るも
のが採用されるのが望ましい。その様な第族原
子導入用の出発物質として具体的には、硼素原子
導入用としては、B₂H₆、B₄H₁₀、B₅H₉、B₅H₁₁、
B₆H₁₀、B₆H₁₂、B₆H₁₄等の水素化硼素、BF₃、
BCl₃、BBr₃、等のハロゲン化硼素等が挙げられ
る。この他、AlCl₃、GaCl₃、Ga（CH₃）₃、InCl₃、
TlCl₃等も挙げることが出来る。 第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH₃、P₂H₄等の水素化燐、PH₄I、PF₃、
PF₅、PCl₃、PCl₅、PBr₃、PBr₅、PI₃等のハロゲ
ン化燐が挙げられる。この他、AsH₃、AsF₃、
AsCl₃、AsBr₃、AsF₅、SbH₃、SbF₃、SbF₅、
SbCl₃、SbCl₅、BiH₃、BiCl₃、BiBr₃等も第族
原子導入科の出発物質の有効なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於いて、光受容層中に窒素原子の含有
された層領域（Ｎ）を設けるには、光受容層の形
成の際に窒素原子導入用の出発物質を前記した光
受容層形成用の出発物質と共に使用して、形成さ
れる層中にその量を制御し乍ら含有してやれば良
い。層領域（Ｎ）を形成するのにグロー放電法を
用いる場合には、前記した光受容層形成用の出発
物質の中から所望に従つて選択されたものに窒素
原子導入用の出発物質が加えられる。その様な窒
素原子導入用の出発物質としては、少なくとも窒
素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス化
し得る物質をガス化したものの中の大概のものが
使用され得る。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料
ガスと、必要に応じて水素原子(H)又は及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して使用するか、又は、シリコン
原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、窒素原
子（Ｎ）及び水素原子(H)を構成原子とする原料ガ
スとを、これも又所望の混合比で混合するかして
使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに酸素原子（Ｏ）を
構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良
い。 層領域（Ｎ）を形成する際に使用される窒素原
子（Ｎ）導入用の原料ガスに成り得るものとして
有効に使用される出発物質は、Ｎを構成原子とす
る或いはＮとＨとを構成原子とする例えば窒素
（N₂）、アンモニア（NH₃）、ヒドラジン
（H₂NNH₂）、アジ化水素（NH₃）、アジ化アンモ
ニウム（NH₄N₃）等のガス状の又はガス化し得
る窒素、窒化物及びアジ化物等の窒素化合物を挙
げることが出来る。この他に、窒素原子（Ｎ）の
導入に加えて、ハロゲン原子（Ｘ）の導入も行え
るという点から、三弗化窒素（F₃N）、四弗化窒
素（F₄N₂）等のハロゲン化窒素化合物を挙げる
ことが出来る。 本発明に於いては、層領域（Ｎ）中には窒素原
子で得られる効果を更に助長させる為に、窒素原
子に加えて、更に酸素原子を含有することが出来
る。酸素原子と層領域（Ｎ）に導入する為の酸素
原子導入用の原料ガスとしては、例えば酸素
（O₂）、オゾン（O₃）、一酸化窒素（NO）、二酸化
窒素（NO₂）、一二酸化窒素（N₂O）、三二酸化
窒素（N₂O₃）、四三酸化窒素（N₂O₄）、五二酸化
窒素（N₂O₅）、三酸化窒素（NO₃）、シリコン原
子（Si）と酸素原子（Ｏ）と水素原子(H)とを構成
原子とする、例えば、ジシロキサン
（H₃SiOSiH₃）、トリシロキサン
（H₃SiOSiH₂OSiH₃）等の低級シロキサン等を挙
げることが出来る。 スパツタリング法によつて、窒素原子を含有す
る層領域（Ｎ）を形成するには、単結晶又は多結
晶のSiウエーハー又はSi₃N₄ウエーハー、又はSi
とSi₃N₄が混合されて含有されているウエーハー
をターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパツタリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツタ用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツタリングすれ
ば良い。 又、別には、SiとSi₃N₄とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi₃N₄の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツタ用のガス
としての稀釈ガスの雰囲気中では又は少なくとも
水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成
原子として含有するガス雰囲気中でスパツタリン
グすることによつて成される。窒素原子導入用の
原料ガスとしては、先述した、グロー放電の例で
示した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガス
が、スパツタリングの場合にも有効なガスとして
使用され得る。 本発明に於いて、光受容層の形成の際に、窒素
原子を含有される層領域（Ｎ）を設ける場合、該
層領域（Ｎ）に含有される窒素原子の分布濃度Ｃ
（Ｎ）を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の
分布状態（depth profile）を有する層領域（Ｎ）
を形成するには、グロー放電の場合には分布濃度
Ｃ（Ｎ）を変化させるべき、窒素原子導入用の出
発物質のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲
線に従つて適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入す
ることによつて成される。例えば手動あるいは外
部駆動モータ等の通常用いられている何らかの手
段により、ガス流路系の途中に設けられた所定の
ニードルバルブの開口を漸次変化させる操作を行
なえばよい。このとき、流量の変化率は線型であ
る必要はなく、例えばマイコン等を用いて、あら
かじめ設計された変化率曲線に従つて流量を制御
し、所望の含有率曲線を得ることできる。 層領域（Ｎ）をスパツタリング法によつて形成
する場合、窒素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｎ）
を層厚方向で変化させて、窒素原子の層厚方向の
所望の分布状態（depth profile）を形成するに
は、第一には、グロー放電法による場合と同様
に、窒素原子導入用の出発物質をガス状態で使用
し、該ガスを堆積中へ導入する際のガス流量を所
望に従つて適宜変化させることによつて成され
る。 第二には、スパツタリング用のターゲツトを、
例えば、SiとSi₃N₄との混合されたターゲツトを
使用するのであれば、SiとSi₃N₄との混合比を、
ターゲツトの層厚方向に於いて、予め変化させて
おくことによつて成される。 本発明に於いて、形成される光受容層を構成す
る第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子(H)
の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子と
ハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましく
は、１〜40atomic ％、より好適には５〜
30atomic ％、最適には５〜25atomic ％とさ
れるのが望ましい。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電絶縁性であつても良い。導電性支持体
としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo、Au、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Al、Cr、Mo、Au、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt、
Pd、In₂O₃、SnO₂、ITO（In₂O₃＋SnO₂）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr、Al、Ag、Pb、Zn、Ni、
Au、Cr、Mo、Ir、Nb、Ta、Ｖ、Ti、Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつて
その形状は決定されるが、例えば、第１図の光導
電部材１００を電子写真用像形成部材として使用
するのであれば連続高速複写の場合には、無端ベ
ルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持体の
厚さは、所望通りの光導電部材が形成される様に
適宜決定されるが、光導電部材として可撓性が要
求される場合には、支持体としての機能が充分発
揮される範囲内であれば可能な限り薄くされる。
而し乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱
い上、機械的強度等の点から、通常は、10μ以上
とされる。 次に本発明の電子写真用光導電部材の製造方法
の一例の概略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光導電部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２は、Heで稀釈されたSiH₄ガス（純度99.999％、
以下SiH₄／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたGeH₄ガス（純度99.999％、以下
GeH₄／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたSiF₄ガス（純度99.99％、以下SiF₄／He
と略す。）ボンベ、１１０５はNH₃ガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はH₂ガス（純度
99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先づメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10^-6torrになつ
た時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に光受容層を
形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１
０２よりSiH₄／Heガス、ガスボンベ１１０３よ
りGeH₄／Heガス、ガスボンベ１１０５より
NH₃ガスをバルブ１１２２，１１２３，１１２
５を開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２８，１
１３０の圧を１Kg／cm²に調整し、流入バルブ１１
１２，１１１３，１１１５を徐々に開けて、マス
フロコントローラ１１０７，１１０８，１１１０
内に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ１１
１７，１１１８，１１２０、補助バルブ１１３２
を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流
入させる。このときのSiH₄／Heガス流量と
GeH₄／Heガス流量とNH₃ガス流量との比が所
望の値になるように流出バルブ１１１７，１１１
８，１１２０を調整し、又、反応室１１０１内の
圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読
みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整
する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター
１１３８により約50〜400℃の範囲の温度に設定
されていることを確認された後、電源１１４０を
所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー
放電を生起させ所望時間グロー放電を維持し、所
望層厚に、基板１１３７上に第１の層領域(G)を形
成する。所望層厚に第１の層領域(G)が形成された
た段階に於いて、流出バルブ１１１８を完全に閉
じること、及び必要に応じて放電条件を変える以
外は、同様な条件と手順に従つて所望時間グロー
放電を維持することで、第１の層領域(G)上にゲル
マニウム原子の実質的に含有されない第２の層領
域（Ｓ）を形成することが出来る。 第２の層領域（Ｓ）中に伝導性を支配する物質
を含有させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成の
際に例えばB₂H₆、PH₃等のガスを堆積室１１０
１の中に導入するガスに加えてやれば良い。 層形成を行つている間は層形成の均一化を計る
ため基板１１３７はモータ１１３９により一定速
度で回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第１表に示す条件で層形成を行
つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材は、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した。光像はタングステン
ランプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型の
テストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面にカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 実施例 ２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示
す条件にした以外は実施例１と同様にして、層形
成を行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて帯電極性
と現像剤の荷電極性の夫々を実施例１と反対にし
た以外は実施例１と同様の条件及び手順で転写紙
上に画像を形成したところ極めて鮮明な画質が得
られた。 実施例 ３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示
す条件にした以外は実施例１と同様にして、層形
成を行つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ４ 実施例１に於いて、GeH₄／HeガスとSiH₄／
Heガスのガス流量比を変えて第１層中に含有さ
れるゲルマニウム原子の含有量を第４表に示す様
に変えた以外は、実施例１と同様にして電子写真
用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第４表に示す結果が得られた。 実施例 ５ 実施例１に於いて、第１層の層厚を第５表に示
すように変える以外は、実施例１と同様にして各
電子写真用像形成部材を作成した。 こうして得られた各像形成部材に就いて、実施
例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形
成したところ第５表に示す結果が得られた。 実施例 ６ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に第６表に示す条件で層形成を行
つて電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面にカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 実施例 ７ 実施例１に於いて光源をタングステンランプの
代りに810nｍのGaAs系半導体レーザ（10ｍＷ）
を用いて、静電像の形成を行つた以外は、実施例
１と同様のトナー画像形成条件にして、実施例１
と同様の条件で作成した電子写真用像形成部材に
就いてトナー転写画像の画質評価を行つたとこ
ろ、解像力に優れ、階調再現性の良い鮮明な高品
位の画像が得られた。

【表】

【表】

【表】

【表】 ◎：優良 ○：良好 △：実用上充分
である

【表】 ◎：優良 ○：良好

【表】 以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条
件を以下に示す。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層
……約200℃ ゲルマニウム原子（Ge）非含有量
……約250℃ 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の電子写真用光導電部材の層
構成を説明する為の模式的層構成図、第２図乃至
第１０図は夫々層領域（Ｎ）中の窒素原子の分布
状態を説明する為の説明図、第１１図は、実施例
に於いて本発明の電子写真用光導電部材を作製す
る為に使用された装置の模式的説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……光受容層、１０３……第１の層領域(G)、
１０４……第２の層領域（Ｓ）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 電子写真用光導電部材用の支持体と、該支持
   体上に、ゲルマニウム原子をシリコン原子との和
   に対して１〜10×10⁵atomic ppm含有する非晶
   質材料で構成された層厚30Å〜50μの第１の層領
   域(G)とシリコン原子を含む（ゲルマニウム原子を
   含まない）非晶質材料で構成された層厚0.5〜90μ
   の第２の層領域（Ｓ）とが前記支持体側より順に
   設けられた層構成の層厚１〜100μの光導電性を
   示す光受容層とから成る電子写真用光導電部材で
   あつて、前記光受容層中には窒素原子が0.001〜
   50atomic ％含有されていることを特徴とする
   電子写真用光導電部材。 ２ 前記第１の層領域(G)及び前記第２の層領域
   （Ｓ）の少なくともいずれか一方に水素原子が含
   有されている特許請求の範囲第１項に記載の電子
   写真用光導電部材。 ３ 前記第１の層領域(G)及び前記第２の層領域
   （Ｓ）の少なくともいずれか一方にハロゲン原子
   が含有されている特許請求の範囲第１項又は同第
   ２項に記載の電子写真用光導電部材。