JPH0451473Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0451473Y2 JPH0451473Y2 JP1986039054U JP3905486U JPH0451473Y2 JP H0451473 Y2 JPH0451473 Y2 JP H0451473Y2 JP 1986039054 U JP1986039054 U JP 1986039054U JP 3905486 U JP3905486 U JP 3905486U JP H0451473 Y2 JPH0451473 Y2 JP H0451473Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- electrode
- impedance
- high frequency
- etching rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案はドライエツチング装置に係り、特に、
ウエハ内のエツチング速度の均一性を向上させる
のに好適なドライエツチング装置に関するもので
ある。
ウエハ内のエツチング速度の均一性を向上させる
のに好適なドライエツチング装置に関するもので
ある。
従来の装置は、特公昭56−47950号公報に記載
のように、試料を電極に配置し、試料によつて覆
われていない電極部分にフツ素樹脂または炭素か
らなる電極被覆部分を配置し、充分な熱伝達と汚
染防止とを両立させ、更にはシリコン酸化物に対
する高いエツチング速度を得るようにしたものが
ある。しかし、試料部分と電極被覆部分とのイン
ピーダンスの違いについては配慮されていなかつ
た。
のように、試料を電極に配置し、試料によつて覆
われていない電極部分にフツ素樹脂または炭素か
らなる電極被覆部分を配置し、充分な熱伝達と汚
染防止とを両立させ、更にはシリコン酸化物に対
する高いエツチング速度を得るようにしたものが
ある。しかし、試料部分と電極被覆部分とのイン
ピーダンスの違いについては配慮されていなかつ
た。
上記従来技術は、電極材料と基板とのインピー
ダンスの違いについて配慮されておらず、インピ
ーダンスは周波数に反比例して変わるため、RF
電源の周波数が低周波域（1KHz〜10MHz未満）
においては、電極と基板とのインピーダンスの違
いによりそれぞれ入射する荷電粒子の量の変化が
顕著に現われ、このため基板と基板周辺に入射す
る荷電粒子に差が生じ、基板内のエツチング速度
の均一性が悪くなるという問題があつた。
ダンスの違いについて配慮されておらず、インピ
ーダンスは周波数に反比例して変わるため、RF
電源の周波数が低周波域（1KHz〜10MHz未満）
においては、電極と基板とのインピーダンスの違
いによりそれぞれ入射する荷電粒子の量の変化が
顕著に現われ、このため基板と基板周辺に入射す
る荷電粒子に差が生じ、基板内のエツチング速度
の均一性が悪くなるという問題があつた。
本考案の目的は、周波数の低いRF電源を用い
た場合の基板内のエツチング速度の均一性を向上
を図ることのできるドライエツチング装置を提供
することにある。
た場合の基板内のエツチング速度の均一性を向上
を図ることのできるドライエツチング装置を提供
することにある。
上記目的は、高周波電圧が印加される電極に基
板を配置し、基板をガスプラズマによつてエツチ
ングするドライエツチング装置において、電極に
印加する高周波電圧の周波数を1KHz〜10MHz未
満の低周波域の高周波とし、基板を配置した電極
の基板周囲を基板と同じインピーダンスにした部
材で覆うことにより、達成される。
板を配置し、基板をガスプラズマによつてエツチ
ングするドライエツチング装置において、電極に
印加する高周波電圧の周波数を1KHz〜10MHz未
満の低周波域の高周波とし、基板を配置した電極
の基板周囲を基板と同じインピーダンスにした部
材で覆うことにより、達成される。
基板を配置する部分以外の電極上を基板と同じ
インピーダンスの部材で覆うことにより基板と電
極とのインピーダンスの差がなくなり、これによ
つて、電極に周波数を1KHz〜10MHz未満の低周
波域の高周波電圧を印加した場合に、電極全面に
一様に荷電粒子が入射して、基板内のエツチング
速度が一様になり基板内のエツチング速度の均一
性が良くなる。
インピーダンスの部材で覆うことにより基板と電
極とのインピーダンスの差がなくなり、これによ
つて、電極に周波数を1KHz〜10MHz未満の低周
波域の高周波電圧を印加した場合に、電極全面に
一様に荷電粒子が入射して、基板内のエツチング
速度が一様になり基板内のエツチング速度の均一
性が良くなる。
以下、本考案の一実施例を第１図と第２図とに
より説明する。
より説明する。
第１図はエツチング装置の構成を示すもので、
互いに平行な電極３，５を有し、基板２を載置す
る電極３には例えば周板数800KHzの低周波RF電
源１が接続されており、電極５は接地電位となつ
ている。基板２を載置する部分以外は、基板２と
同じインピーダンスの材料から成る例えば、シリ
コンの円板４が配置してある。また、基板２の同
じインピーダンスの円板４の材料として、絶縁性
材料例えば、石英、アルミナ、サフアイヤ、Ｃと
ＦあるいはＣとＦとＨからなる有機材料等の厚さ
を変えてインピーダンスを合わせたものでも良
い。
互いに平行な電極３，５を有し、基板２を載置す
る電極３には例えば周板数800KHzの低周波RF電
源１が接続されており、電極５は接地電位となつ
ている。基板２を載置する部分以外は、基板２と
同じインピーダンスの材料から成る例えば、シリ
コンの円板４が配置してある。また、基板２の同
じインピーダンスの円板４の材料として、絶縁性
材料例えば、石英、アルミナ、サフアイヤ、Ｃと
ＦあるいはＣとＦとＨからなる有機材料等の厚さ
を変えてインピーダンスを合わせたものでも良
い。
第２図は、CF4ガスを用いてSiO2膜をエツチン
グした場合のエツチング速度の基板内の分布を示
したものである。曲線ａは円板４を載置しない場
合のエツチング速度の分布である。円板４を配置
しない場合は、基板２に比べて電極３がむき出し
になつている部分はインピーダンスが小さいため
に、基板２の周辺部への荷電粒子の入射が多くな
り、基板２の外周部のエツチング速度が大きくな
つている。線ｂは、円板４を配置した場合のエツ
チング速度の分布である。この場合は、基板２の
部分と円板４の部分とのインピーダンスの差がな
くなるため、電極３に一様に荷電粒子が入射し、
基板内のエツチング速度が一様になつている。
グした場合のエツチング速度の基板内の分布を示
したものである。曲線ａは円板４を載置しない場
合のエツチング速度の分布である。円板４を配置
しない場合は、基板２に比べて電極３がむき出し
になつている部分はインピーダンスが小さいため
に、基板２の周辺部への荷電粒子の入射が多くな
り、基板２の外周部のエツチング速度が大きくな
つている。線ｂは、円板４を配置した場合のエツ
チング速度の分布である。この場合は、基板２の
部分と円板４の部分とのインピーダンスの差がな
くなるため、電極３に一様に荷電粒子が入射し、
基板内のエツチング速度が一様になつている。
以上、本一実施例によれば、特に同波数の低い
RF電源を用いた場合のエツチングにおいても、
基板内のエツチング速度の均一性を向上させるこ
とができる。
RF電源を用いた場合のエツチングにおいても、
基板内のエツチング速度の均一性を向上させるこ
とができる。
なお、本実施例では、基板を載置する電極に
RF電源を接続するカソード結合方式を例にあげ
て説明したが、基板を載置する電極と対向する電
極にRF電源を接続するアノード結合方式におい
ても同様な効果が得られる。
RF電源を接続するカソード結合方式を例にあげ
て説明したが、基板を載置する電極と対向する電
極にRF電源を接続するアノード結合方式におい
ても同様な効果が得られる。
本考案によれば、電極のインピーダンスを変え
ることができるので、基板と電極とのインピーダ
ンスの差が補正され、周波数の低いRF電源を用
いた場合の、基板内のエツチング速度の均一性が
向上するという効果がある。
ることができるので、基板と電極とのインピーダ
ンスの差が補正され、周波数の低いRF電源を用
いた場合の、基板内のエツチング速度の均一性が
向上するという効果がある。
第１図は、本考案の一実施例であるドライエツ
チング装置を示す構成図、第２図は、本考案の一
実施例のエツチング速度分布を示すグラフであ
る。 １……RF電源、２……基板、３……電極、４
……円板、５……電極。
チング装置を示す構成図、第２図は、本考案の一
実施例のエツチング速度分布を示すグラフであ
る。 １……RF電源、２……基板、３……電極、４
……円板、５……電極。
Claims (1)
- 高周波電圧が印加される電極に基板を配置し、
前記基板をガスプラズマによつてエツチングする
ドライエツチング装置において、前記電極に印加
する高周波電圧の周波数を1KHz〜10MHz未満の
低周波域の高周波とし、前記基板を配置した電極
の前記基板周囲を前記基板と同じインピーダンス
にした部材で覆つたことを特徴とするドライエツ
チング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986039054U JPH0451473Y2 (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1986039054U JPH0451473Y2 (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62152435U JPS62152435U (ja) | 1987-09-28 |
| JPH0451473Y2 true JPH0451473Y2 (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=30851870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1986039054U Expired JPH0451473Y2 (ja) | 1986-03-19 | 1986-03-19 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0451473Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58125831A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-27 | Seiko Epson Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS58168232A (ja) * | 1982-03-30 | 1983-10-04 | Fujitsu Ltd | 平行平板型ドライエツチング装置 |
-
1986
- 1986-03-19 JP JP1986039054U patent/JPH0451473Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62152435U (ja) | 1987-09-28 |
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