JPH0250197B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0250197B2
JPH0250197B2 JP179283A JP179283A JPH0250197B2 JP H0250197 B2 JPH0250197 B2 JP H0250197B2 JP 179283 A JP179283 A JP 179283A JP 179283 A JP179283 A JP 179283A JP H0250197 B2 JPH0250197 B2 JP H0250197B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flat plate
electrode
etching
upper electrode
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP179283A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS59126778A (ja
Inventor
Isamu Hijikata
Akira Uehara
Hisashi Nakane
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP179283A priority Critical patent/JPS59126778A/ja
Publication of JPS59126778A publication Critical patent/JPS59126778A/ja
Publication of JPH0250197B2 publication Critical patent/JPH0250197B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、改良されたプラズマエツチング方法
及びその装置に関するものである。
近年、半導体素子の製造に際し、ガスプラズマ
エツチングを利用することが一般的に行われるよ
うになつてきた。このガスプラズマエツチングを
行うための電極構造としては、これまで円筒同軸
型、円筒誘導方式型、平行平板型などが知られて
いるが、この中で平行平板型電極は、他の形式の
電極に比べ、サイドエツチングが少なく超微細パ
ターンに忠実な精度の高いエツチングが得られる
という長所があるため、特に注目されている。
しかし、この平行平板型電極は、(1)エツチング
速度が遅く、生産性が低い、(2)レジストマスクや
被処理試料がプラズマイオンの衝撃により損傷さ
れやすいため、処理電力の出力を低くおさえなけ
ればならない、(3)エツチング処理後にプラズマイ
オンによる損傷を回復するためを後処理を必要と
する、(4)半導体素子の絶縁ゲート膜や保護膜とし
て重要な窒化ケイ素（Si3N）膜をエツチングす
る場合、そのマスクとして用いられているホトレ
ジストの膜べりが大きく、さらにその下地として
多く用いられている二酸化ケイ素（SiO2）膜に
対する選択性が低い等の実用上の問題点を有す
る。
これらの問題点を解決するものとして、平行平
板電極の中間に多孔板より成る電極板を一方の電
極と接続させて挿入し中間電極として作用させる
装置が開発された（特開昭56−76242号公報）。こ
の装置は、プラズマ放電棒で生じる活性種を均一
かつ高密度とし、均一性の高い精密なエツチング
を可能にするとともに、試料をプラズマイオンの
衝撃から保護し、しかもエツチング速度を従来の
５〜10倍に向上させ得る利点を有するが、この中
間電極を用いる装置には、次のような問題点が生
ずることが明らかになつた。すなわち、中間電極
としてアルミニウム多孔板を用いた場合、アルミ
ニウムがスパツターされて被エツチング材料を汚
染し、その電気特性を悪くするという新たな問題
が発生することがわかつた。
本発明者らは、このような実情に鑑み、従来の
平行平板電極型を用いるプラズマエツチング方法
の欠点を克服し、窒化ケイ素とホトレジスト膜及
び二酸化ケイ素膜に対する選択性を高め、かつ被
エツチング材料を汚染することを防止する平行平
板電極型装置によるプラズマエツチング方法につ
いて鋭意研究を重ねた結果、電極間に絶縁板を介
在させることによりその目的を達成しうることを
見出し、本発明をなすに至つた。
すなわち、本発明は、レジストパターンを有す
る電子部品形成材料をプラズマエツチングするに
当り、下部電極上に、前記被処理物を載置し、こ
れに対向して上部電極を配置し、かつ両電極間に
多数の細孔を有する絶縁性平板を介在させて上部
電極に高周波電圧を印加することを特徴とするプ
ラズマエツチング方法及びその実施に好適な多数
の細孔を有する絶縁性平板を備えた装置を提供す
るものである。
次に、添付図面により本発明をさらに具体的に
説明する。
第１図は、本発明の装置の構造と要部を説明す
るための断面図であつて、ベル型蓋部１と底板２
から成る密閉容器内に、平板状の上部電極３と下
部電極４が平行に配設され、それらの中間に多孔
を有する絶縁性の平板５が挿入されている。上部
電極３は、その支持柱６をベル型蓋部１の頂部に
設けられた孔７に嵌合、固定することによつて懸
吊され、下部電極４は底板２の中央部に嵌合され
るかあるいは底板２と一体的に構成され、その上
面はレジストパターンを有する電子部品形成材料
被処理物の載置台を兼ねている。そして、上記上
部電極３は支持柱６を介して高周波電源に接続
し、下部電極４はアースされている。
上部電極３と下部電極４の中間に配設される多
数の孔を有する絶縁性の平板５は、適当な支持体
８，８′により支持されるが、その支持手段は知
られたどんな方法を用いてもよい。この平板５の
支持位置は、例えば、上下両電極板の距離が50mm
の場合、上部電極３から下方に30mm以上で、かつ
被処理物が栽置される下部電極４から上方10mm以
上の位置であることが好ましく、特に下部電極４
から上方15〜20mmの範囲内に配置することが好適
である。またこの平板５の形状は、通常プラズマ
エツチング装置に適合する形状が好ましく採用さ
れ、例えば第１図のベル型には円板状のものが好
適である。
しかし、本発明の目的が阻害されない限り、そ
の形状は特に制限されるものではなく、またその
平板５の面の大きさは、本発明の効果が効果的に
達成される限り特に制限はないが、通常下部電極
４及びその上面に置かれる被処理物、すなわち、
レジストパターンを有する電子部品形成材料を十
分カバーするように選択することが好ましい。
本発明の方法及び装置に用いられるこの絶縁性
の多数の細孔を有する平板５は、絶縁性材料でつ
くられ、かつ板全体にわたつて多数の小さな貫通
孔９，…が形成された板状体であつて、板全体に
均一に細孔を分布させたものが好ましい。絶縁性
材料としては、例えばセラミツクス、ガラス等が
用いられるが、特にセラミツクスが好ましい。
第２図は、本発明に用いられる平板５の好まし
い１例を示す平面図で、また第３図は平板の他の
例を示す平面図である。第２図においては、円形
の平板５に円板全体にわたつて多数の細孔９，…
が実質的均一に分布形成されているが、第３図に
示すように、目的によつては円板の中央部に比較
的大きな孔９′を形成させドーナツ状とした平板
を有利に用いることもできる。
絶縁性の平板に多数形成させる細孔は、正方
形、長方形、円形、三角形など任意の形状とする
ことができるが、平板全体に均一に分布させるこ
とが望ましい。また、この細孔の大きさは、孔径
10mm未満、好ましくは５〜８mmの範囲であつて、
１cm2当たり１〜５個程度の割合に穿設するのが適
当である。
このような本発明の装置を用い、プラズマガス
の雰囲気下に上部電極に高周波電圧を印加してプ
ラズマエツチングを行うときは、上部電極と両電
極間に配設された多数の細孔を有する絶縁性の平
板との間でプラズマ放電が行われ、発生した活性
種が絶縁性の平板の細孔を通り抜け、下部電極の
上面に載置された被処理物、例えばウエハーに達
し、効果的にエツチングが行われる。本発明の装
置を用いるときは、被処理物が直接プラズマ放電
領域にさらされず、しかも中間に介在する平板が
絶縁性材料で構成されているので、導電性平板の
場合と異なり、被処理物に達する活性種は適度に
抑制されて減少し、緩和された作用力で被処理物
をエツチングする。このため均一性の高い精密な
エツチングが得られ、さらにレジストや各種被処
理物のプラズマイオンの衝撃による損傷が効果的
に防止できるので、ホトレジストや下地への選択
性が顕著に向上する。このような効果は平板に導
電性材料を用いた場合には被処理物が汚染される
ので実用的でない。また、本発明の装置を用いて
プラズマエツチングを行うときは、処理電力の出
力を高めてエツチング速度をはやめ、しかもプラ
ズマイオンの衝撃による悪影響も抑制できるので
生産性を向上させることができる。
本発明によれば、従来問題があつた窒化ケイ素
膜のドライエツチングも容易に行うことができ、
中間電極を用いることに起因する被処理物の特性
の悪化、その他の不利益が好都合に克服できる。
本発明の装置を陰極結合型の平行平板型装置と
して用い、上部電極をアースし、被処理物を載置
した下部電極に高周波電圧を印加した場合には、
中間に支持された絶縁性の多数の細孔を有する平
板と下部電極との間でプラズマが発生して作用す
るので、レジストや被処理物は直接プラズマイオ
ンの衝撃を受けて損傷し、下地層の選択性の向上
は望めない。したがつて、本発明の装置において
は上部電極に高周波電圧を印加することが重要で
ある。
以上の説明においては、上部及び下部電極を水
平に置いた平行平板電極型について述べたが、本
発明においては特に水平にする必要はなく、垂直
であつても何ら支障はない。
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明
する。
実施例 直径140mmの上部電極、直径140mmの被処理物載
置台兼用の下部電極を50mm間隔に平行に配置した
枚葉自動処理型プラズマエツチング装置OAPM
−301B（東京応化工業社製）に、直径160mm、厚
さ２mmのセラミツクス板に直径６mmの孔を1.5
個／cm2の割合で均一に形成させた平板を、上部電
極の下方30mmの位置に電極板と平行に配設した。
４インチシリコンウエハー上に1000Åの窒化ケイ
素膜を形成させた被処理物を下部電極面のほぼ中
央に置き、プラズマ用処利ガスとして酸素ガス８
重量％を含む四フツ化炭素ガスを用い、反応室内
の真空度を0.5Torrに保つて、高周波発振器出力
200Wで窒化ケイ素膜を75秒間プラズマエツチン
グした。マスクとしては厚さ1μｍのOMR85（商
品名、東京応化工業社製）のレジスト膜を用い、
下地層としては厚さ1000Åの二酸化ケイ素層を用
いたが、レジスト膜の減少はほとんどなく、ウエ
ハー全面にわたつてむらのない均一な高精度エツ
チング処理がなされた。
窒化ケイ素膜のエツチング速度は800Å／分、
また下地層である二酸化ケイ素層のエツチング速
度は300Å／分であり、窒化ケイ素膜との選択比
は2.7であつた。
比較のために、上記装置から多数の細孔を有す
る絶縁性の平板を取り除いて、上記と同一条件で
エツチング処理を行つたところ、エツチング時間
は67秒で十分であつたが、レジスト膜は3000Å減
少した。また、窒化ケイ素膜及びホトレジスト膜
のエツチング速度はそれぞれ900Å／分及び2700
Å／分で、選択比は0.3であり、下地層のエツチ
ング速度は600Å／分で窒化ケイ素との選択比は
1.5であつた。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明装置の要部を示す側方断面
図、第２図は、絶縁性の平板の１例を示す平面
図、第３図は絶縁性の平板の別の例を示す平面図
である。 図中符号１はベル型蓋部、２は底板、３は上部
電極、４は下部電極、５は多数の細孔を有する絶
縁性の平板である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ レジストパターンを有する電子部品形成材料
    をプラズマエツチング処理するに当り、下部電極
    上に、被処理物を載置し、それに対向して上部電
    極を配置し、かつ両極間に多数の細孔を有する絶
    縁性平板を介在させ上部電極に高周波電圧を印加
    することを特徴とするプラズマエツチング方法。 ２ 高周波電圧を印加する上部電極と、それに対
    向して配置され、かつ被処理物が載置される下部
    電極を有する平行平板型プラズマエツチング装置
    において、上記上部電極と下部電極との間の空間
    に多数の細孔を有する絶縁性の平板を配設したこ
    とを特徴とするプラズマエツチング装置。 ３ 絶縁性平板がセラミツクス板である特許請求
    の範囲第２項記載の装置。
JP179283A 1983-01-11 1983-01-11 プラズマエツチング方法及びその装置 Granted JPS59126778A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP179283A JPS59126778A (ja) 1983-01-11 1983-01-11 プラズマエツチング方法及びその装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP179283A JPS59126778A (ja) 1983-01-11 1983-01-11 プラズマエツチング方法及びその装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59126778A JPS59126778A (ja) 1984-07-21
JPH0250197B2 true JPH0250197B2 (ja) 1990-11-01

Family

ID=11511424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP179283A Granted JPS59126778A (ja) 1983-01-11 1983-01-11 プラズマエツチング方法及びその装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59126778A (ja)

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63164433A (ja) * 1986-12-26 1988-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd ドライエツチング装置
DE3708717A1 (de) * 1987-03-18 1988-09-29 Hans Prof Dr Rer Nat Oechsner Verfahren und vorrichtung zur bearbeitung von festkoerperoberflaechen durch teilchenbeschuss
US7459098B2 (en) * 2002-08-28 2008-12-02 Kyocera Corporation Dry etching apparatus, dry etching method, and plate and tray used therein
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8999856B2 (en) * 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
JP7176860B6 (ja) 2017-05-17 2022-12-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 前駆体の流れを改善する半導体処理チャンバ
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes

Also Published As

Publication number Publication date
JPS59126778A (ja) 1984-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0250197B2 (ja)
JPH0718438A (ja) 静電チャック装置
JPS6337193B2 (ja)
JPS6136589B2 (ja)
JPH04279044A (ja) 試料保持装置
JPH05160076A (ja) ドライエッチング装置
JPS6210687B2 (ja)
JP2004319972A (ja) エッチング方法及びエッチング装置
JPS6247130A (ja) 反応性イオンエツチング装置
JPH0618182B2 (ja) ドライエッチング装置
JPS59144133A (ja) プラズマドライ処理装置
JPH074718B2 (ja) 静電吸着装置
JPH0760815B2 (ja) ドライエッチング方法
JP5094307B2 (ja) プラズマ処理装置
JPH0437125A (ja) ドライエッチング装置
JPS59172236A (ja) 反応性イオンエツチング装置
JPH0513290A (ja) 半導体ウエーハ
JPH0344028A (ja) プラズマエッチング装置
JPH01200629A (ja) ドライエッチング装置
JPH0479220A (ja) ドライエッチング方法
JPS596544A (ja) プラズマエツチング用半導体基板載置治具
JPS6218727A (ja) 半導体処理装置
JPS5941478A (ja) 反応性プラズマエツチング方法
JPH033251A (ja) 試料保持装置
JPH10209126A (ja) プラズマエッチング装置