JPH0451821B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］ この発明は、ポジ型フオトレジスト用の現像液
に関する。 ［従来の技術］ 近年、集積回路の高集積度化が加速度的に進
み、現在では集積度100万以上のいわゆる超LSI
の時代に移行しつつあり、これに伴つてフオトリ
ソグラフイによるパターンサイズも1.2μｍ以下、
さらには0.8μｍ以下というサブミクロンの領域に
入り、このフオトリソグラフイ技術に対する要求
も年々その厳しさを増している。 ところで、現在使用されているポジ型フオトレ
ジストとしては、ベースのアルカリ可溶性ノボラ
ツク樹脂に光分解剤であるナフトキノンジアジド
化合物を組合わせたものが主流になつており、光
照射によりカルボン酸基が生じてアルカリ可溶性
になる。このため、このようなポジ型フオトレジ
ストの現像液としては、金属イオンを含まない第
四級アンモニウム塩基、例えばテトラメチルアン
モニウムハイドロキサイドやトリメチルヒドロキ
シエチルアンモニウムハイドロキサイド（コリ
ン）等を主体とした有機水酸化第四アンモニウム
水溶液が使用されている。 しかしながら、このような有機水酸化第四アン
モニウム水溶液のみを現像液として使用した場合
には、ポジ型フオトレジストの露光部と非露光部
とに対する溶解速度の選択比について満足し得る
値が得られず、1μｍ以下の微細なパターンにな
ると、現像後に得られるレジストパターンのレジ
スト膜厚の減少による影響が相対的に大きくな
り、レジストプロフアイルや寸法制御精度が極端
に低下するほか、レジストパターン間に僅かに現
像残りが残存する現像不良（スカム、レジスト残
渣）やレジストパターン端での裾切れの問題も大
きくクローズアツプされてくる。 そこで、従来においては、溶解速度の選択比を
改善する目的で第四級アンモニウム型陽子イオン
性界面活性剤を添加する方法（例えば、特開昭58
−9143号）や、レジスト残渣や裾切れ、あるいは
ホトレジスト膜への濡れ性の改善のために非イオ
ン性界面活性剤や、あるいはある種の有機溶剤を
添加する方法（例えば特開昭58−57128号、特開
昭59−182444号、特開昭61−167948号、特開昭62
−32453号、特開昭62−67535号等の各公報）が提
案されている。 しかしながら、第四級アンモニウム型陽イオン
性界面活性剤だけを含有する現像液においては、
露光部と非露光部に対する溶解選択性は良好であ
るが、レジスト感度が低下するという重大な問題
が発生する。すなわち、現在のフオトリソグラフ
イプロセスにおいては、その解像力の向上を図る
目的で、光強度の小さい単色光を使用して縮小投
影を行い、１枚のウエハーを何回にも分割して露
光する、いわゆるステツパー露光が主流になつて
いるが、集積度の向上に伴つて描くべき図形もま
すます複雑化し、露光回数も増加する傾向にあつ
て全体のプロセスに占める露光時間の割合が増加
し、レジスト感度の低下はさらに長時間の露光を
必要とすることになり、縮小投影露光機といつた
高価な機械を使用する露光工程のスループツトダ
ウンにつながり、超LSI製造の大きな障害にな
る。また、現像後に露光部分にスカム残り（レジ
スト残渣）が発生しやすいという欠点もあり、実
用的でない。 また、非イオン性界面活性剤や、ある種の有機
溶剤を添加する方法においては、濡れ性も含めて
レジスト残渣や裾切れといつた現像特性が改善さ
れるものの、露光部と未露光部の溶解速度の選択
比が低下するという欠点がある。このため、レジ
スト膜の残膜率が低下し、レジストプロフアイル
が悪くなるが、この影響は、パターンサイズが微
細になる程相対的に大きくなるので、パターンサ
イズがザブミクロンの領域になると、大きな問題
点となつてくる。 このため、これらの欠点を補い、実際的な改善
を得るために、陽イオン性界面活性剤と非イオン
性界面活性剤を併用する方法（例えば、特開昭61
−18944号、特開昭61−151537号等の各公報）が
提案されている。そして、この方法においては、
基本的にはいずれも以下のような構造式 Ｒ（−CH₂−CH₂−Ｏ−）_lCH₂−CH₂−OH 〔式中、Ｒは炭素数10〜20のアルキル基又は

【式】（R′は炭素数６〜25のアル キル基）、ｌは４〜100の整数である）の非イオン
性界面活性剤が採用されている。これらは、ポリ
オキシエチレンのエーテル系のもの、エーテル系
の特殊非イオンの形のものであり、非イオン性界
面活性剤としては普通に使用されているものであ
る。 確かに、これらの非イオン性界面活性剤を使用
した現像液は、濡れ性も含めてレジスト残渣や裾
切れといつた現像特性は改善されるものの、起泡
性が大きく、なおかつ、露光部と未露光部の溶解
速度の選択比を非常に大きく低下させるという欠
点がある。このため、これらの非イオン性界面活
性剤を使用して、なおかつ、溶解速度の選択比を
改良させるだけの量、陽イオン界面活性剤も添加
した場合、大幅なレジスト感度の低下は避けられ
ない。また、これらの非イオン性界面活性剤の添
加濃度として、溶解速度の選択比があまり低下し
ない程度のごく微量とした場合は、レジスト残渣
や裾切れといつた現像特性の実際的な改良の効果
はほとんどなく表れなくなる。 このため、陽イオン系界面活性剤に組合せる非
イオン性界面活性剤としては、低起泡性であり、
そして、レジスト残渣や裾切れ、あるいはホトレ
ジスト膜への濡れ性に大きな効果があつて、なお
かつ露光部と未露光部の選択比をなるべく低下さ
せないものが望まれる。 ［発明が解決しようとする問題点］ 従つて、本発明の目的は、レジスト表面に対す
る現像液の濡れ性を向上させ、レジスト感度を低
下させることなく、露光部と未露光部との間の溶
解速度の選択比や現像不良及び裾切れを改善した
低起泡性のポジ型フオトレジスト用現像液を提供
することにある。 ［問題点を解決するための手段］ すなわち、本発明は、有機水酸化第四アンモニ
ウム水溶液を主成分とし、下記一般式（）及び
（）で表されるポリプロピレングリコールにエ
チレンオキサイドを付加させたHLB値６〜14の
プルロニツク型及び／又は下記一般式（）で表
されるテトロニツク型の非イオン性界面活性剤
と、下記一般式（）で表される炭化水素系陽イ
オン性界面活性剤、下記一般式（）で表される
弗素系陽イオン性界面活性剤、あるいは下記一般
式（）で表される実質的にハロゲン原子を含ま
ない第四級アンモニウム化合物を含有することを
特徴とするポジ型フオトレジスト用現像液。 一般式（）、（） HO−A_l−B_n−A_o−Ｈ （） HO−C_x−A_y−C_z−Ｈ （） （式中Ａは−CH₂−CH₂−Ｏ−、Ｂは−CH
（CH₃）−CH₂−Ｏ−、Ｃは−CH₂−CH（CH₃）−
Ｏ−、ｌ＋ｎ＝15〜100、ｍ＝20〜70、ｘ＋ｚ＝
15〜100、ｙ＝15〜60である） 一般式（） （式中Ａは−CH₂−CH₂−Ｏ−、Ｄは−CH
（CH₃）−CH₂−Ｏ−又は−CH₂−CH（CH₃）−Ｏ
−、ｐ＝10〜50、ｑ＝５〜30である） 一般式（） （式中、R₁はメチル基、R₂はメチル基、

【式】又は（−CH₂−CH₂−Ｏ−）_rＨ・ （ｒ＝１〜15）R₃はメチル基又は（−CH₂−CH₂−
Ｏ−）_sＨ（ｓ＝１〜15）、R₄は炭素数６〜18のアル
キル基、Ｘは酸根である〕 （式中、R₅は炭素数６〜12のパーフルオロア
ルキル基、Ｅは−SO₂−又は−CO−、R₆は炭素
数１〜４のアルキレン基、R₇〜R₉は互いに同一
又は異なる水素、低級アルキル基又はヒドロキシ
置換低級アルキル基、ＹはOH又は酸根である） 一般式（） （式中、R₁₀〜R₁₂は互いに同一又は異なる炭
素数１〜４のアルキル基、R₁₃は炭素数８〜18の
アルキル基、ＺはOH又はHCO₃である） 本発明において主成分として使用される有機水
酸化第四級アンモニウム水溶液は、下記一般式 （但し、式中R₁₄〜R₁₇は互いに同一又は異な
る炭素数１〜３のアルキル基又はヒドロキシ置換
アルキル基を示す）で表される化合物の0.1〜10
重量％、好ましくは１〜5.5重量％水溶液であり、
具体的にはテトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイド（TMAH）、トリメチルヒドロキシエ
チルアンモニウムハイドロオキサイド（コリン）、
メチルトリヒドロキシエチルアンモニウムハイド
ロオキサイド、ジメチルジヒドロキシエチルアン
モニウムハイドロオキサイド、テトラエチルアン
モニウムハイドロオキサイド、トリメチルエチル
アンモニウムハイドロオキサイド等を挙げること
ができるが、PHあるいは製造面や経済面等の点か
ら好ましくはTMAHやコリンの水溶液である。 本発明で使用する非イオン界面活性剤は、前記
一般式（）あるいは（）で表される高分子量
プルロニツク型非イオン界面活性剤であつて、な
おかつ、HLB値が６〜14の範囲であり、好まし
くは10〜14の範囲にあるものである。HLB値が
６以下であると水溶性に乏しく、微量であつても
ほとんど現像液に溶解しないか、溶解しにくいた
め、あまり実用的とはいえない。HLB値が14を
超えると、現像液への溶解度は非常に高くなる
が、起泡性が大きくなり、また、1μｍ以下の微
細なパターンでの解像度及びレジスト残渣や裾切
れといつた現像特性がHLB値10〜14の範囲のも
のと比べると低下する。 また、本発明で使用する非イオン界面活性剤
は、前記一般式（）で表されるテトロニツク型
非イオン界面活性剤である。 これらのプルロニツク型及びテトロニツク型の
非イオン界面活性剤は、それぞれ単独で用いても
よいし、２種以上組合せて用いることもでき、ま
た、その添加量については、その種類あるいはレ
ジストの種類等によつても異なるが、通常0.001
〜0.5重量％好ましくは0.004〜0.08重量％の範囲
である。 さらに、本発明においては、上記プルロニツク
型及び／又はテトロニツク型の非イオン界面活性
剤の作用を補完し、露光部と未露光部との間の溶
解速度の選択比を向上させる目的で、前記した一
般式（）で表される炭化水素系第四級アンモニ
ウム型陽イオン界面活性剤あるいは前記一般式
（）で表されるフツ素系第四級アンモニウム型
陽イオン界面活性剤や、前記一般式（）で表さ
れる第四級アンモニウム化合物を添加することが
できる。 これらの第四級アンモニウム界面活性剤あるい
は第四級アンモニウム化合物は、そのいずれも露
光部と未露光部との間の溶解速度の選択比を向上
させる働きがあるが、その効力、特性には微妙な
違いがあり、これらの選択においては、個々のリ
ソグラフイープロセスがどういつた条件である
か、そして感度（生産性）あるいはレジストプロ
フアイルや限界解像度あるいは現像液の超高純度
化（例えばハロゲンフリー）といつたどのような
項目、部分に重点をおくのか、そして個々のレジ
ストとの相性というように、数多くのパラメータ
ーを満足させるべく最適化をはかつて決定され
る。そして、この第四級アンモニウム型陽イオン
界面活性剤あるいは第四級アンモニウム化合物の
添加量については、通常0.0005〜0.1重量％、好
ましくは0.001〜0.05重量％の範囲内である。 本発明のポジ型フオトレジスト現像液を調整す
るには、上記有機水酸化第４アンモニウム水溶液
に、プルロニツク型非イオン界面活性剤と、第四
級アンモニウム型陽イオン界面活性剤あるいは第
四級アンモニウム化合物を所定の添加量で添加
し、均一に溶解させればよい。 ［実施例］ 以下、実施例及び比較例に基づいて、本発明を
具体的に説明する。 実施例 １ 2.38wt％−TMAH水溶液にOPG−平均分子量
2050及び酸化エチレン重量割合40重量％並びに
HLB値10.1の一般式（）のプルロニツク型非
イオン界面活性剤0.05重量％とトリメチルラウリ
ルアンモニウムクロライド0.006重量％を添加し、
実施例１の現像液を調製した。 シリコンウエーハ上に、ポジ型フオトレジスト
OFPR−800（東京応化工業(株)製）をスピンコート
し、ホツトプレートで110℃90秒プレベークして
1.5μｍの膜厚を得た。このレジスト膜を、波長
436nm、NA値0.35のステツパー（ニコン(株)製縮
小投影型露光装置）にテストパターン用レテイク
ルを使用して露光した。 次に、上記実施例１の現像液を使用し、現像液
温25℃で30秒間現像を行い、純水でリンス及び乾
燥後、ウエハー上の1.2μｍ、1.0μｍ、及び0.8μｍ、
のラインアンドスペース（以下Ｌ／Ｓとあらわ
す）のレジストパターンの断面を走査型電子顕微
鏡で20000倍で撮影し、パターン形状の丸みや、
レジストプロフアイルのラインとラインの間（ス
ペース）のレジスト残渣や裾切れ、あるいは解像
度等を観察した。なお、このときマスク寸法1.0μ
ｍのＬ／Ｓにおけるラインとスペースが１：１と
なる適正露光時間をレジスト感度とした（レジス
トパターンが設計寸法を再現する露光時間を感度
とした）。また、タリステツプ膜厚計を用いて残
膜率を測定した。さらに、2.38wt％−TMAH水
溶液のみからなる現像液を使用して現像した後述
の比較例１を基準にし、上記レジスト残渣及び裾
切れの状態やレジストプロフアイル等を総合的に
判断し、その現像性が特に良好である場合を◎、
良好である場合を○、同等である場合を△、及び
それ以上悪い場合を×として評価した。また各現
像液について、JIS Ｋ 3362の測定方法に準じて
起泡度（直後の泡の高さ）及びあわの安定度（５
分後の泡の高さ）を測定した。 2.38wt％−TMAH水溶液のみの比較例１と比
較すると、実施例１の現像液を使用した場合に
は、レジスト感度があまり低下することなく、パ
ターン形状の丸みのない、残膜率の改良されたシ
ヤープな断面形状が得られ、レジスト残渣やレジ
ストパターン端の裾切れも非常に良好であつた。 実施例 ２〜８ 実施例１と同様に、2.38wt％−TMAH水溶液
に第２表に示す添加剤を添加して実施例２〜８の
現像液を調製し、上記実施例１と同様にしてその
レジスト感度及び残膜率を測定し、また、現像性
評価を行つた。結果を第１表に示す。 第２表 実施例２：OPG−平均分子量1750、酸化エチレ
ン重量割合40wt％及びHLB値10.1の
一般式（）のプルロニツク型非イオ
ン界面活性剤 ……0.01wt％ 実施例１と同じ陽イオン性界面活性剤
……0.002wt％ 実施例３：実施例２と同じプルロニツク型非イオ
ン界面活性剤 ……0.02wt％ ジメチルラウリルベンジルアンモニウ
ムクロライド ……0.001wt％ 実施例４：実施例２と同じプルロニツク型非イオ
ン界面活性剤 ……0.05wt％ メチルラウリルジヒドロキシエチルア
ンモニウムクロライド ……0.001wt％ 実施例５：実施例１と同じプルロニツク型非イオ
ン界面活性剤 ……0.05wt％ （ａ＋ｂ＝15） ……0.001wt％ 実施例６：OPG−平均分子量1200、酸化エチレ
ン重量割合40wt％及びHLB値11.5の
一般式（）のプルロニツク型非イオ
ン界面活性剤 ……0.02wt％ トリメチルセチルアンモニウムクロラ
イド ……0.002wt％ 実施例７：実施例１と同じプルロニツク型非イオ
ン界面活性剤 ……0.05wt％ ［C₈F₁₇SO₂NHC₃H₆Ｎ（CH₃）₃］^{+ -}
……0.005wt％ 実施例８：実施例１と同じプルロニツク型非イオ
ン界面活性剤 ……0.05wt％ トリメチルラウリルアンモニウムハイ
ドライド ……0.002wt％ 実施例 ９〜12 4.6wt％−コリン水溶液に第３表に示す添加剤
を添加して実施例９〜12の現像液を調製し、上記
実施例１と同様にしてそのレジスト感度及び残膜
率を測定し、また、現像性評価を行つた。結果を
第１表に示す。 第３表 実施例９：実施例１と同じプルロニツク型非イオ
ン界面活性剤 ……0.04wt％ 実施例１と同じ陽イオン界面活性剤
……0.004wt％ 実施例10：実施例２と同じプルロニツク型非イオ
ン界面活性剤 ……0.02wt％ 実施例４と同じ陽イオン界面活性剤
……0.001wt％ 実施例11：実施例１と同じプルロニツク型非イオ
ン界面活性剤 ……0.04wt％ 実施例７と同じ陽イオン界面活性剤
……0.004wt％ 実施例12：実施例２と同じプルロニツク型非イオ
ン界面活性剤 ……0.01wt％ 実施例８と同じ第四級アンモニウム化
合物 ……0.004wt％ 実施例 13〜14 実施例１と同様に、2.38wt％−TMAH水溶液
に第４表に示す添加剤を添加して実施例13〜14の
現像液を調製し、また各測定及び評価を行つた。
結果を第１表に示す。 第４表 実施例13：OPG−平均分子量3000、酸化エチレ
ン重量割合40wt％のテトロニツク型
非イオン界面活性剤 ……0.01wt％ 実施例１と同じ陽イオン界面活性剤
……0.001wt％ 実施例14：実施例13と同じテトロニツク型非イオ
ン界面活性剤 ……0.04wt％ 実施例８と同じ陽イオン界面活性剤
……0.004wt％ 比較例 １ 添加剤を含まないテトラメチルアンモニウムハ
イドロオキサイド2.38重量％水溶液のみ（2.38wt
％−TMAH水溶液）からなる現像液を比較例１
の現像液として使用し、実施例１と同様に評価し
た。結果を第１表に示した。 比較例 ２ トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムハイ
ドロオキサイド4.6重量％水溶液のみ（4.6wt％−
コリン水溶液）からなる現像液を比較例２の現像
液として使用し、現像液温度を30℃とした以外は
実施例１と同様に評価した。結果を第１表に示し
た。 比較例 ３ 実施例１で使用したプルロニツク型非イオン界
面活性剤に代えて下記の非イオン界面活性剤を用
いた以外は、実施例１と同様にして評価した。結
果を第１表に示した。実施例１と比較すると、残
膜率はほとんど変化はないが、レジスト感度が大
幅に低下した。また、限界解像度付近でのプロフ
アイルも実施例１の方が良好であつた。 エチレンオキサイド付加モル数≒20 HLB値：16.0 比較例 ４ 実施例４で使用したプルロニツク型非イオン界
面活性剤に代えて下記の非イオン界面活性剤を用
いた以外は、実施例４と同様に評価した。結果を
第１表に示した。 C₁₂H₂₅Ｏ（−C₂H₄−Ｏ−）_oＨ エチレンオキサイド付加モル数≒20 HLB値：16.0 比較例 ５ 実施例７で使用したプルロニツク型非イオン界
面活性剤に代えて下記の非イオン界面活性剤を用
いた以外は、実施例７と同様に評価した。結果を
第１表に示した。 C₁₂H₂₅Ｏ（−C₂H₄−Ｏ−）_oＨ エチレンオキサイド付加モル数≒20 HLB値：16.0 比較例 ６ 実施例９で使用したプルロニツク型非イオン界
面活性剤に代えて下記の非イオン界面活性剤を用
いた以外は、実施例９と同様に評価した。結果を
第１表に示した。 エチレンオキサイド付加モル数≒20 HLB値：16.0 比較例 ７ 実施例１で使用したプルロニツク型非イオン界
面活性剤に代えてOPG−平均分子量3250、酸化
エチレン重量割合80wt％並びにHLB値14.1の一
般式（）のプルロニツク型非イオン界面活性剤
を0.01重量％の割合で添加し、また実施例１と同
じ陽イオン界面活性剤の添加量を0.001重量％と
した以外は、実施例１と同様にして測定評価を行
つた。結果を第１表に示した。 比較例 ８ 比較例７のプルロニツク型非イオン界面活性剤
の添加量0.01重量％とし、陽イオン界面活性剤の
添加量を0.004重量％とした以外は、比較例７と
同様にして測定及び評価を行つた。結果を第１表
に示した。 参考例 １〜２ 参考のために、2.38wt％−TMAM水溶液に、
実施例１のプルロニツク型非イオン界面活性剤の
みを添加した現像液（参考例１）と、実施例13の
テトロニツク型非イオン界面活性剤のみを添加し
た現像液（参考例２）を調製し、これらの現像液
について実施例１と同様にして測定評価を行つ
た。結果を第１表に示した。

【表】

【表】 実施例15〜18及び比較例９〜12 2.38wt％−TMAH水溶液に第５表に示す種類、
HLB値及び割合のプルロニツク型非イオン界面
活性剤を添加して現像液を調製し、実施例１と同
様にして起泡性について測定した。また、実施例
１と同様にしてシリコンウエハー上にポジ型フオ
トレジスト膜を形成した基板を作成し、この基板
上に各現像液を滴下し、滴下後10秒後におけるレ
ジスト膜上における現像液の接触角を測定した。
さらに、各現像液を曇点以上に加温白濁させた
後、徐々に冷却して液が透明になつた時の温度を
曇点として求めた。 これらの結果を第５表に示す。

【表】 第５表の結果から、HLB値が６〜14の範囲内
のもの（実施例15〜18）は、HLB値が14を超え
るもの（比較例11、12）に比べて、低起泡性（泡
立ちが小さく泡切れの良いこと）であり、しかも
接触角が小さいため、基板上で現像液が均一にす
ばやく拡がるため使用し易く、泡の影響による現
像不良の誘発の虞れがなく、またレジスト膜に対
する現像液の濡れ性の改善に有効であることが認
められる。なお、比較例11、12の現像液は起泡性
における直後と５分後の泡の高さが多少減少して
いる程度であることから、発生した泡が消えにく
いものであることを示している。 また、HLB値が６〜14の範囲内のものは曇点
が40℃以上であるのに対し、HLB値が６より低
いもの（比較例９、10）は曇点が共に29℃であつ
て、低い値を示している。 この曇点（CLOUD POINT）は、非イオン界
面活性剤特有の温度（濃度、外的条件で多少変わ
る）であり、この曇度以下では界面活性剤が水
（ここでは現像液：2.38wt％−TMAH水溶液）に
良く溶け、逆に曇点以上では難溶性になるという
目安になる。また、一般に現像液は室温下で使用
されることが多いが、夏場の現像液の輸送や保管
等を考慮すると、この曇点は40℃以上であること
が望まれている。 従つて、HLB値が６より低いもの（比較例９、
10）は曇点が低いため、例えば、液温度が30℃以
上になると溶液が白濁してしまうことを示し、こ
の点、HLB値が６〜14の範囲内のものは現像段
階で溶液が白濁するような問題がない。 ［発明の効果］ 本発明のポジ型フオトレジスト現像液は、レジ
スト表面に対する現像液の濡れ性に優れており、
レジスト感度を低下させることなく、露光部と未
露光部との間の溶解速度の選択比や現像不良及び
裾切れを改善でき、しかも、低起泡性であつて使
用し易い（例えば、現像液の供給循環時等におけ
る泡発生による支障がなく安定した供給等が可能
であつたり、現像液中に存在する泡により誘発さ
れる現像不良の虞れがない）ものである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 有機水酸化第四アンモニウム水溶液を主成分
   とし、下記一般式（）及び（）で表されるポ
   リプロピレングリコールにエチレンオキサイドを
   付加させたHLB値６〜14のプルロニツク型及
   び／又は下記一般式（）で表されるテトロニツ
   ク型の非イオン性界面活性剤と、下記一般式
   （）で表される炭化水素系陽イオン性界面活性
   剤、下記一般式（）で表される弗素系陽イオン
   性界面活性剤、あるいは下記一般式（）で表さ
   れる実質的にハロゲン原子を含まない第四級アン
   モニウム化合物を含有することを特徴とするポジ
   型フオトレジスト用現像液。 一般式（）、（） HO−A_l−B_n−A_o−Ｈ （） HO−C_x−A_y−C_z−Ｈ （） （式中Ａは−CH₂−CH₂−Ｏ−、Ｂは−CH
   （CH₃）−CH₂−Ｏ−、Ｃは−CH₂−CH（CH₃）−
   Ｏ−、ｌ＋ｎ＝15〜100、ｍ＝20〜70、ｘ＋ｚ＝
   15〜100、ｙ＝15〜60である） 一般式（） （式中Ａは−CH₂−CH₂−Ｏ−、Ｄは−CH
   （CH₃）−CH₂−Ｏ−又は−CH₂−CH（CH₃）−Ｏ
   −、ｐ＝10〜50、ｑ＝５〜30である） 一般式（） （式中、R₁はメチル基、R₂はメチル基、
   【式】又は（−CH₂−CH₂−Ｏ）−_rＨ・ （ｒ＝１〜15）R₃はメチル基又は（−CH₂−CH₂−
   Ｏ）−_sＨ（ｓ＝１〜15）、R₄は炭素数６〜18のアル
   キル基、Ｘは酸根である〕 一般式（） （式中、R₅は炭素数６〜12のパーフルオロア
   ルキル基、Ｅは−SO₂−又は−CO−、R₆は炭素
   数１〜４のアルキレン基、R₇〜R₉は互いに同一
   又は異なる水素、低級アルキル基又はヒドロキシ
   置換低級アルキル基、ＹはOH又は酸根である） 一般式（） （式中、R₁₀〜R₁₂は互いに同一又は異なる炭
   素数１〜４のアルキル基、R₁₃は炭素数８〜18の
   アルキル基、ＺはOH又はHCO₃である） ２ 非イオン界面活性剤の添加量が、0.001〜0.5
   重量％の範囲内である特許請求の範囲第１項記載
   のポジ型フオトレジスト用現像液。 ３ 第四級アンモニウム型陽イオン界面活性剤及
   び／又は第四級アンモニウム化合物の添加量が、
   0.0005〜0.1重量％の範囲内である特許請求の範
   囲第１項記載のポジ型フオトレジスト用現像液。